方法等進行了變更，沒有特別說明的事項與第一實施方式相同。
[0141 ] 在本實施方式中，第一光學面Ild被分成第一區(qū)域和第二區(qū)域，相對于光軸OA面角度較大的部分A2(第一光學面Ild的外緣側)作為第一區(qū)域，面角度較小的部分Al (第一光學面Ild的頂點側)作為第二區(qū)域。在本實施方式中，在第一結構體形成工序中，在第一光學面Ild的面角度較大的部分A2形成第二防反射結構體51b，在第二結構體形成工序中，在面角度較小的部分Al形成第一防反射結構體51a。
[0142]〔第一結構體形成工序〕
[0143]本工序具有第一掩模形成工序、第一蝕刻工序、以及掩模除去工序。
[0144]A)第一掩模形成工序
[0145]首先，如圖15A所不，與第一實施方式的第二掩模形成工序同樣地，在第一光學面Ild上形成第二掩模MB。第二掩模MB具有在第一光學面Ild中的面角度較小的部分Al形成的主掩模MB1、以及在面角度較大的部分A2形成的輔助掩模MB2。主掩模MBl形成為整體上覆蓋面角度較小的部分Al。輔助掩模MB2是島狀的掩模部分，在面角度較大的部分A2形成為微細的島狀圖案(島IM)。
[0146]B)第一蝕刻工序
[0147]接著，向光學構件陣列100的第一光學面Ild照射離子束。由此，如圖15B所示，第一光學面Ild中的露出的部分即面角度較大的部分A2與第二掩模MB的輔助掩模MB2的島頂一同被蝕刻。此時，主掩模MBl所覆蓋的面角度較小的部分Al不被蝕刻。由此，僅在面角度較大的部分A2形成第二防反射結構體51b。
[0148]C)掩模除去工序
[0149]接著，如圖15C所示，將附著于第一光學面Ild的第二掩模MB除去。具體而言，例如通過離子束或等離子體除去掩模、或者浸在掩模除去液中以除去掩模。
[0150]〔第二結構體形成工序〕
[0151 ] 本工序具有第二掩模形成工序和第二蝕刻工序。
[0152]A)第二掩模形成工序
[0153]首先，如圖16A所不，與第一實施方式的第一掩模形成工序同樣地，在第一光學面Ild上形成第一掩模MA。第二掩模MB的平均膜厚比第一掩模MA的平均膜厚小。其結果是，第一掩模MA在第一光學面Ild中的面角度較小的部分Al形成為微細的島狀圖案(島IM)。在前工序的掩模除去工序中，附著于面角度較小的部分Al的主掩模MBl被除去，因此，未形成有島IM的部分成為第一光學面Ild露出的狀態(tài)。在本實施方式中，第二結構體形成工序的第二掩模形成工序的第一掩模MA的厚度，比第一結構體形成工序的第一掩模形成工序的主掩模MBl的厚度薄。其結果是，在面角度較大的部分A2幾乎不形成掩模。
[0154]B)第二蝕刻工序
[0155]接著，向光學構件陣列100的第一光學面Ild照射離子束。如圖16B所示，第一光學面Ild中的露出的部分即面角度較小的部分Al與第一掩模MA的島IM—同被蝕刻。由此，在面角度比較小的部分Al形成第一防反射結構體51a。其結果是，在整個第一光學面Ild均勻地形成防反射結構體51。
[0156]另外，也可以在第二蝕刻工序后將附著于第一光學面Ild的第一掩模MA除去。
[0157]以上，說明了本實施方式的光學構件陣列的制造方法等，但本發(fā)明的光學構件陣列的制造方法等并不限于上述制造方法。例如，在上述實施方式中，第一以及第二光學面lld、12d的形狀、大小可以根據(jù)用途、功能適當變更。
[0158]另外，在上述實施方式中，各個第一以及第二透鏡元件11、12也可以不相連。艮P，基板101的一部分也可以露出。另外，也可以僅在基板101的單側設置第一透鏡陣列層102或第二透鏡陣列層103。另外，也可以不使用基板101而僅利用樹脂來形成光學構件陣列。在該情況下，第一以及第二透鏡陣列層102、103 —體地成形。
[0159]另外，在上述實施方式中，光學構件陣列100除用于透鏡以外，還能夠以各種各樣的目的被使用，例如用于反射鏡、衍射結構、照明部件、光傳送部件等。
[0160]另外，在上述實施方式中，光學構件陣列100不需要形成為圓盤狀，可以具有橢圓形等各種輪廓。例如，通過將光學構件陣列100從最初的形狀成形為方形板狀，可以簡化切斷工序。
[0161]另外，在上述實施方式中，形成在光學構件陣列100內的第一以及第二透鏡元件11、12的數(shù)量也不限于圖示的四個，可以設為兩個以上的多個。此時，從切割的便利性來看，第一以及第二透鏡元件11、12的配置優(yōu)選為格點狀。而且，鄰接的第一以及第二透鏡元件11、12的間隔也不限于圖示的間隔，可以考慮加工性等適當設定。
[0162]另外，在上述實施方式中，在基板101的一個面1lb以及另一個面1lc上涂敷了樹脂，但也可以在第一以及第二金屬模41、42的第一以及第二轉印面41b、42b上涂敷樹脂。
[0163]另外，在上述實施方式中，光學構件陣列100的成形方法除使樹脂流入成形金屬模40并使其固化那樣的使用了模制的方法之外，還可以使用各種各樣的方法。例如，也可以使用熱熔接、熱處理、蒸鍍、射出成形、涂敷、堆積后的蝕刻等來制作光學構件陣列100。另夕卜，若考慮第一以及第二光學面lld、12d的形狀精度和成形時間，則使用射出成形或模制的方法是優(yōu)選的。
[0164]另外，在上述實施方式中，第一防反射結構體51a也可以不用第一結構體形成工序而利用其他方法預先形成。例如，第一防反射結構體51a可以將光致抗蝕劑、粒子等用作掩模并通過蝕刻等來形成。
[0165]另外，在上述實施方式中，氣體供給部66、67設置有兩個，但既可以設置一個，也可以設置三個以上。
[0166]另外，在上述實施方式中，掩模MA的島IM也可以不是隨機配置的。
[0167]另外，在上述實施方式中，可以根據(jù)在第一以及第二掩模形成工序中形成的掩模的厚度，適當變更第一區(qū)域、第二區(qū)域的大小。
[0168]另外，在第三實施方式中，根據(jù)面角度的大小將第一光學面Ild分割為規(guī)定的范圍，并從面角度小的部分向面角度大的部分逐漸形成防反射結構體51，但若變更第四實施方式的制造方法，則也可以從面角度大的部分向面角度小的部分逐漸形成防反射結構體51ο
[0169]另外，在上述實施方式中，也可以不進行光學構件陣列100的層疊。另外，也可以不切斷光學構件陣列100而維持晶片狀的狀態(tài)。
[0170]另外，在上述實施方式中，在光學構件陣列100的制造工序時，先成形第一以及第二透鏡陣列層102、103后進行脫模，但也可以在第一透鏡陣列層102的成形以及脫模后進行第二透鏡陣列層103的成形以及脫模。另外，既可以針對第一以及第二透鏡陣列層102、103連續(xù)地進行各工序，也可以針對第一透鏡陣列層102進行各工序后針對第二透鏡陣列層103進行各工序。
[0171]另外，在上述實施方式中，也可以在防反射結構體51上設置有保護層。在該情況下，可以使用圖4所示的蒸鍍裝置65形成保護層。
【主權項】
1.一種光學元件的制造方法，該光學元件具有宏觀的非平坦面，所述光學元件的制造方法的特征在于，具有: 第一掩模形成工序，在所述第一掩模形成工序中，將所述宏觀的非平坦面劃分為多個區(qū)域，針對劃分出的所述多個區(qū)域中的第一區(qū)域形成島狀的掩模； 第一蝕刻工序，在所述第一蝕刻工序中，對通過所述第一掩模形成工序形成有島狀的掩模的所述第一區(qū)域進行蝕刻而在所述第一區(qū)域形成防反射結構體； 第二掩模形成工序，在所述第一蝕刻工序后，在所述第二掩模形成工序中，針對所述多個區(qū)域中的與所述第一區(qū)域不同的第二區(qū)域形成島狀的掩模；以及 第二蝕刻工序，在所述第二蝕刻工序中，對通過所述第二掩模形成工序形成有島狀的掩模的所述第二區(qū)域進行蝕刻而在所述第二區(qū)域形成防反射結構體。2.如權利要求1所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 所述第一區(qū)域是所述宏觀的非平坦面中的相對于所述光學元件的光軸、面角度較小的區(qū)域。3.如權利要求1或2所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 在所述第二掩模形成工序中，以整體上覆蓋通過所述第一蝕刻工序在所述第一區(qū)域形成的防反射結構體的方式形成掩模，并且，針對與所述第一區(qū)域不同的所述第二區(qū)域形成島狀的掩模。4.如權利要求1?3中任一項所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 通過所述第一掩模形成工序形成的第一掩模的平均膜厚與通過所述第二掩模形成工序形成的第二掩模的平均膜厚不同。5.如權利要求4所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 通過所述第一掩模形成工序形成的第一掩模的平均膜厚比通過所述第二掩模形成工序形成的第二掩模的平均膜厚薄。6.如權利要求4所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 通過所述第一掩模形成工序形成的第一掩模的平均膜厚比通過所述第二掩模形成工序形成的第二掩模的平均膜厚厚。7.如權利要求1?6中任一項所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 在所述第一蝕刻工序與所述第二掩模形成工序之間，具有將附著于所述宏觀的非平坦面的掩模除去的掩模除去工序。8.如權利要求1?7中任一項所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 在所述第二蝕刻工序后具有將附著于所述宏觀的非平坦面的掩模除去的掩模除去工序。9.如權利要求1?8中任一項所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 在所述第一掩模形成工序以及在所述第二掩模形成工序中，通過蒸鍍、濺射、以及CVD中的任一種來形成掩模。10.如權利要求1?9中任一項所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 在所述第一蝕刻工序以及所述第二蝕刻工序中，通過離子束以及等離子體中的任一種來蝕刻所述宏觀的非平坦面。11.如權利要求1?10中任一項所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 將所述多個區(qū)域中的不同于所述第一區(qū)域以及所述第二區(qū)域的區(qū)域劃分為一個以上，與所述第一掩模形成工序以及所述第二掩模形成工序中的至少任一方相同的掩模形成工序、以及與所述第一蝕刻工序以及所述第二蝕刻工序中的至少任一方相同的蝕刻工序進行一次以上。12.—種防反射結構體的制作方法，在具有宏觀的非平坦面的光學元件上制作防反射結構體，所述防反射結構體的制作方法的特征在于，具有: 第一掩模形成工序，在所述第一掩模形成工序中，將所述宏觀的非平坦面劃分為多個區(qū)域，針對劃分出的所述多個區(qū)域中的第一區(qū)域形成島狀的掩模； 第一蝕刻工序，在所述第一蝕刻工序中，對通過所述第一掩模形成工序形成有島狀的掩模的所述第一區(qū)域進行蝕刻而在所述第一區(qū)域形成防反射結構體； 第二掩模形成工序，在所述第一蝕刻工序后，在所述第二掩模形成工序中，針對所述多個區(qū)域中的與所述第一區(qū)域不同的第二區(qū)域形成島狀的掩模；以及 第二蝕刻工序，在所述第二蝕刻工序中，對通過所述第二掩模形成工序形成有島狀的掩模的所述第二區(qū)域進行蝕刻而在所述第二區(qū)域形成防反射結構體。
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在整個非平坦面均勻且容易地制作防反射結構體的光學元件的制造方法。在具有作為宏觀的非平坦面的第一光學面(11d)的光學元件即光學構件陣列(100)的制造方法中，具有：將第一光學面(11d)劃分為多個區(qū)域并針對劃分出的多個區(qū)域中的第一區(qū)域形成島狀的掩模的第一掩模形成工序；對通過第一掩模形成工序形成有島狀的掩模的第一區(qū)域進行蝕刻而在第一區(qū)域形成防反射結構體(51)的第一蝕刻工序；在第一蝕刻工序后，針對多個區(qū)域中的與第一區(qū)域不同的第二區(qū)域形成島狀的掩模的第二掩模形成工序；以及對通過第二掩模形成工序形成有島狀的掩模的第二區(qū)域進行蝕刻而在第二區(qū)域形成防反射結構體(51)的第二蝕刻工序。
【IPC分類】G02B3/00, G02B1/118
【公開號】CN104937444
【申請?zhí)枴緾N201480005050
【發(fā)明人】平田健一郎
【申請人】柯尼卡美能達株式會社
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2014年1月17日
【公告號】WO2014112593A1