層包括兩種不同的方法,下面結(jié)合附圖分別進(jìn)行介紹。
[0043]方法一:
[0044]如圖4所示,本發(fā)明具體實(shí)施例在陣列基板背向彩膜基板的一側(cè)制作反射層,包括:
[0045]S401、在所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè)沉積一層具有反射光作用的反射膜層;
[0046]S402、對所述反射膜層采用構(gòu)圖工藝形成反射層。
[0047]具體地,本發(fā)明具體實(shí)施例在陣列基板背向彩膜基板的一側(cè)通過蒸發(fā)鍍膜等方法沉積一層金屬Al膜層或金屬Ag膜層,接著對沉積的金屬Al膜層或金屬Ag膜層采用構(gòu)圖工藝形成本發(fā)明具體實(shí)施例中的與黑矩陣區(qū)域相對應(yīng)的反射層圖案。
[0048]本發(fā)明具體實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕以及去除光刻膠的過程。具體地,在沉積的金屬Al膜層或金屬Ag膜層上涂覆光刻膠,對涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影,顯影后僅保留需要形成反射層位置處的光刻膠,對暴露出的金屬Al膜層或金屬Ag膜層進(jìn)行刻蝕,去除暴露出的金屬Al膜層或金屬Ag膜層,刻蝕后去除剩余的光刻膠,形成本發(fā)明具體實(shí)施例圖2中的反射層24。
[0049]在實(shí)際生產(chǎn)過程中,采用方法一制作反射層時(shí),由于在制作反射層時(shí),陣列基板已經(jīng)完成了 TFT、像素電極、柵極線等結(jié)構(gòu)的制作,之后再進(jìn)行反射膜層的沉積以及對反射膜層采用構(gòu)圖工藝形成反射層時(shí),會對TFT、像素電極、柵極線等結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。同樣地,如果先完成反射層的制作,后續(xù)再制作TFT、像素電極、柵極線等結(jié)構(gòu)時(shí)也會對之前制作的反射層產(chǎn)生影響。在實(shí)際生產(chǎn)過程中,為了降低上述影響,對生產(chǎn)設(shè)備、以及制作過程中的具體工藝參數(shù)均有較高的要求。
[0050]方法二:
[0051]如圖5所示,本發(fā)明具體實(shí)施例在陣列基板背向彩膜基板的一側(cè)制作反射層,包括:
[0052]S501、提供一透明基板;
[0053]S502、在所述透明基板上制作反射層,所述反射層的區(qū)域與所述黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng);
[0054]S503、將制作有所述反射層的透明基板粘貼于背向所述彩膜基板一側(cè)的陣列基板上,粘貼時(shí)所述反射層位于所述透明基板背向所述陣列基板的一側(cè)。
[0055]本發(fā)明具體實(shí)施例首先提供一透明基板,如本發(fā)明具體實(shí)施例中提供的透明基板為玻璃基板,接著,在提供的透明基板上制作反射層,反射層的區(qū)域與黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng)。
[0056]優(yōu)選地,本發(fā)明具體實(shí)施例在透明基板上制作反射層,包括:
[0057]在所述透明基板上沉積一層具有反射光作用的反射膜層;
[0058]對所述反射膜層采用構(gòu)圖工藝形成反射層;或,
[0059]采用預(yù)先制作有鏤空區(qū)域的模型對所述透明基板進(jìn)行部分遮擋,所述鏤空區(qū)域與所述黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng);
[0060]在被部分遮擋后的透明基板上沉積具有反射光作用的反射膜層,形成反射層。
[0061]具體地,在透明基板上沉積一層具有反射光作用的反射膜層;對反射膜層采用構(gòu)圖工藝形成反射層,這種方法在透明基板上制作反射層的具體過程與方法一中制作反射層的具體過程類似,這里不再贅述。制作有反射層的透明基板如圖6所示,反射層24的區(qū)域與黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng),未制作有反射層的透明基板的區(qū)域60與彩膜基板的彩色子像素對應(yīng)。
[0062]具體地,采用預(yù)先制作有鏤空區(qū)域的模型對透明基板進(jìn)行部分遮擋,鏤空區(qū)域與黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng);在被部分遮擋后的透明基板上沉積具有反射光作用的反射膜層,被遮擋部分在沉積具有反射光作用的反射膜層時(shí),反射膜層沉積到預(yù)先制作的模型上,只有與鏤空區(qū)域?qū)?yīng)的透明基板上沉積有反射膜層,之后取掉預(yù)先制作的模型,在透明基板上形成反射層,本發(fā)明具體實(shí)施例制作有反射層的透明基板如圖6所示。在沉積反射膜層時(shí),采用預(yù)先制作的模型進(jìn)行遮擋,不需要進(jìn)行構(gòu)圖工藝即可在透明基板上形成反射層,在生產(chǎn)過程中更加方便、簡單。
[0063]最后,將制作有反射層的透明基板通過透明膠粘貼于背向彩膜基板一側(cè)的陣列基板上,粘貼時(shí)反射層位于透明基板背向陣列基板的一側(cè)。
[0064]在實(shí)際生產(chǎn)過程中,采用方法二制作反射層時(shí),由于反射層的制作過程與陣列基板的制作過程是分開的,因此對生產(chǎn)設(shè)備、以及制作過程中的具體工藝參數(shù)的要求較低。
[0065]綜上所述,本發(fā)明具體實(shí)施例提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,顯示面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板,位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層,所述彩膜基板包括黑矩陣,其中,還包括反射層,所述反射層位于所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè),所述反射層的區(qū)域與所述黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng)。由于本發(fā)明具體實(shí)施例中的反射層位于陣列基板背向彩膜基板的一側(cè),反射層的區(qū)域與黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng),與現(xiàn)有技術(shù)相比,在顯示面板顯示時(shí),本發(fā)明具體實(shí)施例的反射層使原本由背光源射向黑矩陣對應(yīng)區(qū)域的光線被重新反射回背光源中被再次利用,避免了被黑矩陣吸收,從而提高了背光源的光效利用率。
[0066]顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示面板,包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板,位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層,所述彩膜基板包括黑矩陣,其特征在于,還包括反射層,所述反射層位于所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè),所述反射層的區(qū)域與所述黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括透明基板,所述透明基板粘貼于所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè),所述反射層設(shè)置于所述透明基板背向所述陣列基板的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述反射層的材料為金屬鋁或金屬銀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述透明基板通過透明膠與所述陣列基板粘貼。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述透明基板為玻璃基板。
6.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權(quán)利要求1-5任一權(quán)項(xiàng)所述的顯示面板。
7.—種顯示面板的制作方法,包括制作相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板的方法,以及在所述陣列基板和所述彩膜基板之間制作液晶層的方法,所述彩膜基板包括黑矩陣,其特征在于,該方法還包括在所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè)制作反射層,所述反射層的區(qū)域與所述黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,在所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè)制作反射層,包括: 在所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè)沉積一層具有反射光作用的反射膜層; 對所述反射膜層采用構(gòu)圖工藝形成反射層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,在所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè)制作反射層,包括: 提供一透明基板; 在所述透明基板上制作反射層,所述反射層的區(qū)域與所述黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng); 將制作有所述反射層的透明基板粘貼于背向所述彩膜基板一側(cè)的陣列基板上,粘貼時(shí)所述反射層位于所述透明基板背向所述陣列基板的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,在所述透明基板上制作反射層,包括: 在所述透明基板上沉積一層具有反射光作用的反射膜層; 對所述反射膜層采用構(gòu)圖工藝形成反射層;或, 采用預(yù)先制作有鏤空區(qū)域的模型對所述透明基板進(jìn)行部分遮擋,所述鏤空區(qū)域與所述黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng); 在被部分遮擋后的透明基板上沉積具有反射光作用的反射膜層,形成反射層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,用以提高背光源的光效利用率。所述顯示面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板,位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層,所述彩膜基板包括黑矩陣,其中,還包括反射層,所述反射層位于所述陣列基板背向所述彩膜基板的一側(cè),所述反射層的區(qū)域與所述黑矩陣的區(qū)域?qū)?yīng)。
【IPC分類】G02F1-1335, G02F1-13357
【公開號】CN104865731
【申請?zhí)枴緾N201510278511
【發(fā)明人】陳守年, 蔡斯特
【申請人】合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年5月27日