Tft陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。如:液晶電視、移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領域中占主導地位。
[0003]通常液晶顯示面板由一彩色濾光片基板(Color Filter, CF)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成，并分別在兩基板的相對內(nèi)側設置像素電極、公共電極，通過施加電壓控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。TFT陣列基板上形成有多個呈陣列式排布的R、G、B子像素、多條掃描線、及多條數(shù)據(jù)線。每一子像素分別通過對應的掃描線來接收掃描信號、通過對應的數(shù)據(jù)線來接收數(shù)據(jù)信號，以顯示影像。
[0004]就目前主流市場上的IXD顯示面板而言，可分為三種類型，分別是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching, IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment, VA)型。其中，VA 型液晶顯示面板相比其他種類的液晶顯示面板具有極高的對比度，在大尺寸顯示，如電視等方面具有非常廣的應用。但由于VA型液晶顯示面板采用垂直轉(zhuǎn)動的液晶，液晶分子雙折射率的差異比較大，導致大視角下的色偏(color shift)問題比較嚴重，使得VA型液晶顯示面板從不同角度看到的亮度差異較大，造成畫面失真。
[0005]2D IG、2GID、或電阻分壓技術是目前解決VA型液晶顯示面板色偏問題的常用技術。請參閱圖1，現(xiàn)有的一種采用2D1G技術的TFT陣列基板，包括陣列式排布的多個子像素，每一子像素均分為主區(qū)Main與次區(qū)Sub，每一子像素的主區(qū)Main連接一主區(qū)TFT，每一子像素的次區(qū)Sub連接一次區(qū)TFT，對應每一行子像素設置一條掃描線Gate，對應每一列子像素設置分別位于其左、右兩側的次區(qū)數(shù)據(jù)線、與主區(qū)數(shù)據(jù)線，所述次區(qū)數(shù)據(jù)線通過次區(qū)TFT提供次數(shù)據(jù)信號Sdata至所述次區(qū)Sub，所述主區(qū)數(shù)據(jù)線通過主區(qū)TFT提供主數(shù)據(jù)信號Mdata至所述主區(qū)Main。如圖2所示，所述主數(shù)據(jù)信號Mdata與公共電壓COM之間的電位差大于所述次數(shù)據(jù)信號Sdata與公共電壓COM之間的電位差，使得主區(qū)Main與次區(qū)Sub的充電率不同，從而在不同的視角下提高色彩還原度，改善色偏。
[0006]上述現(xiàn)有的采用2D1G技術的TFT陣列基板雖然能夠改善色偏，但這種設計需要將數(shù)據(jù)線的數(shù)目增加一倍，不僅使驅(qū)動IC的成本增加，還會造成扇出區(qū)(Fanout)擁擠，加劇阻容延遲(RC)，降低充電效率，影響產(chǎn)品的競爭力。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列基板，能夠在不增加數(shù)據(jù)線數(shù)目的前提下改善VA型液晶顯示面板的色偏問題，降低液晶顯示面板的成本。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板，包括:顯示區(qū)、非顯示區(qū)；
[0009]所述顯示區(qū)內(nèi)設有:
[0010]多條相互平行并依次排列的豎直的數(shù)據(jù)線、多條相互平行并依次排列的水平的掃描線、及呈陣列式排布的多個子像素；
[0011]每一子像素均分為主區(qū)與次區(qū)；每一子像素的主區(qū)連接一主區(qū)TFT，每一子像素的次區(qū)連接一次區(qū)TFT ；
[0012]對應每一行子像素設置分別位于該行子像素上、下兩側的上掃描線、與下掃描線；
[0013]對應每相鄰的兩列子像素設置位于該相鄰的兩列子像素之間的一條數(shù)據(jù)線；所述數(shù)據(jù)線包括:主數(shù)據(jù)線、與次數(shù)據(jù)線，所述主數(shù)據(jù)線、與次數(shù)據(jù)線沿水平方向依次交替排列；位于每條主數(shù)據(jù)線兩側的各子像素的主區(qū)通過對應的主區(qū)TFT共同電性連接于該主數(shù)據(jù)線，位于每條次數(shù)據(jù)線兩側的各子像素的次區(qū)通過對應的次區(qū)TFT共同電性連接于該次數(shù)據(jù)線；
[0014]所述非顯示區(qū)內(nèi)設有:
[0015]位于所述顯示區(qū)上方的源極驅(qū)動器、分別位于所述顯示區(qū)左、右兩邊的第一 GOA驅(qū)動電路、與第二 GOA驅(qū)動電路；
[0016]所述源極驅(qū)動器產(chǎn)生主數(shù)據(jù)信號、與次數(shù)據(jù)信號并對應傳遞給主數(shù)據(jù)線、與次數(shù)據(jù)線；
[0017]所述第一 GOA驅(qū)動電路與第二 GOA驅(qū)動電路分別于顯示區(qū)左、右兩邊對所有掃描線進行雙邊驅(qū)動。
[0018]在同一行子像素中，對應于每一子像素的主區(qū)TFT的柵極連接上掃描線或下掃描線，而次區(qū)TFT的柵極連接不同于主區(qū)TFT柵極所連接掃描線的另一掃描線。
[0019]在同一行子像素中，每相鄰兩列的子像素的排列方式相同，均設置主區(qū)位于次區(qū)上方，或次區(qū)位于主區(qū)上方。
[0020]在同一行子像素中，每相鄰兩列的子像素的排列方式不同，其中一列子像素設置主區(qū)位于次區(qū)上方，另一列子像素設置次區(qū)位于主區(qū)上方。
[0021]在同一行子像素中，對應連接每相鄰兩列子像素主區(qū)的兩個主區(qū)TFT，其中一個主區(qū)TFT的柵極連接對應于該行子像素的上掃描線，另一個主區(qū)TFT的柵極連接對應于該行子像素的下掃描線。
[0022]在同一行子像素中，對于主區(qū)位于次區(qū)上方的子像素，相應的主區(qū)TFT的柵極連接對應于該行子像素的上掃描線；對于次區(qū)位于主區(qū)上方的子像素，相應的主區(qū)TFT的柵極連接對應于該行子像素的下掃描線。
[0023]所述陣列排列的多個子像素包括:沿水平方向依次交替排列的紅色子像素、綠色子像素、及藍色子像素。
[0024]在同一行子像素中，所有連接紅色子像素主區(qū)的主區(qū)TFT的柵極連接對應該行子像素的上掃描線，所有連接紅色子像素次區(qū)的次區(qū)TFT的柵極連接對應該行子像素的上掃描線，所有連接綠色子像素主區(qū)的主區(qū)TFT的柵極連接對應該行子像素的下掃描線，所有連接綠色子像素次區(qū)的次區(qū)TFT的柵極連接對應該行子像素的下掃描線，使得紅色子像素先于綠色子像素充電。
[0025]在同一行子像素中，所有連接綠色子像素主區(qū)的主區(qū)TFT的柵極連接對應該行子像素的上掃描線，所有連接綠色子像素次區(qū)的次區(qū)TFT的柵極連接對應該行子像素的上掃描線，所有連接紅色子像素主區(qū)的主區(qū)TFT的柵極連接對應該行子像素的下掃描線，所有連接紅色子像素次區(qū)的次區(qū)TFT的柵極連接對應該行子像素的下掃描線，使得綠色子像素先于紅色子像素充電。
[0026]所述主數(shù)據(jù)信號與公共電壓之間的電位差大于所述次數(shù)據(jù)信號與公共電壓之間的電位差。
[0027]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種TFT陣列基板，相比于現(xiàn)有的采用2D1G技術的TFT陣列基板，增加了掃描線的數(shù)目使得數(shù)據(jù)線數(shù)目減半，將數(shù)據(jù)線分為主數(shù)據(jù)線、與次數(shù)據(jù)線，由主數(shù)據(jù)線控制位于其兩側子像素的主區(qū)，由次數(shù)據(jù)線控制位于其兩側子像素的次區(qū)，并在顯示區(qū)的左、右兩邊分別設置一 GOA驅(qū)動電路對所有掃描線進行雙邊驅(qū)動，既能夠改善VA型液晶顯示面板的色偏問題，又能夠保證充電效率，降低液晶面板的成本。
[0028]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0029]下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0030]附圖中，
[0031]圖1為現(xiàn)有的一種采用2D1G技術的TFT陣列基板的示意圖；
[0032]圖2為對應圖1中主、次數(shù)據(jù)信號的波形示意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明的TFT陣列基板的結構示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明的TFT陣列基板的顯示區(qū)的第一實施例的示意圖；
[0035]圖5為本發(fā)明的TFT陣列基板的顯示區(qū)的第二實施例的示意圖；
[0036]圖6為本發(fā)明的TFT陣列基板的顯示區(qū)的第三實施例的示意圖；
[0037]圖7為本發(fā)明的TFT陣列基板的顯示區(qū)的第四實施例的示意圖。
【具體實施方式】
[0038]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0039]本發(fā)明提供一種TFT陣列基板。請參閱圖3，并結合圖4，為本發(fā)明的第一實施例，該TFT陣列基板包括:顯示區(qū)1、與設在顯示區(qū)I周圍的非顯示區(qū)2。
[0040]所述顯示區(qū)I內(nèi)設有:多條相互平行并依次排列的豎直的數(shù)據(jù)線、多條相互平行并依次排列的水平的掃描線、及呈陣列式排布的多個子像素。
[0041]每一子像素均分為主區(qū)(以面積較小的矩形示意)與次區(qū)(以面積較大的矩形示意)；每一子像素的主區(qū)連接一主區(qū)TFT TM，每一子像素的次區(qū)連接一次區(qū)TFT TSo在圖4所示的第一實施例中，在同一行子像素中，每相鄰兩列的子像素的排列方式相同，均設置主區(qū)位于次區(qū)上方，當然也可設置次區(qū)位于主區(qū)上方(未圖示)。
[0042]對應每一行子像素設置分別位于該行子像素上、下兩側的上掃描線Gate、與下掃描線Gate’，所述上掃描線Gate控制對應與其連接的主區(qū)TFT TM與次區(qū)TFT TS，所述下掃描線Gate’控制對應與其連接的主區(qū)TFT TM與次區(qū)TFT TS。對應每相鄰的兩列子像素設置位于該相鄰的兩列子像素之間的一條數(shù)據(jù)線；所述數(shù)據(jù)線包括:主數(shù)據(jù)線MD、與次數(shù)據(jù)線SD，所述主數(shù)據(jù)線MD、與次數(shù)據(jù)線SD沿水平方向依次交替排列。位于每條主數(shù)據(jù)線MD兩側的各子像素的主區(qū)通過對應的主區(qū)TFT TM共同電性連接于該主數(shù)據(jù)線MD，位于每條次數(shù)據(jù)線SD兩側的各子像素的次區(qū)通過對應的次區(qū)TFT TS共同電性連接于該次數(shù)據(jù)線SDo在圖4所示的第一實施例中，在同一行子像素中，對應于每一子像素的主區(qū)TFT TM的柵極連接上掃描線Gate或下掃描線Gate’，而次區(qū)TFT TS的柵極連接不同于主區(qū)TFT TM柵極所連接掃描線的另一掃描線，進一步地，在同一行子像素中，對應連接每相鄰兩列子像素主區(qū)的兩個主區(qū)TFT TM，其中一個主區(qū)TFT TM的柵極連接對應于該行子像素的上掃描線Gate，另一個主區(qū)TFT TM的柵極連接對應于該行子像素的下掃描線Gate’。例如在圖4中第一行第一列的子像素，與其對應的主區(qū)TFT TM的柵極電性連接于上掃描線Gate，則