背光單元的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種背光單元，更具體地講，涉及一種能夠使在其邊緣處的不發(fā)光區(qū) 域最小化同時實現(xiàn)纖薄結(jié)構(gòu)的背光單元。
【背景技術(shù)】
[0002] 普通背光單元廣泛地用于液晶顯示器或表面光源。
[0003] 液晶顯示器的背光單元根據(jù)發(fā)光裝置的位置可分為直下式和側(cè)光式背光單元。
[0004] 直下式背光單元主要與具有20英寸或更大的尺寸的大尺寸液晶顯示器的產(chǎn)品一 起被開發(fā)，并且包括在漫射板下面的多個光源以朝著液晶顯示面板的前側(cè)直接發(fā)射光。由 于比側(cè)光式背光單元具有更高的光使用效率，直下式背光單元主要用于需要高亮度的大屏 幕液晶顯示器。
[0005] 側(cè)光式背光單元主要應(yīng)用于諸如膝上式計算機(jī)和臺式計算機(jī)的顯示器的相對小 的液晶顯示器。這樣的側(cè)光式背光單元的光均勻性好且壽命長，并且有利于液晶顯示器的 厚度減小。
[0006] 圖1是普通小液晶顯示器的背光單元的示意性剖視圖。
[0007] 參照圖1，普通小液晶顯示器的背光單元100包括：殼體170,在其上側(cè)敞開，并在 其中容納反射片160、導(dǎo)光板150和光學(xué)片130 ;電路板111和發(fā)光裝置110,設(shè)置在殼體170 的一側(cè)處。
[0008] 背光單元100通過將遮光帶190附于電路板111的上表面以及光學(xué)片130的上表 面的一部分來構(gòu)成一個模塊。
[0009] 雖然未詳細(xì)示出，但發(fā)光裝置110包括安裝在框架內(nèi)部的發(fā)光二極管芯片，并具 有封裝結(jié)構(gòu)。
[0010] 導(dǎo)光板150包括：第一區(qū)域（FA)，具有隨著距離鄰接發(fā)光裝置110的區(qū)域的距離 增加而逐漸減小的厚度；第二區(qū)域（SA)，具有恒定的厚度。這里，普通封裝類型的發(fā)光裝置 110由于其結(jié)構(gòu)特征而在實現(xiàn)使尺寸減小到特定尺寸或更小的方面存在限制。因此，第一區(qū) 域（FA)具有與發(fā)光裝置110的尺寸對應(yīng)的光入射面，并且具有與第二區(qū)域（SA)的厚度對 應(yīng)的逐漸減小的厚度。
[0011] 普通背光單元100可以利用包括具有逐漸減小的厚度的第一區(qū)域（FA)的導(dǎo)光板 150,將從發(fā)光裝置110發(fā)射的光的損失最小化。然而，由于發(fā)光裝置110的尺寸，普通背光 單元100限制了導(dǎo)光板150的厚度的減小。因此，很難跟上近來的減小背光單元的厚度的 趨勢。此外，第一區(qū)域（FA)在其上部上具有斜面151，從而因漏光、全反射等導(dǎo)致諸如光損 失的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 技術(shù)問題
[0013] 本發(fā)明目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)背光單元的纖細(xì)結(jié)構(gòu)的技術(shù)。
[0014]另外，本發(fā)明目的在于提供一種背光單元，該背光單元通過將其邊緣處的不發(fā)光 區(qū)域最小化而具有美觀的外觀。
[0015] 此外，本發(fā)明目的在于提供一種背光單元，該背光單元利用表現(xiàn)優(yōu)異的光效率的 發(fā)光二極管芯片實現(xiàn)了纖細(xì)結(jié)構(gòu)并具有最小化的不發(fā)光區(qū)域。
[0016] 技術(shù)方案
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的一個方面，背光單元包括：導(dǎo)光板，具有整體平坦的結(jié)構(gòu)；發(fā)光裝 置，設(shè)置在導(dǎo)光板的至少一側(cè)上；第一反射體，設(shè)置在導(dǎo)光板下，并具有延伸到設(shè)置有發(fā)光 裝置的區(qū)域的一側(cè)；第二反射體，設(shè)置在發(fā)光裝置上；殼體，容納導(dǎo)光板、發(fā)光裝置以及第 一反射體和第二反射體，其中，殼體具有容納發(fā)光裝置的側(cè)部，該側(cè)部具有包括限定為殼體 的下表面的第一側(cè)、從第一側(cè)沿殼體的向上方向垂直地延伸的第二側(cè)、以及從第二側(cè)沿殼 體的向內(nèi)方向垂直地延伸的第三側(cè)的截面，發(fā)光裝置包括倒裝芯片型發(fā)光二極管芯片以及 覆蓋發(fā)光二極管芯片的上表面和兩個側(cè)表面的波長轉(zhuǎn)換層。
[0018] 背光單元還可以包括設(shè)置在殼體內(nèi)的第二側(cè)上的電路板。
[0019] 電路板可以具有面對殼體內(nèi)的第二側(cè)的一個表面以及安裝有發(fā)光裝置的另一表 面。
[0020] 第一反射體可以具有面對導(dǎo)光板的下表面和發(fā)光裝置的一個側(cè)表面的上表面、以 及面對電路板的所述另一表面的一部分的遠(yuǎn)側(cè)端。
[0021] 第二反射體可以具有延伸到第二側(cè)和電路板之間的位置的部分。
[0022] 第二反射體的上表面的一部分可以與第三側(cè)的下表面接觸，第二反射體的下表面 的一部分可以與電路板的一部分接觸，第二反射體的下表面的另一部分可以與導(dǎo)光板的上 表面的一部分接觸。
[0023] 波長轉(zhuǎn)換層包括覆蓋發(fā)光二極管芯片的上表面的第一層、以及覆蓋發(fā)光二極管芯 片的兩個側(cè)表面的第二層，其中，第一層具有比第二層厚的厚度。
[0024] 背光單元還包括：光學(xué)片，設(shè)置在導(dǎo)光板上；遮光帶，與上部區(qū)域平行地設(shè)置以覆 蓋光學(xué)片的邊緣，從而固定光學(xué)片同時防止漏光。
[0025] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，背光單元包括：導(dǎo)光板，具有整體平坦的結(jié)構(gòu)；發(fā)光裝 置，設(shè)置在導(dǎo)光板的至少一側(cè)上；殼體，容納導(dǎo)光板和發(fā)光裝置，并具有容納發(fā)光裝置的側(cè) 部，該側(cè)部包括限定為殼體的下表面的第一側(cè)、從第一側(cè)沿殼體的向上方向垂直地延伸的 第二側(cè)、以及從第二側(cè)沿殼體的向內(nèi)方向垂直地延伸的第三側(cè)，其中，發(fā)光裝置包括倒裝芯 片型發(fā)光二極管芯片以及覆蓋發(fā)光二極管芯片的上表面和兩個側(cè)表面的波長轉(zhuǎn)換層，其 中，波長轉(zhuǎn)換層包括覆蓋發(fā)光二極管芯片的上表面的第一層以及覆蓋發(fā)光二極管芯片的兩 個側(cè)表面的第二層，第一層具有比第二層厚的厚度。
[0026] 殼體具有從頂部到底部分為上部區(qū)域、側(cè)部區(qū)域和下部區(qū)域的"T= "結(jié)構(gòu)，背光 單元還包括設(shè)置在殼體內(nèi)的側(cè)部區(qū)域上的電路板。
[0027] 電路板可以具有面對殼體內(nèi)的側(cè)部區(qū)域的一個表面以及安裝有發(fā)光裝置的另一 表面。
[0028] 第一反射體可以具有面對導(dǎo)光板的下表面和發(fā)光裝置的一個側(cè)表面的上表面、以 及面對電路板的另一表面的一部分的遠(yuǎn)側(cè)端。
[0029] 第二反射體可以具有延伸到側(cè)部區(qū)域和電路板之間的位置的部分。
[0030] 第二反射體的上表面的一部分可以與上部區(qū)域的下表面接觸，第二反射體的下表 面的一部分可以與電路板的一部分接觸，第二反射體的下表面的另一部分可以與導(dǎo)光板的 上表面的一部分接觸。
[0031] 發(fā)光裝置包括直接安裝在電路板上的倒裝芯片型發(fā)光二極管芯片以及覆蓋發(fā)光 二極管芯片的上表面和兩個側(cè)表面的波長轉(zhuǎn)換層，其中，波長轉(zhuǎn)換層包括覆蓋發(fā)光二極管 芯片的上表面的第一層以及覆蓋發(fā)光二極管芯片的兩個側(cè)表面的第二層，第一層具有比第 二層厚的厚度。
[0032] 背光單元還可以包括：光學(xué)片，設(shè)置在導(dǎo)光板上；遮光帶，與上部區(qū)域平行地設(shè) 置，以覆蓋光學(xué)片的邊緣，從而固定光學(xué)片同時防止漏光。
[0033] 有益效果
[0034] 根據(jù)本發(fā)明，背光單元的優(yōu)點在于，通過發(fā)光裝置、殼體和反射體的優(yōu)化結(jié)構(gòu)實現(xiàn) 了纖細(xì)結(jié)構(gòu)，從而應(yīng)用結(jié)構(gòu)整體平坦且纖薄的導(dǎo)光板，并且背光單元具有通過將不發(fā)光區(qū) 域最小化來提供美觀的外觀的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0035] 圖1是普通小尺寸液晶顯示器的背光單元的示意性剖視圖。
[0036] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的背光單元的發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0037] 圖3a是圖2的發(fā)光二極管芯片的具體平面圖，圖3b是沿圖3a的線I-Iz截取的 發(fā)光二極管芯片的剖視圖。
[0038] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的包括背光單元的顯示器的分解透視圖。
[0039] 圖5是沿圖4的線11-11'截取的顯示器的剖視圖。
【具體實施方式】
[0040] 以下，將參照附圖來詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施例。應(yīng)該理解的是，為了完全公開并 使本領(lǐng)域技術(shù)人員徹底理解本發(fā)明，提供了下面的實施例。因此，應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不 限于下面的實施例，并且可以以不同的方式來實施。另外，在附圖中，為了方便，可以夸大組 件的形狀等。在整個說明書中，同樣的組件將由同樣的附圖標(biāo)記指示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng) 該理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出各種變型、改變和變化。本 發(fā)明的范圍應(yīng)該僅由權(quán)利要求及其等同物限定。
[0041] 以下，為使本領(lǐng)域技術(shù)人員容易實現(xiàn)本發(fā)明，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示 例性實施例。
[0042] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的背光單元的發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0043] 參照圖2,根據(jù)本發(fā)明的背光單元的發(fā)光裝置200包括發(fā)光二極管芯片210和波長 轉(zhuǎn)換層240。
[0044] 發(fā)光二極管芯片210包括基底211和半導(dǎo)體堆疊件213,并且還可以包括電極焊盤 215a、215b〇
[0045] 發(fā)光二極管芯片210是倒裝芯片，電極焊盤215a、215b設(shè)置在發(fā)光二極管芯片的 下面。
[0046] 基底211可以是用于生長半導(dǎo)體層的生長基底。例如，基底211可以是藍(lán)寶石基 底或氮化鎵基底。更具體地講，當(dāng)基底211是藍(lán)寶石基底時，半導(dǎo)體堆疊件213、藍(lán)寶石基 底211和波長轉(zhuǎn)換層240具有依次逐漸減小的折射指數(shù)，從而改善光提取率。在具體實施 例中，可以省略基底211。
[0047] 半導(dǎo)體堆疊件213可以由氮化鎵類化合物半導(dǎo)體形成，并且可以發(fā)射紫外光或藍(lán) 光。
[0048] 發(fā)光二極管芯片210直接安裝在電路板（未示出）上。發(fā)光二極管芯片210通過 不使用鍵合線的倒裝芯片鍵合直接連接到電路板上的印刷電路。根據(jù)本發(fā)明，因為