陣列基板、液晶顯示面板和液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板和液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由于便攜性好和功耗低等優(yōu)點(diǎn)液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、筆記本電腦、監(jiān)控器等各種顯示裝置。
[0003]目前觸摸屏按照觸控電極的位置不同可分為外掛式觸摸、覆蓋表面式觸摸屏以及內(nèi)嵌式觸摸屏。其中，外掛式觸摸屏是在LCD外面直接加上觸控電極，這種方法使得整機(jī)整體厚度變厚，而且透光率變低。覆蓋表面式觸摸屏是在LCD的彩膜基板外側(cè)制作觸控電極，這種方法降低了整機(jī)的厚度，但是增加了彩膜基板的制作工序。而內(nèi)嵌式觸摸屏直接將LCD的公共電極復(fù)用為觸控電極，不僅厚度不增加，而且觸控電極可以和LCD的公共電極一同制作，沒有額外的制作工序。
[0004]現(xiàn)有的自容型內(nèi)嵌式觸摸屏的陣列基板包括像素電極以及與所述像素電極分成設(shè)置的多個公共電極塊。在高分辨率、大尺寸液晶顯示面板中，公共電極的負(fù)載較大；而且，由于像素電極和公共電極塊設(shè)置于不同金屬層中，像素電極所屬的金屬層與公共電極塊所屬的膜層之間可能存在對位偏差，導(dǎo)致不同像素電極與公共電極塊間形成的電場不均勻，使得液晶顯示面板的亮度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:
[0006]彼此交叉的掃描線和數(shù)據(jù)線以限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管電連接的像素電極；
[0007]與所述像素電極分層設(shè)置的多個公共電極塊，所述公共電極塊復(fù)用為觸控電極；
[0008]多條感測線，每條感測線與一公共電極塊電連接；以及
[0009]與所述像素電極相同層設(shè)置的多個輔助電極，所述輔助電極設(shè)置于相鄰的像素電極之間，每一輔助電極均與一條感測線交疊，且與交疊的感測線電連接。
[0010]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括彩膜基板、與所述彩膜基板相對設(shè)置的陣列基板以及設(shè)置于所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶層，其中，所述陣列基板選自如本發(fā)明任意實(shí)施例中的陣列基板。
[0011]本發(fā)明還提出一種液晶顯示裝置，包括本發(fā)明任意實(shí)施例中提供的液晶顯示面板，以及驅(qū)動芯片，所述驅(qū)動芯片用于所述的液晶顯示面板的顯示驅(qū)動和觸控驅(qū)動。
[0012]本發(fā)明通過輔助電極與像素電極間形成的電場，增加了陣列基板所屬液晶顯示面板的亮度，并且，由于輔助導(dǎo)線與交疊的感測線電連接，還降低了所述交疊的感測線的電阻，從而降低了液晶顯示面板中公共電極的負(fù)載。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1a為現(xiàn)有的自容型內(nèi)嵌式觸摸屏中陣列基板的局部俯視示意圖；
[0015]圖1b為沿著圖1a的A-A’的剖視示意圖；
[0016]圖1c為現(xiàn)有的存在對位偏差的陣列基板的局部俯視示意圖；
[0017]圖1d為沿著圖1c的B-B’的剖視示意圖；
[0018]圖2a為本發(fā)明提供的一種陣列基板的局部俯視示意圖；
[0019]圖2b為沿著圖2a的C_C’的一種剖視示意圖；
[0020]圖2c為沿著圖2a的C-C’的另一種剖視示意圖；
[0021]圖3a為現(xiàn)有的公共電極層與像素電極層不具有對位偏差的陣列基板的局部俯視示意圖；
[0022]圖3b為現(xiàn)有的公共電極層與像素電極層具有對位偏差的陣列基板的局部俯視示意圖；
[0023]圖3c為本發(fā)明提供的公共電極層與像素電極層具有對位偏差的陣列基板的局部俯視不意圖；
[0024]圖3d為圖3b和圖3c中沿D-D’方向的透過率對比圖；
[0025]圖4為本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板的剖視示意圖；
[0026]圖5為本發(fā)明提供的一種液晶顯不裝置的俯視不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將參照本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，通過實(shí)施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于將公共電極塊復(fù)用于觸控電極的情況。本實(shí)施例提供的陣列基板包括與感測線電連接的多條輔助電極，且所述輔助電極不僅能夠提高液晶像素面板的亮度，還能夠降低公共電極的負(fù)載。
[0029]圖1a為現(xiàn)有的自容型內(nèi)嵌式觸摸屏中陣列基板的局部俯視示意圖，圖1b為沿著圖1a的A-A’的剖視示意圖。結(jié)合圖1a和圖lb，陣列基板包括多個公共電極塊150和多條感測線130，所述公共電極塊150用于感測用戶觸控，每條感測線130與對應(yīng)的一個公共電極塊150電連接。具體的，感測線130和對應(yīng)的公共電極塊150通過橋連結(jié)構(gòu)155電連接，其中橋連結(jié)構(gòu)155與像素電極170使用同一金屬層形成，且像素電極170通過漏極接觸孔115與薄膜晶體管的漏極連接。
[0030]圖1c為現(xiàn)有的存在對位偏差的陣列基板的局部俯視示意圖，圖1d為沿著圖1c的B-B’的剖視示意圖。結(jié)合圖1c和圖ld，所述公共電極塊150還包括狹縫151，所述狹縫151與未和公共電極塊150電連接的那部分感測線130交疊。在像素電極170所在的像素電極層與公共電極塊150所在的公共電極層存在對位偏差時，公共電極塊150與相鄰的第一像素電極171的間距為dl，公共電極塊150與相鄰的第二像素電極172的間距為d2，且dl小于d2，導(dǎo)致第一像素電極171與公共電極塊150間形成的電場強(qiáng)于第二像素電極172與公共電極塊150間形成的電場，從而導(dǎo)致第一像素電極171所在的像素單元的亮度與第二像素電極172所在的像素單元的亮度不同，使液晶顯示面板的亮度降低。
[0031]為了解決像素電極層與公共電極層之間存在對位偏差時，液晶顯示面板的亮度降低，本發(fā)明提供了一種陣列基板。
[0032]圖2a為本發(fā)明提供的一種陣列基板的局部俯視示意圖。如圖2a所示，所述陣列基板包括彼此交叉的掃描線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)以限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管(未示出)以及與所述薄膜晶體管電連接的像素電極170 ;與所述像素電極170分層設(shè)置的多個公共電極塊150，所述公共電極塊150復(fù)用為觸控電極；多條感測線130，每條感測線130與一公共電極塊150電連接；所述陣列基板還包括與所述像素電極170同層設(shè)置的多個輔助電極180，所述輔助電極180設(shè)置于相鄰的像素電極170之間，每一輔助電極180均與一條感測線130交疊，且與交疊的感測線130電連接。
[0033]其中，所述薄膜晶體管用作開關(guān)元件。薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體層、源極和漏極，且所述薄膜晶體管可以為柵極位于半導(dǎo)體層下方的底柵型結(jié)構(gòu)，也可以為柵極位于半導(dǎo)體層上方的頂柵型結(jié)構(gòu)。像素電極與所述薄膜晶體管的漏極通過漏極接觸孔電連接。
[0034]其中，公共電極塊150與像素電極170形成電場以驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn)，從而控制光透射比；同時圖案化的公共電極塊150還用作感測用戶觸摸位置的感測電極。每個公共電極塊150的尺寸可以與一個或多個像素單元的尺寸對應(yīng)，即一個或多個像素電極170在公共電極塊150垂直方向的投影位于相同公共電極塊150內(nèi)。
[0035]圖2b為沿著圖2a的C-C’的一種剖視示意圖。如圖2b所示，所述輔助電極180通過開槽185與交疊的感測線130電連接。由于每條感測線130還與對應(yīng)的一個公共電極塊150電連接，因此所述輔助電極180與所述公共電極塊150具有相同的電位，使得輔助電極180與像素電極170之間也存在電位差，即輔助電極180與像素電極170之間也形成電場，增強(qiáng)了驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn)的強(qiáng)度，從而提高了陣列基板所在的液晶顯示面板的亮度。
[0036]如圖2b所示，所述輔助電極180與所述像素電極170設(shè)置在相同膜層，從而能夠同時制作輔助電極180和像素電極170，并且在制作像素電極膜層時能夠控制輔助電極180與相鄰的像素電極170間的距離。
[0037]優(yōu)選的，所述輔助電極180與所述相鄰的像素電極170的間距相等。如圖2b所示，輔助電極180與所述相鄰的像素電極170的間距均為d3，使得輔助電極180與相鄰的像素電極170間形成的電場強(qiáng)度相等，從而輔助電極180在每個像素電極170所在的像素單元處增加的電場強(qiáng)度相等，提高了各像素單元處亮度的均勻性，提高了陣列基板的亮度。
[0038]所述公共電極塊150所在的公共電極層位于感測線130所在的金屬層上方，所述像素電極170所在的像素電極層位于所述公共電極層上方，所述感測線層與所述公共電極層之間設(shè)置有第一絕緣層140，所述像素電極層與所述公共電極層之間設(shè)置有第二絕緣層160，其中，輔助電極180與所述像素電極層同層設(shè)置，且通過貫穿所述第二絕緣層160、所述公共電極層和所述第一絕緣層140的開槽185與交疊的感測線130電連接。其中，第一絕緣層140和第二絕緣層160均可以由硅的氧化物或硅的氮化物形成。該陣列基板為公共電極塊150設(shè)置在像素電極層下方的公共電極塊150中間結(jié)構(gòu)。
[0039]為了使不同像素電極170與相鄰的輔助電極180間形成的電場均勻，每一輔助電極180沿所述感測線130的延伸方向延伸，且所述輔助電極180在延伸方向上的