專利名稱：液晶裝置以及投射型顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由薄膜晶體管(以下，為方便稱為TFT)驅(qū)動的有源矩陣驅(qū)動方式的液晶裝置的技術(shù)領(lǐng)域，特別是屬于液晶投影儀等中使用的在TFT的下側(cè)設(shè)置了遮光膜形式的液晶裝置的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
以往，這種液晶裝置在液晶投影儀等中作為光閥使用的情況下，一般，從夾持液晶層的與TFT陣列基板相對配置的相對基極一側(cè)入射投射光。這里，如果投射光入射到由TFT的a-Si(非晶型硅)膜和p-Si(多晶硅)膜構(gòu)成的溝道區(qū)，則在該區(qū)域中通過光電變換效果產(chǎn)生光電流，使得TFT的晶體管特性惡化。因而，當(dāng)相對基板上，在與各TFT分別相對的位置，一般形成由Cr(鉻)等的金屬材料和樹脂暗條等構(gòu)成的遮光膜。該遮光膜通過規(guī)定各像素的開口區(qū)(即，透過投射光的區(qū)域)，除對于TFT的p-Si層的遮光作用以外，還起到提高反差，防止色材的混色等的作用。
在這種液晶裝置中，特別是采用上部柵極構(gòu)造(即，在TFT陣列基板上柵極電極設(shè)置在溝道上側(cè)的構(gòu)造)的正臺面型或者共面型的a-Si或者p-Si TFT的情況下，需要防止投射光的一部分通過液晶投影儀內(nèi)的出射光學(xué)系統(tǒng)作為返回光從TFT陣列基板一側(cè)入射到TFT的溝道。同樣，還需要防止投射光通過時來自TFT陣列基板表面的反射光，進而在彩色應(yīng)用中把多個液晶裝置組合使用的情況下從其它液晶裝置出射以后穿過投射光學(xué)系統(tǒng)的投射光的一部分作為反射光從TFT陣列基板一側(cè)入射到TFT溝道。因此，在特開平9-127497號公報，特公平3-52611號公報，特開平3-125123號公報，特開平8-171101號公報等中，提出在由石英基板等構(gòu)成的TFT陣列基板上與TFT相對的位置(即，TFT的下側(cè))，也形成了例如由不透明高融點金屬構(gòu)成的遮光膜的液晶裝置。
另一方面，這種液晶裝置中，為了相對于通過在柵極電極上加入掃描信號把TFT置為導(dǎo)通狀態(tài)在像素電極供給圖像信號的時間，加長在像素電極上保持電壓的時間，即，即使減小占空比也能夠在充分的時間內(nèi)加入液晶驅(qū)動電壓，一般對于像素電極添加存儲電容。這種情況下，一般采用把沿著掃描線形成的電容線的一部分構(gòu)成為其它存儲電容電極的方式。
在液晶裝置中，提高畫質(zhì)的一般性要求很重要，因此重要的是提高液晶裝置的驅(qū)動頻率。
然而，為了如上述那樣對于像素電極添加存儲電容，例如在使用具有把基板溫度照射到900度等高溫的處理的高溫處理的情況下，由于把包括一方的存儲電容電極的電容線用與掃描線相同的多晶硅膜形成，因此例如與數(shù)據(jù)線那樣由AL等低電阻金屬膜構(gòu)成的布線相比較，難以實現(xiàn)低電阻化。因此，存在電容線的電阻和時間常數(shù)加大，由于在多條數(shù)據(jù)線下面交叉布線的電容線中與各數(shù)據(jù)線的電容耦合而使電容線的電位擺動，產(chǎn)生由于橫向交調(diào)失真和重像等引起的圖像惡化的問題。
更具體地講，如圖20所示那樣，在要把灰色作為背景顯示用高反差描繪了黑色部分的圖像801的情況下，如果在沿著掃描線的一行像素列上提供與提供給其它像素的圖像信號的電壓(這里，對應(yīng)于灰色的電壓)部分相異的電壓(這里，對應(yīng)于黑色的電壓)的圖像信號，則在由這樣的電容耦合引起的電容線的電位擺動穩(wěn)定之前，進行對該像素行中的各像素的寫入。因此，在實際所顯示的圖像802中，導(dǎo)致在提供了與應(yīng)黑色顯示部分相異電壓的圖像信號的像素左右的像素中的電壓不足，在應(yīng)進行灰色顯示的行總體上成為全白的現(xiàn)象，即，發(fā)生橫向交調(diào)失真和重像等。
這種情況下，特別是在提供與應(yīng)進行黑色顯示部分相異電壓的圖像信號的時刻越接近于各掃描線的寫入終止時刻，即，在一條掃描線上從左右中的一方供給掃描信號的情況下要進行黑色顯示的像素越是接近于另一方的像素或者在從兩側(cè)供給掃描信號情況下越是接近于中央的像素，由于在由電容耦合引起的電容線的電位擺動穩(wěn)定之前，進行對該像素行的各像素的寫入，因此越易于顯著地發(fā)生橫向交調(diào)失真和重像等。
而且，如果像所謂的XGA、SXGB等機種的液晶顯示那樣，提高驅(qū)動頻率則相應(yīng)地電容線的時間常數(shù)加大，因此更容易發(fā)生這樣的橫向交調(diào)失真和重像等。進而，在數(shù)據(jù)線上在圖像信號之前分別供給預(yù)定電壓電平的預(yù)充電信號使得以小負荷對于數(shù)據(jù)線寫入圖像信號的電壓那樣進行預(yù)充電的情況下，由于需要把用于預(yù)充電的水平回掃期間確保為某種程度的長度，因此在接近于各掃描線的寫入終止時刻的時刻提供了部分相異電壓的圖像信號以后，不能夠充分地確保由電容耦合引起的電容線的電位擺動達到穩(wěn)定的時間。因而，也存在著在進行預(yù)充電時難以防止上述橫向交調(diào)失真和重像這樣的問題。
為了解決這樣的橫向交調(diào)失真和重像等的問題，例如在每條數(shù)據(jù)線把加入到液晶的驅(qū)動電壓的極性反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)線反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式(LS反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式)或在每個像素進行反轉(zhuǎn)的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式雖然有效，但是如果依據(jù)這些方式，由于強烈地發(fā)生沿著數(shù)據(jù)線或掃描線液晶的取向不良，將引起顯示惡化，因此特別是在像素區(qū)高開口率化的基本要求下，這樣的方式不實用。
本發(fā)明是鑒于上述問題點而產(chǎn)生的，課題是根據(jù)使用了存儲電容和遮光膜的比較簡單的結(jié)構(gòu)，提供能夠進行高畫質(zhì)的圖像顯示的液晶裝置。
本發(fā)明的第1液晶裝置為了解決上述問題，具備把液晶夾在一對基板之間，在該一對基板的一方基板上矩陣形設(shè)置的多個像素電極；分別驅(qū)動該多個像素電極的多個薄膜晶體管；分別與該多個薄膜晶體管連接并且相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；與該多條掃描線分別并列并且沿著與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向分別延伸，對于上述多個像素電極分別提供存儲電容的多條電容線；分別沿著與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向延伸，設(shè)置在從上述一方基板一側(cè)看去覆蓋上述多個薄膜晶體管的至少溝道區(qū)的位置以及至少部分地分別與上述多條電容線相對的位置上的，相對于與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向在每一個或每多個像素分別與上述多條電容線電連接的多個遮光膜；存在多個遮光膜與上述薄膜晶體管之間的第1層間絕緣膜。
如果依據(jù)本發(fā)明的第1液晶裝置，則對于多個像素電極分別提供存儲電容的多條電容線與多條掃描線分別并列并且沿著與多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向(即，平行或者大致平行于各掃描線)分別延伸。與此相對，多個遮光膜沿著與多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向(即，平行或者大致平行于各掃描線)分別延伸，在從一方基板一側(cè)看去分別覆蓋多個薄膜晶體管的至少溝道區(qū)的位置，設(shè)置在一方的基板上。從而，薄膜晶體管的溝道區(qū)對于從一方基板一側(cè)入射的返回光等，通過多個遮光膜進行遮光，能夠防止薄膜晶體管由于返回光等引起的特性惡化。
而且，多個遮光膜在至少部分地分別與多條電容線相對的位置設(shè)置在一方的基板上，對于與多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向在每一個或者每多個像素上分別電連接多條電容線。因此，能夠用多個遮光膜的電阻顯著地降低電容線的電阻。例如，如果用多晶硅膜形成電容線而且用導(dǎo)電性的高融點金屬膜形成多個遮光膜，則電容線中的沿著掃描線方向的電阻由多個遮光膜的電阻支配。即，能夠?qū)崿F(xiàn)電容線中的大幅度的低電阻化。
以上的結(jié)果，通過低電阻的電容線，對于多個像素電極分別提供存儲電容，因此即使提高液晶裝置的驅(qū)動頻率，也能夠降低上述以往例那樣的數(shù)據(jù)線與電容線中由于電容耦合引起的電容線的電位擺動產(chǎn)生的橫向交調(diào)失真和重像等，可以進行高品位的圖像顯示。另外，即使采用上述的預(yù)充電方式也不會發(fā)生如以往例那樣的問題。
進而，多個遮光膜由沿著與數(shù)據(jù)線相交叉的方向分別延伸，對于沿著數(shù)據(jù)線的方向被分?jǐn)酁槎鄠€條紋形的遮光膜構(gòu)成，因而，例如與配置了在各像素部分的開口區(qū)周圍一體地形成的網(wǎng)格狀的遮光膜布線相比較，在由遮光膜布線，層間絕緣膜、多晶硅膜、金屬膜等構(gòu)成的疊層構(gòu)造中，格外地緩和起因于各種膜的物理特性差別的伴隨著制造工藝中的加熱冷卻而發(fā)生的應(yīng)力。因此，能夠謀求防止發(fā)生遮光膜等中的裂紋，提高成品率。
除此以外，能夠?qū)崿F(xiàn)即使由于異物等電容線在中途斷線，多個遮光膜也能夠代替電容線這樣的冗余構(gòu)造。
在本發(fā)明第1液晶裝置的一個形態(tài)中，上述多個遮光膜除去覆蓋上述溝道區(qū)的位置以外，不形成在與上述掃描線相對的位置。
如果依據(jù)這樣的形態(tài)，則由于實際上幾乎不產(chǎn)生或者完全不產(chǎn)生各個遮光膜與各個掃描線之間的電容耦合，因此不發(fā)生由于掃描線中的電位擺動引起的遮光膜中的電位擺動，更不發(fā)生電容線中的電位擺動。
本發(fā)明第2液晶裝置為解決上述問題，特征在于具有把液晶夾在一對基板之間，在該一對基板的一方基板上矩陣形配置的多個像素電極；分別驅(qū)動該多個像素電極的多個薄膜晶體管；分別與該多個薄膜晶體管連接并且相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；與該多條掃描線分別并列沿著與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向分別延伸，對于上述多個像素電極分別提供存儲電容的多條電容線；沿著與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向分別延伸，在從上述一方的基板一側(cè)看去分別覆蓋上述多個薄膜晶體管的至少溝道區(qū)的位置以及至少部分地分別與上述多條掃描線相對位置設(shè)置的，相對于與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向在每一個或者每多個像素分別電連接上述多條電容線的多個遮光膜；存在于該多個遮光膜與上述薄膜晶體管之間的第1層間絕緣膜。
如果依據(jù)本發(fā)明的第2液晶裝置，則與上述本發(fā)明第1液晶裝置的情況相同，對于多個像素電極分別提供存儲電容的多條電容線與多條掃描線分別并列并且沿著與多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向延伸。與此相對，多個遮光膜沿著與多條數(shù)據(jù)線相交的方向分別延伸，在從一方的基板一側(cè)看去分別覆蓋多個薄膜晶體管的至少溝道區(qū)的位置，設(shè)置在一方的基板上。而且，多個遮光膜對于與多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向在每一個或者每多個像素上，分別電連接多個電容線。由此，可以得到與上述本發(fā)明第1液晶裝置的情況相同的作用以及效果。
而且，在第2液晶裝置中，遮光膜特別地在至少部分地與掃描線相對的位置設(shè)置在一方的基板上。即，該位置在遮光膜上，例如借助比構(gòu)成薄膜晶體管的柵極絕緣膜厚得多的第1層間絕緣膜形成掃描線。因此，假如在制造過程中由于意外突起等的異常形成部分形成在遮光膜上的情況下，也可以極其降低由于該突起等突破第1層間絕緣膜使遮光膜與掃描線短路的可能性。特別是，在形成在這樣的遮光膜上的突起等上進一步疊層形成半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜以及電容線的情況下，如果考慮到該突起等借助半導(dǎo)體層突破極薄的柵極絕緣膜、半導(dǎo)體層和電容線短路的可能性提高，則本發(fā)明第2液晶裝置中的在與掃描線相對的位置形成遮光膜的結(jié)構(gòu)，與上述本發(fā)明的第1液晶裝置相比較，在提高工程成品率更有利。
在本發(fā)明的第1液晶裝置的其它形態(tài)或者第2液晶裝置的一個形態(tài)中，上述電容線和上述掃描線用相同的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成，作為從構(gòu)成上述薄膜晶體管的連接上述像素電極的源極或者漏極區(qū)的導(dǎo)體層延伸而構(gòu)成的第1存儲電容電極和第2存儲電容電極的上述電容線，通過借助上述薄膜晶體管的柵極絕緣膜和由相同的絕緣膜構(gòu)成的電介質(zhì)膜相對配置，提供上述存儲電容。
如果依據(jù)這樣的形態(tài)，電容線和掃描線例如用多晶硅膜等的相同的導(dǎo)電型薄膜構(gòu)成，存儲電容的電介質(zhì)膜和薄膜晶體管的柵極絕緣膜例如用高溫的熱氧化膜等相同的絕緣薄膜構(gòu)成，與電容線相對配置的存儲電容電極由于例如從多晶硅等半導(dǎo)體層延伸設(shè)置，因此能夠把形成在一方方基板上的疊層構(gòu)造簡單化，進而由于能夠在相同的薄膜形成工藝中同時形成電容線以及掃描線，或者同時形成電電介質(zhì)膜以及柵極絕緣膜，因此在制造上非常有利。
在該形態(tài)中，也可以構(gòu)成為上述多個遮光膜在上述第2存儲電容電極的相反一側(cè)借助上述第1存儲電容電極和上述第1層間絕緣膜作為第3存儲電容電極相對配置，再提供上述存儲電容。
如果這樣構(gòu)成，則由于構(gòu)筑成把第1存儲電容電極夾在中間，在兩側(cè)提供存儲電容的構(gòu)造，即雙存儲電容構(gòu)造，因此進一步增加存儲電容，提高防止顯示圖像中的閃爍或圖像暫留的功能。
在本發(fā)明第1或者第2液晶裝置的其它形態(tài)中，在上述電容線和上述多個遮光膜之間存在著上述第1層間絕緣膜，上述多條電容線和上述多個遮光膜借助在上述每一個或者每多個像素上開孔的連通孔分別電連接上述第1層間絕緣膜。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于多條電容線和多個遮光膜借助每一個或者每多個像素開孔的連通孔連接第1層間絕緣膜，因此能夠在兩者之間實現(xiàn)可靠性高的電連接狀態(tài)。
在開設(shè)該連通孔的形態(tài)中，上述連通孔也可以構(gòu)成為從上述一對基板的另一方基板一側(cè)看去在上述數(shù)據(jù)線的下方開孔。
如果這樣構(gòu)成，則由于連通孔在數(shù)據(jù)線的下方開孔，即，連通孔從像素部分的開口區(qū)偏離，而且設(shè)置在不形成薄膜晶體管和從該薄膜晶體管的半導(dǎo)體層延伸的存儲電容的一方電極的第1層間絕緣膜的部分上，因此可實現(xiàn)像素區(qū)的有效利用。
在開設(shè)這些連通孔的各形態(tài)中，上述連通孔平行于上述一方基板的平面形狀可以構(gòu)成為例如是正圓形和橢圓形等的圓形。
如果這樣構(gòu)成，則在為了開設(shè)連通孔把濕法腐蝕工藝應(yīng)用到制造過程中的情況下，能夠降低在多個遮光膜和其鄰接膜(即，第1層間絕緣膜等)的界面上浸入腐蝕溶液發(fā)生裂紋的可能性。即，如果平面形狀開設(shè)為四角形等的連通孔，則由于在角部腐蝕溶液特別容易地浸入而且易于產(chǎn)生應(yīng)力集中，因此在該角部易于生成裂紋。
在開設(shè)了這些連通孔的各形態(tài)中，還可以構(gòu)成為上述多個遮光膜分別與上述一方的基板的平面形狀包括沿著上述掃描線形成的第1區(qū)域和從該第1區(qū)域沿著上述數(shù)據(jù)線延伸的第2區(qū)域，在該第2區(qū)域開設(shè)上述連通孔。
如果這樣構(gòu)成，則根據(jù)接近到第2區(qū)域前端的程度開設(shè)連通孔，緩和制造過程中加入到遮光膜上的應(yīng)力，能夠更有效地防止裂紋，提高成品率。
在本發(fā)明第1或者第2液晶裝置的其它形態(tài)中，上述電容線以及上述多個遮光膜連接在恒定電位源上。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于多個遮光膜連接在恒定電位源上，因此遮光膜成為恒定電位。從而，能夠防止遮光膜布線的電位變動對于與遮光膜相對配置的薄膜晶體管帶來不良影響。而且，由于電容線也成為恒定電位，因此作為存儲電容電極可以良好地發(fā)揮作用。這種情況下，作為恒定電位源的恒定電位，例如可以與接地電位相同。
在該形態(tài)中，上述恒定電位源也可以構(gòu)成為是供給到用于驅(qū)動該液晶裝置的周邊電路的恒定電位源。
如果這樣構(gòu)成，則由于恒定電位源是供給掃描線驅(qū)動電路、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路等周邊電路的負電源、正電源等的恒定電位源，因此能夠不需要設(shè)置特別的電位布線和外部電路連接端子，把遮光膜以及電容線取為恒定電位。
或者，也可以構(gòu)成為在上述一對基板的另一方基板上形成相對電極，上述恒定電位源是供給到該相對電極的恒定電位源。
如果這樣構(gòu)成，則由于恒定電位源是供給到相對電極的負電源、正電源等的恒定電位源，因此不需要設(shè)置特別的電位布線和外部電路連接端子，能夠把遮光膜和電容線取為恒定電位。
在本發(fā)明第1和第2液晶裝置的其它形態(tài)中，上述多個遮光膜分別電連接到用于提供給相鄰的前級或者后級的像素的存儲電容的電容線上。
如果這樣構(gòu)成，則與多個遮光膜分別電連接到本級的電容線，即，電連接到用于向該遮光膜上連接到位于溝道區(qū)的TFT的像素電極提供存儲電容的電容線的情況相比較，可以減少沿著像素部分的開口區(qū)邊緣重疊在數(shù)據(jù)線上形成像素TFT、電容線以及遮光膜的區(qū)域?qū)τ谄渌鼌^(qū)域的級差。這里，所謂相鄰的電容線、前級或者后級的電容線指的是相對于用于形成向在該遮光膜上連接到位于溝道區(qū)的TFT的像素電極提供的存儲電容的電容線，在相鄰的像素電極上提供存儲電容的電容線。這樣如果級差減少，則能夠降低對應(yīng)于該級差引起的液晶的取向不良。
在本發(fā)明第1或者第2液晶裝置的其它形態(tài)中，上述多個遮光膜分別電連接到本級的上述電容線上。
如果這樣構(gòu)成，則雖然加大了重疊在數(shù)據(jù)線上形成像素TFT、電容線以及遮光膜的區(qū)域?qū)τ谄渌鼌^(qū)域的級差，然而通過連通孔能夠比較容易地把電容線與遮光膜進行電連接。
在該形態(tài)中，還具有設(shè)置在上述掃描線上而且上述數(shù)據(jù)線下方的第2層間絕緣膜和上述數(shù)據(jù)線上方而且上述像素電極下方的第3層間絕緣膜，上述第1、第2以及第3層間絕緣膜中的至少一個，通過至少凹洼形地形成與上述數(shù)據(jù)線相對的部分，使得上述第3層間絕緣膜面對上述液晶的一側(cè)平坦。
如果這樣構(gòu)成，則由于第1、第2以及第3層間絕緣膜中至少一個凹洼形地形成與數(shù)據(jù)線相對的部分，因此能夠減少重疊在數(shù)據(jù)線上形成像素TFT、電容線以及遮光膜的區(qū)域?qū)τ谄渌鼌^(qū)域的級差。這樣由于第3層間絕緣膜面對液晶的一側(cè)平坦，因此根據(jù)該平坦的程度能夠減少由于第3層間絕緣膜表面的凹凸引起的液晶的取向不良。
在本發(fā)明的第1或者第2液晶裝置的其它形態(tài)中，上述多個遮光膜包括Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)以及Pb(鉛)中的至少一種。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于遮光膜用包括作為不透明的高融點金屬的Ti、Cr、W、Ta、Mo以及Pb中的至少一種的，例如，金屬單體、合金、金屬硅化物等構(gòu)成，因此通過在TFT陣列基板上的遮光膜形成工藝以后所進行的TFT形成工藝中的高溫處理，能夠既不破壞遮光膜又不被融解。
本發(fā)明在具有光源、入射從該光源出射的光實施對應(yīng)于圖像信息的調(diào)制的液晶光閥、投射由該液晶光閥調(diào)制的光的投射裝置的投射型顯示裝置中，其中的上述液晶光閥具有在設(shè)置于光的入射一側(cè)的第1基板以及設(shè)置于出射一側(cè)的第2基板之間夾住液晶的液晶裝置，設(shè)置在上述第1基板的外側(cè)的第1偏振裝置，設(shè)置在上述第2基板的外側(cè)的第2偏振裝置，該投射型顯示裝置的特征在于具有在上述第2基板上矩陣形地設(shè)置的多個像素電極；分別驅(qū)動該多個像素電極的多個薄膜晶體管；分別連接該多個薄膜晶體管并且相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；與該多條掃描線分別并列沿著與上述多條數(shù)據(jù)線相交差的方向分別延伸，對于上述多個像素電極分別提供存儲電容的多條電容線；沿著與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向分別延伸，設(shè)置在從上述一方基板一側(cè)看去分別覆蓋上述多個薄膜晶體管的至少溝道區(qū)的位置以及至少部分地分別與上述多條電容線相對的位置，對于與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向在每一個或者每多像素與上述多條電容線電連接的多個遮光膜；存在于該多個遮光膜與上述薄膜晶體管之間的第1層間絕緣膜。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于在第2基板與薄膜晶體管之間形成遮光膜，因此能夠防止由返回光產(chǎn)生的漏電流。另外，為了能夠防止返回光對液晶裝置產(chǎn)生的影響，也可以像以往那樣在液晶裝置上不粘貼帶防止反射膜的偏振光裝置。從而，由于在液晶裝置上不粘貼第2偏振光裝置，能夠形成間隔，因此能夠防止液晶裝置的溫升。
本發(fā)明的第3液晶裝置為了解決上述問題，特征在于具有在一對基板之間夾住液晶，在該一對基板的一方基板上矩陣形地設(shè)置的多個像素電極；分別驅(qū)動該多個像素電極的多個薄膜晶體管；分別與該多個薄膜晶體管連接并且相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；為了對于上述多個像素電極分別提供存儲電容的沿著上述多條掃描線形成的電容線；設(shè)置在從上述一方基板的一側(cè)看去分別覆蓋上述多個薄膜晶體管的至少溝道區(qū)位置，包括沿著上述掃描線延伸設(shè)置的布線部分的同時與上述電容線電連接的導(dǎo)電性的遮光膜；存在于該遮光膜與上述薄膜晶體管之間的第1層間絕緣膜。
如果依據(jù)本發(fā)明的液晶裝置，則遮光膜設(shè)置在從上述一方基板一側(cè)看去分別覆蓋上述多個晶體管的至少溝道區(qū)的位置中一方的基板上。從而，薄膜晶體管的溝道區(qū)對于從一方基板一側(cè)入射的返回光等，通過遮光膜進行遮光，能夠防止薄膜晶體管由于返回光等引起的特性惡化。另一方面，電容線沿著多條掃描線形成，該電容線與沿著掃描線延伸設(shè)置的包括布線部分的導(dǎo)電性的遮光膜電連接。因而，通過導(dǎo)電性遮光膜的電阻顯著地降低電容線的電阻。例如，如果把電容線用多晶硅膜形成而且把遮光膜用導(dǎo)電性的高融點金屬形成，則電容線中的沿著掃描線方向的電阻由遮光膜的薄膜電阻支配。即，可以實現(xiàn)電容線中的大幅度低電阻化。
以上的結(jié)果，由于通過低電阻的電容線，對于多個像素電極分別提供存儲電容，因此即使提高液晶裝置的驅(qū)動頻率，也可以降低上述那樣由于數(shù)據(jù)線與電容線的電容耦合引起的電容線的電位擺動產(chǎn)生的橫向交調(diào)失真和重像，能夠進行高品位的圖像顯示。
除此之外，即使因異物等電容線在中途斷線，但由于遮光膜代替電容線，因此可以實現(xiàn)冗余構(gòu)造。
在本發(fā)明第3液晶裝置的一個形態(tài)中，特征是上述電容線和上述掃描線用相同的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成，通過把作為一方存儲電容電極的上述電容線與從構(gòu)成上述薄膜晶體管的連接在上述像素電極一側(cè)的源極或者漏極區(qū)的半導(dǎo)體層部分延伸構(gòu)成的另一方的存儲電容電極，借助由與上述薄膜晶體管的柵極絕緣膜相同的絕緣薄膜構(gòu)成的電介質(zhì)膜相對配置，構(gòu)成存儲電容。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于電容線和掃描線例如用相同的多晶硅膜等相同的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成，存儲電容的電介質(zhì)膜和薄膜晶體管的柵極絕緣膜例如用高溫氧化膜等相同的絕緣膜構(gòu)成，與電容線相對配置的存儲電容電極例如從多晶硅膜等半導(dǎo)體層延伸設(shè)置，因此能夠把形成在一方基板上的疊層構(gòu)造簡單化，進而由于能夠在同一個形成工藝中同時形成電容線以及掃描線，或者同時形成電介質(zhì)膜以及柵極絕緣膜，因此在制造方面非常有利。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是在上述電容線與上述遮光膜之間存在著上述第1層間絕緣膜，上述電容線與上述遮光膜借助上述第1層間絕緣膜上開設(shè)的連通孔連接。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于電容線與遮光膜借助在上述第1層間絕緣膜上開設(shè)的連通孔連接，因此可以在兩者之間實現(xiàn)可靠性高的電連接狀態(tài)。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是上述連通孔在每個像素開設(shè)。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于借助在每個像素上開設(shè)的連通孔電容線與遮光膜相連接，因此可以進一步促進由遮光膜產(chǎn)生的電容線的低電阻化，進而，能夠提高兩者之間的冗余構(gòu)造的程度。
如果依據(jù)本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)，則特征是上述連通孔在由多個像素構(gòu)成的每個像素組開設(shè)。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于借助在由多個像素構(gòu)成的每個像素組開設(shè)的連通孔電容線與遮光膜相連接，因此能夠在考慮電容線和遮光膜的薄膜電阻、驅(qū)動頻率、所要求的規(guī)格等的同時，還能夠適當(dāng)?shù)仄胶庥烧诠饽ぎa(chǎn)生的電容線的低電阻化以及冗余構(gòu)造粉末的益處與由于開設(shè)多個連通孔引起的制造工藝的復(fù)雜化或者液晶裝置的不良化等的弊端，因此在實際上非常有利。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是上述連通孔從上述一對基板的另一方基板一側(cè)看去開設(shè)在上述數(shù)據(jù)線的下方。
如果依據(jù)該形態(tài)，則連通孔開設(shè)在數(shù)據(jù)線的下方。即，連通孔從像素開口區(qū)偏離，而且由于設(shè)置在不形成從薄膜晶體管和該薄膜晶體管的半導(dǎo)體層延伸設(shè)置的存儲電容的一方電極的第1層間絕緣膜的部分中，因此可以謀求像素區(qū)的有效利用。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是上述電容線與上述遮光膜連接到恒定電位源。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于遮光膜連接到恒定電位源，因此遮光膜成為恒定電位。從而，遮光膜的電壓變動不對于與遮光膜相對設(shè)置的薄膜晶體管帶來不良影響。而且，由于電容線也成為恒定電位，因此作為存儲電容電極可以良好地發(fā)揮作用。這種情況下，作為恒定電位源的恒定電位，例如可以與接地電位相等。
如果依據(jù)本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)，上述恒定電位源是供給到用于驅(qū)動該液晶裝置的周邊電路的恒定電位源。
如果依據(jù)該形態(tài)，則恒定電位源是供給到掃描線驅(qū)動電路、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路、抽樣電路等周邊電路的負電源、正電源等的恒定電位源，因此不需要設(shè)置特別的電位布線和外部電路連接端子，能夠把遮光膜以及電容線取為恒定電位。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是形成與上述一對基板的另一方基板相對的電極，上述恒定電位源是供給到該相對電極的恒定電位源。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于恒定電位源是供給到相對電極的負電源、正電源等的恒定電位源，因此不需要設(shè)置特別的電位布線和外部電路連接端子，能夠把遮光膜以及電容線取為恒定電位。
本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)的特征是上述電容線包括沿著上述多條掃描線分別形成的布線部分，上述遮光膜包括從上述一方基板一側(cè)看去分別與該電容線的部分重疊那樣的沿著上述掃描線形成的布線部分。
如果依據(jù)該形態(tài)，則通過沿著多條掃描線分別形成的電容線的布線部分與遮光膜的布線部分相互電連接，能夠沿著掃描線的方向把電容線進行低電阻化的同時，還特別地能夠?qū)τ谘刂鴴呙杈€方向提高上述電容線的冗余構(gòu)造中的冗余度。
本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)的特征是上述遮光膜網(wǎng)孔形地設(shè)置在從上述基板一側(cè)看去使上述多條數(shù)據(jù)線分別與上述多條掃描線以及上述多條電容線中的至少一方相互重疊的位置。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于網(wǎng)孔形地設(shè)置形成遮光膜，因此可以促進電連接到遮光膜上的電容線的低電阻化，進而，可以提高兩者之間的冗余構(gòu)造的程度。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，上述遮光膜特征在于條紋形地設(shè)置在從上述一方基板一側(cè)看去分別與上述多條掃描線以及上述多條電容線的至少一方相互重疊的位置。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于條紋形地設(shè)置遮光膜，因此可以促進電連接到遮光膜上的電容線的特別是沿著掃描線方向的低電阻化，進而可以提高兩者之間的冗余構(gòu)造的程度。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是上述遮光膜島狀地設(shè)在從上述一方基板一側(cè)看去與上述多條掃描線以及上述多條電容線的至少一方分別重疊的位置上的同時，沿著上述掃描線多個被排列為孤島形的各部分借助上述電容線相互電連接。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于遮光膜島狀地形成，而且沿著掃描線多個被排列為島形的各部分借助電容線相互電連接，因此可以促進電容線的低電阻化，進而，可以提高兩者間的冗余構(gòu)造的程度。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是上述遮光膜條紋形地沿著上述數(shù)據(jù)線設(shè)置。
如果依據(jù)該形態(tài)，則通過沿著數(shù)據(jù)線延伸設(shè)置，能夠不降低高開口率形成上述遮光膜。進而，例如在沿著掃描線和電容線形成遮光膜的情況下，有時接近地形成連接像素電極與半導(dǎo)體層的連通孔。這時，由層間絕緣膜抑制的遮光膜的應(yīng)力有可能通過設(shè)置在遮光膜附近的像素電極和半導(dǎo)體層的連通孔而釋放，在遮光膜上產(chǎn)生裂紋。然而，如果沿著數(shù)據(jù)線形成遮光膜，則能夠把遮光膜從像素電極和半導(dǎo)體層的連通孔脫離，能夠盡可能緩和遮光膜應(yīng)力的影響。另外，如果把沿著數(shù)據(jù)線的遮光膜與電容線連接，則還能夠進行電容線的低電阻化。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是上述遮光膜連接在恒定電位源上。
如果依據(jù)該形態(tài)，則能夠防止遮光膜的電位變動對于與遮光膜相對設(shè)置的薄膜晶體管帶來不良影響。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是上述遮光膜包括Ti、Cr、W、Ta、Mo以及Pb中的至少一種。
如果依據(jù)該形態(tài)，則由于遮光膜由包括作為不透明高融點金屬的Ti、Cr、W、Ta、Mo以及Pb中的至少一種的例如金屬單體、合金、金屬硅化物等構(gòu)成，因此通過在TFT陣列基板上的遮光膜形成工藝后所進行的TFT形成工藝中的高溫處理，能夠既不破壞遮光膜又不進行融解。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，特征是還具有設(shè)置在上述掃描線上方而且上述數(shù)據(jù)線下方的第2層間絕緣膜，設(shè)置在上述數(shù)據(jù)線上方而且上述掃描像素電極下方的第3層間絕緣膜，上述第1、第2以及第3層間絕緣膜中的至少一個通過凹洼形地形成與上述薄膜晶體管、上述數(shù)據(jù)線、上述掃描線以及上述電容線中的至少一個相對的部分，能夠使上述第3層間絕緣膜面對上述液晶的一側(cè)平坦。
在本發(fā)明第3液晶裝置的其它形態(tài)中，由于通過凹洼地形成第1、第2以及第3層間絕緣膜中的至少一個，能夠使第3層間絕緣膜面對液晶的一側(cè)平坦，因此根據(jù)該平坦化的程度能夠降低由第3層間絕緣膜表面凹凸引起的液晶的取向不良。
本發(fā)明的特征是具備第3液晶裝置的電子設(shè)備。
如果依據(jù)該形態(tài)，電子設(shè)備由于具備上述本發(fā)明的液晶裝置，因此通過通過冗余構(gòu)造，裝置的可靠性高、橫向交調(diào)失真等的顯示惡化降低而且對于返回光等的遮光性能出色的液晶裝置，能夠進行高品位的圖像顯示。
從以下說明的實施形態(tài)能夠進一步明確本發(fā)明這樣的作用以及其它優(yōu)點。
附圖的簡單說明圖1是設(shè)置在構(gòu)成液晶裝置第1實施形態(tài)中的圖像顯示區(qū)的矩陣形的多個像素中的各種元件、布線等的等效電路。
圖2是形成了液晶裝置第1實施形態(tài)中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖3是圖2的A-A’剖面圖。
圖4是設(shè)置在液晶裝置第1實施形態(tài)中的TFT陣列基板上的像素部分以及周邊電路的框圖。
圖5是有關(guān)預(yù)充電的各種信號的時序圖。
圖6是按照順序示出液晶裝置第1實施形態(tài)的制造過程的工藝圖(之一)。
圖7是按照順序示出液晶裝置第1實施形態(tài)的制作過程的工藝圖(之二)。
圖8是按照順序示出液晶裝置第1實施形態(tài)的制造過程的工藝圖(之三)。
圖9是按照順序示出液晶裝置第1實施形態(tài)的制造過程的工藝圖(之四)。
圖10是形成了液晶裝置第2實施形態(tài)中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖11是形成了液晶裝置第3實施形態(tài)中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖12是形成了液晶裝置第4實施形態(tài)中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖13是形成了液晶裝置第5實施形態(tài)中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖14是形成了液晶裝置第6實施形態(tài)中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖15是形成了液晶裝置第7實施形態(tài)中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖16是液晶裝置第8實施形態(tài)中的圖2的A-A’剖面圖。
圖17是液晶裝置第9實施形態(tài)中的圖2的A-A’剖面圖。
圖18是與在其上面形成的各構(gòu)成要素一起從相對基板一側(cè)觀看液晶裝置各實施形態(tài)中的TFT陣列基板的平面圖。
圖19是圖18的H-H’剖面圖。
圖20是用于說明橫向交調(diào)失真引起的顯示惡化的概念圖。
圖21是作為使用了液晶裝置的電子設(shè)備一例的投射型顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖。
用于實施發(fā)明的最佳形態(tài)以下，根據(jù)


本發(fā)明的實施形態(tài)。
(液晶裝置的第1實施形態(tài)的結(jié)構(gòu)以及動作)參照圖1至圖5說明本發(fā)明液晶裝置第1實施形態(tài)的結(jié)構(gòu)以及動作。圖1是構(gòu)成液晶裝置的圖像顯示區(qū)的矩陣形地形成的多個像素中的各種元件、布線等的等效電路。圖2是形成了數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖，圖3是圖2的A-A’剖面圖。圖4是與周邊電路一起示出TFT陣列基板上的遮光膜2維布線設(shè)計的平面圖，圖5是預(yù)充電的各種信號的時序圖。另外，圖3中，為了把各層和各部件取為在圖上可識別程度的大小，在各層和各部件中采用了不同的比例尺。
圖1中，構(gòu)成本實施形態(tài)的液晶顯示裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣形地形成的多個像素矩陣形地形成多個像素電極9a和用于控制該像素電極9a的TFT30，供給圖像信號的數(shù)據(jù)線6a電連接到該TFT30的源極區(qū)。寫入到數(shù)據(jù)線6a的圖像信號S1、S2、……、Sn既可以按照該順序沿著線順序進行供給，也可以對于相鄰接的多條數(shù)據(jù)線6a之間按照每組進行供給。另外，在TFT30的柵極電連接著掃描線3a、構(gòu)成為以預(yù)定的時序，在掃描線3a上按照該順序沿著線順序加入掃描信號G1、G2、……、Gm。像素電極9a電連接到TFT30的漏極，通過把作為開關(guān)元件的TFT30僅在一定期間閉合其開關(guān)，以預(yù)定的時序讀入從數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號S1、S2、……、Sn。經(jīng)過像素電極9a寫入到液晶中的預(yù)定電平的圖像信號S1、S2、……Sn在與相對基板(后述)上形成的相對電極(后述)之間保持一定期間。這里，為了防止被保持的圖像信號漏泄，在像素電極9a與相對電極之間形成的液晶電容上并列地加入存儲電容70。例如，像素電極9a的電壓由存儲電容70保持為比加入了源極電壓的時間長3位的時間。因此，保持特性進一步改善，能夠?qū)崿F(xiàn)對比度高的液晶裝置。另外，作為形成存儲電容70的方法，也可以設(shè)置用于形成電容的作為布線的電容線3b，當(dāng)然也可以在與上一級的掃描線3a之間形成電容。
圖2中，在液晶裝置的TFT陣列基板上，矩陣形地設(shè)置著多個透明的像素電極9a(用虛線部分9a’表示輪廓)，沿著像素電極9a的縱橫邊界分別設(shè)置數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a以及電容線3b。數(shù)據(jù)線6a通過連通孔5電連接由多晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層1a中后述的源極區(qū)，像素電極9a通過連通孔8電連接半導(dǎo)體層1a中后述的漏極區(qū)。另外，與半導(dǎo)體層1a中后述的溝道區(qū)(圖中向右下方的斜線區(qū))相對設(shè)置掃描線3a。而且，圖中在用向右上方的斜線表示的區(qū)域中設(shè)置像素部分中的第1遮光膜11a。即第1遮光膜11a在像素部分中設(shè)置在從TFT陣列基板一側(cè)看去使包括半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)的TFT、數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a以及電容線3b分別重疊的位置。
如圖3所示，液晶裝置具有構(gòu)成透明的一方基板一例的TFT陣列基板10，與該基板相對設(shè)置的構(gòu)成透明的另一方基板一例的相對基板20。TFT陣列基板10例如由石英基板、硅基板構(gòu)成，相對基板20例如由玻璃基板或石英基板構(gòu)成。TFT陣列基板10上設(shè)置像素電極9a，在其上側(cè)設(shè)置實施了摩擦處理等預(yù)定的取向處理的取向膜16。像素電極9a例如由ITO(Indium Tin Oxide)膜等透明導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成。另外，取向膜16例如由聚酰亞胺薄膜等有機薄膜構(gòu)成。
另一方面，在相對基板20上，遍及其整個面設(shè)置著相對電極(共用電極)21，在其下側(cè)，設(shè)置著實施了摩擦處理等預(yù)定的取向處理的取向膜22。相對電極21例如由ITO膜等透明導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成。另外，取向膜22由聚酰亞胺薄膜等有機薄膜構(gòu)成。
在TFT陣列基板10上，如圖3所示，在與各個像素電極9a相鄰接的位置，設(shè)置著開關(guān)控制各像素電極9a的像素開關(guān)用TFT30。
在相對電極20上，進而如圖3所示，在各像素的開口區(qū)以外的區(qū)域設(shè)置著第2遮光膜23。由此，來自相對電極20一側(cè)的入射光不侵入到像素開關(guān)用TFT30的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a’或低濃度源極區(qū)1b以及低濃度漏極區(qū)1c。進而，第2遮光膜23具有提高對比度，防止色材混色的功能。
通過這樣構(gòu)成，則在設(shè)置了使得像素電極9a和相對電極21相面對的TFT陣列基板10與相對基板20之間，在用后述的密封材料52(參照圖18以及圖19)包圍的空間中封入液晶，形成液晶層50。液晶層50在沒有加入來自像素電極9a的電場的狀態(tài)下由取向膜采取預(yù)定的取向狀態(tài)。
如第3圖所示，在分別與像素開關(guān)用TFT30相對的位置處，在TFT陣列基板10與各像素開關(guān)用TFT30之間，沿著像素網(wǎng)孔形地分別設(shè)置第1遮光膜11a。第1遮光膜11a最好由包括作為不透明高融點金屬的Ti、Cr、W、Ta、Mo以及Pb中至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物等組成。如果用這樣的材料構(gòu)成，則通過在TFT陣列基板10上的第1遮光膜1a的形成工藝以后進行的像素開關(guān)用TFT30的形成工藝中的高溫處理，能夠既不破壞第1遮光膜11a又不進行融解。由于形成第1遮光膜11a，因此能夠把來自TFT陣列基板10一側(cè)的返回光等入射到像素開關(guān)用TFT30的溝道區(qū)1a’和低濃度源極區(qū)1b，低濃度漏極區(qū)1c的事態(tài)防范于未然，不會由于發(fā)生光電流而使像素開關(guān)用TFT30的特性惡化。
進而，在第1遮光膜11a與多個像素開關(guān)用TFT30之間設(shè)置第1層間絕緣膜12。第1層間絕緣膜12是為了把構(gòu)成像素開關(guān)用TFT30的半導(dǎo)體層1a從第1遮光膜11a電絕緣而設(shè)置的。進而，第1層間絕緣膜12通過在TFT陣列基板10的整個面上形成，還具有作為像素開關(guān)用TFT30的底膜的功能。即，具有防止TFT陣列基板10的表面研磨時的皸裂以及清洗后殘留的污垢等造成像素開關(guān)用TFT30的特性惡化的功能。使用第1層間絕緣膜12還能夠把第1遮光膜11a污染像素開關(guān)用TFT30等的事態(tài)防范于未然。
本實施形態(tài)中，把成為柵極絕緣膜的絕緣膜2從與構(gòu)成掃描線3a的一部分的柵極電極相對的位置延伸設(shè)置用作為電介質(zhì)膜，延伸設(shè)置半導(dǎo)體層1a作為第1存儲電容電極1f，進而把與它們相對的電容線3b的一部分作為第2存儲電容電極，由此構(gòu)成存儲電容70。更詳細地講，半導(dǎo)體層1a的高濃度漏極區(qū)1e在數(shù)據(jù)線6a以及掃描線3a的下方延伸設(shè)置，借助絕緣膜2與同樣地沿著數(shù)據(jù)線6a以及掃描線3a延伸的電容線3b的部分相對設(shè)置，作為第1存儲電容電極1f。特別是，作為存儲電容70的電介質(zhì)的絕緣膜2在通過高溫氧化在多晶硅膜上形成TFT30的柵極絕緣膜的情況下，能夠做成很薄而且高耐壓的絕緣膜，存儲電容70能夠在比較小的面積上構(gòu)成為大容量的存儲電容。
這些結(jié)果，能夠有效地利用除去數(shù)據(jù)線6a下方的區(qū)域以及與掃描線3a平行的區(qū)域(即，形成電容線3b的區(qū)域)這樣的開口區(qū)以外的空間，能夠增加像素電極9a的存儲電容。
本實施形態(tài)中，特別地借助連通孔13，電容線3b與第1遮光膜11a電連接。因此，根據(jù)第1遮光膜11a的電阻顯著地降低電容線3b的電阻。本實施形態(tài)中，電容線3b由于由例如薄板電阻值為25Ω/□左右的多晶硅膜形成，因此在對角1.3英寸和0.9英寸左右小型液晶裝置的情況下，具有100～200KΩ左右的電阻，第1遮光膜11a由于用導(dǎo)電性的高融點金屬膜形成，因此電容線3b中沿著掃描線3b方向的電阻大幅度地降低。
其結(jié)果，對于電容線3b的時間常數(shù)，通過第1遮光膜11a的存在，例如，能夠減少到十?dāng)?shù)μ秒左右至數(shù)μ秒左右。從而，能夠減少發(fā)生由于沿著數(shù)據(jù)線6a下方交叉布線的電容線3b中的與各數(shù)據(jù)線6a的電容耦合，電容線3b的電位擺動引起的橫向交調(diào)失真和重像等。即，如圖20所示，在要以灰色作為背景的用高對比度描繪黑部分的圖像801的情況下，提供部分地與應(yīng)進行黑顯示不同的電壓的圖像信號的時刻即使接近于各掃描線寫入的終止時刻，也不會引起圖像802那樣的顯示惡化的問題。而且，特別是即使如上所述把該液晶裝置構(gòu)成為XGA、SXGA等驅(qū)動頻率高的機種，由于充分地減少電容線3b的時間常數(shù)，因此也能夠減少發(fā)生橫向交調(diào)失真和重像。
從而，不必要為了防止這樣的交調(diào)失真和重像，采用上述那樣在每個數(shù)據(jù)線6a或每個像素使液晶驅(qū)動電壓的極性反轉(zhuǎn)的方式，反之，可以采用適于能夠降低液晶層50的鑒別特性(デイスクリネ一ミヨン)而且提高像素開口率的在每個掃描線3a使液晶驅(qū)動電壓反轉(zhuǎn)的掃描線反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式(所謂1H反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式)。
本實施形態(tài)中，進而，第1遮光膜11a(以及與其電連接的電容線3b)電連接到恒定電位源上，第1遮光膜11a以及電容線3b取為恒定電位。從而，能夠把第1遮光膜11a的電位變動對于與第1遮光膜11a相對設(shè)置的像素開關(guān)用TFT30帶來的惡劣影響防范于未然。另外，電容線3b可以良好地發(fā)揮作為存儲電容70的第2存儲電容電極的作用。這種情況下，作為恒定電位源，可以例舉用于驅(qū)動該液晶裝置的周邊電路(例如，掃描線驅(qū)動電路，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，抽樣電路等)的負電源、正電源等的恒定電位源，接地電源，供給相對電極21的恒定電位源等。如果利用這樣的周邊電路等的電源，則不必設(shè)置專用的電位布線和外部電路連接端子，能夠把第1遮光膜11a以及電容線3b取為恒定電位。
圖3中，像素開關(guān)用TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain)構(gòu)造，具有掃描線3a，根據(jù)來自該掃描線3a的電場形成溝道的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a’，把掃描線3a與半導(dǎo)體層1a絕緣的絕緣薄膜2，數(shù)據(jù)線6a，半導(dǎo)體層1a的低濃度源極區(qū)1b以及低濃度漏極區(qū)1c，半導(dǎo)體層1a的高濃度源極區(qū)1d以及高濃度漏極區(qū)1e。本實施形態(tài)中數(shù)據(jù)線6a特別地由Al等金屬膜和金屬硅化物等合金膜等的遮光性薄膜構(gòu)成。另外，在掃描線3a，絕緣薄膜2以及第1層間絕緣膜12上，形成分別形成了通過高濃度源極區(qū)1d的連通孔5以及通過了高濃度漏極區(qū)1e的連通孔8的第2層間絕緣膜4。借助連通孔5，數(shù)據(jù)線6a電連接到高濃度源極區(qū)1d。進而，在數(shù)據(jù)線6a以及第2層間絕緣膜4上，形成第3層間絕緣膜7。高濃度漏極區(qū)1e借助連通孔8電連接到像素電極9a。另外，像素電極9a與高濃度漏極區(qū)1e也可以采用把與數(shù)據(jù)線6a相同的Al膜以及與掃描線3b相同的多晶硅膜作為中繼進行電連接的形式。
像素開關(guān)用TFT30如上所述最好具有LDD構(gòu)造，而既可以具有在低濃度源極區(qū)1b以及低濃度漏極區(qū)1c中進行雜質(zhì)離子注入的非均勻性構(gòu)造，也可以是把柵極電極作為掩膜以高濃度注入雜質(zhì)離子，自匹配地形成高濃度源極以及漏極區(qū)的自調(diào)節(jié)型的TFT。
另外本實施形態(tài)中，采用把像素開關(guān)用TFT30的由掃描線3a的一部分構(gòu)成的柵極電極在源·漏區(qū)間中僅配置1個的單柵極構(gòu)造，然而也可以在它們之間配置2個以上的柵極電極。這時，在各個柵極電極上加入相同的信號。這樣，如果用2柵極(雙柵極)或者3柵極以上構(gòu)成TFT，則能夠防止溝道區(qū)與源·漏極區(qū)結(jié)部分的漏電流，能夠降低關(guān)斷時的電流。如果把這些柵極的至少一個采用LDD構(gòu)造或者非均勻構(gòu)造，則能夠進一步降低關(guān)斷電流，得到穩(wěn)定的開關(guān)元件。
這里，一般形成半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a’，低濃度源極區(qū)1b以及低濃度漏極區(qū)1c等的多晶硅膜如果照射光線，則由于多晶硅所具有的光電變換效果產(chǎn)生光電流，像素開關(guān)用TFT30的晶體管特性惡化，然而在本實施形態(tài)中，由于數(shù)據(jù)線6a用Al等遮光性金屬薄膜形成使得從上側(cè)重疊掃描線3a，因此至少能夠有效地防止對于半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a’以及低濃度源極區(qū)1b，低濃度漏極區(qū)1c的入射光(即，圖3中來自上側(cè)的光)的入射。另外，如上所述，由于在像素開關(guān)用半導(dǎo)體TFT30的下側(cè)設(shè)置第1遮光膜11a，因此至少能夠有效地防止對于半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a’以及低濃度源極區(qū)1b，低濃度漏極區(qū)1c的返回光(即，圖3中來自下側(cè)的光)的入射。
其次，參照圖4說明本實施形態(tài)中設(shè)置在TFT陣列基板10上的周邊電路的結(jié)構(gòu)。
圖4中，液晶裝置作為其周邊電路，具有驅(qū)動數(shù)據(jù)線6a的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101，驅(qū)動掃描線3a的掃描線驅(qū)動電路104，向多條數(shù)據(jù)線6a在供給圖像信號S1、S2、……、Sn之前先行分別供給預(yù)定電壓電平的預(yù)充電信號(NRS)的預(yù)充電電路201，把供給到圖像信號線上的圖像信號S1、S2、……、Sn取樣后分別供給到多條數(shù)據(jù)線6a的取樣電路301。
掃描線驅(qū)動電路104根據(jù)從外部控制電路供給的電源，基準(zhǔn)時鐘CLY以及其反轉(zhuǎn)時鐘等，以預(yù)定的時序在掃描線3a上間斷地按照線順序加入掃描信號G1、G2、……、Gm。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101根據(jù)從外部控制電路供給的電源，基準(zhǔn)時鐘CLX以及其反轉(zhuǎn)時鐘等，與掃描線驅(qū)動電路104加入掃描信號G1、G2、……，Gm的時序相吻合，以預(yù)定的時序把在每條數(shù)據(jù)線6a上作為取樣電路驅(qū)動信號的來自移位寄存器的傳輸信號X1、X2、……、Xn，經(jīng)過取樣電路驅(qū)動信號線306供給到取樣電路301中。
預(yù)充電電路201作為開關(guān)元件例如在各條數(shù)據(jù)線6a具有TFT202，預(yù)充電信號線204連接TFT202的漏極或者源極，預(yù)充電電路驅(qū)動信號線206連接TFT202的柵極電極。而且，在動作時，經(jīng)過預(yù)充電信號線204，從外部電源供給用于寫入預(yù)充電信號(NRS)所需要的預(yù)定電壓的電源，經(jīng)過預(yù)充電電路驅(qū)動信號線206，對于多條數(shù)據(jù)線6a在供給圖像信號S1、S2、……、Sn等之前，以預(yù)定的時序?qū)懭腩A(yù)充電信號(NRS)，從外部控制電路供給預(yù)充電電路驅(qū)動信號(NRG)。預(yù)充電電路201最好供給相當(dāng)于中央灰度電平的圖像信號S1、S2、……、Sn的預(yù)充電信號(NRS)(圖象輔助信號)。
取樣電路301在各條數(shù)據(jù)線6a具有TFT302，圖像信號線304連接TFT302的漏極或者源極電極，取樣電路驅(qū)動信號線306連接TFT302的柵極電極。而且，經(jīng)過圖像信號線304，如果輸入圖象信號S1、S2、……、Sn，則把它們進行取樣。即，如果經(jīng)過取樣電路驅(qū)動信號線306從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101輸入作為取樣電路驅(qū)動信號的傳輸信號X1、X2、……、Xn，則在數(shù)據(jù)線6a上順序地加入分別來自圖像信號線304的圖像信號S1、S2、……、Sn。
這樣在本實施形態(tài)中，構(gòu)成為按照每一條選擇數(shù)據(jù)線6a，然而也可以構(gòu)成為把多條匯總起來同時選擇數(shù)據(jù)線6a。例如，可以構(gòu)成為根據(jù)構(gòu)成取樣電路301的TFT302的寫入特性以及圖像信號的頻率，從圖像信號線304供給按多相(例如，3相，6相，12相，……)進行串行-并行變換了的圖像信號S1、S2、……、Sn，把這些信號按每一組同時取樣。這時，當(dāng)然至少需要串行-并行變換數(shù)量的圖像信號線304。
這里，參照圖5說明本實施形態(tài)的液晶裝置中進行的預(yù)充電。
如圖5所示，在具有數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101的移位寄存器中，作為水平掃描的基準(zhǔn)輸入了規(guī)定相當(dāng)于一個像素的選擇時間t1的時鐘信號(CLX)，如果輸入轉(zhuǎn)送開始信號(DX)則從該移位寄存器順序供給傳送信號X1、X2、……。在各水平掃描期間，在輸入這樣的轉(zhuǎn)送開始信號(DX)之前的時刻，把預(yù)充電電路驅(qū)動信號(NRG)供給到預(yù)充電電路201中。更具體地講，作為垂直掃描基準(zhǔn)的時鐘信號(CLY)成為高電平的同時圖像信號(VID)以信號的電壓中心值(VID中心)為基準(zhǔn)極性反轉(zhuǎn)了以后，在經(jīng)過從該極性反轉(zhuǎn)到進行預(yù)充電的作為余量期間的時間t3以后，預(yù)充電電路驅(qū)動信號(NRG)成為高電平。另一方面，預(yù)充電信號(NRS)對應(yīng)于圖像信號(VID)的反轉(zhuǎn)，在水平回掃期間成為與圖像信號(VID)相同極性的預(yù)定電平。從而，在預(yù)充電電路驅(qū)動信號(NRG)成為高電平期間的時間t2內(nèi)，進行預(yù)充電。而且，僅在水平回掃期間結(jié)束開始有效顯示期間的時刻之前的時間t4，即，把從預(yù)充電結(jié)束到寫入圖像信號的余量作為時間t4，預(yù)充電電路驅(qū)動信號(NRG)成為低電平。如上所述，預(yù)充電電路201在各水平回掃期間，在圖像信號之前向多條數(shù)據(jù)線6a供給預(yù)充電信號(NRS)。
圖5中，在水平回掃期間內(nèi)進行預(yù)充電，而由于上述數(shù)據(jù)線6a與電容線3b的電容耦合引起的電容線3b的電位擺動在時間t5內(nèi)趨向穩(wěn)定。從而，也可以考慮設(shè)定各信號的時序使得加長時間t5，可以防止這樣的電容線3b的電位擺動。然而，如果加長該時間t5，則需要縮短時間t3、t2、t4。這里，如果過于縮短時間t3，則由于構(gòu)成預(yù)充電電路的TFT等的柵極延遲將產(chǎn)生在預(yù)充電電路驅(qū)動信號(NRG)成為高電平的時刻連接到前級掃描線上的TFT30的柵極導(dǎo)通的危險。另外，縮短了時間t2，則需要預(yù)充電的能力降低或者電荷供給能力高的預(yù)充電電路。進而，縮短了時間t4，則不得不同時在數(shù)據(jù)線6a上加入預(yù)充電信號和圖像信號。從而，為了更好地進行預(yù)充電，不能夠輕易地加長使由電容耦合引起的電容線3b的電位擺動穩(wěn)定的時間t5。這樣，如果依據(jù)本實施形態(tài)，則由于使用第1遮光膜11a在大幅度降低電容線3b的電阻的同時大幅度地降低時間常數(shù)，因此能夠相對地加長對于電容線3b的時間常數(shù)的時間t5。
在這樣進行預(yù)充電的情況下，本實施形態(tài)中，在把用于預(yù)充電的水平回描期間確保為充分長度的同時，能夠?qū)嵸|(zhì)上充分地確保由電容耦合引起的電容線3b的電位擺動達到穩(wěn)定的時間t5。
以上的結(jié)果，如果依據(jù)本實施形態(tài)，則由于在驅(qū)動頻率高的情況下，能夠更好地進行預(yù)充電以及上述掃描線的反轉(zhuǎn)驅(qū)動，而且能夠防止由電容耦合引起的橫向交調(diào)失真和重像等，因此能夠進行極高品位的圖像顯示。
除此之外，如果依據(jù)本實施形態(tài)，則實現(xiàn)即使由于異物等電容線3b在中途斷線，第1遮光膜11a也代替電容線3b這樣的冗余構(gòu)造。即，即使電容線3b中途斷線，斷線部分的兩側(cè)也借助連通孔13由第1遮光膜11a相互電連接，因此不會產(chǎn)生實用上的問題。從而，依據(jù)本實施形態(tài)，能夠?qū)崿F(xiàn)降低不良品率，可靠性高的可以進行高品位圖像顯示的液晶裝置。
另外，電容線3b和掃描線3a用相同的多晶硅膜構(gòu)成，存儲電容70的電介質(zhì)膜和作為TFT30的柵極絕緣膜的絕緣薄膜2包括相同的高溫氧化膜，第1存儲電容電極1f、TFT30的溝道區(qū)1a’、高濃度源極區(qū)1d、高濃度漏極區(qū)1e等由相同的半導(dǎo)體層1a構(gòu)成。因此，能夠簡化在TFT陣列基板10上形成的疊層構(gòu)造。進而，在后述的液晶裝置的制造方法中，在同一個薄膜形成工藝中能夠同時形成電容線3b以及掃描線3a，能夠同時形成存儲電容70的電電介質(zhì)膜以及絕緣薄膜2。
本實施形態(tài)中，特別是電容線3b和第1遮光膜11a借助在第1層間絕緣膜12上開設(shè)的連通孔13確實而且高可靠性地電連接，這樣的連通孔13既可以在每個像素上開設(shè)，也可以在每個由多個像素組成的像素組上開設(shè)。
在每個像素上開設(shè)連通孔13的情況下，可以促進基于第1遮光膜11a的電容線3b的低電阻化，進而，提高兩者之間的冗余構(gòu)造的程度。另一方面，在每個由多個像素構(gòu)成的像素組上開設(shè)連通孔13的情況下，由于在考慮到電容線3b和第1遮光膜11a的薄板電阻、驅(qū)動頻率、所要求的規(guī)格等的同時，還能夠適當(dāng)?shù)仄胶獾?遮光膜11a產(chǎn)生的電容線3b的低電阻化和冗余構(gòu)造的益處以及由于開設(shè)多個連通孔13引起的制造工藝方面的復(fù)雜化或者該液晶裝置的不良化等的弊端，因此實際上非常有利。
另外，本實施形態(tài)中，特別是在這樣每個像素或者每個像素組開設(shè)的連通孔13從相對基板20一側(cè)看去開設(shè)在數(shù)據(jù)線6a的下方。因而，連通孔13從像素開口區(qū)偏離，而且設(shè)置在不形成TFT30和第1存儲電容電極1f的第1層間絕緣膜12部分上，因此能夠謀求像素區(qū)的有效利用，同時能夠防止由于形成連通孔13引起的TFT30和其它布線等的不良。
液晶裝置的第1實施形態(tài)的制造過程下面，參照圖6～圖9說明具有以上結(jié)構(gòu)的液晶裝置的第1實施形態(tài)的制造過程。另外，圖6～圖9是與圖3同樣地對應(yīng)于圖2的A-A’剖面示出的各工藝中的TFT陣列基板一側(cè)的各層。
如圖6的工藝(1)所示，準(zhǔn)備石英基板，硬玻璃基板，硅基板等TFT陣列基板10。這里，最好是預(yù)先進行預(yù)處理，在N2(氮)等惰性氣體氛圍中而且以大約900～1300℃的高溫進行退火處理，使得減少隨后實施的高溫過程中在TFT陣列基板10上產(chǎn)生的畸變。即，與制造過程中的最高溫度進行高溫處理的溫度相符合，事前以相同的溫度或者更高的溫度把TFT陣列基板10進行熱處理。
在被這樣處理了的TFT陣列基板10的整個面上，通過濺射，把Ti，Cr，W，Ta，Mo以及Pb等金屬和金屬硅化物等的金屬合金膜，形成100～500nm左右的膜厚，最好是大約200nm膜厚的遮光膜11。
接著，如工藝(2)所示，對于遮光膜11通過進行刻蝕，形成第1遮光膜11a。
其次如工藝(3)所示，在第1遮光膜11a上，例如通過常壓或者減壓CVD法等使用TEOS(四乙基原硅酸鹽)氣體，TEB(tetraethylbotrate)氣體，TMOP(tetraethyl oxy phosrate)氣體等，形成NSG(非硅酸鹽玻璃)，PSG(磷硅酸鹽玻璃)，BSG(硼硅酸鹽玻璃)，BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)等的硅酸鹽玻璃膜，氮化硅膜和氧化硅膜等構(gòu)成的第1層間絕緣膜12。第1層間絕緣膜12的膜厚例如取為大約500～2000nm。
其次，如工藝(4)所示，在第1層間絕緣膜12上，在大約450～550℃最好是大約500℃的比較低的溫度環(huán)境中，通過使用流量大約400～600cc/min的甲硅烷氣，乙硅烷氣等的減壓CVD(例如，壓力大約20～40Pa的CVD)形成非晶型硅膜。然后，在氮氣氛圍中，在大約600～700℃下進行大約1～10小時，最好是4～6小時的退火處理，使多晶硅膜1固相成長為大約50～200nm的厚度，最好是大約100nm的厚度。
這時，作為圖3所示的像素開關(guān)用TFT30，做成n溝道型像素開關(guān)用TFT30的情況下，也可以僅通過離子注入等在該溝道區(qū)摻雜Sb(銻)，AS(砷)，P(轔)等V族元素的雜質(zhì)離子。另外，在把像素開關(guān)用TFT30做成p溝道型的情況下，可以僅通過離子注入摻雜B(硼)，Ga(鎵)，In(銦)等III族元素的雜質(zhì)離子。另外，也可以不經(jīng)過非晶型硅膜，使用減壓CVD法等直接形成多晶硅膜1。或者，在使用減壓CVD法等沉積了的多晶硅膜中注入硅離子暫時進行非晶型，然后通過退火處理等使其再結(jié)晶形成多晶硅膜1。
其次，如工藝(5)所示，形成圖2所示的預(yù)定圖形的半導(dǎo)體層1a。即，特別地在數(shù)據(jù)線6a下方形成了電容線3b的區(qū)域以及沿著掃描線3a形成了電容線3b的區(qū)域中，形成從構(gòu)成像素開關(guān)用TFT30的半導(dǎo)體層1a延伸設(shè)置的第1存儲電容電極1f。
其次，如工藝(6)所示，通過與構(gòu)成像素開關(guān)用TFT30的半導(dǎo)體層1a一起把第1存儲電容電極1f在大約900～1300℃的溫度，最好是大約1000℃的溫度下進行熱氧化，形成大約30nm的比較薄的熱氧化硅膜，進而使用減壓CVD法等把高溫氧化硅膜(HTO膜)和氮化硅膜沉積為大約50nm的比較薄的厚度，與具有多層構(gòu)造的像素開關(guān)用TFT30的柵極絕緣膜一起形成作為電容形成用的電介質(zhì)膜的絕緣薄膜2(參照圖3)。其結(jié)果，半導(dǎo)體層1a以及第1存儲電容電極1f的厚度成為大約30～150nm的厚度，最好是大約35～50nm的厚度，絕緣薄膜2的厚度成為大約20～150nm的厚度，最好是大約30～100nm的厚度。通過這樣縮短高溫?zé)嵫趸瘯r間，能夠特別地防止在8英寸左右大型基板的情況下由于熱引起的彎曲。其中，也可以僅把多晶硅膜1進行熱氧化，形成具有單層構(gòu)造的絕緣薄膜2。
另外，在工藝(6)中雖然沒有特別限定，然而可以在成為第1存儲電容電極1f的半導(dǎo)體層部分上，例如，以劑量大約3×1012/cm2摻雜P離子，使其低電阻化。
其次，在工藝(7)中，在第1層間絕緣膜12上通過反應(yīng)性離子刻蝕、反應(yīng)性離子束刻蝕等干法刻蝕或者濕法刻蝕形成至第1遮光膜11a的連通孔13。這時，使用反應(yīng)性離子刻蝕、反應(yīng)性離子束刻蝕這樣的各向異性刻蝕開設(shè)連通孔13，具有能夠把開孔形狀做成幾乎與掩膜形狀相同的優(yōu)點。其中，如果把干法刻蝕與濕法刻蝕組合起來進行開孔，則由于能夠把這些連通孔13等做成圓錐形，因此可以得到能夠防止布線連接時的斷線的優(yōu)點。
其次，如工藝(8)所示，在使用減壓CVD法等沉積了多晶硅膜3以后，把P進行熱擴散，使多晶硅膜3導(dǎo)電。另外，也可以使用與多晶硅膜3成膜的同時導(dǎo)入了P離子的摻雜硅膜。
其次，如圖7的工藝(9)所示，形成圖2所示的預(yù)定圖形的掃描線3a和電容線3b。這些掃描線3a以及電容線3b的膜厚例如大約為350nm。
其次，如工藝(10)所示，在把圖3所示的像素開關(guān)用TFT30做成具有LDD構(gòu)造的n溝道型的TFT的情況下，在半導(dǎo)體層1a上，首先為了形成低濃度源極區(qū)1b以及低濃度漏極區(qū)1c，把成為掃描線3a一部分的柵極電極作為擴散掩膜，以低濃度(例如，以1～3×1013/cm2的劑量摻雜P離子)摻雜P等V族元素的雜質(zhì)離子60。由此掃描線3a下方的半導(dǎo)體層1a成為溝道區(qū)1a’。通過該雜質(zhì)離子的摻雜電容線3b以及掃描線3a也被低電阻化。
接著，如果工藝(11)所示，為了形成構(gòu)成像素開關(guān)用TFT30的高濃度源極區(qū)1d以及高濃度漏極區(qū)1e，在掃描線3a上以比掃描線3a寬的掩膜形成了阻擋層62以后，以高濃度(例如，以1～3×1015/cm2的劑量摻雜P離子)摻雜相同的P等V族元素的雜質(zhì)離子61。另外，在把像素開關(guān)用TFT30做成p溝道型的情況下，在半導(dǎo)體層1a上為了形成低濃度源極區(qū)1b以及低濃度漏極區(qū)1c、高濃度源極區(qū)1d以及高濃度漏極區(qū)1e，使用B(硼)等 III族元素的雜質(zhì)離子進行摻雜。另外，例如，也可以不進行低濃度雜質(zhì)離子的摻雜，而做成非晶型構(gòu)造的TFT，把作為掃描線3a一部分的柵極電極作為掩膜，通過使用了P離子，B離子等的離子注入技術(shù)做成自調(diào)準(zhǔn)型的TFT。
通過該雜質(zhì)的摻雜，電容線3b以及掃描線3a被進一步低電阻化。
另外，再次重復(fù)工藝(10)以及工藝(11)，進行B離子等的III族元素的雜質(zhì)離子摻雜，可以形成p溝道型TFT。由此，能夠在TFT陣列基板10上的周邊部分形成具有由n溝道型TFT以及p溝道型TFT構(gòu)成的互補型構(gòu)造的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101以及掃描線驅(qū)動電路104。這樣，如果用多晶硅膜形成像素開關(guān)用TFT30的半導(dǎo)體層1a，在像素開關(guān)用TFT30形成時用幾乎相同的工藝，能夠形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101以及掃描線驅(qū)動電路104，在制造方面很有利。
其次，如工藝(12)所示，為覆蓋與像素開關(guān)用TFT30中的掃描線3a和電容線3b，例如使用常壓或者減壓CVD法和TEOS氣體等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等構(gòu)成的第2層間絕緣膜4。第2層間絕緣膜4的膜厚最好是大約500～1500nm。
其次，在工藝(13)的階段，為了激活高濃度源極區(qū)1d以及高濃度漏極區(qū)1e在進行了20分鐘左右的大約1000℃的退火處理以后，使用反應(yīng)性離子刻蝕、反應(yīng)性離子束刻蝕的干法刻蝕或者濕法刻蝕形成對于數(shù)據(jù)線6a的連通孔5。另外，使用與連通孔5相同的工藝在第2層間絕緣膜4上開設(shè)用于把掃描線3a和電容線3b與未圖示的布線相連接的連通孔。
其次，如圖8的工藝(14)所示，在第2層間絕緣膜4上，使用濺射法等，把遮光性的Al等的低電阻金屬或金屬硅化物等作為金屬膜6，沉積大約100～500nm的厚度，最好是大約300nm，進而如工藝(15)所示，通過光刻工藝，刻蝕工藝等，形成數(shù)據(jù)線6a。
其次，如工藝(16)所示，為了覆蓋數(shù)據(jù)線6a的上方，例如，使用常壓或者減壓CVD法或TEOS氣體等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等構(gòu)成的第3層間絕緣膜7。第3層間絕緣膜7的膜厚大約500～1500nm。
其次，在圖9的工藝(17)的階段，在像素開關(guān)用TFT30中，使用反應(yīng)性離子刻蝕、反應(yīng)性離子束刻蝕等干法刻蝕形成用于把像素電極9a與高濃度漏極區(qū)1e電連接的連通孔8。
其次，如工藝(18)所示，在第3層間絕緣膜7上，使用濺射法等，把ITO膜等透明導(dǎo)電性薄膜9沉積大約50～200nm的厚度，進而如工藝(19)所示，形成像素電極9a。另外，在把該液晶裝置用于反射型的液晶裝置的情況下，也可以用Al等反射率高的不透明材料形成像素電極9a。
接著，在像素電極9a上涂敷聚酰亞胺系列的取向膜的涂敷液以后，通過以預(yù)定的預(yù)傾角(pre-tilt)而且沿著預(yù)定方向?qū)嵤┠Σ撂幚?，形成取向?6(參照圖3)。
另一方面，對于圖3所示的相對基板20，首先準(zhǔn)備玻璃基板，例如濺射了金屬鉻以后，經(jīng)過光刻工藝、刻蝕工藝形成第2遮光膜23以及后述的作為框緣的第3遮光膜(參照圖18以及圖19)。另外，這些第2遮光膜除去Cr、Ni(鎳)、Al等的金屬材料之外，可以用把碳或Ti分散在光致抗蝕劑中的樹脂黑底等材料形成。
然后，在相對基板20的整個面上通過濺射法，把ITO等透明導(dǎo)電性薄膜沉積大于50～200nm，由此形成相對電極21。進而，在相對電極21的整個面上涂覆了聚酰亞胺系列的取向膜的涂敷液以后，以預(yù)定的預(yù)傾角(pre-tilt)而且沿著預(yù)定方向?qū)嵤┠Σ撂幚?，由此形成取向?2(參照圖3)。
最后，如上述那樣，形成了各層的TFT陣列基板10與相對基板20用密封材料5進行粘貼使得取向膜16以及22相對，通過真空吸引，在兩基板之間的空間內(nèi)，例如吸入混合多種向列液晶構(gòu)成的液晶，形成預(yù)定膜厚的液晶層50。
液晶裝置的第2實施形態(tài)參照圖10說明本發(fā)明液晶裝置的第2實施形態(tài)。
在上述的第1實施形態(tài)中，通過沿著像素網(wǎng)孔形地設(shè)置第1遮光膜11a，能夠促進電容線3b的低電阻化，進一步提高冗余構(gòu)造的程度，而在第2實施形態(tài)中，條紋形地設(shè)置第1遮光膜11a。其它的結(jié)構(gòu)由于與第1實施形態(tài)的情況相同，因此圖中在相同的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的參考符號，并且省略它們的說明。另外，圖10是形成了數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖10中，第1遮光膜11a由沿著掃描線3a延伸的多個條紋形部分構(gòu)成。即，第1遮光膜11a在與數(shù)據(jù)線6a相對的預(yù)定區(qū)域分?jǐn)唷亩?，能夠促進電連接到第1遮光膜11a上的電容線3b的特別是沿著掃描線3a方向的低電阻化。另外，可以提高電容線3b與第1遮光膜11a之間的冗余構(gòu)造的程度。
另外，作為第2實施形態(tài)的變形例，進而還可以構(gòu)成為在從TFT陣列基板10一側(cè)看去掃描線3a以及電容線3b分別重疊的位置處條紋形地設(shè)置第1遮光膜11a，同時經(jīng)過電容線3b把沿著掃描線3a排列的多個條紋形的各部分相互電連接。即使這樣構(gòu)成，也能夠促進電容線3b的低電阻化，而且提高冗余構(gòu)造的程度。
液晶裝置的第3實施形態(tài)參照圖11說明本發(fā)明液晶裝置的第3實施形態(tài)。
在上述第1實施形態(tài)中，通過網(wǎng)孔形地設(shè)置第1遮光膜11a，能夠促進電容線3b的低電阻化，進而提高冗余度的程度，而在第3實施形態(tài)中，條紋形地設(shè)置第1遮光膜11a，除去覆蓋溝道區(qū)1a’的位置以外，不形成在與掃描線3b相對的位置。其它的結(jié)構(gòu)由于與第1實施形態(tài)的情況相同，因此圖中在相同的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的參考符號，并且省略它們的說明。另外，圖12是形成了數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
如圖11所示，在分別與像素開關(guān)用TFT30相對的位置處在TFT陣列基板10與各像素開關(guān)用TFT30之間分別設(shè)置第1遮光膜11a。
另外，如圖11所示，本實施形態(tài)中，第1遮光膜11a經(jīng)過連通孔13電連接設(shè)置在相鄰的前級或者后級的電容線3b。從而，各個第1遮光膜11a與電連接在本級的電容線的情況相比較，可以減少沿著像素部分的開口區(qū)邊緣，重疊在數(shù)據(jù)線6a上形成電容線3b以及第1遮光膜11a的區(qū)域?qū)τ谄渌鼌^(qū)域的級差。這樣如果減少沿著像素部分的開口區(qū)邊緣的級差，則能夠降低由于該級差引起的液晶的取向不良，因此能夠擴展像素部分的開口區(qū)。
另外，第1遮光膜11a如上述那樣在從直線形地延伸的本線部分突出的突出部分上開設(shè)連通孔13。這里，作為連通孔13的開設(shè)位置，根據(jù)本發(fā)明者的研究明確了越接近于邊緣，由于應(yīng)力從邊緣發(fā)散等的原因，越難以產(chǎn)生裂紋。從而，這種情況下，根據(jù)何種程度地接近突出部分的前端開設(shè)連通孔(最好根據(jù)是否以最大限度接近前端)，在制造過程中可緩和加入到第1遮光膜11a上的應(yīng)力，能夠更有效地防止裂紋，提高成品率。
進而在本實施形態(tài)中，特別是第1遮光膜11a除去覆蓋溝道區(qū)1a’的位置以外，不形成在與掃描線3a相對的位置上。從而，實際上幾乎或者完全不發(fā)生第1遮光膜11a與各掃描線3a之間的電容耦合，因此不發(fā)生由于掃描線3a中的電位變動引起的第1遮光膜11a中的電位擺動。其結(jié)果，也不發(fā)生電容線3b中的電位擺動。
另外，在第3實施形態(tài)中，由于連接設(shè)置在相鄰的前級或者后級的像素中的電容線3b和第1遮光膜11a，因此對于最上級或者最下級的像素需要用于在第1遮光膜11a上供給恒定電位的電容線3b。因此，對于垂直象素數(shù)可以把電容線3b的數(shù)目多設(shè)1個。
另外，圖11中，第1遮光膜11a中直線形的本線部分形成為幾乎重疊在電容線3b的直線形的本線部分上，而第1遮光膜11a如果設(shè)置在覆蓋TFT30的溝道區(qū)的位置而且能夠形成連通孔13那樣與電容線3b在某個位置重疊，則能夠發(fā)揮對于TFT的遮光功能以及對電容線3b的低電阻化功能。從而，例如直到沿著位于相鄰接的掃描線3a與電容線3b之間的掃描線3a的長方形間隙區(qū)或與掃描線3a若干重疊的位置處，也可以設(shè)置該第1遮光膜11a。
液晶裝置的第4實施形態(tài)參照圖12說明本發(fā)明液晶裝置的第4實施形態(tài)。在上述第1～第3實施形態(tài)中，第1遮光膜11a中沿著掃描線3a和電容線3b的本線部分大致形成在電容線3b的下方，而在第4實施形態(tài)中，這樣沿著掃描線3a和電容線3b的本線部分大致條紋形地形成在掃描線3a的下方，而不是形成在電容線3b的下方。其它的結(jié)構(gòu)由于與第1實施形態(tài)的情況相同，因此圖中在相同的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的參考符號，并且省略它們的說明。另外，圖12是形成了數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖12中，在液晶裝置中，特別是條紋形的第1遮光膜11a的沿著掃描線3a延伸的本線部分設(shè)置在掃描線3a的下方。即，在該本線部分中，在第1遮光膜11a上方，例如借助比構(gòu)成像素部分中的TFT的柵極絕緣膜厚得多的第1層間絕緣膜形成掃描線3a。因此，假設(shè)在制造過程中在第1遮光膜11a上形成了意外突起等異常形狀部分的情況下，也能夠極大降低由于該突起等突破第1層間絕緣膜使第1遮光膜11a與掃描線3a短路的可能性。
如上述第1～第3實施形態(tài)那樣在形成于第1遮光膜11a上的突起等上面進一步疊層形成半導(dǎo)體層1a、絕緣薄膜2和電容線3b的情況下(參照圖3)，如果考慮到該突起等經(jīng)過半導(dǎo)體層1a突破極薄的絕緣薄膜2使半導(dǎo)體層1a與電容線3b短路的可能性提高，則第4實施形態(tài)中的在與掃描線3a相對的位置形成第1遮光膜11a的結(jié)構(gòu)在使工藝成品率提高方面將更有利。
從而，進一步從這樣使成品率提高的觀點出發(fā)，希望盡可能減少相對地形成第1遮光膜11a與電容線3b的基板上區(qū)域的同時盡可能加大相對地形成第1遮光膜11a與掃描線3a的基板上區(qū)域。因此，在第4實施形態(tài)中如圖12所示，在除去為使用連通孔13把第1遮光膜11a與電容線3b電連接的最低限度需要的區(qū)域以及為把TFT30的溝道區(qū)(圖中，向右下方的斜線部分)遮光的最低限度需要的區(qū)域以外的區(qū)域中，第1遮光膜11a不是與電容線3b相對配置，而是與掃描線3a相對配置。
以上的結(jié)果，依據(jù)第4實施形態(tài)，即使為了電容線3b的低電阻化而使用第1遮光膜11a，在實際上也幾乎或者完全沒有提高經(jīng)過極薄的絕緣薄膜2相對配置的電容線3b與半導(dǎo)體層1a短路的可能性，最終可以謀求提高該液晶裝置的成品率。
液晶裝置的第5實施形態(tài)參照圖13說明本發(fā)明液晶裝置的第5實施形態(tài)。在上述第1～第4實施形態(tài)中，用于把電容線3b與第1遮光膜11a電連接的連通孔13的平面形狀是四角形，而在第5實施形態(tài)中把該連通孔的平面形狀做成圓、橢圓等的圓形。其它的結(jié)構(gòu)與第1實施形態(tài)～第4實施形態(tài)的情況相同，本實施形態(tài)中是把第3實施形態(tài)的連通孔13的形狀進行變形的形態(tài)，圖中在相同的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的參考符號，并且省略它們的說明。另外，圖13是形成了數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、遮光膜等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖13中，用于把電容線3b與第1遮光膜11a電連接的連通孔13的平行于基板的平面形狀可以構(gòu)成為圓形。
如果這樣構(gòu)成，則為開設(shè)連通孔13在制造過程中使用濕法刻蝕工藝的情況下，在第1遮光膜11a與第1層間絕緣膜12的邊界上滲入刻蝕溶液，能夠降低發(fā)生裂紋的可能性。即，由于如第3實施形態(tài)那樣，用濕法刻蝕開設(shè)平面形狀具有四角等角部分的連通孔13，在角部分上特別容易滲入刻蝕溶液而且容易引起應(yīng)力集中，因此在該角部分上第1遮光膜11a等容易產(chǎn)生裂紋。
與此相對，在用干法刻蝕開設(shè)第1實施形態(tài)中的連通孔13的情況下，以第1層間絕緣膜12和第1遮光膜11a之間的選擇比的關(guān)系，將提高刻蝕突破極薄的第1遮光膜11a的可能性。因此如本實施形態(tài)這樣，采用圓形連通孔13’的濕法刻蝕工藝從防止突破以及防止裂紋的觀點出發(fā)在實際上非常有利。
以上的結(jié)果，依據(jù)第5實施形態(tài)，能夠提高連通孔附近的布線的可靠性，謀求提高該液晶裝置成品率。另外，本實施形態(tài)的連通孔的形狀作為一例把第3實施形態(tài)結(jié)構(gòu)的連通孔的形狀進行了變形，而本實施形態(tài)也能夠適用于第1實施形態(tài)、第2實施形態(tài)、第4實施形態(tài)。
液晶裝置的第6實施形態(tài)參照圖14說明本發(fā)明液晶裝置的第6實施形態(tài)。在上述第1以及第5實施形態(tài)中，第1遮光膜11a借助連通孔13或者13’與前級或者后級的電容線3b電連接，而在第6實施形態(tài)中，各個遮光膜電連接到本級的電容線上。其它的結(jié)構(gòu)由于與第5實施形態(tài)的情況相同，因此圖中在相同的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的參考符號，并且省略它們的說明。另外，圖14是形成了數(shù)據(jù)線，掃描線，像素電極，遮光膜等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
圖14中，第1遮光膜11a設(shè)置在從TFT陣列基板一側(cè)看去覆蓋像素部分中包括半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)的TFT的位置，進而，具有與電容線3b的直線形本線部分相對沿著掃描線3a直線形地延伸的本線部分；從與數(shù)據(jù)線6a相交叉的位置沿著數(shù)據(jù)線6a突出到下一級一側(cè)(即，圖中向下的方向)的突出部分；從與數(shù)據(jù)線6a相交叉的位置沿著數(shù)據(jù)線6a突出到上一級一側(cè)(即，圖中向上的方向)的突出部分。
該第1遮光膜11a向下的突出部分覆蓋溝道區(qū)，進而，向下延伸直到覆蓋連通孔5的位置。
另一方面，第1遮光膜11a向上的突出部分在數(shù)據(jù)線6a的下方與電容線3b向上的突出部分相重疊，在該重疊的前端附近，設(shè)置著把第1遮光膜11a與電容線3b電連接的圓形連通孔13’。即，本實施形態(tài)中，各級(即，各像素的行)中的第1遮光膜11a通過連通孔13電連接到自身的電容線3b上。
如果這樣構(gòu)成，雖然加大了重疊在數(shù)據(jù)線6a上的形成TFT30、電容線3b以及第1遮光膜11a的區(qū)域?qū)τ谄渌鼌^(qū)域的級差，但是能夠比較容易把電容線3b與第1遮光膜11a進行電連接。
進而，如果這樣構(gòu)成，則由于第1遮光膜11a向上突出部分與第1存儲電容電極1f重疊，因此還能夠得到利用數(shù)據(jù)線6a下方的空間，可以加大在作為第3存儲電容電極的第1遮光膜11a與第1存儲電容電極1f之間形成的存儲電容70的優(yōu)點。
另外，即使在本實施形態(tài)中，也與第3實施形態(tài)的情況相同，可以把連通孔做成四角形，把本級的電容線與遮光膜進行電連接。另外，由于不需要設(shè)置在第3實施形態(tài)中為了把設(shè)置在本級的像素中的電容線3b與第1遮光膜11a進行連接，在最上級或者最下級的像素設(shè)置多余的電容線3b，因此十分有利。
液晶裝置的第7實施形態(tài)使用圖15說明本發(fā)明液晶裝置的第7實施形態(tài)。在上述第3或者第4實施形態(tài)中，沿著掃描線3a或者電容線3b形成第1遮光膜11a，而在本實施形態(tài)中，沿著數(shù)據(jù)線6a形成。圖中在相同的結(jié)構(gòu)要素上標(biāo)注相同的參考符號，并且省略它們的說明。另外，圖15是形成了數(shù)據(jù)線，掃描線、像素電極、遮光膜等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素群的平面圖。
如圖15所示，第1遮光膜11a經(jīng)過連通孔13’連接。如果依據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，則由于能夠從用于進行像素電極9a與半導(dǎo)體膜1a連接的連通孔8把第1遮光膜11a隔開一定距離，因此能夠防止由于形成第1遮光膜11a的金屬膜的應(yīng)力，電容線3b與半導(dǎo)體膜1a發(fā)生短路而形成點缺陷。另外，第1遮光膜11a通過在像素區(qū)周邊與恒定電位線相連接，可以固定電位。
液晶裝置的第8實施形態(tài)在上述第1至第7實施形態(tài)中，對于形成了TFT30、掃描線3a、電容線3b、數(shù)據(jù)線6a等的疊層區(qū)對其它區(qū)域的級差，沒有進行任何平坦處理，而在第8實施形態(tài)中，通過凹形地形成第1層間絕緣膜12，實施這樣的平坦處理。其它的結(jié)構(gòu)由于與第1實施形態(tài)至第7實施形態(tài)的情況相同，因此圖中在相同的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的參考符號，并且省略它們的說明。另外，圖16是圖3的A-A’剖面圖。即，第8實施形態(tài)的液晶裝置的平面圖與第1實施形態(tài)至第7實施形態(tài)相同。
在圖16中，第1層間絕緣膜12’凹洼地形成與TFT30、數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a以及電容線3b相對的部分。由此，使第3層間絕緣膜7面對液晶層50的一側(cè)平坦。從而，如果依據(jù)第8實施形態(tài)，則由于使第3層間絕緣膜7面對液晶層50的一側(cè)平坦，因此根據(jù)該平坦的程度能夠降低由于第3層間絕緣膜7表面的凹凸引起的液晶的取向不良。其結(jié)果，如果依據(jù)第8實施形態(tài)，能夠進行更高品位的圖像顯示，還能夠擴展像素部分的開口區(qū)。
作為這樣形成的第1層間絕緣膜12’的方法，可以把第1層間絕緣膜12’做成兩層構(gòu)造，進行薄膜形成以及刻蝕使得僅由一層構(gòu)成的薄的部分做成凹形的坑洼部分，第2層厚的部分做成凹形的堤壩。或者，可以把第1層間絕緣膜12’做成單層構(gòu)造，通過刻蝕開設(shè)凹形的坑洼。這些情況下，如果使用反應(yīng)性離子刻蝕、反應(yīng)性離子束刻蝕等干法刻蝕，則具有可以按照設(shè)計尺寸形成凹形部分的優(yōu)點。另一方面，在至少單獨使用濕法刻蝕或者與干法刻蝕線組合使用的情況下，由于如圖15所示那樣圓錐形地形成凹形坑洼的側(cè)壁面，因此可以降低在后續(xù)工藝中形成在凹形坑洼內(nèi)部的多晶硅膜、抗蝕劑等在側(cè)壁周圍上的殘留，因此可以得到不導(dǎo)致成品率降低的優(yōu)點。也可以在TFT陣列基板10上形成槽，在其槽的區(qū)域形成布線和TFT30，進行平坦化。
另外，本實施形態(tài)中，作為第3存儲電容電極由于在第1遮光膜11a與第1存儲電容電極1f相對的部分，第1層間絕緣膜12’也很薄，因此還可以得到增加這部分中的存儲電容70的優(yōu)點。另外，上述第8實施形態(tài)中的平坦化技術(shù)也能夠適用在第1至第7實施形態(tài)的任一個中。
液晶裝置的第9實施形態(tài)參照圖17說明本發(fā)明液晶裝置的第9實施形態(tài)。
在上述第8實施形態(tài)中，通過在第1層間絕緣膜12上形成凹形的坑洼，實施平坦化處理，而在第9實施形態(tài)中，通過凹形地形成第3層間絕緣膜，實施這樣的平坦化處理。其它的結(jié)構(gòu)由于與第1至第8實施形態(tài)的情況相同，因此圖中在相同的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的參考符號，并且省略它們的說明。另外，圖17是與圖2的A-A’剖面相對應(yīng)的剖面圖。即，第8實施形態(tài)的液晶裝置的平面圖與第1實施形態(tài)至第7實施形態(tài)相同。
圖17中，第3層間絕緣膜7’凹洼形地形成與TFT30、數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a以及電容線3b相對的部分。更具體地講，在第3層間絕緣膜7’的上表面實施CMP(Chemical Mechanical Polishing)處理。由此，使第3層間絕緣膜7’面對液晶層50的一側(cè)平坦。從而，如果依據(jù)第9實施形態(tài)，則根據(jù)該平坦化的程度能夠降低由于第3層間絕緣膜7’表面的凹凸引起的液晶的取向不良。其結(jié)果，如果依據(jù)第9實施形態(tài)，能夠進行更高品位的圖像顯示，還能夠擴展像素部分的開口區(qū)。
另外，除去這樣的CMP處理，還可以通過旋轉(zhuǎn)涂敷形成SOG(旋轉(zhuǎn)涂敷玻璃)，使第3層間絕緣膜7’的上表面平坦。
進而，在上述第8以及第9實施形態(tài)中分別在第1以及第3層間絕緣膜上形成凹形部分，然而也可以在第2層間絕緣膜上形成凹形部分，還可以把它們組合使用。
除此以外，不是把第1、第2或者第3層間絕緣膜上形成的凹形部分取為與TFT30、數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a以及電容線3b的全部相對的部分，而是把凹形部分取為與在它們中沒有進行任何平坦化處理的情況下合計膜厚為最厚的數(shù)據(jù)線6a相對的部分，由此如第8或者第9實施形態(tài)那樣實施平坦化處理。另外，上述第8以及第9實施形態(tài)中的平坦化技術(shù)也能夠適用在第1至第7實施形態(tài)的任一個中。
液晶裝置的總體結(jié)構(gòu)參照圖18以及圖19說明以上那樣構(gòu)成的液晶裝置的各實施形態(tài)的總體結(jié)構(gòu)。另外，圖18是與在其上形成的構(gòu)成要素一起從相對基板20一側(cè)觀看TFT陣列基板10的平面圖，圖19是示出包括相對基板20的圖18的H-H’剖面圖。
圖18中，在TFT陣列基板10的上面，沿著邊緣設(shè)置密封材料52，與其內(nèi)側(cè)相并行，設(shè)置著例如由與第2遮光膜23相同或者不同材料構(gòu)成的作為框緣的第3遮光膜53。在密封材料52外側(cè)的區(qū)域，沿著TFT陣列基板10的一條邊設(shè)置著數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101以及外部電路連接端子102，沿著與該邊相鄰接的2條邊設(shè)置著掃描線驅(qū)動電路104。如果供給掃描線3a的掃描信號的延遲不成問題，則當(dāng)然掃描線驅(qū)動電路104也可以僅設(shè)置在單側(cè)。另外，還可以沿著圖像顯示區(qū)的邊在兩側(cè)排列數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101。例如，奇數(shù)列的數(shù)據(jù)線6a從沿著圖像顯示區(qū)的一條邊設(shè)置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路供給圖像信號，偶數(shù)列的數(shù)據(jù)線從沿著圖像顯示區(qū)的相反一側(cè)的邊設(shè)置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路供給圖像信號。如果這樣梳形地驅(qū)動數(shù)據(jù)線6a，則由于能夠擴展數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路的占有面積，因此能夠構(gòu)成復(fù)雜的電路。進而，在TFT陣列基板10余下的一條邊上，設(shè)置用于把設(shè)置在圖像顯示區(qū)兩側(cè)的掃描線驅(qū)動電路104之間進行連接的多條布線105，進而，還可以在作為框緣的第3遮光膜53的下方隱蔽地設(shè)置預(yù)充電電路201(參照圖4)。另外，在相對基板20的角部的至少一個位置，設(shè)置用于在TFT陣列基板10與相對基板20之間獲得電導(dǎo)通的導(dǎo)通部件106。而且，如圖19所示，具有與圖18所示的密封材料52幾乎相同輪廓的相對基板20使用該密封材料52固定在TFT陣列基板10上。
在以上參照圖1至圖19所說明的各實施形態(tài)中的液晶裝置的TFT陣列基板10上還可以進一步形成用于檢查制造過程和出廠時的該液晶裝置的品質(zhì)、缺陷等的檢查電路等。另外，代替在TFT陣列基板10上設(shè)置數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101以及掃描線驅(qū)動電路104，例如還可以在TAB(Tape Automated Bonding)基板上實裝的驅(qū)動用LSI上，借助在TFT陣列基板10的周邊部分設(shè)置的各向異性導(dǎo)電膜，進行電氣以及機械的連接。另外，在相對基板20的投射光入射的一側(cè)以及TFT陣列基板10的出射光出射的一側(cè)，沿著預(yù)定的方向，根據(jù)例如TN(Twisted Nematic)模式，VA(Vertically Aligned)模式，PDLC(Polymer Dipersed LiquidCrystal)模式等動作模式，根據(jù)常白模式/常黑模式的不同，分別設(shè)置偏振膜，相位差膜，偏振裝置等。
以上說明的各實施形態(tài)中的液晶裝置為了適用于彩色液晶投影儀(投射型顯示裝置)，3片液晶裝置分別用作為RGB用的光閥，經(jīng)過各RGB顏色分解用分色鏡分解了的各色光作為投射光分別入射到各光閥上。從而，在各實施形態(tài)中，在相對基板20上不設(shè)置彩色濾光片。然而，在第2遮光膜23的與不形成像素電極9a相對的預(yù)定區(qū)域上與其保護膜一起可以在相對基板20上形成RGB彩色濾光片。如果這樣做，則能夠在除去液晶投影儀以外的直視型和反射型的彩色液晶電視機等彩色液晶裝置中適應(yīng)各實施形態(tài)中的液晶裝置。進而，在相對基板20上還可以形成微透鏡使一個像素對應(yīng)一個。如果這樣做，通過提高入射光的聚光效率，能夠?qū)崿F(xiàn)明亮的液晶裝置。進而，通過在相對基板20上沉積多層折射率不同的干涉層，利用光的干涉，還可以形成產(chǎn)生出RGB顏色的分色鏡濾光器。如果依據(jù)帶分色濾光片的相對基板，則能夠?qū)崿F(xiàn)更明亮的彩色液晶裝置。
在以上說明的各實施形態(tài)的液晶裝置中，與以往相同，做成把入射光從相對基板20的一側(cè)入射，而由于設(shè)置第1遮光膜11a，因此也可以把入射光從TFT陣列基板10一側(cè)入射，從相對基板20一側(cè)出射。即，這樣即使把液晶裝置安裝到液晶投影儀中，也能夠防止光入射到半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a’以及低濃度源極區(qū)1b、低濃度漏極區(qū)1c，能夠顯示高畫質(zhì)的圖像。這里，以往為了防止TFT陣列基板10背面一側(cè)的反射，或者另外設(shè)置了防止反射用的AR(Anti-reflection)被膜了的偏振裝置，或者粘貼AR膜。而在各實施形態(tài)中，由于在TFT陣列基板10的表面與半導(dǎo)體1a的至少溝道區(qū)1a’以及低濃度源極區(qū)1b、低濃度漏極區(qū)1c之間形成第1遮光膜11a，因此不必使用這樣AR被膜了的偏振裝置和AR膜，也不必使用把TFT陣列基板10本身進行了AR處理了的基板。從而，如果依據(jù)各實施形態(tài)，能夠削減材料成本，另外，偏振裝置的粘貼時，在消除由于污物、傷痕等引起的成品率降低方面極為有利。另外，由于耐光性能出色，因此使用明亮的光源或者用偏振光束分裂器進行偏振光變換，也可以提高光利用效率，不產(chǎn)生由光引起的交調(diào)失真等的畫質(zhì)惡化。
另外，作為設(shè)置在各個像素中的開關(guān)元件，以正臺面型或者共面型的多晶硅膜TFT為例進行了說明，而對于反臺面型的TFT和非晶型硅TFT等其它形式的TFT，各實施形態(tài)也有效。
電子設(shè)備作為使用了上述液晶裝置的電子設(shè)備的一例，參照圖21說明投射型顯示裝置的結(jié)構(gòu)。圖21中示出投射型顯示裝置1100準(zhǔn)備三個上述的液晶裝置，分別用作為RGB用的液晶裝置962R、962G以及962B的投射型液晶裝置的光學(xué)系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)圖。本例的投射型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)中，采用上述的光源裝置920和均勻照明光學(xué)系統(tǒng)923。而且，投射型顯示裝置具有作為把從該均勻照明光學(xué)系統(tǒng)923出射的光束W分離為紅(R)，綠(G)，藍(B)的分離裝置的彩色分離光學(xué)系統(tǒng)924，把各色光束R、G、B進行調(diào)制的調(diào)制裝置的3個光閥925R、925G、925B，作為把被調(diào)制后的彩色光束再次合成的彩色合成裝置的彩色合成棱鏡910，作為把被合成的光束放大投射到投射面100的表面的投射裝置的投射透鏡單元906。另外，還具有把藍色光束B導(dǎo)入到相對應(yīng)的光閥925B中的導(dǎo)光系統(tǒng)927。
均勻照明光學(xué)系統(tǒng)923具有兩個透鏡片921、922和反射鏡931，把反射鏡931夾在中間的兩個透鏡片921、922配置為相互正交的狀態(tài)。均勻照明光學(xué)系統(tǒng)923的兩個透鏡片921、92分別具有矩陣形地配置的多個矩形透鏡。從光源裝置920出射的光束由第1透鏡片921的矩形透鏡分割為多個部分光束。而且，這些部分光束用第2透鏡片922的矩形透鏡在3個光閥925R、925G、925B附近被重疊。從而，通過使用均勻照明光學(xué)系統(tǒng)923，即使在光源裝置920出射光束的橫斷面內(nèi)具有不均勻的照明分布的情況下，也能夠以均勻的照明光照明3個光閥925R、925G、925B。
各彩色分離光學(xué)系統(tǒng)924由藍綠反射分色鏡941，綠反射分色鏡942和反射鏡943構(gòu)成。首先，在藍綠反射分色鏡941中，直角地反射包含在光束W中的藍色光束B以及綠色光束G，朝向綠反射分色鏡942的一側(cè)。紅色光束R通過該透鏡941，用后方的反射鏡943直角地反射，從紅色光束R的出射部分944出射到彩色合成棱鏡910的一側(cè)。
其次，在綠反射分色鏡942中，僅直角地反射把在藍綠反射分色鏡941中被反射的藍色、綠色光束B、G中的綠色光束G，從綠色光束G的出射部分945出射到彩色合成光學(xué)系統(tǒng)一側(cè)。通過了綠反射分色鏡942的藍色光束B從藍色光束B的出射部分946出射到導(dǎo)光系統(tǒng)927一側(cè)。本例中，進行設(shè)定使得從均勻照明光學(xué)元件的光束W的出射部分到彩色分離光學(xué)系統(tǒng)924中的各色光束的出射部分944、945、946的距離幾乎相等。
在彩色分離光學(xué)系統(tǒng)924的紅色、綠色光束R、G的出射部分944、945的出射一側(cè)，分別設(shè)置聚光透鏡951、952。從而，從各色出射部分出射的紅色、綠色光束R、G入射到這些聚光透鏡951、952中變成平行光。
被這樣平行了的紅色、綠色光束R、G入射到光閥925R、925G中被進行調(diào)制，添加對應(yīng)于各色光的圖像信息。即，這些液晶裝置使用未圖示的驅(qū)動裝置根據(jù)圖像信息進行開關(guān)控制，由此進行通過了該裝置的各色光的調(diào)制。另一方面，藍色光束B經(jīng)過導(dǎo)光系統(tǒng)927被導(dǎo)入到對應(yīng)的光閥925B中，在這里，同樣地根據(jù)圖像信息進行調(diào)制。另外，本例的光閥925R、925G、925B是分別由入射一側(cè)的偏振光裝置960R、960G、960B，出射一側(cè)的偏振光裝置961R、961G、961B，設(shè)置在它們之間的液晶裝置962R、962G、962B構(gòu)成的液晶光閥。
導(dǎo)光系統(tǒng)927由設(shè)置在藍色光束B的出射部分946出射一側(cè)的聚光透鏡954，入射側(cè)反射鏡971，出射側(cè)反射鏡972，設(shè)置在這些反射鏡之間的中間透鏡973，設(shè)置在光閥925B一側(cè)的聚光透鏡953構(gòu)成。從聚光透鏡946出射的藍色光束B經(jīng)過導(dǎo)光系統(tǒng)927被導(dǎo)入到液晶裝置962B中進行調(diào)制。各色光束的光路長度，即，從光束W的出射部分到各液晶裝置962R、962G、962B的距離中藍色光束B的最長，從而，藍色光束的光量損失最多。然而，由于存在導(dǎo)光系統(tǒng)927，能夠抑制光量損失。
通過各光閥925R、925G、925B被調(diào)制了的各色光束R、G、B入射到彩色合成棱鏡910中，在這里被合成。而且，由該彩色合成棱鏡910合成了的光經(jīng)過投射透鏡單元906放大投射到位于預(yù)定位置的投射面100的表面。
本例中，由于液晶裝置962R、962G、962B中，在TFT的下側(cè)設(shè)置著遮光膜，因此基于來自該液晶裝置962R、962G、962B的投射光的由液晶投影儀內(nèi)的投射光學(xué)系統(tǒng)引起的反射光、投射光通過時來自TFT陣列基板表面的反射光、從其它的液晶裝置出射以后突破投射光學(xué)系統(tǒng)的投射光的一部分等，即使作為返回光從TFT陣列基板一側(cè)進行入射，也能夠充分進行對于像素電極的開關(guān)用TFT的溝道的遮光。
因而，把適于小型化的棱鏡單元用于投射光學(xué)系統(tǒng)，由于在各液晶裝置962R、962G、962B與棱鏡單元之間不需要單獨設(shè)置返回光防止用的濾光片或者使用偏振裝置實施返回光防止處理，因此在結(jié)構(gòu)的小型化、簡單化方面非常有利。
另外，本實施形態(tài)中，由于能夠抑制由返回光引起的對TFT溝道區(qū)的影響，因此也可以在液晶裝置上不粘貼直接實施返回光防止處理的偏振裝置961R、961G、961B。因而，如圖18所示，把偏振裝置從液晶裝置分離形成，更具體地講，一方的偏振裝置961R、961G、961B粘貼在彩色合成棱鏡910上，另一方的偏振裝置960R、960G、960B粘貼在聚光透鏡953、945、944上。這樣，通過把偏振裝置粘貼在棱鏡單元或者聚光透鏡上，由于偏振裝置的熱量被棱鏡單元或者聚光透鏡吸收，因此能夠防止液晶裝置的溫升。
另外，雖然省略了圖示，然而通過分開地形成液晶裝置和偏振裝置，因而在液晶裝置與偏振裝置之間形成空氣層，通過設(shè)置冷卻裝置，在液晶裝置與偏振裝置之間吹入冷風(fēng)等，能夠進一步防止液晶裝置的溫升，能夠防止由于液晶裝置的溫升引起的誤動作。
產(chǎn)業(yè)上的利用領(lǐng)域如果依據(jù)本發(fā)明的液晶裝置，則由于利用多個遮光膜降低了電阻的電容線，對于多個像素電極分別賦予存儲電容，因此即使提高液晶裝置的驅(qū)動頻率，也能夠降低由于數(shù)據(jù)線與電容線的電容耦合產(chǎn)生的電容線的電位擺動引起的橫向交調(diào)失真和重像等，能夠進行高品位的圖像顯示。進而，能夠良好地進行預(yù)充電和掃描線的反轉(zhuǎn)驅(qū)動。除此之外，即使因異物等電容線中途斷線，但由于基于遮光膜的布線代替電容線因此能夠?qū)崿F(xiàn)冗余構(gòu)造，另外，可以實現(xiàn)減少發(fā)生由遮光膜產(chǎn)生的布線裂紋的可靠性和成品率均很高的液晶裝置。
權(quán)利要求
1.一種液晶裝置，其特征在于具有把液晶夾在一對襯底之間，矩陣狀地配置在該一對襯底中一方襯底上的多個像素電極；分別驅(qū)動該多個像素電極的多個薄膜晶體管；分別連接到該多個薄膜晶體管上的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；分別與該多條掃描線并列，分別沿著與上述多條數(shù)據(jù)線交叉的方向延伸，對上述多個像素電極分別提供存儲電容的多條電容線；分別沿著與上述多條數(shù)據(jù)線交叉的方向延伸，設(shè)置在從上述一方襯底一側(cè)看去至少分別覆蓋上述多個薄膜晶體管的溝道區(qū)的位置以及至少分別部分地與上述多條電容線相對的位置，對于與上述多條數(shù)據(jù)線交叉的方向，按每一個或者每多個像素分別與上述電容線電連接的多個遮光膜；存在于該多個遮光膜與上述薄膜晶體管之間的第1層間絕緣膜。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶裝置，其特征在于上述多個遮光膜除去覆蓋上述溝道區(qū)的位置以外，不形成在與上述掃描線相對的位置上。
3.一種液晶裝置，其特征在于具有把液晶夾在一對襯底之間，矩陣狀地配置在該一對襯底中一方襯底上的多個像素電極；分別驅(qū)動該多個像素電極的多個薄膜晶體管；分別連接到該多個薄膜晶體管上并且相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；分別與該多條掃描線并列，分別沿著與上述多條數(shù)據(jù)線交叉的方向延伸，對上述多個像素電極分別提供存儲電容的多條電容線；分別沿著與上述多條數(shù)據(jù)線交叉的方向延伸，設(shè)置在從上述一方襯底一側(cè)看去至少分別覆蓋上述多個薄膜晶體管的溝道區(qū)的位置以及至少分別部分地與上述多條電容線相對的位置，對于與上述多條數(shù)據(jù)線交叉的方向，按每一個或者每多個像素分別與上述電容線電連接的多個遮光膜；存在于該多個遮光膜與上述薄膜晶體管之間的第1層間絕緣膜。
4.如權(quán)利要求1～3的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述電容線和上述掃描線由相同的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成，作為從構(gòu)成被連接在上述薄膜晶體管的上述像素電極一側(cè)的源極區(qū)或者漏極區(qū)的半導(dǎo)體層延伸而組成的第1存儲電容電極和第2存儲電容電極的上述電容線，通過借助上述薄膜晶體管的柵極絕緣膜和相同的絕緣膜構(gòu)成的介質(zhì)膜相對配置，提供上述存儲電容。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶裝置，其特征在于上述多個遮光膜通過分別在上述第2存儲電容電極的相反一側(cè)，借助上述第1存儲電容電極和上述第1層間絕緣膜，與第3存儲電容電極相對配置，進一步提供上述存儲電容。
6.如權(quán)利要求1～5的任一項所述的液晶裝置，其特征在于在上述電容線和上述多個遮光膜之間存在上述第1絕緣膜，上述多條電容線和上述多個遮光膜通過在上述第1層間絕緣膜上按上述每一個或者每多個像素開孔的連通孔分別電連接。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶裝置，其特征在于上述連通孔在從平面看去與上述數(shù)據(jù)線重疊的位置上開孔。
8.如權(quán)利要求6或7所述的液晶裝置，其特征在于上述連通孔平行于上述一方襯底的平面形狀是圓形。
9.如權(quán)利要求6～8的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述多個遮光膜分別平行于上述一方襯底的平面形狀包括沿著上述掃描線形成的第1區(qū)域和從該第1區(qū)域沿著上述數(shù)據(jù)線延伸的第2區(qū)域，在該第2區(qū)域開孔上述連通孔。
10.如權(quán)利要求1～9的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述電容線以及上述多個遮光膜連接在定電位源上。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶裝置，其特征在于上述定電位源是供給到用于驅(qū)動該液晶裝置的周邊電路的定電位源。
12.如權(quán)利要求10所述的液晶裝置，其特征在于上述一對襯底的另一方襯底上形成對置電極，上述定電位源是供給到該對置電極上的定電位源。
13.如權(quán)利要求1～12的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述多個遮光膜分別電連接到相鄰一級的上述電容線上。
14.如權(quán)利要求1～12的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述多個遮光膜分別電連接到本級的上述電容線上。
15.如權(quán)利要求1～14的任一項所述的液晶裝置，其特征在于還具有設(shè)置在上述掃描線上方而且上述數(shù)據(jù)線下方的第2層間絕緣膜，設(shè)置在上述數(shù)據(jù)線上方而且上述像素電極下方的第3層間絕緣膜，上述第1，第2以及第3層間絕緣膜中的至少一個通過凹狀地低洼形成至少與上述數(shù)據(jù)線相對的部分，使得上述第3層間絕緣膜面對上述液晶的一側(cè)平坦。
16.如權(quán)利要求1～15的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述多個遮光膜包括Ti，Cr，W，Ta，Mo以及Pb中的至少一種。
17.一種投射型顯示裝置，具有光源，入射從光源射出的光并且實施對應(yīng)于圖像信息的調(diào)制的液晶光閥，投射由該液晶光閥調(diào)制的光的投射裝置，其特征在于上述液晶光閥具有在配置于光入射一側(cè)的第1襯底以及配置于出射一側(cè)的第2襯底之間夾住液晶的液晶裝置，配置在上述第1襯底外側(cè)的第1偏振裝置，配置在上述第2襯底外側(cè)的第2偏振裝置，另外，該投射型顯示裝置還具有在上述第2襯底上矩陣狀地配置的多個像素電極；分別驅(qū)動該多個像素電極的多個薄膜晶體管；分別連接到該多個薄膜晶體管并且相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；分別與該多條掃描線并列，分別沿著與上述多條數(shù)據(jù)線交叉的方向延伸，對于上述多個像素電極分別提供存儲電容的多條電容線；分別沿著與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向延伸，設(shè)置在從上述一方的襯底一側(cè)看去至少分別覆蓋上述多個薄膜晶體管的溝道區(qū)的位置以及至少部分地分別與上述多條電容線相對的位置上，對于與上述多條數(shù)據(jù)線相交叉的方向，按每一個或者每多個像素分別與上述多條電容線電連接的多個遮光膜，存在于該多個遮光膜和上述薄膜晶體管之間的第1層間絕緣膜。
18.一種液晶裝置，其特征在于在一對襯底之間夾住液晶，并且矩陣狀地配置在該一對襯底的一方襯底上的多個像素電極；分別驅(qū)動該多個像素電極的多個薄膜晶體管；分別與該多個薄膜晶體管連接并且相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；用于對于上述多個像素電極分別提供存儲電容而形成的電容線；設(shè)置在從上述一方襯底的一側(cè)看去至少分別覆蓋上述多個薄膜晶體管的溝道區(qū)的位置，并且與上述電容線電連接的導(dǎo)電性遮光膜；存在于該多個遮光膜與上述薄膜晶體管之間的第1層間絕緣膜。
19.如權(quán)利要求18所述的液晶裝置，其特征在于上述電容線和上述掃描線由相同的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成，通過把作為一方的存儲電容電極的上述電容線與從構(gòu)成連接在上述薄膜晶體管的上述像素電極一側(cè)的源極區(qū)或者漏極區(qū)的半導(dǎo)體層部分延伸而構(gòu)成的另一方的存儲電容電極，借助上述薄膜晶體管的柵極絕緣膜和由相同的絕緣膜構(gòu)成的介質(zhì)膜相對配置，構(gòu)成存儲電容。
20.如權(quán)利要求18或19所述的液晶裝置，其特征在于在上述電容線和上述遮光膜之間存在著上述第1層間絕緣膜，上述電容線和上述遮光膜借助在上述第1層間絕緣膜上開孔的連通孔而相互連接。
21.如權(quán)利要求20所述的液晶裝置，其特征在于上述連通孔按每個象素開孔。
22.如權(quán)利要求20所述的液晶裝置，其特征在于上述連通孔按由多個像素構(gòu)成的每個像素組開孔。
23.如權(quán)利要求20～22的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述連通孔在從上述一對襯底的另一方襯底一側(cè)看去的上述數(shù)據(jù)線的下方開孔。
24.如權(quán)利要求18～23的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述電容線以及上述遮光膜連接在定電位源上。
25.如權(quán)利要求24所述的液晶裝置，其特征在于上述定電位源是提供給用于驅(qū)動該液晶裝置的周邊電路的定電位源。
26.如權(quán)利要求24所述的液晶裝置，其特征在于在上述一對襯底的另一方襯底上形成對置電極，上述定電位源是供給到該對置電極的定電位源。
27.如權(quán)利要求18～26的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述電容線包括分別沿著上述多條掃描線形成的布線部分，上述遮光膜包括從上述一方襯底看去使該電容線的部分分別重疊那樣沿著上述掃描線形成的布線部分。
28.如權(quán)利要求18～27的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述遮光膜網(wǎng)孔狀地設(shè)置在從上述一方襯底看去使上述多條數(shù)據(jù)線分別與上述多條掃描線以及上述多條電容線的至少一方重疊的位置。
29.如權(quán)利要求18～27的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述遮光膜條紋狀地設(shè)置在從上述一方襯底一側(cè)看去分別與上述多條掃描線以及上述多條電容線的至少一方重疊的位置。
30.如權(quán)利要求18～27的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述遮光膜島狀地設(shè)置在從上述一方襯底一側(cè)看去分別與上述多條掃描線以及上述多條電容線的至少一方重疊的位置，同時，沿著上述掃描線配置的島狀的各部分借助上述電容線相互電連接。
31.如權(quán)利要求18～27的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述遮光膜條紋狀地沿著上述數(shù)據(jù)線設(shè)置。
32.如權(quán)利要求31所述的液晶裝置，其特征在于上述遮光膜連接在定電位源上。
33.如權(quán)利要求18～32的任一項所述的液晶裝置，其特征在于上述遮光膜包括Ti，Cr，W，Ta，Mo以及Pb中的至少一種。
34.如權(quán)利要求18～33的任一項所述的液晶裝置，其特征在于還具有設(shè)置在上述掃描線上方而且上述數(shù)據(jù)線下方的第2層間絕緣膜，設(shè)置在上述數(shù)據(jù)線上方而且上述像素電極下方的第3層間絕緣膜，上述第1，第2以及第3層間絕緣膜的至少一個，通過凹狀地低洼形成與上述薄膜晶體管，上述數(shù)據(jù)線，上述掃描線以及上述電容線的至少一個相對的部分，使得上述第3層間絕緣膜面對上述液晶的一側(cè)平坦。
35.一種電子儀器，其特征在于具有權(quán)利要求18～34的任一項所述的液晶裝置。
全文摘要
在TFT的下側(cè)設(shè)置了遮光膜形式的液晶裝置中,為了通過使用了該遮光膜以及電容線的比較簡單的結(jié)構(gòu),能夠進行高品質(zhì)的圖像顯示,液晶裝置具有在一對基板之間夾住的液晶層(50),在TFT陣列基板(10)上矩陣形設(shè)置的像素電極(9a)。由高融點金屬構(gòu)成并且條紋形地分?jǐn)嗟亩鄠€遮光膜(11a)形成在像素的TFT(30)、掃描線(3a)、電容線(3b)等的下側(cè),電容線(3b)和各遮光膜通過連通孔(13)電連接。 使用遮光膜實現(xiàn)電容線的低電阻化。
文檔編號G02F1/1362GK1258357SQ99800323
公開日2000年6月28日 申請日期1999年3月19日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月19日
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