專利名稱：薄膜驅(qū)動反射鏡陣列及其制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，特別涉及一種具有提高的光效率的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列及其制造方法，光效率的提高是通過提高形成于致動部分上的反射部件的平面性實現(xiàn)的。
背景技術(shù)：
一般情況下，光調(diào)制器根據(jù)它們的光學系統(tǒng)分為兩類。一類是直接光調(diào)制器，例如陰極射線管(CRT)，另一類是傳輸光調(diào)制器，例如液晶顯示器(LCD)。CRT在屏幕上產(chǎn)生質(zhì)量優(yōu)異的圖像，但CRT的重量、體積及制造成本隨屏幕的增大而增大。LCD具有簡單的光學結(jié)構(gòu)，所以LCD的重量和體積小于CRT。然而，由于光偏振，LCD具有低于1-2％的很差光效率。另外，LCD的液晶顯示材料存在一些問題，例如響應緩慢和過熱。
于是，為解決這些問題，開發(fā)出了數(shù)字反射鏡器件(DMD)和驅(qū)動反射鏡陣列(AMA)。目前，DMD的光效率約5為％，AMA的光效率約為10％。AMA增強了屏幕上圖像的對比度，所以屏幕上圖像更清晰更亮。AMA不受光偏振的影響，也不會影響光的偏振，因此，AMA比LCD或DMD更有效。
AMA一般分為體型AMA和薄膜型AMA。美國專利5469302(授予Dae-Young Lim)中披露了體型AMA。在體型AMA中，在具有晶體管的有源矩陣上安裝了由其間夾有金屬電極的多層陶瓷構(gòu)成的陶瓷晶片后，通過鋸切陶瓷晶片，在陶瓷晶片上安裝反射鏡。然而，體型AMA的缺點是，它需要很精確的工藝和設計，并且有源層的響應慢。因此，開發(fā)出了利用半導體技術(shù)制造的薄膜AMA。
題為“光學投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列及其制造方法”系列號為08/814019的美國專利申請中公開了這種薄膜AMA，該申請目前在USPOT待審，已轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人。


圖1是展示薄膜AMA的透視圖，圖2是沿圖1的線A1-A2取的剖面圖，圖3是沿圖1的線B1-B2取的剖面圖。
參見圖1和2，薄膜AMA具有基片1、形成于基片1上的致動器90，和安裝于致動器90上的反射部件80。
參見圖2，基片1具有電布線(未示出)、形成于電布線上的連接端子5、形成于基片1及連接端子5上的鈍化層10、及形成于鈍化層10上的腐蝕停止層15。電布線和連接端子5接收外部的第一信號，并傳輸?shù)谝恍盘?。電布線較好是具有用于開關(guān)操作的金屬氧化物半導體(MOS)晶體管。鈍化層10保護具有電布線和連接端子5的基片1。腐蝕停止層15防止鈍化層10和基片1在隨后的腐蝕步驟中被腐蝕。
致動器90具有包括第一部分和第二部分的支撐層30、形成于支撐層30上的下電極35、形成于下電極35上的有源層40、形成于有源層40上的上電極45、形成于支撐層30的第一部分上的共用線50、及形成于上電極50的一部分上的立柱75，所說第一部分固定于其下形成有連接端子5的那部分腐蝕停止層15上，所說第二部分平行于腐蝕停止層15形成。氣隙25夾在腐蝕停止層15和支撐層30的第二部分之間。共用線50連接到上電極45。反射部件80由立柱75支撐，以便反射部件80形成為平行于上電極45。
參見圖3，致動器90具有形成于通孔55中的通路接觸60和形成為從通路接觸60到下電極35的連接部件70。形成從支撐層30的第一部分的一部分到連接端子5的通孔55。下電極35通過連接部件70連接到通路接觸60。因此，作為圖像信號的第一信號從外部通過電布線、連接端子5、通路接觸60和連接部件70加到下電極35上。同時，作為偏置信號的第二信號通過共用線50從外部加到上電極45上，在上電極45和下電極35之間產(chǎn)生電場。于是，形成于上下電極45和35之間的有源層40在電場作用下變形。
較好是，支撐層30是T形，下電極35是矩形。下電極35形成于支撐層30的中心部分。有源層40具有小于下電極35的矩形形狀，上電極45具有小于有源層40的矩形形狀。
下面介紹制造薄膜AMA的方法。
圖4A和4D展示了制造圖2中的薄膜AMA的步驟。參見圖4A，首先，提供具有電布線(未示出)和連接端子5的基片1?；?較好是由例如硅(Si)等半導體構(gòu)成。連接端子5利用鎢(W)形成。連接端子5連接到電布線。電布線和連接端子5接收第一信號，并將第一信號傳輸?shù)较码姌O35。
在具有電布線和連接端子5的基片1上，形成鈍化層10。鈍化層10由磷硅玻璃(PSG)構(gòu)成。鈍化層10利用化學汽相淀積(CVD)法形成，使鈍化層10的厚度為0.1-1.0微米。在隨后的制造步驟中，鈍化層10保護包括電布線和連接端子5的基片1。
在鈍化層10上，利用氮化物形成腐蝕停止層15，使腐蝕停止層15的厚度為1000-2000埃。腐蝕停止層15利用低壓化學汽相淀積(LPCVD)法形成。在隨后的腐蝕步驟中，腐蝕停止層15保護鈍化層10和基片1。
在腐蝕停止層15上，利用PSG形成第一犧牲層20，使第一犧牲層2的厚度為0.5-2.0微米。第一犧牲層20可以使致動器90的形成容易。在致動器90完全形成后，利用氟化氫蒸汽(HF)去掉第一犧牲層20，第一犧牲層20利用常壓CVD(APCVD)法形成。這種情況下，由于第一犧牲層20覆蓋具有電布線和接連端子5的基片1的上部，所以第一犧牲層20的平面性很差。因此，利用旋涂玻璃(SOG)或化學機械拋光(CMP)法平面化第一犧牲層20。第一犧牲層20的表面較好是利用CMP法平面化。
沿縱向構(gòu)圖具有形成于其下的的連接端子5的第一犧牲層20的一部分，以暴露腐蝕停止層15的一部分后，在腐蝕停止層15的暴露部分和第一犧牲層20上形成第一層29。第一層29利用例如氮化物或金屬等剛性材料構(gòu)成，使第一層29的厚度為0.1-1.0微米。在利用LPVD法形成第一層29時，根據(jù)反應時間調(diào)節(jié)氮化物氣體的比例，從而減輕第一層29中的應力。
參見圖4B，用旋涂法在第一層29上形成第一光刻膠層32后，構(gòu)圖第一光刻膠32，沿水平方向暴露第一層29的一部分。結(jié)果，露出第一層29的與連接端子5相鄰的矩形部分。利用濺射法在第一層29的露出部分和第一光刻膠層32上形成了下電極層后，構(gòu)圖下電極層，在第一層29的露出部分，對應于將形成共用線50的位置，形成下電極35。這樣，下電極35具有矩形形狀。下電極35由例如鉑(Pt)、鉭(Ta)或鉑-鉭(Pt-Ta)等導電金屬構(gòu)成，使下電極35厚度為0.1-1.0微米。
在下電極35和第一光刻膠層32上形成第二層39。第二層39由例如PZT(Pb(Zr，Ti)O3)或PLZT((Pb，La)(Zr，Ti)O3)構(gòu)成，使第二層39厚約0.1-1.0微米，較好是0.4微米。另外，第二層39還可由例如PMN(Pb(Mg，Nb)O3)等電致伸縮材料構(gòu)成。第二層39利用溶凝膠法、濺射法或CVD法形成。然后，利用快速熱退火法(RTA)退火第二層39。第二層39將構(gòu)圖成形成有源層40。
在第二層39上形成上電極層44。上電極層44由例如鋁(Al)、鉑或鉭等導電金屬構(gòu)成。上電極層44利用濺射法或CVD法形成，使上電極層44的厚度為0.1-1.0微米。
參見圖4C，利用旋涂法在上電極層44上涂敷了第二光刻膠層(未示出)后，利用第二光刻膠層作腐蝕掩模，構(gòu)圖上電極層44，形成矩形上電極45。然后通過剝離去掉第二光刻膠層。利用與上電極層44相同的方法構(gòu)圖第二層39。即，利用旋涂法在上電極45和第二層39上涂敷了第三光刻膠層(未示出)后，利用第三光刻膠層作腐蝕掩模，構(gòu)圖第二層39，形成有源層40。有源層40具有寬于上電極45的矩形形狀。這種情況下，有源層40小于下電極35。然后通過剝離去掉第三光刻膠層。
利用上述方法構(gòu)圖第一層29，形成支撐層30。支撐層30為T形，不同于下電極35的形狀。下電極35形成于支撐層30的中心部分上。
去掉了第一光刻膠層32后，在支撐層30的第一部分上形成共用線50。即，利用旋涂法在支撐層30上涂敷第四光刻膠層(未示出)，然后，構(gòu)圖第四光刻膠層，暴露支撐層30的第一部分，并用例如鉑、鉭、鉑-鉭或鋁等導電金屬，在支撐層30的露出部分上形成共用線50。共用線50利用濺射法或CVD法形成，使共用線50的厚度為0.5-2.0微米。此時，共用線50與下電極135分開預定的距離，并固定到上電極45和有源層40上。
構(gòu)圖第四光刻膠層后，露出具有形成于其下的連接端子5的支撐層30第一部分的一部分和與支撐層30第一部分的一部分相鄰的一部分。通過腐蝕，穿過腐蝕停止層15和鈍化層10，形成從支撐層30第一部分的該部分到連接端子5的通孔55。在通孔55中形成從連接端子5到支撐層30的通路接觸60。同時，在與支撐層30第一部分的該部分相鄰的部分上，形成從下電極35到通路接觸60的連接部分70。于是通路接觸60、連接部件70和下電極35一個連一個。通路接觸60和連接部件70用例如鉑、鉭、鉑-鉭等導電金屬構(gòu)成。連接部件70的厚度為0.5-1.0微米。于是，在腐蝕去掉第四光刻膠層后，完成了具有上電極45、有源層40、下電極35和支撐層30的致動器90。
參見圖4D，利用氟化氫汽去掉了第一犧牲層20后，利用具有流動性的聚合物在致動器90上形成第二犧牲層85。利用旋涂法形成第二犧牲層85，使第二犧牲層85覆蓋上電極45。然后，構(gòu)圖第二犧牲層85，露出上電極45的一部分。在上電極45的露出部分上形成立柱75，并在立柱75和第二犧牲層85上形成反射部件80。立柱75和反射部件80利用例如鋁、鉑或銀等反射金屬同時形成。立柱75和反射部件80利用濺射法或CVD法形成。用于反射光源(未示出)的入射光的反射部件80是反射鏡，厚為0.1-1.0微米。反射部件80具有矩形板形狀，覆蓋上電極45。腐蝕去掉了第二犧牲層85后，便完成了圖1和2所示的反射部件80形成于其上的致動器90。
在薄膜AMA中，第二信號通過共用線150從外部加于上電極45上。同時，第一信號通過電布線、連接端子5、通路接觸60和連接部件70從外部加到下電極35上。于是，在上電極45和下電極35間產(chǎn)生電場。在該電場作用下，形成于上電極45和下電極35間的有源層40變形。有源層40在垂直于電場的方向變形。有源層40在與支撐層30相對的方向動作。即，具有有源層40的致動器90以預定傾斜角向上動作。
由于反射部件80由立柱75支撐，并形成于致動器90上，所以用于反射光源的入射光的反射部件80借助于致動器90傾斜。因此，反射部件80將光反射到屏幕上，從而將圖像投影到屏幕上。
然而，在上述薄膜AMA中，由于形成反射部件時在反射部件中產(chǎn)生的變形應力，導致了反射部件的平面性下降，所以從光源入射的光的光效率下降。即，在金屬層淀積于第二犧牲層上并構(gòu)圖，從而形成反射部件時，由于例如形成和構(gòu)圖金屬層時的壓力或張力造成的殘余應力等變形應力，反射部件會向上或向下彎曲，所以反射部件的平面性下降。結(jié)果，由于反射部件的光效率下降，投射到屏幕上的圖像質(zhì)量下降。
發(fā)明的公開因此，考慮到上述常規(guī)問題，本發(fā)明的第一目的是提供一種薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，利用水平反射部件，提高了光效率，所以投射到屏幕上的圖像的質(zhì)量提高。
本發(fā)明的第二目的是提供一種制造薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的方法，利用水平的反射部件提高光效率，從而提高投射到屏幕上圖像的質(zhì)量。
為實現(xiàn)第一目的，本發(fā)明提供一種薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，該薄膜驅(qū)動反射鏡陣列具有有源矩陣、支撐部件、第一致動部分、第二致動部分、反射部件和平面性增強部件。有源矩陣具有基片和第一金屬層，基片包括配于其中用于開關(guān)操作的金屬氧化物半導體晶體管，第一金屬層具有從金屬氧化物半導體延伸出用于傳輸信號的漏焊盤。第一鈍化層形成于第一金屬層和基片上，第二金屬層形成于第一鈍化層上，第二鈍化層形成于第二金屬層上，腐蝕停止層形成于第二鈍化層上。
支撐部件具有形成于有源矩陣之上的支撐線、與支撐線形成一體的支撐層和分別形成于有源矩陣和支撐層的與支撐線相鄰的部分之間的多個固定器。
第一致動部分具有形成于支撐層的垂直于支撐線的第一部分處的第一下電極，對應于第一下電極的第一上電極，和形成于第一下電極和第一上電極間的第一有源層。第二致動部分也具有垂直于支撐線形成的支撐層的第二部分處形成的第二下電極，對應于第二下電極的第二上電極，和形成于第二下電極和第二上電極間的第二有源層。第一下電極具有反L形，第一有源層具有小于第一下電極的矩形形狀，第一上電極具有小于第一有源層的矩形形狀，第二下電極具有與第一下電極對應的L形，第二有源層具有小于第二下電極的矩形形狀，第二上電極具有小于第二有源層的矩形形狀。形成從漏焊盤到第一和第二下電極的通路接觸，在支撐線上形成共用線，通過第一下電極的一部分，形成從第一上電極的一部分到支撐層的一部分的第一絕緣部件，通過第一絕緣層，形成從共用線到第一上電極的第一上電極連接部件，通過第二下電極的一部分，形成從第二上電極的一部分到支撐層的一部分的第二絕緣部件，通過第二絕緣層，形成從共用線到第二上電極的第二上電極連接部件。
在第一和第二致動部分上形成反射部件。
在反射部件之下形成用于提高反射部件的平面性的平面性增強部件。平面性增強部件是一種形成于反射部件下的應力平衡層或形成于反射部件外圍部分之下的加強部件。應力平衡層較好是由氮化物構(gòu)成，加強部件較好是由與反射部件相同的金屬構(gòu)成。加強部件具有四根線條設置成矩形的形狀。加強部件還具有X形、銳形(sharp)或菱形(diamond)。
為實現(xiàn)第二目的，本發(fā)明提供一種制造薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的方法，包括以下步驟
i)提供有源矩陣，該有源矩陣具有其中包括用于開關(guān)操作的金屬氧化物半導體的基片，和包括從金屬氧化物晶體管的漏延伸出的漏焊盤的第一金屬層；ii)在有源矩陣上形成第一犧牲層，并構(gòu)圖第一犧牲層；iii)在構(gòu)圖的第一犧牲層上一個接一個形成第一層、下電極層、第二層和上電極層；iv)通過構(gòu)圖上電極層、構(gòu)圖第二層和構(gòu)圖下電極層，形成包括第一下電極、第一有源層和第一上電極的第一致動部分，和包括第二下電極、第二有源層和第二上電極的第二致動部分；v)構(gòu)圖第一層，形成具有支撐線、支撐層和多個固定器的支撐部件；vi)在支撐線上形成共用線；vii)在第一和第二致動部分和支撐部件上形成第二犧牲層，構(gòu)圖第二犧牲層；viii)在構(gòu)圖的第二犧牲層上形成平面性增強部件；及ix)在平面性增強部件上形成反射部件。
利用氮化物和等離子增強化學汽相淀積法進行步驟viii)。在構(gòu)圖了第二犧牲層后，同時進行步驟viii)和步驟ix)，并且構(gòu)圖的第二犧牲層具有四根線條設置成矩形、X形、銳形或菱形的形狀。
在本發(fā)明的薄膜AMA中，第一信號從外部通過晶體管、漏焊盤和通路接觸，加于第一和第二下電極上。同時，第二信號從外部通過共用線、第一和第二上電極連接部件，加于第一和第二上電極上。于是在第一上電極和第一下電極之間產(chǎn)生第一電場，在第二下極和第二上電極之間產(chǎn)生電場。形成于第一上下電極之間的第一有源層在第一電場的作用下變形，形成于第二上下電極之間的第二有源層在第二電場的作用下變形。第一和第二有源層分別在垂直于第一和第二電場的方向變形。具有第一有源層的第一致動部分和具有第二有源層的第二致動部分在與設置支撐層的位置相對的方向被驅(qū)動。即，第一和第二致動部分被向上驅(qū)動，附著于第一和第二下電極上的支撐層也在第一和第二致動部分的驅(qū)動下被向上驅(qū)動。
反射從光源入射的光的反射部件隨第一和第二致動部分傾斜。因此，反射部分將光反射到屏幕上，從而將圖像投射到屏幕上。
在本發(fā)明的薄膜AMA中，在反射部件下設置例如應力平衡層或加強部件等平面性提高部件，提高反射部件的平面性，使反射部件沒有彎曲。因此，盡管在反射部件的形成中，反射部件中產(chǎn)生例如殘余應力等變形應力，但由于平面性增強部件，反射部件可具有水平表面，所以提高了光效率，進而提高了投射到屏幕上的圖像的質(zhì)量。附圖簡介通過結(jié)合附圖具體介紹優(yōu)選實施例，可以使本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點更清楚，附圖中圖1是展示該申請的受讓人的在先申請中公開的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的透視圖；圖2是沿圖1的線A1-A2取的剖面圖；圖3是沿圖1的線B1-B2取的剖面圖；圖4A-4D展示了圖2的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的制造步驟；圖5是展示本發(fā)明第一實施例的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的平面圖；圖6是展示圖5所示薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的透視圖；圖7是沿圖6中的線C1-C2取的剖面圖；圖8是沿圖6中的線D1-D2取的剖面圖；圖9A-9G展示了本發(fā)明第一實施例的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的各制造步驟；圖10是展示本發(fā)明第二實施例的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的平面圖；圖11A-11D是本發(fā)明第二實施例的反射部件和平面性增強部件的放大平面圖。
發(fā)明的最佳實施模式下面將結(jié)合各附圖更具體地介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例。實施例1圖5是展示本發(fā)明第一實施例的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的平面圖，圖6是展示圖5所示薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的透視圖，圖7是沿圖6中的線C1-C2取的剖面圖，圖8是沿圖6中的線D1-D2取的剖面圖。
參見圖5和7，根據(jù)本實施例的薄膜AMA具有有源矩陣100、形成于有源矩陣100上的支撐部件175、分別形成于支撐部件175上的第一和第二致動部分210和211、形成于第一和第二致動部分210和211上的反射部件260、及形成于反射部件260之下的平面性增強部件290。
參見圖7，有源矩陣100具有基片101，基片101包括M×N(M，N是整數(shù))個P-MOS晶體管120，從P-MOS晶體管120的源110和漏105延伸出的第一金屬層135，第一鈍化層140，第二金屬層145，第二鈍化層150，和腐蝕停止層155。第一金屬層135形成于基片101上，第一鈍化層140形成于第一金屬層135和基片101上。第二金屬層145形成于第一鈍化層140上，第二鈍化層150形成于第二金屬層145上。腐蝕停止層155形成于第二鈍化層150上。
為傳輸?shù)谝恍盘?圖像信號)，第一金屬層135具有從P-MOS晶體管120的漏延伸到形成于第一和第二致動部分210和211之下和之間的第一固定器171的漏焊盤。第二金屬層145包括鈦層和氮化鈦層。孔147形成于具有形成于其下的第一金屬層135的漏焊盤的第二金屬層145的一部分中。
參見圖6和8，支撐部件175具有支撐線174、支撐層170、第一固定器171和兩個第二固定器172a和172b。支撐線174和支撐層170形成于腐蝕停止層155之上。第一氣隙165夾在腐蝕停止層155和支撐線174之間。第一氣隙165也夾在腐蝕停止層155和支撐層170之間。
共用線240形成于支撐線174上。支撐線174支撐共用線240。支撐層170具有矩形環(huán)形狀。支撐層170與支撐線174形成一體。
第一固定器171形成于矩形環(huán)形支撐層170的兩臂之下和之間。支撐層170的這兩個臂從支撐線174垂直延伸出。第一固定器171固定到腐蝕停止層155的具有形成于其下的第一金屬層135的漏焊盤的第一部分上。第一固定器171與支撐層170的這兩個臂形成一體。兩個第二固定器172a和172b分別形成于支撐層170的這兩個臂橫向部分之下。第二固定器172a和172b也與支撐層170的這兩個臂形成一體。第二固定器172a和172b分別固定到腐蝕停止層155的第二部分和第三部分上。第一固定器171及兩個第二固定器172a和172b都固定于支撐層170的與支撐線174相鄰的部分下。第一固定器171及第二固定器172a和172b一起支撐支撐層170，所以第一固定器171及第二固定器172a和172b支撐第一和第二致動部分210和211。第一固定器171及第二固定器172a和172b都為盒形。
支撐層170的中心部分由第一固定器171支撐，支撐層170的橫向部分由第二固定器172a和172b支撐。
穿過腐蝕停止層155、第二鈍化層150、第二金屬層145的孔147和第一鈍化層140的部分，形成從第一固定器171的表面到第一金屬層135的漏焊盤的通孔270。
第一和第二致動部分210和211分別形成于支撐層170的這兩臂上。第一和第二致動部分210和211形成為彼此平行。第一致動部分210具有第一下電極180、第一有源層190、第一上電極200。第二致動部分具有第二下電極181、第二有源層191、第二上電極201。
第一下電極180形成于支撐層170的兩個臂之一上。第一下電極180具有包括突出部分的矩形形狀。第一下電極180較好是具有反L形。第一下電極180離開支撐線174預定距離。第一下電極180的突出部分象樓梯一樣向下延伸。第一下電極180的突出部分延伸到第一固定器171的與通孔270相鄰的部分。第一有源層190形成于第一下電極180上，第一有源層190具有小于第一下電極180的矩形形狀。第一上電極200形成于第一有源層190上。第一上電極200具有小于第一有源層190的矩形形狀。
第二下電極181形成于支撐層170的兩個臂的另一個上。第二下電極181具有包括突出部分的矩形形狀。第二下電極181較好是具有與第一下電極180對應的L形形狀。第二下電極181也離開支撐線174預定距離。象第一下電極180的突出部分一樣，第二下電極181的突出部分也延伸到第一固定器171的與通孔270相鄰的部分。因此，第一和第二下電極180和181的突出部分相應地形成在通孔270周圍取中心。第二有源層191形成于第二下電極181上，第二有源層191具有小于第二下電極181的矩形形狀。第二上電極201形成于第二有源層191上。第二上電極201具有小于第二有源層191的矩形形狀。
穿過通孔270，形成從第一金屬層135的漏焊盤到第一和第二下電極180和181的突出部分的通路接觸280。這樣第一和第二下電極180和181通過通路接觸280與第一金屬層135的漏焊盤連接。
形成從第一上電極200的一部分到支撐層170的與支撐線174相鄰的部分的第一絕緣部件220。通過第一絕緣部件220，形成從第一上電極200的一部分到共用線240的第一上電極連接部件230。第一上電極連接部件230連接第一上電極200與共用線240。第一絕緣部件220可以防止第一上電極200連接到第一下電極180，因而第一絕緣部件220可以防止第一上電極200和第一下電極180間發(fā)生短路。
另外，形成從第二上電極201的一部分到支撐層170的與支撐線174相鄰的部分第二絕緣部件221。通過第二絕緣部件221，形成從第二上電極201的一部分到共用線240的第二上電極連接部件231。第二上電極連接部件231連接第二上電極201與共用線240。第二絕緣部件221和第二上電極連接部分231分別平行于第一絕緣層220和第一上電極連接部件230形成。第二絕緣部件221可以防止第二上電極201連接到第二下電極181，因而第二絕緣部件221可以防止第二上電極201和第二下電極180間發(fā)生短路。
在具有矩形環(huán)形狀的支撐層170的未形成第一和第二致動部分210和211的部分處，形成立柱250。即，該支撐層170的一部分在平行方向與支撐線174隔離。立柱250支撐反射從光源(未示出)入射的光的反射部件260。反射部件260較好是具有矩形形狀。在反射部件260之下形成平面性增強部件290。平面性增強部件290用于提高反射部件260的平面性，以提高反射部件260的光效率，所以可以提高投射到屏幕(未示出)上的圖像的質(zhì)量。
在本實施例中，平面性增強部件290是具有與反射部件260相同形狀的應力平衡層。應力平衡層和立柱250利用例如氮化硅(Si3N4)等氮化物同時形成。
反射部件260和平面性增強部件290的中心部分由立柱250支撐。反射部件260和平面性增強部件290的橫向部分平行地形成于第一和第二致動部分210和211之上。第二氣隙310夾在平面性增強部件290的橫向部分和第一和第二致動部分210、211之間。在第一和第二致動部分210和211被驅(qū)動時，反射部件260傾斜，所以反射部件260可以以預定角度反射來自光源的入射光。
下面介紹制造本發(fā)明的光投射系統(tǒng)中的薄膜AMA的方法。
圖9A-9G展示了該實施例的薄膜AMA的各制造步驟。在圖9A-9G中，用相同的標號表示與圖7中相同的元件。
參見圖9A，提供由硅構(gòu)成的基片101，之后，利用硅局部氧化法，在基片101上形成隔離層125，隔離基片101上的有源區(qū)和場區(qū)。基片101較好是N型硅晶片。接著，在源110和漏105間形成柵115后，在有源區(qū)上形成P+源110和P+漏105，從而完成M×N(M和N是整數(shù))個P型金屬氧化物半導體(MOS)晶體管120。P-MOS晶體管120從外部接收第一信號，并進行開關(guān)操作。
在具有形成于其中的P-MOS晶體管120的基片101上形成絕緣層130后，分別在具有形成于其下的漏105和源110的部分形成開口，從而露出漏105和源110的部分。在具有開口的絕緣層130上形成由鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)和氮化物構(gòu)成的層，構(gòu)圖該層，形成第一金屬層135。第一金屬層135具有從P-MOS晶體管120的漏105延伸到第一固定器171的漏焊盤，用以傳輸?shù)谝恍盘枴?br> 在第一金屬層135和基片101上形成第一鈍化層140。第一鈍化層140利用磷硅玻璃(PSG)形成。利用化學汽相淀積(CVD)法形成第一鈍化層140，使第一鈍化層140厚為8000至9000埃。在隨后的制造步驟中，第一鈍化層140保護具有P-MOS晶體管120的基片101。
在第一鈍化層140上形成第二金屬層145。第二金屬層145由鈦層和氮化鈦層構(gòu)成。為形成第二金屬層145，首先，在第一鈍化層140上用濺射法形成鈦層，使鈦層厚300-500埃。接著，在鈦層上用物理汽相淀積(PVD)法淀積氮化鈦層，使氮化鈦層厚1000-1200埃。第二金屬層145可以隔絕入射到基片101上的光，所以第二金屬層145可以防止光漏電流流過基片101。然后，腐蝕第二金屬層145的具有形成于其下的漏焊盤的部分，從而形成孔147?？?47隔離通路接觸280和第二金屬層145。
在第二金屬層145上形成第二鈍化層150。第二鈍化層150利用PSG形成。第二鈍化層150利用CVD法形成，厚度為2000-3000埃。在隨后的制造步驟中，第二鈍化層150保護形成于基片101上的第二金屬層145和所得各層。
利用低溫氧化物(LTO)例如二氧化硅(SiO2)或五氧化二磷(P2O5)，在第二鈍化層150上形成腐蝕停止層155。腐蝕停止層155利用350-450℃下的低壓CVD(LPCVD)法形成，其厚形成為0.2-0.8微米。在隨后的腐蝕步驟中，腐蝕停止層155保護形成于基片101上的第二鈍化層150和所得各層。結(jié)果，完成了由基片101、第一金屬層135、第一鈍化層140、第二金屬層145、第二鈍化層150和腐蝕停止層155構(gòu)成的有源矩陣100。
在低于約500℃的溫度，利用多晶硅，在腐蝕停止層155上形成第一犧牲層160。第一犧牲層160利用LPCVD法形成，第一犧牲層160厚2.0-3.0微米。這時，由于第一犧牲層160覆蓋具有MOS晶體管120和所得各層的有源矩陣100的上部，所以第一犧牲層160的平面性很差。因此，利用旋涂玻璃(SOG)或化學機械拋光(CMP)法平面化第一犧牲層160的表面，使第一犧牲層160厚約1.1微米。
圖9B是展示構(gòu)圖的第一犧牲層160的平面圖。
參見圖9A和9B，在第一犧牲層160上涂敷第一光刻膠(未示出)并構(gòu)圖后，腐蝕第一犧牲層160的具有形成于其下的第二金屬層145的孔147的第一部分和與第一部分相鄰的第一犧牲層160的第二和第三部分，露出腐蝕停止層155的各部分。在腐蝕停止層155的各暴露部分將形成第一固定器171和第二固定器172a和172b。腐蝕停止層155的這些暴露部分分別為具有間隔預定距離的矩形形狀。然后，去掉第一光刻膠。
參見圖9C，在腐蝕停止層155的這些具有矩形形狀的暴露部分上和第一犧牲層160上形成第一層169。第一層169利用剛性材料例如氮化物或金屬等形成。第一層169利用LPCVD法形成，使第一層169厚為0.1-1.0微米。構(gòu)圖第一層169，從而形成具有支撐層170、支撐線174、固定器171和兩個第二固定器172a、172b的支撐部件175。此時，第一固定器171位于腐蝕停止層155的中心暴露部分，兩個第二固定器172a、172b分別位于腐蝕停止層155的其它暴露部分。
在第一層169上形成下電極層179。下電極層179利用導電金屬例如鉑(Pt)、鉭(Ta)或鉑-鉭(Pt-Ta)形成。下電極層179利用濺射法或CVD法形成，使下電極層179厚約0.1-1.0微米。下電極層179將被構(gòu)圖形成分別具有彼此相對的突出部分的第一下電極180和第二下電極181。
在下電層179上形成第二層189。第二層189利用壓電材料例如PZT(Pb(Zr，Ti)O3)或PLZT((Pb，La)(Zr，Ti)O3)和利用溶凝膠法、濺射法、旋涂法或CVD法等形成，使第二層189的厚度約為0.1-1.0微米。第二層189較好是利用旋涂法和利用溶凝膠法形成的PZT形成，使第二層189厚約0.4微米。然后，利用快速熱退火法(RTA)退火第二層189。第二層189將構(gòu)圖形成第一和第二有源層190和191。
在第二層189上形成上電極層199。上電極層199利用導電金屬例如鉭、鉑、或銀(Ag)形成。上電極層199利用濺射法或CVD法形成，使上電極層199厚約0.1-1.0微米。上電極層199將構(gòu)圖形成彼此隔開預定距離的第一和第二上電極200和201。
參見圖9D，在上電極層199上用旋涂法涂敷第二光刻膠(未示出)后，利用第二光刻膠作腐蝕掩模，構(gòu)圖上電極層199，從而形成第一和第二上電極200和201，它們分別具有矩形形狀(見圖6)。第一和第二上電極200和201形成為彼此平行。第二信號(偏置信號)通過共用線240加于第一和第二上電極200和201上。然后，去掉第二光刻膠層。
利用與上電極層199相同的工藝，構(gòu)圖第二層189，從而形成第一和第二有源層190和191。第一和第二有源層190和191也形成為彼此平行。此時，第一和第二有源層190和191分別具有比第一和第二上電極200和201寬的矩形形狀，如圖6所示。
利用與上電極層199相同的工藝，構(gòu)圖下電極層179，從而形成第一和第二下電極180和181。第一和第二下電極180和181分別具有矩形形狀，并相應地具有突出部分。第一下電極180較好是具有反L形形狀，第二下電極181較好是具有與第一下電極180對應的L形。第一和第二下電極180和181分別比第一和第二有源層190和191寬。
在形成第一和第二下電極180和181時，同時在第一層169的將構(gòu)圖成支撐線174的部分形成共用線240。共用線240在垂直于第一和第二下電極180和181的方向形成，如圖6所示。共用線240與第一和第二下電極180分開預定距離，這樣共用線240不會與第一和第二下電極180和181接觸。結(jié)果，完成了第一和第二致動部分210和211。
然后，構(gòu)圖第一層169，形成具有支撐層170、支撐線174、第一固定器171和兩個第二固定器172a、172b的支撐部件175。此時，在固定于腐蝕停止層155的各暴露部分的第一層169中，第一固定器171位于腐蝕停止層155的中心暴露部分，兩個第二固定器172a和172b分別位于腐蝕停止層155的其它暴露部分。第二金屬層145的孔147形成于第一固定器171之下，支撐層170具有矩形環(huán)形狀，與形成于腐蝕停止層155之上的支撐線174形成一體。去掉第一犧牲層169后，如圖6所示，完成了支撐部件175。
第一固定器171形成于矩形環(huán)形的支撐層170的兩臂之下和之間。支撐層170的兩臂從支撐線174垂直延伸。第一固定器171固定于腐蝕停止層155的中心暴露部分，腐蝕停止層155的具有形成于其下的第一金屬層135的漏焊盤的第一暴露部分。第一固定器171與支撐層170的兩臂形成一體。兩第二固定器172a和172b分別形成在支撐層170的兩臂之下外側(cè)。第二固定器172a和172b也與支撐層170的兩個臂形成一體，并分別固定于腐蝕停止層155的第二和第三暴露部分。第一和第二固定器171和172a、172b分別固定于支撐層170的與支撐線174相鄰的部分之下。第一和第二致動部分210和211分別形成于支撐層170的兩臂上。因此，第一固定器171形成在第一和第二致動部分210和211之下和之間，第二固定器172a和172b分別形成在第一和第二致動部分210和211的橫向部分之下。第一固定器171和第二固定器172a、172b一起支撐支撐層170，所以第一固定器171和第二固定器172a、172b支撐第一和第二致動部分210和211。
參見圖9E，在支撐部件175上、第一和第二致動部分210和211上，形成第三光刻膠(未示出)后，構(gòu)圖第三光刻膠，露出共用線240、支撐部件175、第一上電極200和第二上電極201的部分。此時，同時露出第一和第二下電極180的突出部分。
隨后，在支撐部件175、第一上電極200和第二上電極201的暴露部分上，利用LPCVD法形成LTO后，通過構(gòu)圖例如二氧化硅或五化二磷等LTO，形成第一和第二絕緣部件220和221。通過第一有源層190和第一下電極180的部分，形成從第一上電極200的一部分到支撐層170的一部分的第一絕緣部件220。還通過第二有源層191和第二下電極181的部分，形成從第二上電極201的一部分到支撐層170的一部分的第二絕緣部件221。第一和第二絕緣層220和221厚分別為約0.2-0.4微米。
圖9F是展示通路接觸280的剖面圖。參見圖9F，通過腐蝕腐蝕停止層155、第二鈍化層150和第一鈍化層140的部分，穿過第二金屬層145的孔147，形成從第一固定器171到第一金屬層135的漏盤的通孔270。然后，穿過通孔270，形成從第一金屬層135的漏焊盤到第一和第二下電極180和181的突出部分的通路接觸280。因此，第一和第二下電極180通過通路接觸280與漏焊盤連接。同時，通過第一絕緣部件220和支撐層170，形成從共用線240到第一上電極200的一部分的第一上電極連接部件230。還通過第二絕緣部件221和支撐層170，形成從共用線240到第二上電極201的一部分的第二上電極連接部件231，如圖6所示。第一和第二上電極連接部件230和231彼此平行形成。
通路接觸280、第一和第二上電極連接部件230和231都利用導電金屬例如鉑、鉭或鉑-鉭且通過濺射法或CVD法形成。通路接觸280、第一和第二上電極連接部件230和231厚分別為約0.1-0.2微米、第一和第二上電極連接部件230和231分別連接共用線240與第一上電極200和第二上電極201。
參見圖9G，在第一和第二致動部分210和211及支撐部件175上形成第二犧牲層300。第二犧牲層300利用多晶硅且通過LPCVD法形成。第二犧牲層300充分覆蓋第一和第二致動部分210和211。然后，利用CMP法平面化第二犧牲層300的表面，使第二犧牲層300具有水平表面。
然后，腐蝕第二犧牲層300的一部分，露出支撐層170的在平行方向與支撐線174隔開的部分。即，露出支撐層170的未形成第一和第二致動部分210和211的部分。利用等離子增強化學汽相淀積法(PECVD)，在支撐層170的暴露部分和犧牲層300上形成厚約0.1-1.0微米的氮化物后，通過構(gòu)圖例如氮化硅等的氮化物，同時形成立柱250和平面性增強部件290(應力平衡層)。然后，利用CMP法平面化平面性增強部件290的表面，使之具有水平表面。平面性增強部件290可以防止反射部件260形成時反射部件260彎曲或變形。
利用濺射或CVD法在平面性增強部件290上形成金屬層后，通過構(gòu)圖例如鋁、鉑、銀或鋁合金等具有反射性的金屬層，在平面性增強部件290上形成反射部件260。反射部件260和平面性增強部件290具有尺寸相同的矩形形狀。反射部件260和平面性增強部件290的中心部分由立柱250支撐，反射部件260和平面性增強部件290的橫向部分平行地形成于第一和第二致動部分210和211之上。
因此，利用氟化溴(BrF3，BrF5)或氟化氙(XeF2，XeF4或XeF6)蒸汽去掉第一和第二犧牲層160和300后，通過漂洗和干燥，最后完成了圖6所示的薄膜AMA。在第二犧牲層300所在位置形成第二氣隙310，在第一犧牲層160所在位置形成第一氣隙165。
下面介紹根據(jù)本實施例的薄膜AMA的工作情況。
在本實施例的薄膜AMA中，第一信號從外部通過MOS晶體管120、漏焊盤和通路接觸280加到第一和第二下電極180和181。同時，第二信號從外部通過共用線240及第一和第二上電極連接部件230和231加到第一和第二上電極200和201。這樣，在第一上電極200和第一下電極180之間產(chǎn)生第一電場，在第二上電極201和第二下電極181之間產(chǎn)生第二電場。形成于第一上電極200和第一下電極180之間的第一有源層190在第一電場作用下變形，形成在第二上電極201和第二下電極181之間的第二有源層191在第二電場作用下變形。第一和第二有源層190和191分別在垂直于第一和第二電場的方向上變形。具有第一和第二有源層190和191的第一和第二致動部分210和211在與支撐層170所在位置相反的方向被驅(qū)動。即，第一和第二致動部分210和211被向上驅(qū)動，附著于第一和第二下電極180和181上的支撐層170在第一和第二致動部分210和211的驅(qū)動下，也被向上驅(qū)動。
反射來自光源的入射光的反射部件260隨第一和第二致動部分210和211傾斜。因此，反射部件260將該光反射到屏幕上，于是將圖像投射到屏幕上。實施例2圖10是展示本發(fā)明第二實施例的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的平面圖，圖11A-11D是本發(fā)明第二實施例的反射部件和平面性增強部件的放大平面圖。在圖10-11D中，相同的標號表示與圖5中相同的元件。
在該實施例中，除在反射部件260下形成的加強部件290a、290b、290c、290d外，薄膜AMA的構(gòu)成和制造步驟與第一實施例相同。另外，本實施例的薄膜AMA的工作情況也與第一實施例相同。本實施例中，平面性增強部件是加強部件290a、290b、290c、290d。
參見圖10和11A，加強部件290a形成于反射部件260的外圍部分之下。加強部件290a具有與第一實施例的應力平衡層相同的作用。加強部件290a可以防止反射部件260向上或向下彎曲。加強部件290a由設置成矩形的四根線條構(gòu)成。加強部件290a與反射部件260形成一體。
下面將介紹加強部件290a的制造步驟。
在構(gòu)圖第二犧牲層300以形成立柱250和反射部件260后，加強部件290a與立柱250和反射部件260同時形成。即，第二犧牲層300構(gòu)圖成暴露支撐層170的一部分，然后，利用濺射法或CVD法，在支撐層170的暴露部分和已構(gòu)圖的第二犧牲層300上形成例如鋁、鉑、銀或鋁合金等具有反射性的金屬層，然后，構(gòu)圖金屬層，形成立柱250、加強部件290a和反射層260。這種情況下，第二犧牲層300的圖形具有預定深度，并具有四根線條設置成矩形的形狀。加強部件290a形成于第二犧牲層300的圖形上，所以加強部件290a具有與第二犧牲圖形相同的形狀。
由于加強部件的形狀由第二犧牲層300的圖形確定，所以加強部件可以具有如圖11B-11D所示的不同形狀用以提高反射部件260的平面性。加強部件可以具有X形(見圖11B)、菱形(見圖11C)或銳形(見圖11C)。工業(yè)應用本發(fā)明的薄膜AMA中，在反射部件之下形成例如應力平衡層或加強部件等平面性增強部件，以提高反射部件的平面性，使之不發(fā)生彎曲。因此，盡管在形成反射部件期間，反射部件中發(fā)生例如殘余應力等變形應力，但利用平面性增強部件，反射部件可具有水平表面，所以可以提高光效率，進而提高投射到屏幕上的圖像的質(zhì)量。
盡管介紹了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但應理解，本發(fā)明不應限于這些優(yōu)選實施例，所屬領域的技術(shù)人員可以在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)，做出各種變化和改進。
權(quán)利要求
1.一種由被第一信號和第二信號驅(qū)動的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，所說薄膜驅(qū)動反射鏡陣列包括有源矩陣，所說有源矩陣具有基片和第一金屬層，基片包括安裝于其中用于開關(guān)操作的金屬氧化物半導體晶體管，第一金屬層具有從用于傳輸?shù)谝恍盘柕慕饘傺趸锇雽w晶體管的漏延伸的漏焊盤；支撐裝置，具有形成于有源矩陣之上的支撐線、與所說支撐線形成一體的支撐層和分別形成于有源矩陣和支撐層的與所說支撐線相鄰的各部分之間的多個固定器；第一致動部分，具有接收第一信號的第一下電極、所說第一下電極形成于垂直所說支撐線形成的所說支撐層的第一部分處，與所說第一下電極對應、用于接收第二信號并產(chǎn)生第一電場的第一上電極，形成于所說第一下電極和第一上電極之間且在第一電場的作用變形的第一有源層；第二致動部分，具有接收第一信號的第二下電極，所說第二下電極形成在垂直于所說支撐線形成的支撐層的第二部分處，與所說第二下電極對應、接收第二信號并產(chǎn)生第二電場的第二上電極，形成于所說第二下電極和第二上電極之間并在第二電場作用下變形的第二有源層；反射光的反射裝置，所說反射裝置形成于所說第一和第二致動部分之上；及平面性增強裝置，用于提高所說反射裝置的平面性，所說平面性增強裝置形成于所說反射裝置之下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說有源矩陣還包括形成于所說第一金屬層和基片上的第一鈍化層；形成于所說第一鈍化層上的第二金屬層；形成于所說第二金屬層上的第二鈍化層；及形成于所說第二鈍化層上的腐蝕停止層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說第一下電極為反L形，所說第一有源層具有小于所說第一下電極矩形形狀，所說第一上電極具有小于所說第一有源層的矩形形狀，所說第二下電極具有對應于所說第一下電極的L形形狀，所說第二有源層具有小于所說第二下電極的矩形形狀，所說第二上電極具有小于所說第二有源層的矩形形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說薄膜驅(qū)動反射鏡陣列還包括通路接觸，用于將第一信號從漏焊盤傳輸?shù)剿f第一下電極和所說第二下電極，所說通路接觸形成為從漏焊盤到所說第一和第二下電極。共用線，用于傳輸?shù)诙盘?，所說共用線形成于所說支撐線上；第一絕緣裝置，它形成為通過所說第一下電極的一部分，從所說第一上電極的一部分到所說支撐層的一部分；第一上電極連接裝置，它形成為通過所說第一絕緣層，從所說共用線到所說第一上電極；第二絕緣裝置，它形成為通過所說第二下電極的一部分，從所說第二上電極的一部分到所說支撐層的一部分；及第二上電極連接裝置，它形成為通過所說第二絕緣層，從所說共用線到所說第二上電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說平面性增強裝置是形成于所說反射裝置下的應力平衡層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說應力平衡層由氮化物構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說平面性增強裝置是形成于所說反射裝置外圍部分之下的加強部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說加強部件由與所說反射裝置相同的金屬構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說加強部件具有四根線條設置成矩形的形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說加強部件是X形。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說加強部件是銳形。
12.根據(jù)權(quán)利要求7的薄膜驅(qū)動反射鏡陣列，其中所說加強部件是菱形。
13.一種制造薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的方法，包括以下步驟i)提供有源矩陣，該有源矩陣具有其中包括用于開關(guān)操作的金屬氧化物半導體的基片，和包括從金屬氧化物晶體管的漏延伸出的漏焊盤的第一金屬層；ii)在所說有源矩陣上形成第一犧牲層，并構(gòu)圖所說第一犧牲層；iii)在所說構(gòu)圖的第一犧牲層上一個接一個形成第一層、下電極層、第二層和上電極層；iv)通過構(gòu)圖所說上電極層、構(gòu)圖所說第二層和構(gòu)圖所說下電極層，形成包括第一下電極、第一有源層和第一上電極的第一致動部分，和包括第二下電極、第二有源層和第二上電極的第二致動部分；v)構(gòu)圖所說第一層，形成具有支撐線、支撐層和多個固定器的支撐裝置；vi)在所說支撐線上形成共用線；vii)在所說第一和第二致動部分和所說支撐裝置上形成第二犧牲層，構(gòu)圖所說第二犧牲層；viii)在所說構(gòu)圖的第二犧牲層上形成平面性增強裝置；及ix)在所說平面性增強裝置上形成反射裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的制造薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的方法，所說方法還包括以下步驟在所說有源矩陣上一個接一個地形成第一鈍化層、第二金屬層、第二鈍化層、腐蝕停止層；形成從所說第一上電極的一部分到所說支撐層的一部分的第一絕緣裝置；通過所說第一絕緣層，形成從所說共用線到所說第一上電極的第一上電極連接裝置；形成從所說第二上電極的一部分到所說支撐層的一部分的第二絕緣裝置；通過所說第二絕緣層，形成從所說共用線到所說第二上電極的第二上電極連接裝置；及形成從漏焊盤到所說第一和第二下電極的通路接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的制造薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的方法，其中利用氮化物和等離子增強化學汽相淀積法進行步驟viii)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的制造薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的方法，其中同時進行步驟viii)和步驟ix)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的制造薄膜驅(qū)動反射鏡陣列的方法，其中構(gòu)圖所說第二犧牲層后，所說構(gòu)圖的第二犧牲層具有四根線條設置成矩形的形狀、X形狀、銳形形狀或菱形狀。
全文摘要
這里公開了薄膜AMA(驅(qū)動反射鏡陣列)及其制造方法。薄膜AMA具有有源矩陣、支撐部件(175)、致動部分(210,211)、反射部件(260)及平面性增強部件(290)。例如應力平衡層或加強部件等平面性增強部件(290)形成于反射部件(260)之下,以提高反射部件(260)的平面性,使反射部件(260)沒有彎曲。因此,盡管在形成反射部件期間,例如殘余應力等變形應力會發(fā)生在反射部件(260)中,但由于平面性增強部件,反射部件(260)可以具有水平表面,所以提高了光效率,進而提高了投射到屏幕上的圖像的質(zhì)量。
文檔編號G02B26/08GK1268274SQ98807981
公開日2000年9月27日 申請日期1998年6月30日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月30日
發(fā)明者黃圭昊 申請人:大宇電子株式會社