專利名稱：光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)投影系統(tǒng)中的一種薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列及其制造方法，而且，尤其涉及用于防止由于由入射光造成的泄漏光電流而產(chǎn)生的驅(qū)動器誤操作的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動的反射鏡陣列，及制造這種陣列的方法。
一般說來，光調(diào)制器按照其光學(xué)特性被劃分為兩種，一種類型是象陰極射線管(CRT)這類的直射式光調(diào)制器，而另一種類型是象液晶顯示器(LCD)這類的透射式光調(diào)制器。CRT可在屏幕上產(chǎn)生高品質(zhì)的圖像，但是，CRT的重量，體積以及制造成本按照屏幕的放大倍率而增加。LCD具有簡單的光學(xué)結(jié)構(gòu)，因而其重量和體積比CRT的要低。然而，由于光的偏振，LCD具有低于1％到2％的很差的光效率。而且，在LCD的液晶材料方面還存在一些問題，如靈敏度低及過熱現(xiàn)象。
所以，為了解決這些問題，已經(jīng)開發(fā)出了數(shù)字反射裝置(DMD)和驅(qū)動式反射鏡陣列(AMA)。目前，DMD具有約5％的光效率，而AMA具有高于10％的光效率。AMA提高了反射到屏幕上的圖像的對比度，因此，圖像更加清晰明亮。AMA不受入射光束偏振的影向。而且，AMA也不影響反射光的偏振。因此，AMA比起LCD或DMD來更有效。


圖1表示在美國專利第5,126,836(授予Gregory Um)號中公開的一種傳統(tǒng)的AMA中的機(jī)械系統(tǒng)。參照圖1，來自光源1的入射光穿過第一狹縫3和第一透鏡5并按照顏色表示法中的紅-綠-藍(lán)(R-G-B)系統(tǒng)被分成紅光、綠光和藍(lán)光。當(dāng)被分出的紅、綠、藍(lán)光分別由第一反射鏡7、第二反射鏡9以及第三反射鏡11反射之后，反射光分別入射到與反射鏡7、9和11相對應(yīng)的AMA裝置13、15和17上。AMA裝置分別使安裝在其中的反射鏡斜置，因此，入射光束被這些斜置的反射鏡所反射。在這種情況下，安裝在AMA裝置13、15和17中的這些反射鏡根據(jù)在這些反射鏡下形成的有源層的變形情況而被斜置。由AMA裝置13、15和17反射出的光束通過第二透鏡19和第二狹縫21并利用投影透鏡23在屏幕上(未示出)形成圖像。
在多數(shù)情況下，ZnO被用作構(gòu)成有源層的材料。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，鋯鈦酸鉛(PZTPb(Zr，Ti)O3)比ZnO具有更好的壓電特性。PZT是一種由鋯酸鉛(PbZrO3)和鈦酸鉛(PbTiO3)制成的完全固溶體。在高溫下，PZT以仲電態(tài)存在，其晶體結(jié)構(gòu)為立方體；而在室溫下，根據(jù)Zr與Ti的組成比例，PZT以反鐵電態(tài)和鐵電態(tài)存在，其晶體結(jié)構(gòu)分別為正交晶系和三角晶系。當(dāng)Zr與Ti的組成比例為1∶1時，PZT具有一種正方晶相和三角晶相混合的變晶區(qū)域(MPB)。在MPB中，PZT具有最大的介電特性和壓電特性。MPB并非在特定的組成比例時存在，而是在正交晶態(tài)和三角晶態(tài)共存的一較寬的范圍內(nèi)存在。不同研究人員對PZT晶態(tài)共存區(qū)域有不同的看法。已經(jīng)有人提出過各種理論(如熱力學(xué)穩(wěn)定性，組成變化和內(nèi)部應(yīng)力)作為晶態(tài)共存區(qū)域的原因。目前，可以用多種方法，如甩膠法、化學(xué)汽相淀積法(CVD)或濺射法來制作PZT薄膜。
AMA通常被劃分為塊狀型AMA和薄膜型AMA。美國專利第5,469,302(授予Dae-Young Lim)號中公開了這樣一種塊狀型AMA。在該塊狀型AMA中，當(dāng)在一具有三極管的有源陣列上安裝具有多層內(nèi)含金屬電極的陶瓷晶片之后，通過將陶瓷晶片鋸開在其上安裝一反射鏡。然而，塊狀型AMA具有一些缺陷，即，需要非常精確的方法和設(shè)計，而且，有源層的靈敏度低。因此，已經(jīng)開發(fā)出了可以采用半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行制造的薄膜AMA。
在題為“用于光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列”的美國專利08/602,928中公開了這樣的薄膜AMA，該美國專利申請目前在美國專利商標(biāo)局正待結(jié)案，并且，受到該申請受讓人的契約的約束。
圖2表示薄膜AMA的一剖面視圖。參照圖2，薄膜AMA具有一有源陣列60和一在該有源陣列60上形成的驅(qū)動裝置90。有源陣列60具有一襯底50，該襯底上具有M×N(M，N為整數(shù))個三極管(未示出)，M×N(M，N為整數(shù))個分別形成在三極管上的連接點，在襯底50和連接點53上形成的鈍化層56，以及在鈍化層56上形成的蝕刻阻止層59。
驅(qū)動裝置90具有一支持層68，一第一電極71，一有源層74，一第二電極77，和一通路接觸裝置80。支持層68具有一第一部分，該部分與下面形成有連接點53的蝕刻阻止層59相連。蝕刻阻止層59有一在有源陣列60的底部上方平行形成的第二部分。支持層的第一部分被稱作支撐物68a。在支持層68的第二部分和蝕刻阻止層59之間夾有一空氣間隙65。在支持層68上形成第一電極71，在第一電極71上形成有源層74，并且，在有源層74上形成第二電極77。通路接觸裝置80是在從下面形成有連接點53的有源層74的一部分到連接點53之間形成的。第一電極71通過通路接觸裝置80與連接點53相連。
下面將對薄膜AMA的制造方法進(jìn)行描述。
圖3A到3D表示薄膜AMA的制作步驟。在圖3A到3D中，相同的標(biāo)號被用來表示與圖2相同的部件。
參照圖3A，首先，提供了一上面含有M×N個三極管(未示出)的襯底50和M×N個分別在三極管上形成的連接點53。接著，在連接點53和襯底50上面形成一鈍化層56。鈍化層56是采用一種硅酸磷玻璃(PSG)和化學(xué)汽相淀積(CVD)法形成的以使得鈍化層56具有0.1μm到2.0μm之間的厚度。在隨后的制作步驟中，鈍化層56對帶有三極管的襯底50起保護(hù)作用。
當(dāng)在鈍化層56上形成一蝕刻阻止層59之后，有源陣列60就完成了。有源陣列60包括襯底50，連接點53，鈍化層56，和蝕刻阻止層59。蝕刻阻止層59是采用氮化物用化學(xué)汽相淀積法形成的以使得蝕刻阻止層59具有1000埃到2000埃之間的厚度。蝕刻阻止層59在隨后的蝕刻步驟中防止了鈍化層56和襯底50被蝕刻。
在蝕刻阻止層59上形成有一犧牲層62。該犧牲層62是利用一種硅酸磷玻璃并采用化學(xué)汽相淀積法形成的以使得該犧牲層62具有1.0μm到2.0μm之間的厚度。在這種情況下，犧牲層62的表面平滑度差，因為犧牲層62覆蓋了具有三極管的襯底50。因此，利用在玻璃上進(jìn)行甩膠(SOG)或采用化學(xué)機(jī)械拋光方法對犧牲層62的表面進(jìn)行平滑。然后，犧牲層62形成一使得下面具有連接點53的那部分蝕刻阻止層59被暴露出來的形狀。在蝕刻阻止層59的暴露部分處形成一支撐物68a。
參照圖3B，在蝕刻阻止層59和犧牲層62的暴露部分上形成一第一層67。第一層67是利用氮化物制成的，采用濺射法或CVD法制成，以使得第一層具有0.1μm到2.0μm之間的厚度。利用一種金屬，如鉑或鉭并采用濺射法或CVD方法在第一層67上形成一第一電極層70，以使得第一電極層70具有0.1μm到1.0μm之間的厚度。然后，將第一電極層70均勻切割以便向包含該第一電極層70的每一象素分別施加一第一信號(圖像信號)。
利用一種壓電材料，如鋯鈦酸鉛(PZT)或一種電致伸縮材料，如鎂鈮酸鉛(PMN)在第一電極層70上形成一第二層73。采用一種溶解溶膠(so1-gel)方法、濺射法或CVD方法形成該第二層73，以使得第二層具有0.1μm到1.0μm的厚度。利用一種金屬，如鋁或銀并采用濺射法或CVD方法在第二層73上形成第二電極層76以使得第二電極層73具有0.1μm到1.0μm之間的厚度。
參照圖3C，第二電極層76、第二層73和第一電極層70被分別模制以形成一第二電極77、一有源層74和一第一電極71。這樣，形成了具有預(yù)定形狀的M×N個象素。此時，通過對下面形成有連接點53的那部分第二電極77進(jìn)行蝕刻而使得有源層74的一部分被暴露出來。接著，在部分有源層74、第一電極71、第一層67、蝕刻阻止層59和鈍化層56被蝕刻之后，在從有源層74到連接點53之間的暴露部分中形成一通路孔79。
參照圖3D，通過利用一種導(dǎo)電材料(如鎢)填入通路孔79而在通路孔79中形成一通路接觸裝置80。通路接觸裝置80是采用濺射法或CVD方法形成的。通路接觸裝置80將連接點53與第一電極71相連。從外部傳入的第一信號通過三極管、連接點53和通路接觸裝置80被施加到第一電極71上。同時，從外部傳入的第二信號(偏置信號)通過公共線(未示出)被施加到第二電極77上。因此，在第二電極77和第一電極71之間產(chǎn)生一電場。在第二電極77和第一電極71之間形成的有源層74由于電場的作用而發(fā)生變形。有源層74沿著垂直于電場的方向變形，從而使得包含該有源層74的驅(qū)動裝置90向上以一預(yù)定角度被驅(qū)動。第二電極77也向上傾斜，并且第二電極77以一預(yù)定角度反射來自光源(未示出)的入射光。
接著，第一層67被模制以形成用于支持驅(qū)動裝置90的一支持層68。支持層68的一部分與下面形成有連接點53的蝕刻阻止層59相連。支持層68的該連接部分被稱作支撐物68a。當(dāng)采用氟化氫氣體去除了犧牲層62之后，象素被漂洗并干燥以完成薄膜AMA。
然而，在上述薄膜AMA中，來自光源的入射光被投射到第二電極77上，同時也投射到除第二電極77以外的其它區(qū)域上。因此，由入射光造成的圖像泄漏電流將流過有源陣列60。由于圖像泄漏電流的作用，驅(qū)動裝置90在施加第一信號之前或在驅(qū)動裝置90被驅(qū)動過程中會被誤操作。
因此，本發(fā)明設(shè)法解決前述問題。本發(fā)明的一目的就是提供一種在光學(xué)投影系統(tǒng)中用來防止由于由入射光造成的圖像泄漏電流而引起的驅(qū)動裝置的誤操作的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，以及制作該陣列的方法。
此外，本發(fā)明的第二個目的就是提供一種用于制造上述光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的方法。
為了實現(xiàn)上述第一目的，本發(fā)明提供了一種薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，其包括襯底，在襯底上形成的第一金屬層，在電路上和第一金屬層上形成的第一鈍化層，在第一鈍化層上形成的第二金屬層，驅(qū)動裝置，以及反射元件。襯底具有用來接收來自外部的第一信號并傳輸?shù)谝恍盘柕碾娐?。第一金屬層具有與該電路相連進(jìn)而傳輸?shù)谝恍盘柕倪B接點。第一鈍化層保護(hù)具有電路和連接點的襯底。第二金屬層防止由于來自光源的入射光造成的圖像泄漏電流。驅(qū)動裝置包括一在第二金屬層上形成的支持層，一在用于接收第一信號的在第一層上形成的底部電極，一對應(yīng)于底部電極的頂部電極，用于接收第二信號并在頂部電極和底部電極之間產(chǎn)生一電場，以及一在底部電極和頂部電極之間形成的由于電場作用而發(fā)生變形的有源層。驅(qū)動裝置還包括一用來將第二信號施加到頂部電極上的公共線。公共線是在驅(qū)動裝置的一部分上形成的并與頂部電極相連。
可以在第二金屬層上形成一第二鈍化層以保護(hù)第二金屬層?？梢栽诘诙g化層上形成一蝕刻阻止層以保護(hù)第二鈍化層?？衫靡环N硅酸磷玻璃形成第二鈍化層，用一種氮化物形成蝕刻阻止層?？梢岳靡环N導(dǎo)電金屬來形成公共線。
優(yōu)選地，第二金屬層還包括一在第一鈍化層上形成的第一附著層和一在第一附著層上形成的第一阻擋層。第一附著層是采用鈦制成的，而第一阻擋層是采用氮化鈦制成的。在第二金屬層的下面形成有連接點的那部分上形成一第一開口可以在第二金屬層上形成一第三金屬層以防止由于來自光源的入射光而引起的圖像泄漏電流?？梢栽诘谌饘賹由闲纬梢虼说谌g化層以保護(hù)第三金屬層。優(yōu)選地，第三金屬層還包括一在第二金屬層上形成的第二附著層和在第二附著層上形成的一第二阻擋層。第二附著層可以由鈦制成，而第二阻擋層可以由氮化鈦制成。在第三金屬層的下面形成有連接點的那部分上形成有一第二開口。
為了實現(xiàn)上述第二個目的，本發(fā)明提供了一種制造薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的方法，其步驟如下提供一具有用來接收來自外部的第一信號并傳輸?shù)谝恍盘柕碾娐返囊r底；
在該襯底上形成一第一金屬層，該第一金屬層具有與所述電路相連并用于傳輸?shù)谝恍盘柕倪B接點；在電路和第一金屬層上形成一第一鈍化層，第一鈍化層保護(hù)具有電路和連接點的襯底；在第一鈍化層上形成一第二金屬層用于防止由于入射光引起的圖像泄漏電流；在第二金屬層上形成一第二鈍化層以保護(hù)第二金屬層；在第二鈍化層上形成一第一層；在第一層上形成一底部電極層，并對該底部電極層進(jìn)行模制以形成一用來接收第一信號的底部電極；在底部電極上形成一第二層和一頂部電極層；通過對頂部電極層模制以形成一用于接收第二信號并產(chǎn)生一電場頂部電極，通過對第二層模制以產(chǎn)生一由于電場作用而發(fā)生變形的有源層，以及通過對第一層模制以便在底部電極下面形成一支持層，這樣，產(chǎn)生一驅(qū)動裝置；以及在驅(qū)動裝置的頂部電極上形成一用于反射一束光的反射元件。
優(yōu)選地，形成第二金屬層的步驟還包括以下步驟采用鈦并利用濺射法在第一鈍化層上形成一第一附著層，和采用氮化鈦并利用物理汽相淀積法在第一附著層上形成一第一阻擋層。形成第二金屬層的步驟還包括通過對下面形成有連接點的那部分第二金屬層進(jìn)行蝕刻而形成一開口。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列中，來自光源的入射光可以被第二金屬層排除。因此，在將第一信號和第二信號分別施加在底部電極和頂部電極上之前，可以防止由于由來自光源的入射光造成的圖像泄漏電流而引起的驅(qū)動裝置的誤操作。
通過參照附圖對本發(fā)明優(yōu)選實施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它目的，特征，以及優(yōu)點將變得更加明顯，其中圖1是表示傳統(tǒng)的驅(qū)動式反射鏡陣列的機(jī)械系統(tǒng)的示意圖；圖2是表示在本申請的受讓人的一份在先申請中公開的一種用于光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的一剖視圖；圖3A至圖3D表示制造用于圖2所示的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的步驟；
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的一平面圖；圖5是表示用于圖4所示的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的透視圖；圖6是沿著圖5中的A1-A2線的剖視圖；圖7是沿著圖5的B1-B2線的剖視圖；圖8A至11B表示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的制作步驟；圖12A和12B是根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的剖視圖；圖13A和13B表示根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的制作步驟；圖14A和14B是根據(jù)本發(fā)明第三個實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的剖視圖；圖15A和15B表示根據(jù)本發(fā)明第三個實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的制作步驟。
下面，將結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的一平面圖，圖5是圖4所示的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的一透視圖，圖6是沿著圖5中的A1-A2線的一剖視圖，以及圖7是沿著圖5中的B1-B2線的一剖視圖。
參照圖4和圖5，根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜AMA具有襯底100，在襯底100上形成的驅(qū)動裝置200，和在驅(qū)動裝置200上形成的反射元件190。
參照圖6，襯底1 00具有電路105，在電路105上形成的一第一金屬層115，一在電路105和第一金屬層115上形成的第一鈍化層120，一在第一鈍化層120上形成的第二金屬層125，一在第二金屬層125上形成的第二鈍化層130，和一在第二鈍化層130上形成的蝕刻阻止層140。電路105接收并傳輸來自外部的第一信號。優(yōu)選地，電路105具有一用于轉(zhuǎn)換操作的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)三極管。第一金屬層115包括一與電路105相連的連接點110。連接點110將第一信號傳送給驅(qū)動裝置200。第一鈍化層120保護(hù)具有電路120和連接點110的襯底100。第二鈍化層130保護(hù)第二金屬層125。蝕刻阻止層140防止第二鈍化層130在后面的蝕刻過程中被蝕刻。第二金屬層125具有一利用鈦形成的第一附著層126和一利用氮化鈦形成的第一阻擋層127。在第二金屬層125中連接點110形成的位置上有一第一開口128。第一開口128使第二金屬層125與底部電極155和頂部電極165絕緣。
驅(qū)動裝置200具有一支持層150，其第一部分與蝕刻阻止層140的下面帶有連接點140的那部分相連而第二部分在蝕刻阻止層140上平行地形成，一在支持層150上形成的底部電極155，一在底部電極155上形成的有源層160，一在有源層160上形成的頂部電極165，一在支持層150的第一部分的一部分上形成的公共電極166，和一在頂部電極165的一部分上形成的支柱185。在蝕刻阻止層140和支持層150的第二部分之間夾有一空氣間隙195。公共電極166與頂部電極165相連。反射元件190由支柱185支撐以使得反射元件190在頂部電極165上方平行地形成。
參照圖7，驅(qū)動裝置200還包括一在通路孔170中形成的通路接觸裝置175和一從通路接觸裝置175到底部電極155形成的連接元件176。通路孔170是從支持層150的第一部分的一部分至連接點110形成的。底部電極155通過連接元件176與通路接觸裝置175相連。因此，第一信號，即圖像電流信號，從外部通過電路105、連接點110、通路接觸裝置175和連接元件176被加在底部電極155上。同時，當(dāng)?shù)诙盘?，即偏置電流信號，從外部通過公共線166被加在頂部電極165上，在頂部電極165和底部電極155之間產(chǎn)生一電場。因此位于頂部電極165和底部電極155之間的有源層60由于這個電場而產(chǎn)生變形。
支持層150為T形，而底部電極155為長方形。底部電極155是在支持層150的中央部分上形成的。有源層160為小于底部電極155的一長方形，而頂部電極165為小于有源層160的一長方形。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜AMA的制造方法。
圖8A和8B表示形成第一層149的情形。
參照圖8A和8B，提供一種具有電路105和連接點110的襯底100。優(yōu)選地，襯底100由一種半導(dǎo)體構(gòu)成，如硅(Si)。電路105接收第一信號(圖像電流信號)并將該第一信號傳送給底部電極155。優(yōu)選地，電路105具有用于轉(zhuǎn)換操作的MOS三極管。
然后，將鈦，氮化鈦或鎢淀積在電路105和襯底100上并模制以形成第一金屬層115。第一金屬層115具有與電路105相連的連接點110并將第一信號傳送給底部電極155。
在具有襯底100和連接點110的第一金屬層115上形成第一鈍化層120。第一鈍化層115是采用硅酸磷玻璃(PSG)形成的。第一鈍化層120利用化學(xué)汽相淀積法(CVD)形成以使其具有8000埃到9000埃的厚度。第一鈍化層120在隨后的制作步驟中對含有電路105和連接點110的襯底200起到保護(hù)作用。
在第一鈍化層120上形成第二金屬層125。為了形成該第二金屬層125，首先，采用鈦形成第一附著層126。第一附著層126是利用濺射法形成的以使其具有約300埃到500埃的厚度。然后，采用氮化鈦在第一附著層126上形成第一阻擋層127。第一阻擋層127是利用物理汽相淀積法(PVD)形成的以使其具有約1000埃到2000埃的厚度。第二金屬層125排除了襯底100上的入射光從而它防止了圖像泄漏電流流過襯底100。之后，對下面具有連接點110的那部分第二金屬層125進(jìn)行蝕刻以形成第一開口128。第一開口128將底部電極155和頂部電極165與第二金屬層125隔絕開來。
在第二金屬層125和第一開口128上形成第二鈍化層130。利用硅酸磷玻璃形成第二鈍化層130。采用化學(xué)汽相淀積法形成第二鈍化層130以使其具有約2000埃到2500埃的厚度。第二鈍化層130在隨后的制作步驟中保護(hù)第二金屬層125。
采用氮化物在第二鈍化層130上形成蝕刻阻止層140以使其具有約1000埃到2000埃的厚度。利用低壓化學(xué)汽相淀積法(LPCVD)形成蝕刻阻止層140。蝕刻阻止層140在隨后的制作步驟中對第二鈍化層130起保護(hù)作用。
采用PSG在蝕刻阻止層140上形成第一犧牲層145以使其具有約2.0μm到3.0μm的厚度。第一犧牲層145使得由薄膜層構(gòu)成的驅(qū)動裝置200很容易地就形成了。等驅(qū)動裝置200完全形成時，采用氟化氫蒸汽即可去除第一犧牲層145。第一犧牲層145是利用大氣壓下的CVD(APCVD)方法形成的。在這種情況下，第一犧牲層145的平整度差，因為第一犧牲層145覆蓋了含有電路105和連接點110的襯底100的頂部。因此，采用在玻璃上的旋壓法(SOG)或采用化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP)對第一犧牲層145的表面進(jìn)行平整。優(yōu)選地，采用CMP方法對第一犧牲層145進(jìn)行平整。
當(dāng)?shù)谝粻奚鼘?45中的下面形成有連接點110的那部分沿著縱向被模制以暴露出一部分蝕刻阻止層140之后，在蝕刻阻止層140的暴露部分上和第一犧牲層145上形成第一層149。采用剛性材料，如氮化物或金屬形成第一層149以使其具有約0.1μm到1.0μm的厚度。當(dāng)利用LPCVD方法形成第一層149時，根據(jù)反應(yīng)時間調(diào)整氮氣的比例以釋放第一層149中的應(yīng)力。對第一層149進(jìn)行模制以形成支持層150。
圖9A和9B表示形成頂部電極層164時的情形。
參照圖9A和9B，當(dāng)采用旋涂法在第一層149上形成了一感光性樹脂層151之后，對該感光性樹脂層151進(jìn)行模制以便沿著橫向暴露出一部分第一層149。結(jié)果，與連接點110相連的這部分第一層149暴露出一長方形形狀。在利用濺射法在第一層149的暴露部分上和第一感光性樹脂層151上形成了一底部電極層154之后，對底部電極層進(jìn)行模制以便就公共線166形成的位置而言在第一層149的暴露部分上形成底部電極155。因此，底部電極155為長方形。采用電金屬，如鉑(Pt)、鉭(Ta)、或鉑-鉭(Pt-Ta)形成底部電極155以使其具有約0.1μm到1.0μm的厚度。
第二層159在底部電極155和第一感光性樹脂層151的上面。采用一種壓電材料，如PZT(Pb(Zr，Ti)O3)或PLZT((Pb，La)(Zr，Ti)O3)形成第二層159以使其具有約0.1μm到1.0μm的厚度。優(yōu)選地，第二層具有約0.4μm的厚度。此外，采用一種電致伸縮材料，如PMN(Pb(Mg，Nb)O3)形成第二層。在利用Sol-Gel方法、濺射法或CVD方法形成第二層之后，利用快速熱退火(RTA)方法對第二層進(jìn)行退火。對第二層進(jìn)行模制以便形成有源層160。
在第二層159的上面覆蓋有一層頂部電極層164。頂部電極層164是采用具有導(dǎo)電性的金屬材料制成的，如鋁(Al)、鉑或鉭(Ta)。頂部電極層164是利用濺射法形成的以使其具有約0.1μm到1.0μm之間的厚度。對頂部電極層164進(jìn)行模制以便形成頂部電極165。
圖10A表示驅(qū)動裝置200形成的情形，而圖10B表示通路接觸裝置175形成的情形。
參照圖10A，當(dāng)利用旋涂法在頂部電極層164上涂覆一層第二感光性樹脂層(未示出)之后，利用該第二感光性樹脂層作為蝕刻掩模對頂部電極層164進(jìn)行模制以便形成頂部電極165。頂部電極165為長方形。利用對頂部電極層164模制的相同方法對第二層159進(jìn)行模制以形成有源層160。即，在利用蝕刻法去除了第二感光性樹脂層之后，利用旋涂法在頂部電極165和第二層159上涂覆一第三感光性樹脂層(未示出)。將第三感光性樹脂層作為掩模對第二層進(jìn)行模制以便形成有源層160。有源層160為比頂部電極165更寬的長方形。此時，有源層160具有比前面形成的底部電極155更小的尺寸。
利用上述方法對第一層149進(jìn)行模制以便形成支持層150。支持層150為不同于底部電極155的形狀的T形。底部電極155是在支持層150的中央部分形成的。
在去除了第一感光性樹脂層151之后，在支持層150的第一部分上形成公共線166。也就是說，在利用旋涂法在支持層151上涂覆了一第四感光性樹脂層(未示出)并隨后對第四感光性樹脂層進(jìn)行模制以暴露出支持層150的第一部分之后，采用一種導(dǎo)電金屬，如鉑、鉭、鉑-鉭、鋁或銀在支持層150的暴露部分上形成公共線166。公共線166是采用濺射法或(CVD)法形成的以使其具有約1.5μm到2.0μm之間的厚度。這時，公共線166以一預(yù)定的距離與底部電極155隔開并且與頂部電極165和有源層160相連。如上所述，當(dāng)?shù)诙盘柾ㄟ^公共線166時，由于公共線166較粗，其內(nèi)阻下降，因此，第二信號的壓降被減至最小。進(jìn)而，通過公共線166在頂部電極165上施加了一足夠大的第二信號，因此，在頂部電極165和底部電極155之間產(chǎn)生一足夠大的電場。
參照圖10B，當(dāng)對第四感光性樹脂層進(jìn)行模制時，將下面具有連接點110的第一部分支持層150暴露出來。同時，暴露出與支持層150的第一部分相鄰的一部分。利用蝕刻法從支持層150的第一部分到連接點110，穿過蝕刻阻止層140、第二鈍化層130和第一鈍化層120形成有一通路孔170。在從連接點110到支持層150的通路孔170中形成一通路接觸裝置175。同時，在從底部電極155到通路接觸裝置175之間的與支持層150的第一部分相鄰的那部分上形成連接元件176。所以，通路接觸裝置175、連接元件176和底部電極155依次相連。通路接觸裝置175和連接元件176是利用濺射法或CVD方法形成的。通路接觸裝置175和連接元件176是利用導(dǎo)電金屬，如鉑、鉭或鉑-鉭制成的。連接元件176具有約0.5μm到1.0μm的厚度。進(jìn)而，當(dāng)?shù)谝恍盘柾ㄟ^連接元件176時，由于連接元件176較厚，其內(nèi)阻下降，因此，第一信號的壓降被減至最小。在利用蝕刻法去除了第四感光性樹脂層之后，具有頂部電極165、有源層160、底部電極155和支持層150的驅(qū)動裝置200就完成了。
圖11A和11B表示形成反射元件190的情形。
參照圖11A和11B，采用氟化氫(HF)蒸汽去除第一犧牲層145，采用一種聚合物在驅(qū)動裝置200上形成一第二犧牲層180。利用旋涂法形成該第二犧牲層180以使其完全覆蓋住頂部電極165。接著，對第二犧牲層180進(jìn)行模制以暴露出一部分頂部電極165。在頂部電極165的暴露部分上形成支柱185并且在支柱185和第二犧牲層180上形成反射元件190。反射元件190和支柱185是采用一種反射式金屬，如鋁、鉑或銀同時形成的。支柱185和反射元件190是采用濺射法或CVD方法形成的。優(yōu)選地，用于反射來自光源(未示出)的入射光的反射元件190是一反射鏡并且具有約0.1μm到1.0μm的厚度。反射元件190為一覆蓋住頂部電極165的長方形金屬板。如上所述，由于反射元件190是在第二犧牲層180上形成的，因此，反射元件190的平整度增加。在利用蝕刻法去除了第二犧牲層180之后，上面形成有反射元件190的驅(qū)動裝置200就完成了，如圖6和7所示。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜AMA的工作原理。
在根據(jù)本實施例的薄膜AMA中，第一信號(圖像電流信號)通過電路105、連接點110、通路接觸裝置175和連接元件176被施加在底部電極155上。同時，第二信號(偏置電流信號)通過公共線166被施加在頂部電極165上。所以，在頂部電極165和底部電極155之間產(chǎn)生一電場。在頂部電極165和底部電極155之間形成的有源層160由于電場作用而產(chǎn)生變形。有源層160沿著垂直于電場方向產(chǎn)生變形。有源層160沿著相對于支持層150的方向產(chǎn)生驅(qū)動。即，具有有源層160的驅(qū)動裝置200向上以一預(yù)定的傾斜角被驅(qū)動。
用于反射來自光源的入射光的反射元件190與驅(qū)動裝置200一起傾斜，因為反射元件190由支柱185支撐并形成在驅(qū)動裝置200上。因此，反射元件190以一預(yù)定的傾斜角反射入射光，以使圖像被投射到屏幕上。
所以，在根據(jù)本實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式發(fā)射鏡陣列中，利用第二金屬層將來自光源的入射光排除在外。因此，在第一和第二信號被分別施加在底部電極155和頂部電極165上之前，可以防止由于由入射光引起的圖像泄漏電流而造成的驅(qū)動裝置的誤操作。
圖12A和12B是根據(jù)本發(fā)明的第二個實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的一剖視圖。
參照圖12A和12B，根據(jù)本實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜AMA具有一襯底100，一在襯底100上形成的驅(qū)動裝置200，和一在驅(qū)動裝置200的一部分上形成的反射元件190。
除了在第二鈍化層130和蝕刻阻止層140之間還形成有一基本上排除襯底100上的入射光的第三金屬層235和一用于保護(hù)第三金屬層235的第三鈍化層239以外，根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列具有與圖6和7所示的本發(fā)明第一實施例的陣列相同結(jié)構(gòu)的元件和相同的形狀。在本發(fā)明第二個實施例中，與本發(fā)明第一實施例相同的標(biāo)號被用來表示相同的元件。
下面，將說明制作根據(jù)本實施例的薄膜AMA的方法。
圖13A和13B表示制作根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜反射鏡陣列的步驟。在本實施例中，直到形成第二鈍化層130之前的步驟與圖8A和8B所示的本發(fā)明第一實施例的步驟是相同的。
參照圖13A和13B，提供了具有電路105和連接點110的襯底100。優(yōu)選地，襯底100由一種半導(dǎo)體，如硅(Si)制成。電路105接收第一信號(圖像電流信號)并將其傳送給底部電極155。優(yōu)選地，電路105具有用于轉(zhuǎn)換操作所MOS三極管。
隨后，將鈦、氮化鈦或鎢淀積在電路105和襯底100上，并進(jìn)行模制以形成第一金屬層115。第一金屬層115具有與電路105相連的連接點110并將第一信號傳送給底部電極155。
在具有襯底100和連接點110的第一金屬層115上形成第一鈍化層120。第一鈍化層120是采用硅酸磷玻璃(PSG)制成的。利用化學(xué)汽相淀積法(CVD)形成第一鈍化層120以使其具有約8000埃到9000埃的厚度。第一鈍化層120在隨后的制作步驟中對含有電路105和連接點110的襯底100起保護(hù)作用。
在第一鈍化層120上形成第二金屬層125。為了形成該第二金屬層125，首先，采用鈦形成第一附著層126。第一附著層126是利用濺射法形成的以使其具有約300埃到500埃的厚度。然后，采用氮化鈦在第一附著層126上形成第一阻擋層127。第一阻擋層127是利用物理汽相淀積法(PVD)形成的以使其具有約1000埃到1200埃的厚度。第二金屬層125排除了投射到襯底100上的入射光從而它防止了圖像泄漏電流流過襯底100。此后，對下面具有連接點110的那部分第二金屬層125進(jìn)行蝕刻以形成第一開口128。第一開口128將底部電極155和頂部電極165與第二金屬層125隔絕開來。
在第二金屬層125和第一開口128上形成第二鈍化層130。利用硅酸磷玻璃形成第二鈍化層130。采用化學(xué)汽相淀積法形成第二鈍化層130以使其具有約2000埃到2500埃的厚度。第二鈍化層130在隨后的制作步驟中保護(hù)第二金屬層125。
在第二鈍化層130上形成第三金屬層235。為了形成該第三金屬層235，首先，采用鈦形成第二附著層236。第二附著層236是利用濺射法形成的以使其具有約300埃到500埃的厚度。然后，采用氮化鈦在第二附著層236上形成第二阻擋層237。第二阻擋層237是利用物理汽相淀積法(PVD)形成的以使其具有約1000埃到1200埃的厚度。第三金屬層235排除了投射到襯底100上的入射光從而它防止了圖像泄漏電流流過襯底100。此后，對下面具有的第一開口128的那部分第三金屬層235進(jìn)行蝕刻以形成第二開口238。第二開口238將底部電極155和頂部電極165與第三金屬層235隔絕開來。
在第三金屬層235和第二開口238上形成第三鈍化層239。利用硅酸磷玻璃形成第三鈍化層239。采用化學(xué)汽相淀積法(CVD)形成第三鈍化層239以使其具有約6000埃到7000埃的厚度。第三鈍化層239在隨后的制作步驟中保護(hù)第三金屬層235。
在本發(fā)明第二個實施例中，薄膜AMA的下列制作步驟與圖9A至11B所示的本發(fā)明第一實施例的步驟是相同的。
根據(jù)本實施例，來自光源的入射光基本上被第三金屬層所排除。然后，透過第三金屬層傳輸?shù)墓庥衷俅伪坏诙饘賹铀懦Ｒ虼?，在第一和第二信號被分別施加在底部電極和頂部電極上之前，可以防止由于由入射光造成的圖像泄漏電流而引起的驅(qū)動裝置的誤操作。
圖14A和14B是根據(jù)本發(fā)明第三個實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的一剖視圖。
參照圖14A和14B，根據(jù)本實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜AMA具有一襯底100，一在襯底100上形成的驅(qū)動裝置200，和一在驅(qū)動裝置200上形成的反射元件190。
除了第三金屬層335的形狀及其制造方法不同于本發(fā)明第二個實施例以外，根據(jù)本發(fā)明第三個實施例的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列與圖12A和12B所示的本發(fā)明第二個實施例具有相同結(jié)構(gòu)的元件及形狀。在本發(fā)明第三個實施例中，與本發(fā)明第二個實施例相同的元件采用相同的標(biāo)號。
下面，將說明根據(jù)本實施例的薄膜AMA的制造方法。
圖15A和15B表示制作根據(jù)本發(fā)明第三個實施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的步驟。在本實施例中，直到形成第二鈍化層130之前的步驟與圖8A和8B所示的本發(fā)明第一實施例的步驟是相同的。
參照圖15A和15B，提供了具有電路105和連接點110的襯底100。優(yōu)選地，襯底100由一種半導(dǎo)體，如硅(Si)制成。電路105接收第一信號(圖像電流信號)并將其傳送給底部電極155。優(yōu)選地，電路105具有用于轉(zhuǎn)換操作的MOS三極管。
隨后，將鈦、氮化鈦或鎢淀積在電路105和襯底100上，并進(jìn)行模制以形成第一金屬層115。第一金屬層115具有與電路105相連的連接點110并將第一信號傳送給底部電極155。
在具有襯底100和連接點110的第一金屬層115上形成第一鈍化層120。第一鈍化層115是采用PSG制成的。利用化學(xué)汽相淀積法(CVD)形成第一鈍化層120以使其具有約8000埃到9000埃的厚度。第一鈍化層120在隨后的制作步驟中對含有電路105和連接點110的襯底100起保護(hù)作用。
在第一鈍化層120上形成第二金屬層125。為了形成該第二金屬層125，首先，采用鈦形成第一附著層126。第一附著層126是利用濺射法形成的以使其具有約300埃到500埃的厚度。然后，采用氮化鈦在第一附著層126上形成第一阻擋層127。第一阻擋層127是利用物理汽相淀積法(PVD)形成的以使其具有約1000埃到1200埃的厚度。第二金屬層125排除了投射到襯底100上的入射光從而它防止了圖像泄漏電流流過襯底1O0。此后，對下面具有連接點110的那部分第二金屬層125進(jìn)行蝕刻以形成第一開口128。第一開口128將底部電極155和頂部電極165與第二金屬層125隔絕開來。
在第二金屬層125和第一開口128上形成第二鈍化層330。利用硅酸磷玻璃形成第二鈍化層330。采用CVD方法形成第二鈍化層330以使其具有約8000埃到9000埃的厚度。第二鈍化層330在隨后的制作步驟中保護(hù)第二金屬層125。
接著，以一預(yù)定的深度去除形成第一開口128的一部分第二鈍化層330的兩側(cè)。如圖15A和15B所示，在去除了第二鈍化層330的那些部分之間的水平距離(d1)大于第一開口128的直徑(d2)。當(dāng)去除了第二鈍化層330時，第二金屬層125未被暴露出來。此后，在第二鈍化層330和其被去除了的部分上形成第三金屬層335。第三金屬層335是采用鋁或銀并利用濺射法形成的。
然后，去除除了那些第二鈍化層330的已去除部分和第三金屬層335覆蓋住第一開口128的部分以外的第三金屬層335的剩余部分。優(yōu)選地，第三金屬層335以一覆蓋住第一開口128的形狀形成。第三金屬層335防止了入射光通過第一開口128入射到襯底100上。
在本發(fā)明第三個實施例中，薄膜AMA的下列制作步驟及工作原理與圖9A至11B所示的本發(fā)明第一實施例的步驟和工作原理是相同的。
根據(jù)本實施例，第二金屬層防止了來自光源的入射光入射到襯底100上。此外，第三金屬層335防止了通過第一開口128的透射光入射到襯底100上。因此，在第一和第二信號被分別施加在底部電極和頂部電極上之前，可以防止由于由入射光造成的圖像泄漏電流而引起的驅(qū)動裝置的誤操作。
此外，由于不必在第三金屬層335上形成第三鈍化層239，因此，本實施例還具有減少制作步驟的優(yōu)點。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列中，利用第二金屬層和第三金屬層排除了來自光源的入射光。因此，在第一和第二信號被分別施加在底部電極和頂部電極上之前，可以防止由于由入射光造成的圖像泄漏電流而引起的驅(qū)動裝置的誤操作。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是，應(yīng)該理解，本發(fā)明不應(yīng)被局限于這些優(yōu)選實施例，而對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以在此后所要求本發(fā)明的精神實質(zhì)和保護(hù)范圍之內(nèi)作出各種不同的變化和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的由第一信號和第二信號驅(qū)動的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，包括一具有用于接收并傳輸來自外部的第一信號的電路的襯底；一在所述的具有與所述的用于傳輸?shù)谝恍盘柕碾娐废噙B的連接點的襯底上形成的第一金屬層；一用于保護(hù)含有所述電路和所述連接點的所述的襯底的第一鈍化層，所述第一鈍化層是在所述電路和所述第一金屬層上形成的；在所述的第一鈍化層上形成的用于防止由來自光源的入射光造成的圖像泄漏電流的第二金屬層；一驅(qū)動裝置，包括在所述第二金屬層上形成的一支持層；用于接收第一信號的底部電極，所述底部電極是在支持層上形成的；與所述底部電極對應(yīng)的頂部電極，用于接收第二信號并在所述頂部電極和所述底部電極之間產(chǎn)生一電場；及一在所述頂部電極和所述底部電極之間形成的并由于電場作用而產(chǎn)生變形的有源層；和用于反射光的反射元件，所述反射元件是在所述驅(qū)動裝置上形成的。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，所述第二金屬層還包括一用來保護(hù)所述第二金屬層的第二鈍化層，所述第二鈍化層是在所述第二金屬層上形成的，和一用來保護(hù)所述第二鈍化層的蝕刻阻止層，所述蝕刻阻止層是在所述第二鈍化層上形成的，以及所述驅(qū)動裝置還包括一用于將第二信號施加到所述頂部電極上的公共線，所述公共線是在所述驅(qū)動裝置的一部分上形成的并與所述頂部電極相連。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，其中，所述的第二鈍化層是采用硅酸磷玻璃形成的，所述的蝕刻阻止層是采用氮化物形成的，以及所述的公共線是采用導(dǎo)電金屬形成的。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，所述的第二金屬層還包括一在所述第一鈍化層上形成的第一附著層和一在所述第一附著層上形成的第一阻擋層。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，其中，所述的第一附著層是用鈦形成的，所述的第一阻擋層是用氮化鈦形成的。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，其中，在下面具有所述連接點的所述第二金屬層的一部分上形成有一第一開口。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，所述的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列還包括一用于防止由于入射光造成的圖像泄漏電流的第三金屬層，所述第三金屬層是在所述第二金屬層上形成的。
8.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，所述的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列還包括一用來保護(hù)所述第三金屬層的第三鈍化層，所述第三鈍化層是在所述第三金屬層上形成的。
9.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，所述的第三金屬層還包括一在所述第二金屬層上形成的第二附著層和一在所述第二附著層上形成的第二阻擋層。
10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，其中所述的第二附著層是由鈦形成的和所述第二阻擋層是由氮化鈦形成的。
11.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，其中，在下面具有所述連接點的一部分所述第三金屬層上形成一第二開口。
12.一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的由第一信號和第二信號驅(qū)動的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，包括一具有用于接收并傳輸來自外部的第一信號的電路的襯底；一在所述的具有與所述的用于傳輸?shù)谝恍盘柕碾娐废噙B的連接點的襯底上形成的第一金屬層；一用于保護(hù)含有所述電路和所述連接點的所述的襯底的第一鈍化層，所述第一鈍化層是在所述電路和所述第一金屬層上形成的；在所述的用于防止由來自光源的入射光造成的圖像泄漏電流的第一鈍化層上形成的第二金屬層；一在所述的第二金屬層上形成的用來保護(hù)所述第二金屬層的第二鈍化層；一在所述第二鈍化層上形成的用來防止由入射光造成的圖像泄漏電流的第三金屬層；一驅(qū)動裝置，包括在所述第二金屬層上形成的一支持層；用于接收第一信號的底部電極，所述底部電極是在支持層上形成的；與所述底部電極對應(yīng)的頂部電極，用于接收第二信號并在所述頂部電極和所述底部電極之間產(chǎn)生一電場；及一在所述頂部電極和所述底部電極之間形成的并由于電場作用而產(chǎn)生變形的有源層；和用于反射光的反射元件，所述反射元件是在所述驅(qū)動裝置上形成的。
13.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，所述第三金屬層還包括一用來保護(hù)所述第三金屬層的第三鈍化層，所述第三鈍化層是在所述第三金屬層上形成的，和一用來保護(hù)所述第三鈍化層的蝕刻阻止層，所述蝕刻阻止層是在所述第三鈍化層上形成的，以及所述驅(qū)動裝置還包括一用于將第二信號施加到所述頂部電極上的公共線，所述公共線是在所述驅(qū)動裝置的一部分上形成的并與所述頂部電極相連。
14.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，所述的第二金屬層還包括一采用鈦在所述第一鈍化層上形成的第一鈍化層和一采用氮化鈦在所述第一附著層上形成的第一阻擋層。
15.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，所述的第三金屬層還包括一采用鈦在所述第二鈍化層上形成的第二附著層和一采用氮化鈦在所述第二附著層上形成的第二阻擋層。
16.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，其中，在下面具有連接點的一部分所述第二金屬層上形成一第一開口和在下面具有第一開口的一部分所述第三金屬層上形成一第二開口。
17.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列，其中，所述第三金屬層是在下面具有所述連接點的一部分所述第二鈍化層上形成的。
18.一種用于制作光學(xué)投影系統(tǒng)中的由第一信號和第二信號驅(qū)動的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的方法，所述方法包括下列步驟提供一具有接收和傳輸來自外部的第一信號的電路的襯底；在所述襯底上形成第一金屬層，所述第一金屬層具有與所述用來傳輸?shù)谝恍盘柕碾娐废噙B的連接點；在所述電路和所述第一金屬層上形成一第一鈍化層；在所述第一鈍化層上形成一第二金屬層，用來防止由來自光源的入射光造成的圖像泄漏電流；在所述第二金屬層上形成一第二鈍化層，用來保護(hù)所述第二金屬層；在所述第二鈍化層上形成一第一層；在所述第一層上形成一底部電極層并對其模制以形成一用來接收第一信號的底部電極；在所述底部電極上形成一第二層和一頂部電極層；通過對所述頂部電極層模制以形成一用來接收第二信號并產(chǎn)生電場的頂部電極；通過對所述第二層模制以形成一由于電場作用而變形的有源層；以及通過對第一層模制以便在所述底部電極下面形成一支持層，這樣，構(gòu)成驅(qū)動裝置；和在所述驅(qū)動裝置上形成一用來反射光的反射裝置。
19.如權(quán)利要求18所述的制作光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的方法，形成所述第二金屬層的步驟還包括下列步驟采用鈦并利用濺射法在所述第一鈍化層上形成一第一附著層，和采用氮化鈦并利用物理汽相淀積法在所述第一附著層上形成一第一阻擋層。
20.如權(quán)利要求18所述的制作光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動式反射鏡陣列的方法，形成所述第二金屬層的步驟還包括下列步驟通過對下面有連接點的所述第二金屬層的一部分進(jìn)行蝕刻以形成一開口。
全文摘要
一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜AMA及其制作方法。薄膜AMA具有一包含用來接收并傳輸由外部施加的第一信號的電路的襯底、具有連接點的第一金屬層、第一鈍化層、第二金屬層、驅(qū)動裝置和一反射元件。驅(qū)動裝置具有一支持層、底部電極、有源層和一頂部電極。利用在第一金屬層上形成的第二金屬層可以排除來自光源的入射光。在第一信號和第二信號分別被施加在底部電極和頂部電極上之前,可以防止由于有入射光造成的圖像泄漏電流而引起的驅(qū)動裝置的誤操作。
文檔編號G02B26/08GK1195115SQ97125920
公開日1998年10月7日 申請日期1997年12月25日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月28日
發(fā)明者閔同焄, 樸相昱 申請人:大宇電子株式會社