專利名稱：制造半導(dǎo)體器件的方法
本說明書中公開的發(fā)明涉及制造集成薄膜半導(dǎo)體器件的方法。本說明書中公開的發(fā)明還涉及制造有源矩陣式液晶顯示器的方法。
有源矩陣式液晶顯示器已經(jīng)是通常已知的。這些器件具有這樣的結(jié)構(gòu)在設(shè)置于玻璃基片上總量大約幾十萬個(gè)的象素電極中的每一個(gè)處均設(shè)置有一薄膜晶體管。設(shè)置在每個(gè)象素電極之處的所述薄膜晶體管具有控制電荷進(jìn)入和離開象素電極的功能。
已知另一種結(jié)構(gòu)，其中，在與上述相同的玻璃基片上集成用于驅(qū)動(dòng)設(shè)置在象素電極處的薄膜晶體管的薄膜晶體管電路(稱為“驅(qū)動(dòng)電路”)。這稱為“外圍集成有源矩陣式”(“peripheral-integrated activematrixtype”)。
在制造這種有源矩陣式液晶顯示器件時(shí)會(huì)遇到一種現(xiàn)象，其中，集成在所述玻璃基片上的有些薄膜晶體管失效。
本發(fā)明人已經(jīng)積極地研究了這個(gè)問題，并且，得到下述的發(fā)現(xiàn)。
當(dāng)制造諸如有源矩陣式液晶顯示器之類的集成半導(dǎo)體器件時(shí)，利用等離子體化學(xué)氣相淀積(CVD)法或者濺射法和等離子體刻蝕法來形成各種絕緣薄膜和接線。
圖3示意地說明在產(chǎn)生等離子體期間離子的能量(相對值)和數(shù)量(相對值)之間的關(guān)系。通常，存在相對地不少能給所述基片造成等離子損傷的高能離子，如圖3中用斜線所表示的。
其間，存在這樣的事實(shí)用等離子體CVD或者濺射形成的絕緣薄膜不細(xì)密，并且其耐壓低至大約幾十伏或更低。此外，存在這樣的問題所使用的基片非常容易帶電，這是由于所述基片是由屬于基本上完全的絕緣體的玻璃或者石英制成。
圖4(B)說明制造如圖4(A)中用符號(hào)表示的一種薄膜晶體管的一個(gè)步驟。圖4(B)表示形成層間絕緣薄膜31的情形。
在這種情況下，假定利用等離子體CVD或者濺射來形成層間絕緣層31。顯然，在生成所述薄膜期間，圖2中所示的具有高能量的離子撞擊所述樣品。
通常，源極(S)和柵極(G)彼此不連接。因此，在利用等離子體的制造步驟期間，雖然僅僅局部地，但可能發(fā)生這樣的情況，其中，源極(S)和柵極(G)之間的電位差瞬間可達(dá)到從幾十伏到幾百伏范圍內(nèi)的值。
所述源極和柵極備有有源層32和介入它們之間的柵極絕緣薄膜30。用等離子體CVD或者濺射形成的柵極絕緣薄膜30的耐壓是幾十伏或者更低。因此，在上述情況下，柵極絕緣薄膜30在電氣性能上被毀壞。
這導(dǎo)致該薄膜晶體管失效?？梢圆捎迷谛纬蓪娱g絕緣薄31期間把源極和柵極電短路、即，使得它們具有相同電位的辦法來解決這個(gè)問題。但是，在該器件最終工作時(shí)，源極和柵極是不能直接地電短路的。
考慮到這一點(diǎn)，在圖4(B)中所示的工藝過程中必須把源極和柵極電短路直至最后階段，然后，必須使它們開路。
本發(fā)明的目的是提供一種解決在圖4(B)中所示的制造步驟中半導(dǎo)體器件毀壞的問題的技術(shù)。具體地說，本發(fā)明的目的是提供一種使制造過程中的半導(dǎo)體器件免遭等離子體施加的脈沖式高電壓的毀壞(這種高電壓是局部地和瞬時(shí)地加上的)的技術(shù)。
如圖2(A)和2(E)中各制造步驟的具體例子中所說明的，本說明書中公開的發(fā)明以它的一個(gè)方面為特征，在這方面，它包括以下步驟形成延伸到薄膜晶體管的柵極101的第一接線100，在第一接線上生成第一絕緣薄膜206，在所述絕緣薄膜上形成連接到薄膜晶體管的源區(qū)211的第二接線102，在第二接線上生成第二絕緣薄膜207，以及在第二絕緣薄膜上形成導(dǎo)電圖案214，以及在這方面以放電圖案的形式形成第一和/或第二接線(見圖6(A)和6(B)，或者，見圖7)，以及在形成所述導(dǎo)電圖案的同時(shí)切斷所述第一和/或第二接線(見圖2(E))。
在上述結(jié)構(gòu)中，絕緣薄膜中的每一個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)。
如圖2(A)至圖2(E)中各制造步驟的具體例子中所說明的，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造有源矩陣式電路(見

圖1)的工藝方法，該工藝方法的特征在于包括以下步驟形成第一多根接線101，在第一多根接線101上生成第一絕緣薄膜206，在第一絕緣薄膜上以網(wǎng)格的形式形成垂直于所述第一多根接線的第二多根接線102，在第二多根接線上生成第二絕緣薄膜207，以及在第二絕緣薄膜上形成導(dǎo)電圖案214，以及在這方面以放電圖案的形式形成第一和/或第二接線(見圖6(A)和6(B)，或者，見圖7)，以及在形成所述導(dǎo)電圖案的同時(shí)切斷第一和/或第二接線。
本發(fā)明的特征在于其另一個(gè)方面，在這方面，它包括以下步驟形成構(gòu)成有源矩陣式電路的接線，在該接線上生成絕緣薄膜，以及在該絕緣薄膜上形成導(dǎo)電圖案，以及在這方面所述接線包含放電圖案，以及在形成所述導(dǎo)電圖案時(shí)切斷所述包含放電圖案的接線。
例如，這種結(jié)構(gòu)用于以下的情況當(dāng)形成如圖6(A)、6(B)和7中所示的放電圖案以便把圖1中用標(biāo)號(hào)100和114表示的接線短路的時(shí)候，以及當(dāng)在構(gòu)成象素電極的圖案期間使所述放電圖案與以矩陣的形式設(shè)置的接線101和102斷路的時(shí)候(見圖2(A)和2(E))。
本發(fā)明的特征在于其包括以下步驟的另一方面形成構(gòu)成有源矩陣式電路的接線，在該接線上生成絕緣薄膜，以及在該絕緣薄膜上形成導(dǎo)電圖案，以及在這方面所述接線包含放電圖案，以及當(dāng)形成所述導(dǎo)電圖案時(shí)，把所述放電圖案與所述構(gòu)成的有源矩陣電路的接線隔開。
在圖2(A)至2(E)中所示的工藝方法中，在構(gòu)成象素電極214的圖案期間切斷用于使各接線彼此連接的接線100和114，這種工藝方法使得在構(gòu)成象素電極和圖案之前能夠把所述各接線短路。
這使得有可能消除在利用等離子體工藝方法的的制造過程中、在半導(dǎo)體器件的絕緣薄膜上加上局部的高電壓的現(xiàn)象。此外，由于采用了在構(gòu)成象素電極的圖案時(shí)切斷所述短路部分的工藝步驟，所以，能夠利用一種不增加制造步驟的結(jié)構(gòu)。
此外，由于在接線100和114上設(shè)置用于把各接線彼此連接的如圖6和7中所示的放電圖案，所以，能夠減小或者消除在制造步驟進(jìn)行期間通過接線100和114傳播的脈沖電壓。
圖1示意地表示有源矩陣式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)。
圖2(A)至2(E)表示制造有源矩陣式電路的步驟。
圖3表示在等離子體中離子能量的分布。
圖4(A)和4(B)表示制造普通薄膜晶體管的步驟。
圖5(A)和5(B)表示有源矩陣式電路的例子。
圖6(A)和6(B)表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的放電圖案的例子。
圖7說明根據(jù)本發(fā)明的接線圖案。
圖8(A)和8(B)表示利用本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換器件的應(yīng)用實(shí)例。
下面將描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。
在如圖1中所示的有源矩陣式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)中，本實(shí)施例的特征在于在構(gòu)成象素電極(未示于圖1中)的圖案時(shí)，通過刻蝕去除用標(biāo)號(hào)103、104和105表示的區(qū)域。
下面將在這樣的工藝步驟方面描述本實(shí)施例，其中，在最后階段，把已經(jīng)設(shè)置在有源矩陣區(qū)域中的并且已經(jīng)彼此連接的源極接線和柵極接線斷開。
在最后的步驟中形成象素電極，并且，在形成所述象素電極之后再?zèng)]有利用等離子體的制造步驟，因此，可以認(rèn)為形成象素電極的步驟是利用等離子體的最后步驟。
在本實(shí)施例中，例如，在形成象素電極之前，通過用標(biāo)號(hào)109表示的短路接線(該接線是在形成柵極接線時(shí)同時(shí)形成的)而使柵極接線101和源極接線102保持連接。
即，在最后一個(gè)利用等離子體的工藝步驟之前，源極接線和柵極接線一直是電短路的。即，薄膜晶體管106的柵極110和源極211連接在一起并且處于同一電位。
即使當(dāng)不可避免地加上局部高壓時(shí)，這也可以避免在薄膜晶體管106的柵極110和源極211(該電極是由圖1中源極接線102延伸而成的)之間加上幾十伏或者更高的電壓的情形。這使得有可能避免制造過程中由于由等離子體誘發(fā)的高壓脈沖而毀壞薄膜晶體管。
在構(gòu)成象素電極的圖案以便形成完整的電路時(shí)，在淀積用于象素電極的氧化銦錫(ITO)之后，在用標(biāo)號(hào)103表示的區(qū)域處把這些接線斷開。圖1示出用于同時(shí)把這些接線切斷的、用標(biāo)號(hào)104和105表示的其他兩個(gè)區(qū)域。
圖1中所示的結(jié)構(gòu)使得柵極接線101和102，以及源極接線102和108在制造工藝步驟期間能夠全部處在同一電位。此外，它能夠解決在利用等離子體或者放電的薄膜生成步驟或刻蝕步驟期間產(chǎn)生不必要的電位差的問題。
圖2(A)至2(E)是說明圖1中所示結(jié)構(gòu)的制造步驟的剖視圖。圖2(A)至2(E)示出圖1中所示結(jié)構(gòu)中薄膜晶體管106的剖面的制造流程圖，由柵極接線101延伸的短路線100的A-A’線剖開的剖面制造流程圖以及由源極接線102延伸的短路線114的從同一圖上的B-B’線剖開的剖面制造流程圖(實(shí)際得到剖面結(jié)構(gòu)將不同于圖2(A)至2(E)中所示的剖面結(jié)構(gòu))。
下面將描述示于圖2(A)至2(E)中的制造步驟。如圖2(A)所示，首先在玻璃基片201上生成氧化硅薄膜(未示出)作為基底涂層薄膜。在這個(gè)玻璃基片201上形成如圖1中所示的結(jié)構(gòu)。
接著，使用等離子體CVD或者低壓熱CVD生成500厚度的非晶形硅薄膜。這個(gè)非晶形硅薄膜的厚度可以是大約200～2000。然后，對該薄膜進(jìn)行激光束照射和/或熱處理。結(jié)果，形成一種圖中未示出的結(jié)晶的硅薄膜。
把結(jié)晶的硅薄膜(未示出)構(gòu)成圖案，以便形成圖2(A)中用標(biāo)號(hào)202指示的薄膜晶體管的有源層。接著，利用等離子體CVD或者濺射生成作為柵極絕緣薄膜的厚度為1000的氧化硅薄膜203。
用濺射法生成厚度5000的含有0.2％重量比的鈧的鋁薄膜(未示出)。在所述鋁薄膜中包含非常少量的鈧的目的是要抑制小丘和晶須的產(chǎn)生，小丘和晶須是因?yàn)殇X的反常生長而形成的角形的和剌形的凸起物。
接著，把該鋁膜構(gòu)成圖案，以便形成柵極接線101和由柵極接線101延伸的柵極電極110。同時(shí)形成由柵極接線101延伸的短路接線100。
在這個(gè)步驟中還同時(shí)形成在圖2中未示出的、而在圖1中用109表示的短路接線。柵極接線101，由該柵極接線延伸的柵極電極110，以及由柵極接線101延伸的短路接線100稱為“第一層接線”。
此外，如后面關(guān)于另一實(shí)施例所詳細(xì)描述的，所述短路接線備有圖案，以便減小或者消除已經(jīng)在這里被放電的或者誘發(fā)的高壓脈沖。
接著，在電解液中把柵極110，柵極接線101，以及從所述柵極接線延伸的短路接線100和109作為陽極而進(jìn)行陽極化處理。在這個(gè)步驟中，如圖2(A)所示形成陽極氧化薄膜204和205。
形成厚度500的陽極氧化薄膜。該陽極氧化薄膜有效地抑制小丘的形成，從而避免所述接線間發(fā)生短路。這樣，得到如圖2(A)中所示的狀態(tài)。
所述陽極化步驟使用含有3％的酒石酸、用氨水中和的乙二醇作為電解液。通過在分別作為陽極和陰極的鋁圖案和鉑之間的這種電解液中流通電流來進(jìn)行所述陽極化。
然后，在如圖2(A)中所示的狀態(tài)下注入雜質(zhì)離子。在這個(gè)步驟中，以自對準(zhǔn)的方式形成源區(qū)211和漏區(qū)212。
接著，利用等離子體CVD生成作為第一層間絕緣薄膜206的、厚度5000的氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜，可以使用包含氧化硅薄膜和氮化硅薄膜或者氮化氧化硅(silicon oxide nitride)薄膜的疊層薄膜作為這種層間絕緣層。氮化氧化硅薄膜是利用四乙氧基硅烷(TEOS)氣體和N2O氣體的混合氣體作為氣體源采用等離子體CVD生成的。
接成，采用干法刻蝕形成接觸孔。目前朝向更精細(xì)的圖案的趨勢促進(jìn)干式刻蝕法的采用，在這種方法中可以采用各向異性刻蝕。
即使采用干法刻蝕，也使制造過程中的薄膜晶體管免遭由等離子體誘發(fā)的高壓脈沖的毀壞。這是因?yàn)楦鹘泳€和電極彼此連接，因此具有相同的電位，這避免了大的電位差加到，例如，柵極絕緣薄膜203上。
接著，生成包含鈦膜、鋁膜和另一層鈦膜的三層薄膜，作為第二層布線。所述三層薄膜是采用濺射法生成的。在這種情況下也抑制了各接線和電極之間的大的電位差的產(chǎn)生。
然后，把如上所述形成的三層薄膜構(gòu)成圖案，以便形成源極接線102(它延伸到與源區(qū)211連接)，漏極113，以及從源極接線102(圖2(B))延伸過來的短路接線114。
這些電極和接線稱為“第二層布線”。設(shè)置這些電極和接線的位置之間的關(guān)系如圖1中所示。
如圖2(A)至2(E)所表明的，層間絕緣薄膜206在水平方向上把所述第一層布線(圖1中用實(shí)線表示)和所述第二層布線(圖1中用虛線表示)隔開，所述第一層布線由從柵極接線101(見圖1)延伸的柵極110和從柵極接線101延伸的接線100構(gòu)成，而所述第二層布線由源極接線102和從該源極接線延伸的接線114構(gòu)成。但是，如圖1中所示，這些布線通過短路接線109彼此連接(短路)。
在得到圖2(B)中所示的狀態(tài)之后，接著生成氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜，作為第二層絕緣薄膜207(圖2(C))。
在生成第二層絕緣薄膜207時(shí)，把所有電極和接線短路。因此，有可能阻止在等離子本影響下產(chǎn)生不必要的電位差。此外，有可能避免由于局部施加高電壓而產(chǎn)生缺陷。
接著，形成用于把漏極113和以后將形成的象素電極214(見圖2(E))連接起來的接觸孔208。
此外，同時(shí)在區(qū)域105處形成開口209，以便露出從第一層布線的柵極接線101延伸的短路接線100(見圖2(E))。
還有，在區(qū)域104處同時(shí)形成開口210，以便露出從第二層布線的源極接線102延伸的短路接線114(見圖2(E))。
這些開口也是用干法刻蝕形成的。在該步驟中，因?yàn)楦麟姌O和接線彼此連接處在同一電位，所以，仍然有可能消除電極和接線之間的由等離子體誘發(fā)的高電位的影響。
如圖2(C)所表明的，在這個(gè)步驟中，同時(shí)形成延伸的第一層接線100和第二層接線114的開口209和210。
接著，用濺射法生成用于構(gòu)成象素電極的氧化銦錫(ITO)薄膜213。在形成這種象素電極期間，因?yàn)楦鹘泳€和電極處在同一電位，因此，仍然有可能阻止在等離子體影響下在各接線和電極之間產(chǎn)生不必要的電位差。
尤其重要的是在這樣的狀態(tài)下形成各絕緣薄膜和象素電極，即，把圖1中用實(shí)線表示的第一層接線的柵極接線101和用虛線表示的第二層接線102短路。在這樣的狀態(tài)下生成(以及干法刻蝕)薄膜，使得有可能阻止在第一層接線和第二層接線之間施加高電壓。
結(jié)果，例如，有可能避免出現(xiàn)在上述柵極110和有源層202之間加上高電壓的情況。即，能夠阻止在柵絕緣膜203上施加高電壓。
接著，把ITO薄膜213做成圖案。也用干法刻蝕來進(jìn)行這種構(gòu)圖。使用這種干法刻蝕，去除圖2(E)中所示的區(qū)域105和104中的接線100和114。
這樣，在區(qū)域105和104處把接線100和114切斷(斷路)。
圖2(E)表示在區(qū)域104和105處把所述接線斷開的情形。此外，在同一步驟中還同時(shí)在區(qū)域103中把接線109斷開。
這樣，完成了有源矩陣式液晶顯示器的象素區(qū)域的電路構(gòu)成。
在本實(shí)施例中，在利用等離子體的各步驟期間，把不合乎需要地起觸角作用的接線和電極電短路，以便使它們處于同一電位。因此，甚至當(dāng)?shù)入x子體局部地誘發(fā)高電壓時(shí)，也有可能使制造過程中的薄膜晶體管免遭這種高電壓的毀壞。
下面將描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。
本實(shí)施例涉及具有圖5(B)中所示等效電路的有源矩陣式液晶顯示器的象素區(qū)的結(jié)構(gòu)。圖5(A)表示具有圖5(B)中所示的等效電路的頂視的結(jié)構(gòu)。
在圖5(A)和5(B)中，502表示柵極接線，而501表示源極接線。所述柵極和源極接線是以矩陣的形式構(gòu)成的，而用512，513和514表示的象素電極設(shè)置在被所述兩種接線包圍的區(qū)域中。
在圖5(A)所示的結(jié)構(gòu)中，柵極接線502和電容接線503橫過以“M”的形狀形成的半導(dǎo)體層(有源層)，從而形成圖5(B)中所示的電路結(jié)構(gòu)。
如圖5(B)所表明的，如果把柵極接線502和電容接線503直接連接，則該電路將不工作。此外，柵極接線502和電容接線503是通過把同一個(gè)導(dǎo)電薄膜做成圖案而形成的。
在這樣的結(jié)構(gòu)中存在一種可能性例如當(dāng)生成復(fù)蓋這些接線的絕緣薄膜時(shí)，在柵極接線502和電容接線503之間加上高電壓。如圖5(B)所表明的，如果在柵極接線502和電容接線503之間加上高電壓，那么，在它們之間形成的晶體管和MOS電容將被毀壞。
考慮這到這一點(diǎn)，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)具有以下特征在用500表示的區(qū)域處把柵極接線502和電容接線503連接在一起，直到形成象素電極513(在最后階段形成這種象素電極)，以及，當(dāng)構(gòu)成象素電極513的圖案時(shí)，把區(qū)域500切斷。
這樣的結(jié)構(gòu)使得有可能避免在柵極接線502和電容接線503之間高電壓、同時(shí)又不增加制造步驟。
下面將描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。
本實(shí)施例涉及圖1中所示的短路接線109、114和100的圖案的形狀。
由于局部的異常的放電而產(chǎn)生由等離子體誘發(fā)的脈沖式高電壓。因此，誘發(fā)這種脈沖式高電壓的位置是未定的局部區(qū)域。
在大面積的有源矩陣區(qū)域的情況下，由等離子體誘發(fā)的高電壓有可能在布線中傳播一段長距離。在這樣的情況下，即使所述接線和電極處在同一電位，也將涉及如上所述傳播的高壓脈沖的影響。
本實(shí)施例涉及的一種結(jié)構(gòu)在這種情況下是有效的。在本實(shí)施例中，在短路接線109、114和/或100的一部分中形成如圖6(A)和6(B)中所示的圖案。
圖6(A)表示用于減小或者消除已經(jīng)通過線路601在用602表示的區(qū)域中傳播的高壓脈中波形的接線圖案。這種接線圖案的目的是要使得在用602表示的區(qū)域發(fā)生脈沖碰撞，從而把能量釋放在這個(gè)區(qū)域中。
在用100和114表示的短路接線的中間或者端部形成圖6(A)中所示的圖案是有效的。這種結(jié)構(gòu)在避免高壓脈沖多次進(jìn)出這些線路方面是有效的。
圖6(B)表示一種包含用于放電的、由具有地電位的實(shí)心印刷線路603包圍的圖案605的線路604。
在用100和114表示的短路接線的端部設(shè)置這樣的圖案也是有效的。此外，當(dāng)設(shè)置在有源矩陣區(qū)和外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)之間的連接線中時(shí)，這種結(jié)構(gòu)也是有效的。
可以這樣理解本實(shí)施例的所述圖案由于采用這種圖案而局部地改變了所述接線的阻抗(提高了或是減小了)，從而阻止通過這些接線傳播所述高頻脈沖。
圖7中，通過接線圖案702把兩相鄰的線路701和703連接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)具有以下功能通過線路701和703傳播的高壓脈沖在圖案區(qū)702彼此碰撞，并且在此處被釋放。
在圖100和114表示的短路接線的端部以及在有源矩陣區(qū)域之外的區(qū)域中形成圖7中所示的圖案是有效的。通過形成如圖7中所示的圖案，可以在有源矩陣式電路的所有方向上避免高壓脈沖的傳播。
本說明書中公開的發(fā)明使得有可能避免制造過程中的半導(dǎo)體器件由于等離子體誘發(fā)的脈沖式高電位而毀壞。尤其是，能夠在不增加任何特殊的制造步驟的情況下達(dá)到上述目的。
本發(fā)明的有源矩陣式器件可以用于諸如液晶顯示器或者場致發(fā)光顯示器的電光器件。所述電光器件可以用于以下的電子裝置中。
圖8(A)表示稱為數(shù)字磁帶攝象機(jī)(digital steel camera)或者電子攝象機(jī)的裝置。這種裝具有用電子學(xué)方法保存用電荷耦合器件(CCD)攝象機(jī)拍攝的圖象的功能。所述CCD攝象機(jī)安置在攝象部分2002中。該裝置還具有在安置在機(jī)殼2001中的顯示裝置2003上顯示圖案的功能。此外，眾所周知，該裝置具有作為信息終端的所有各種通信設(shè)備和信息存儲(chǔ)裝置。通過操作按鈕2004來進(jìn)行該裝置的操作。
圖8(B)表示便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)。該裝置具有安裝在可以打開和閉合的蓋子2102上的顯示裝置2104，并且，可以通過鍵盤2103輸入各種信息以及進(jìn)行各種操作。
圖8(C)表示使用平板顯示器的汽車導(dǎo)引系統(tǒng)的例子。該汽車導(dǎo)引系統(tǒng)的機(jī)殼包括天線部分2304和顯示裝置2302。通過操作按鈕2302來進(jìn)行導(dǎo)引汽車所必要的所有各種信息的轉(zhuǎn)換。還可以通過未示出的遙控裝置未進(jìn)行各種操作。
圖8(D)表示投影式液晶顯示裝置的例子。圖中，對從光源2402輻射的先進(jìn)行光學(xué)調(diào)制，以便通過液晶顯示裝置2403成象。反射鏡2404和2405把該圖案反射，以便投射到屏幕2406上。
雖然已結(jié)合最佳實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是，顯然，不應(yīng)當(dāng)把本發(fā)明的范圍局限于這些實(shí)施例中公開的具體結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.制造半導(dǎo)體器件的方法，它包括以下步驟在基片上形成包含薄膜晶體管的柵極的第一接線，在所述第一接線上生成層間絕緣層，在所述層間絕緣層上形成第二接線，所述第二接線連接到所述薄膜晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)，在所述第二接線上生成第二層間絕緣層，在所述第二層間絕緣層上生成導(dǎo)電薄膜，以及接著通過刻蝕把所述導(dǎo)電薄膜構(gòu)成圖案，其特征在于至少在生成所述第二層間絕緣層和所述導(dǎo)電薄膜期間把所述第一和第二接線彼此短路，以及所述第一和第二接線中至少一種備有放電圖案。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于利用等離子體來進(jìn)行所述第二層間絕緣層的生成過程。
3.權(quán)利要求1的方法，其特征在于利用等離子體來進(jìn)行所述導(dǎo)電層的生成過程。
4.權(quán)利要求1的方法，其特征在于利用所述構(gòu)成圖案的步驟把所述第一和第二接線在電氣上彼此分離。
5.制造有源矩陣式器件的方法，它包括以下步驟形成在列方向上延伸的第一多根接線，在所述第一多根接線上生成第一層間絕緣層，形成在垂直于所述列方向的行方向上延伸的第二多根接線，在所述第二多根接線上生成第二層間絕緣層，在所述第二層間絕緣層上生成導(dǎo)電薄膜，以及通過刻蝕把所述導(dǎo)電薄膜構(gòu)成圖案，其特征在于所述第一和第二多根接線中至少一種備有放電圖案，以及在形成所述第二層間絕緣層期間借助于短路接線把所述第一多根接線彼此短路，并且，通過所述構(gòu)成圖案的步驟把所述短路接線斷開。
6.權(quán)利要求5的方法，其特征在于所述第一多根接線與所述第二多根接線在電氣上連接，并且，通過導(dǎo)電薄膜的所述構(gòu)成圖案的步驟把它們分開。
7.制造有源矩陣式器件的方法，它包括以下步驟在基片上形成有源矩陣式電路的多根接線，在所述多根接線上生成絕緣薄膜，在所述絕緣薄膜上生成導(dǎo)電薄膜，以及把所述導(dǎo)電薄膜構(gòu)成圖案，其特征在于所述接線備有包含放電圖案的線頭，以及通過所述構(gòu)成圖案的步驟把所述線頭斷開。
8.權(quán)利要求7的方法，其特征在于至少在生成所述絕緣薄膜和所述導(dǎo)電薄膜期間把所述多根接線彼此電氣連接，并且，通過所述構(gòu)成圖案的步驟把它們在電氣上彼此斷開。
9.制造有源矩陣式器件的方法，它包括以下步驟在基片上形成有源矩陣式電路的多根接線，在所述多根接線上生成絕緣薄膜，在所述絕緣薄膜上生成導(dǎo)電薄膜，以及把所述導(dǎo)電薄膜構(gòu)成圖案，其特征在于所述接線備有包含放電圖案的線頭，以及通過所述構(gòu)成圖案的步驟把所述放電圖案與所述多根接線分開。
10.權(quán)利要求9的方法，其特征在于至少在生成所述絕緣薄膜和所述導(dǎo)電薄膜期間把所述多根接線彼此電氣連接，并且，通過所述構(gòu)成圖案的步驟把它們在電氣上彼此斷開。
11.制造電光器件的方法，其特征在于包括以下步驟在基片上制備包含薄膜晶體管的柵極的多根列線路，通過第一短路接線把所述各列線路在電氣上彼此短路，在所述第一多根列線路上生成層間絕緣層，制備連接到所述薄膜晶體 管的源極并且垂直于所述列線路而延伸的第二多根行線路，通過第二短路接線把所述各行線路在電氣上彼此短路，以及把所述基片置于等離子體中以便進(jìn)行等離子體處理。
12.權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述等離子體處理是濺射、等離子體CVD和等離子體刻蝕中的至少一種。
13.制造電光器件的方法，它包括以下步驟在基片上制備包含薄膜晶體管的柵極的第一多根列線路，在所述第一多根列線路上生成層間絕緣層，制備連接到所述薄膜晶體管的源極并且垂于所述列線路而延伸的第二多根行線路，以及把所述基片置于等離子體中以便進(jìn)行等離子體處理，其特征在于把所述第一多根列線路和所述第二多根行線路在電氣上連接到同一電位，以便避免由等離子體處理引起的所述薄膜晶體管的損壞。
14.權(quán)利要求13的方法，其特征在于所述等離子體處理是濺射、等離子體VCD和等離子體刻蝕中的至少一種。
15.制造電光器件的方法，它包括以下步驟在基片上制備包含薄膜晶體管的柵極的第一多根列線路，在所述第一多根列線路上生成層間絕緣層，制備連接到所述薄膜晶體管的源極并且垂直所述列線路而延伸的第二多根行線路，以及把所述基片置于等離子體中以便進(jìn)行等離子處理，其特征在于所述第一和第二接線中至少一種備有包含阻抗局部變化的一部分的線頭。
16.權(quán)利要求15的方法，其特征在于所述等離子體處理是濺射、等離子體CVD和等離子體刻蝕中的至少一種。
全文摘要
提供一種不附加任何特殊制造步驟而使制造過程中的半導(dǎo)體器件免遭等離子體施加的脈沖式高電位的毀壞的方法。形成延伸到薄膜晶體管柵極的第一線路。在第一線路上生成第一絕緣層。在該絕緣膜上形成連接到薄膜晶體管的源區(qū)的第二線路。在第二線路上生成第二絕緣膜。然后在第二絕緣膜上形成導(dǎo)電圖案。在第一和/或第二線路上形成放電圖案，在形成導(dǎo)電圖案的同時(shí)。把第一和/或第二線路切斷。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK1148269SQ96110918
公開日1997年4月23日 申請日期1996年8月5日 優(yōu)先權(quán)日1995年8月4日
發(fā)明者山崎舜平, 小山潤 申請人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所