本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造的光刻，特別涉及一種掩膜版。

背景技術(shù)：

1、目前，在制備曝光晶圓時，曝光機臺在對第一層進行曝光時所采用的自對準(zhǔn)標(biāo)記與第二層(非第一層均稱為第二層)進行曝光時所采用的套刻對準(zhǔn)(ovl)標(biāo)記的類型相同(即均為“回”字形套刻對準(zhǔn)標(biāo)記)，例如外框和內(nèi)框模型。該ovl標(biāo)記適用第二層曝光補償當(dāng)層與前層的套刻對準(zhǔn)標(biāo)記的偏移量，而對于第一層的相鄰單元(shot)之間的套刻對準(zhǔn)偏移量不適用，其具體表現(xiàn)在第一層使用該ovl標(biāo)記會出現(xiàn)套刻對準(zhǔn)補償不能達到目標(biāo)補償，并導(dǎo)致套刻對準(zhǔn)過補償問題。另外，在建立第一層套刻配置規(guī)則(recipe)時，容易出現(xiàn)連接錯誤。

2、因此，為了第一層的曝光和第二層的曝光可以共用一套套刻對準(zhǔn)模型，亟需一種新的第一層自對準(zhǔn)標(biāo)記。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型提供一種掩膜版及采用掩膜版制備的半導(dǎo)體器件，可以解決當(dāng)前第一層的套刻對準(zhǔn)偏移量過補償?shù)膯栴}。

2、為了解決以上問題，本實用新型提供一種掩膜版包括主圖形和四組自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組，所述掩膜版具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域環(huán)設(shè)在所述第一區(qū)域的外側(cè)，所述第一區(qū)域設(shè)置有所述主圖形，所有所述自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組均設(shè)置在所述第二區(qū)域，且間隔設(shè)置在所述主圖形的四周，每個所述自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組均包括：

3、第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形包括第一圖形和第二圖形，所述第二圖形位于所述第一圖形內(nèi)側(cè)；

4、第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形和第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形僅包括第一圖形。

5、可選的，所述第一圖形由兩個相同的第一矩形條圍成l狀，且兩個所述第一矩形條間隔設(shè)置；

6、所述第二圖形由四個相同的第二矩形條圍成矩形環(huán)狀，且相鄰所述第二矩形條之間具有間隙。

7、進一步的，所述第一矩形條的長度大于所述第二矩形條的長度。

8、可選的，四組所述自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組分別為：

9、第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組，位于所述第一區(qū)域的上側(cè)；

10、第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組，位于所述第一區(qū)域的右側(cè)，且為所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組順時針旋轉(zhuǎn)90°后的圖形組；

11、第三自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組，位于所述第一區(qū)域的下側(cè)，且與所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組平行且正對設(shè)置，且為所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組順時針旋轉(zhuǎn)90°后的圖形組；

12、第四自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組，位于所述第一區(qū)域的左側(cè)，且與所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組平行且正對設(shè)置，且為所述第三自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組順時針旋轉(zhuǎn)90°后的圖形組。

13、進一步的，在所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組中，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的左側(cè)，且所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形從所述第二圖形的左側(cè)和上側(cè)包覆所述第二圖形，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形包括矩形環(huán)的左側(cè)邊和上側(cè)邊。

14、進一步的，在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組中，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的上側(cè)，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形從所述第二圖形的上側(cè)和右側(cè)包覆所述第二圖形，且所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形包括矩形環(huán)的上側(cè)邊和右側(cè)邊。

15、進一步的，在所述第三自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組中，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的右側(cè)，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形從所述第二圖形的右側(cè)和下側(cè)包覆所述第二圖形，且所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形包括矩形環(huán)的下側(cè)邊和右側(cè)邊。

16、進一步的，在所述第四自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組中，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的下側(cè)，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形從所述第二圖形的左側(cè)和下側(cè)包覆所述第二圖形，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形包括矩形環(huán)的左側(cè)邊和下側(cè)邊。

17、進一步的，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形與所述第三自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形正對設(shè)置，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形與所述第三自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形正對設(shè)置。

18、進一步的，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形與所述第四自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形正對設(shè)置，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形與所述第四自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形正對設(shè)置。

19、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下意想不到的技術(shù)效果：

20、本實用新型提供一種掩膜版及采用掩膜版制備的半導(dǎo)體器件，掩膜版包括主圖形和四組自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組，所述掩膜版具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域環(huán)設(shè)在所述第一區(qū)域的外側(cè)，所述第一區(qū)域設(shè)置有所述主圖形，所有所述自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組均設(shè)置在所述第二區(qū)域，且間隔設(shè)置在所述主圖形的四周，每個所述自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組均包括：第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形包括第一圖形和第二圖形，所述第二圖形位于所述第一圖形內(nèi)側(cè)；第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形和第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形僅包括第一圖形，可以更加準(zhǔn)確地反饋套刻標(biāo)記實際偏移量，能夠確保第一層套刻對準(zhǔn)標(biāo)記穩(wěn)定性，從而降低了重工率。

技術(shù)特征：

1.一種掩膜版，包括主圖形和四組自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組，所述掩膜版具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域環(huán)設(shè)在所述第一區(qū)域的外側(cè)，所述第一區(qū)域設(shè)置有所述主圖形，所有所述自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組均設(shè)置在所述第二區(qū)域，且間隔設(shè)置在所述主圖形的四周，其特征在于，每個所述自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組均包括：

2.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，

3.如權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一矩形條的長度大于所述第二矩形條的長度。

4.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，四組所述自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組分別為：

5.如權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，在所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組中，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的左側(cè)，且所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形從所述第二圖形的左側(cè)和上側(cè)包覆所述第二圖形，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形包括矩形環(huán)的左側(cè)邊和上側(cè)邊。

6.如權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組中，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的上側(cè)，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形從所述第二圖形的上側(cè)和右側(cè)包覆所述第二圖形，且所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形包括矩形環(huán)的上側(cè)邊和右側(cè)邊。

7.如權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，在所述第三自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組中，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的右側(cè)，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形從所述第二圖形的右側(cè)和下側(cè)包覆所述第二圖形，且所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形包括矩形環(huán)的下側(cè)邊和右側(cè)邊。

8.如權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，在所述第四自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組中，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置在所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的下側(cè)，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形從所述第二圖形的左側(cè)和下側(cè)包覆所述第二圖形，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形的第一圖形包括矩形環(huán)的左側(cè)邊和下側(cè)邊。

9.如權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形與所述第三自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形正對設(shè)置，所述第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形與所述第三自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形正對設(shè)置。

10.如權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形與所述第四自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形正對設(shè)置，所述第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形與所述第四自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組的第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形正對設(shè)置。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種掩膜版及采用掩膜版制備的半導(dǎo)體器件，掩膜版包括主圖形和四組自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組，掩膜版具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二區(qū)域環(huán)設(shè)在第一區(qū)域的外側(cè)，第一區(qū)域設(shè)置有主圖形，所有自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組均設(shè)置在第二區(qū)域，且間隔設(shè)置在主圖形的四周，每個自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形組均包括：第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形，第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形包括第一圖形和第二圖形，第二圖形位于所述第一圖形內(nèi)側(cè)；第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形，第一自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形和第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形間隔設(shè)置，第二自對準(zhǔn)標(biāo)記圖形僅包括第一圖形，可以更加準(zhǔn)確地反饋套刻標(biāo)記實際偏移量，能夠確保第一層套刻對準(zhǔn)標(biāo)記穩(wěn)定性，從而降低了重工率。

技術(shù)研發(fā)人員：袁可,林柏青,張潤生
受保護的技術(shù)使用者：合肥晶合集成電路股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240229
技術(shù)公布日：2024/12/19