本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法及系統(tǒng)。

背景技術：

1、在opc(optical?proximity?correction，光學鄰近效應修正)程序中，針對離子注入?yún)^(qū)(implant)二維cd(關鍵尺寸)較小的版圖區(qū)域(pattern)進行修正時基本采用固定范圍內做固定距離的移動的方式，以達到保證離子注入?yún)^(qū)二維cd達到規(guī)定尺寸的目的。但上述方法存在一個極大的缺點，由于離子注入?yún)^(qū)與相鄰有源區(qū)(aa)的距離是不同的，但離子注入?yún)^(qū)邊界移動的值是固定的，所以擴大后的離子注入?yún)^(qū)的邊與相鄰有源區(qū)的距離必定是不同的，所以就會出現(xiàn)擴大后的離子注入?yún)^(qū)的邊與有源區(qū)距離過近的情況，出現(xiàn)這種問題要針對具體情況進行修正，然后再經(jīng)過檢驗，如此往復直至所有違反規(guī)則的pattern修到位。這樣雖然能得到預期結果，但整個程序的運算量較大，費時費力。

2、需要說明的是，公開于該發(fā)明背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本發(fā)明一般背景技術的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現(xiàn)有技術。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法及系統(tǒng)，以解決修正方法繁瑣的問題。

2、為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，提供待修正的版圖離子注入?yún)^(qū)，對所述版圖離子注入?yún)^(qū)的關鍵尺寸小于所需尺寸的局部位置進行修正：

3、在所述局部位置的兩側邊界處分別生長修正圖形，以增大所述局部位置的寬度；

4、對每個所述修正圖形進行分步向外擴張：所述修正圖形沿預定方向逐步向外擴張預設距離，每步擴張后檢測所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離大于安全距離則繼續(xù)擴張所述修正圖形。

5、優(yōu)選地，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離小于安全距離則停止擴張所述修正圖形，并保留前步所述修正圖形的擴張結果。

6、優(yōu)選地，在所述局部位置的關鍵尺寸大于或等于所需尺寸時，停止擴張所述修正圖形。

7、優(yōu)選地，所述修正圖形背離所述局部位置的一側具有相互垂直的第一外側邊和第二外側邊。

8、優(yōu)選地，所述修正圖形為多邊形。

9、優(yōu)選地，所述修正圖形為矩形。

10、基于相同的技術構思，本公開還提供一種離子注入層版圖的光學鄰近效應修正系統(tǒng)，包括：

11、檢測模塊，用于獲取待修正的版圖離子注入?yún)^(qū)關鍵尺寸小于所需尺寸的局部位置；

12、圖形模塊，用于在所述局部位置的兩側邊界處分別生長修正圖形，以增大所述局部位置的寬度；

13、擴張模塊，用于對每個所述修正圖形進行分步向外擴張：所述修正圖形沿預定方向逐步向外擴張預設距離，每步擴張后檢測所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離大于安全距離則繼續(xù)擴張所述修正圖形；若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離小于安全距離則停止擴張所述修正圖形，并保留前步所述修正圖形的擴張結果。

14、優(yōu)選地，在所述局部位置的關鍵尺寸大于或等于所需尺寸時，停止生長所述修正圖形。

15、優(yōu)選地，所述修正圖形背離所述局部位置的一側具有相互垂直的第一外側邊和第二外側邊。

16、優(yōu)選地，所述修正圖形為多邊形。

17、在本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，通過在opc修正時對每個修正圖形單獨進行分步擴張，確保版圖離子注入?yún)^(qū)二維cd的尺寸安全，同時與有源區(qū)保持安全距離，減少運算量，提高出版效率。

18、本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正系統(tǒng)與本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法屬于同一發(fā)明構思，因此，本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正系統(tǒng)至少具有本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法的所有優(yōu)點，在此不再贅述。

技術特征：

1.一種離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，其特征在于，提供待修正的版圖離子注入?yún)^(qū)，對所述版圖離子注入?yún)^(qū)的關鍵尺寸小于所需尺寸的局部位置進行修正：

2.根據(jù)權利要求1所述的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，其特征在于，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離小于安全距離則停止擴張所述修正圖形，并保留前步所述修正圖形的擴張結果。

3.根據(jù)權利要求1所述的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，其特征在于，在所述局部位置的關鍵尺寸大于或等于所需尺寸時，停止擴張所述修正圖形。

4.根據(jù)權利要求1所述的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，其特征在于，所述修正圖形背離所述局部位置的一側具有相互垂直的第一外側邊和第二外側邊。

5.根據(jù)權利要求1所述的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，其特征在于，所述修正圖形為多邊形。

6.根據(jù)權利要求1所述的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，其特征在于，所述修正圖形為矩形。

7.一種離子注入層版圖的光學鄰近效應修正系統(tǒng)，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權利要求7所述的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正系統(tǒng)，其特征在于，在所述局部位置的關鍵尺寸大于或等于所需尺寸時，停止生長所述修正圖形。

9.根據(jù)權利要求7所述的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正系統(tǒng)，其特征在于，所述修正圖形背離所述局部位置的一側具有相互垂直的第一外側邊和第二外側邊。

10.根據(jù)權利要求7所述的離子注入層版圖的光學鄰近效應修正系統(tǒng)，其特征在于，所述修正圖形為多邊形。

技術總結
本發(fā)明公開了一種離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法及系統(tǒng)，屬于半導體技術領域，該離子注入層版圖的光學鄰近效應修正方法，包括提供待修正的版圖離子注入?yún)^(qū)，對所述版圖離子注入?yún)^(qū)的關鍵尺寸小于所需尺寸的局部位置進行修正：在所述局部位置的兩側邊界處分別生長修正圖形，以增大所述局部位置的寬度；對每個所述修正圖形進行分步向外擴張：所述修正圖形沿預定方向逐步向外擴張預設距離，每步擴張后檢測所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離大于安全距離則繼續(xù)擴張所述修正圖形。通過在OPC修正時對每個修正圖形單獨進行分步擴張，確保版圖離子注入?yún)^(qū)二維CD的尺寸安全，同時與有源區(qū)保持安全距離，減少運算量，提高出版效率。

技術研發(fā)人員：蔡平
受保護的技術使用者：上海華力集成電路制造有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19