本發(fā)明涉及光學(xué)反射鏡,具體是指利用金屬反射膜與多層介質(zhì)位相抑制膜層的組合,利用金屬薄膜材料的特性可實(shí)現(xiàn)高反射率、低偏振靈敏度,利用位相差抑制膜層實(shí)現(xiàn)信號通道位相差控制的光學(xué)反射鏡。
背景技術(shù):
1、反射鏡在光學(xué)系統(tǒng)中占據(jù)著舉足輕重的地位。在紅外高能激光系統(tǒng)中,單晶硅反射鏡因其能在高功率密度激光長時間輻照下,保持光束傳輸?shù)母呔群透叻€(wěn)定性,可滿足元件精度和激光負(fù)載能力的高標(biāo)準(zhǔn)要求,而備受青睞。本發(fā)明通過巧妙地結(jié)合金屬反射膜與多層介質(zhì)位相抑制膜層,使反射鏡具有高反射率、低偏振靈敏度以及信號通道位相差小的光學(xué)性能,可應(yīng)用于激光雷達(dá)、光通信和光譜分析等領(lǐng)域。
2、當(dāng)光線傾斜入射時,s光和p光將不可避免的產(chǎn)生分離,光學(xué)元件將表現(xiàn)出偏振特性。通常用偏振靈敏度(lps)來定量描述光學(xué)元件的偏振特性。偏振靈敏度描述的是儀器的光學(xué)元件對入射光的偏振態(tài)的敏感程度。偏振靈敏度可表征為以下公式(1):
3、lps=(rs-rp)/(rs+rp)×100%?(1)
4、其中rs、rp分別為s光分量的反射率和p光分量的反射率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提出一種以硅為基底的寬角度位相差消偏反射鏡,可實(shí)現(xiàn)高反射率,低偏振靈敏度,且信號通道位相差消偏。
2、本發(fā)明所述的反射鏡的結(jié)構(gòu)包括光學(xué)基片、粘合層、金屬膜層、保護(hù)層以及多層介質(zhì)位相抑制膜層,其中,金屬膜層實(shí)現(xiàn)反射鏡的高反射率;保護(hù)層可保證金屬膜層避免氧化和較高的環(huán)境適應(yīng)性;多層介質(zhì)位相抑制膜層實(shí)現(xiàn)信號通道的位相差控制。以上所述的反射鏡結(jié)構(gòu)既保證了高反射率、低偏振靈敏度、又可實(shí)現(xiàn)信號通道位相差消偏。
3、本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
4、1)光學(xué)基底為硅基底;
5、2)在硅基底上鍍制10-15nm厚的金屬鎳鉻復(fù)合材料或金屬鉻材料作為粘合層;
6、3)鍍制120-150nm厚的金屬銀作為金屬膜層,可以保證反射鏡具有足夠高的反射率和低偏振靈敏度;
7、4)鍍制30-50nm厚的三氧化二鋁作為保護(hù)層,可以保護(hù)金屬銀膜不被氧化,提高產(chǎn)品的環(huán)境適應(yīng)性;
8、5)鍍制多層介質(zhì)位相抑制膜層。其膜系結(jié)構(gòu)為
9、a1l?b1h?a2l?b2h……anl?bnh
10、其中,n為周期數(shù),取值范圍為2~5;h代表高折射率薄膜層,其材料是ta2o5、nb2o5、tio2或zns;l代表低折射率薄膜層,材料為sio2、ybf3或mgf2;a1、b1…an、bn為各薄膜層的厚度,單位:nm;所述厚度參數(shù)根據(jù)反射鏡位相差要求確定。
11、進(jìn)一步地,所述的一種以硅為基底的寬角度位相差消偏反射鏡,其特征在于,當(dāng)反射鏡使用角度在15-45度范圍內(nèi)時,n取值1~3;當(dāng)反射鏡使用角度在45-60度范圍內(nèi)時,n取值3~5。
12、本發(fā)明的反射鏡有以下優(yōu)點(diǎn):
13、1)金屬膜層保證了反射鏡在近紅外波段具有高的反射率,滿足了光學(xué)系統(tǒng)的能量傳輸需求;
14、2)多層介質(zhì)位相抑制膜層實(shí)現(xiàn)了反射鏡在寬角度范圍內(nèi)信號通道位相差消偏;
15、3)反射鏡在近紅外波段范圍內(nèi)具有低偏振靈敏度;
16、4)本發(fā)明設(shè)計的反射鏡膜系結(jié)構(gòu)簡單,工藝易于實(shí)施,膜層可靠性高。
1.一種以硅為基底的寬角度位相差消偏反射鏡,包括光學(xué)基片(1)、粘合層(2)、金屬膜層(3)、保護(hù)層(4)以及多層介質(zhì)位相抑制膜層(5),特征在于:
2.如權(quán)利要求1所述的一種以硅為基底的寬角度位相差消偏反射鏡,其特征在于,當(dāng)反射鏡使用角度在15-45度范圍內(nèi)時,n取值1~3;當(dāng)反射鏡使用角度在45-60度范圍內(nèi)時,n取值3~5。