本公開涉及光電子制造，特別涉及一種掩膜版和發(fā)光二極管的制備方法。

背景技術(shù)：

1、微型發(fā)光二極管(micro?light?emitting?diode，簡稱：micro?led)是指邊長在10微米至100微米的超小發(fā)光二極管，micro?led的體積小，可以更密集的設(shè)置排列而大幅度提高分辨率，并且具有自發(fā)光特性，不論是在高亮度、高對比度、高反應(yīng)性及省電方面都優(yōu)于液晶顯示。

2、相關(guān)技術(shù)中，在制備發(fā)光二極管時，往往需要制備具有圖案的光刻膠層，通過具有圖案的光刻膠層，在光刻膠層的開口內(nèi)蒸鍍形成所需形狀的膜層。掩膜版通常包括遮光層和透明膜，遮光層具有用于形成圖案的開口，透明膜覆蓋在遮光層的表面上。

3、在使用過程中，透明膜容易粘附灰塵或異物，且灰塵或異物難以從透明膜膜上清洗，留存在掩膜版上的灰塵或異物會影響掩膜版的曝光效果。特別是，灰塵或異物粘附在掩膜板的開口位置時，在采用掩膜版曝光后，光刻膠層在圖案的位置則會出現(xiàn)破損的問題，進而影響刻蝕良率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開實施例提供了一種掩膜版和發(fā)光二極管的制備方法，能便于清洗掩膜版上的灰塵或異物，提升曝光良率。所述技術(shù)方案如下：

2、一方面，本公開實施例提供了一種掩膜版，所述掩膜版包括：遮光層和兩層剛性透光層，兩層所述剛性透光層分別位于所述遮光層的相反兩側(cè)面上，所述遮光層具有用于透光的開口。

3、可選地，所述剛性透光層為石英玻璃層。

4、可選地，所述剛性透光層的厚度為1nm至3nm。

5、可選地，所述遮光層為cr層。

6、可選地，所述遮光層的厚度為0.1μm至0.5μm。

7、可選地，所述掩膜版包括第一掩膜和第二掩膜，所述第一掩膜和第二掩膜均包括所述遮光層和夾設(shè)所述遮光層的兩層所述剛性透光層；所述第一掩膜的遮光層的開口的寬度大于所述第二掩膜的遮光層的開口的寬度。

8、可選地，所述第一掩膜的遮光層的開口的寬度與所述第二掩膜的遮光層的開口的寬度的差值為0.5μm至2μm。

9、另一方面，本公開實施例還提供了一種發(fā)光二極管的制備方法，所述制備方法包括：提供一待蒸鍍制品；在所述待蒸鍍制品的表面形成光刻膠層；采用掩膜版對所述光刻膠層進行曝光，以在所述光刻膠層的表面形成蒸鍍孔，所述掩膜版包括：遮光層和兩層剛性透光層，兩層所述剛性透光層分別位于所述遮光層的相反兩側(cè)面上，所述遮光層具有用于透光的開口；去除所述掩膜版，在所述蒸鍍制品的表面形成焊盤，所述焊盤通過所述蒸鍍孔與所述蒸鍍制品電性連接。

10、在本公開的一種實現(xiàn)方式中，所述掩膜版包括第一掩膜和第二掩膜，所述第一掩膜和第二掩膜均包括所述遮光層和夾設(shè)所述遮光層的兩層所述剛性透光層，所述第一掩膜的遮光層的開口的寬度大于所述第二掩膜的遮光層的開口的寬度；采用掩膜版對所述光刻膠層進行曝光包括：采用所述第一掩膜對所述光刻膠層的待曝光區(qū)域進行曝光；控制所述第二掩膜的開口在所述光刻膠層的表面上的正投影位于所述待曝光區(qū)域內(nèi)，采用所述第二掩膜對所述待曝光區(qū)域再次進行曝光。

11、在本公開的另一種實現(xiàn)方式中，所述第一掩膜的遮光層的開口的寬度與所述第二掩膜的遮光層的開口的寬度的差值為0.5μm至2μm。

12、本公開實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果至少包括：

13、本公開實施例提供的掩膜版包括遮光層和夾設(shè)在遮光層的兩側(cè)面的剛性透光層。相比于相關(guān)技術(shù)中在遮光層附著的透明膜，由于剛性透光層具有一定硬度且不易褶皺，當灰塵或異物落在掩膜版上時，可以直接從剛性透光膜上擦拭清除，而不會出現(xiàn)擦拭透明膜時，透明膜因擦拭施加的外力而產(chǎn)出褶皺，以導(dǎo)致灰塵或異物殘留在褶皺內(nèi)不易被清除的問題。這樣就能防止掩膜版的易粘塵埃問題，從改善掩膜版的曝光良率，提升發(fā)光二極管的制備效率。

技術(shù)特征：

1.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：遮光層(61)和兩層剛性透光層(62)，兩層所述剛性透光層(62)分別位于所述遮光層(61)的相反兩側(cè)面上，所述遮光層(61)具有用于透光的開口(610)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述剛性透光層(62)為石英玻璃層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述剛性透光層(62)的厚度為1nm至3nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光層(61)為cr層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光層(61)的厚度為0.1μm至0.5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括第一掩膜(601)和第二掩膜(602)，所述第一掩膜(601)和第二掩膜(602)均包括所述遮光層(61)和夾設(shè)所述遮光層(61)的兩層所述剛性透光層(62)；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜(601)的遮光層(61)的開口(610)的寬度與所述第二掩膜(602)的遮光層(61)的開口(610)的寬度的差值為0.5μm至2μm。

8.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述掩膜版包括第一掩膜和第二掩膜，所述第一掩膜和第二掩膜均包括所述遮光層和夾設(shè)所述遮光層的兩層所述剛性透光層，所述第一掩膜的遮光層的開口的寬度大于所述第二掩膜的遮光層的開口的寬度；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜的遮光層的開口的寬度與所述第二掩膜的遮光層的開口的寬度的差值為0.5μm至2μm。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種掩膜版和發(fā)光二極管的制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該掩膜版包括：遮光層和兩層剛性透光層，兩層所述剛性透光層分別位于所述遮光層的相反兩側(cè)面上，所述遮光層具有用于透光的開口。本公開實施例能便于清洗掩膜版上的灰塵或異物，提升曝光良率。

技術(shù)研發(fā)人員：蘭葉,王江波,朱廣敏,吳志浩,張威
受保護的技術(shù)使用者：京東方華燦光電（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19