本實(shí)用新型涉及一種液晶顯示器，且特別是涉及一種改善低溫?zé)恋囊壕э@示器。

背景技術(shù)：

液晶顯示器廣泛地在電子裝置中被使用，例如筆記本電腦、智能型手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、廣告牌型顯示器以及高分辨率電視，其中，當(dāng)顯示器持續(xù)顯示一段長(zhǎng)時(shí)間的靜態(tài)畫面后，在顯示下一畫面時(shí)會(huì)在此畫面出現(xiàn)前一個(gè)靜態(tài)畫面的影像或輪廓，也就是燒屏現(xiàn)象。

一些方法被提出以針對(duì)常溫環(huán)境下的燒屏現(xiàn)象進(jìn)行改善。然而，在低溫環(huán)境下，液晶及/或組件的例如電子遷移率、充電率與液晶轉(zhuǎn)動(dòng)速度等物理特性與常溫環(huán)境下差異很大，因此常溫?zé)翣顩r好的液晶顯示器在低溫下的燒屏狀況通常都比常溫差。因此，如何有效地改善在低溫環(huán)境下的燒屏現(xiàn)象，為本領(lǐng)域待改進(jìn)的問(wèn)題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種液晶顯示器，其提高在低溫環(huán)境下的電容充電率，并有效地改善在低溫環(huán)境下的燒屏現(xiàn)象。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種液晶顯示器，包含由多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線形成的像素?cái)?shù)列，其中兩條相鄰的掃描線與兩條相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成像素單元，像素單元包含電容以及晶體管，晶體管包含控制端、第一端以及第二端?？刂贫穗娦赃B接至多條掃描線的其中一條，第一端電性連接至多條數(shù)據(jù)線的其中一條，第二端電性連接至電容。多條掃描線的其中一條傳送掃描信號(hào)至晶體管的控制端而開(kāi)啟晶體管時(shí)，多條數(shù)據(jù)線的其中一條經(jīng)由晶體管傳送數(shù)據(jù)信號(hào)至電容而對(duì)電容進(jìn)行充電，且像素單元于環(huán)境溫度低于溫度閾值時(shí)，電容的充電率仍大于或等于充電率閾值。

在部分實(shí)施例中，其中充電率閾值介于約90％～99％之間。

在部分實(shí)施例中，其中充電率閾值為90％。

在部分實(shí)施例中，其中充電率閾值為98.73％或98.75％。

在部分實(shí)施例中，其中溫度閾值介于約-20℃～-40℃之間。

在部分實(shí)施例中，其中溫度閾值為-30℃。

在部分實(shí)施例中，其中晶體管的信道寬度對(duì)信道長(zhǎng)度的比率為40.728/3.5。

在部分實(shí)施例中，其中液晶顯示器在燒屏條件之下，液晶顯示器上的烙痕的存在時(shí)間小于時(shí)間閾值，其中燒屏條件包含，在液晶顯示器上顯示測(cè)試畫面并維持測(cè)試畫面一段時(shí)間后，轉(zhuǎn)換液晶顯示器上顯示的畫面為灰階畫面，并偵測(cè)烙痕在液晶顯示器上的存在時(shí)間。

在部分實(shí)施例中，其中時(shí)間閾值為5分鐘。

在部分實(shí)施例中，其中灰階畫面的灰階階調(diào)是介于液晶顯示器的最小灰階階調(diào)與最大灰階階調(diào)之間。

本實(shí)用新型上述實(shí)施方式與現(xiàn)有技術(shù)相比，至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

通過(guò)改變像素設(shè)計(jì)參數(shù)、驅(qū)動(dòng)頻率及/或柵極正電壓，可提高在低溫環(huán)境下的電容充電率，并有效地改善在低溫環(huán)境下的燒屏現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例所繪示的液晶顯示器的示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例所繪示的液晶顯示器100的示意圖。如圖1所示，液晶顯示器100包含液晶顯示面板110、源極驅(qū)動(dòng)電路120、柵極驅(qū)動(dòng)電路130、多條掃描線S1～SN以及多條數(shù)據(jù)線D1～DM，N與M為正整數(shù)。源極驅(qū)動(dòng)電路120用以通過(guò)數(shù)據(jù)線D1～DM提供數(shù)據(jù)信號(hào)，而柵極驅(qū)動(dòng)電路130用以通過(guò)掃描線S1～SN提供掃描信號(hào)。為了方便說(shuō)明，圖1僅繪示部分掃描線以及數(shù)據(jù)線，但本實(shí)用新型不以此為限。

如圖1所繪示，兩條相鄰的掃描線與兩條相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成像素單元。液晶顯示面板110包含多個(gè)像素單元，像素單元被布置在包含多個(gè)行與列的二維數(shù)列中。為了方便說(shuō)明，圖1僅繪示部分像素單元，但本實(shí)用新型不以此為限。

如圖1所繪示，在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，像素單元112包含儲(chǔ)存電容CS、液晶電容CL以及晶體管T。在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，晶體管T為薄膜晶體管，但本實(shí)用新型不以此為限。其中，晶體管T包含控制端、第一端以及第二端?？刂贫穗娦赃B接至掃描線的其中一條，第一端電性連接至多條數(shù)據(jù)線的其中一條，而第二端電性連接至儲(chǔ)存電容CS以及液晶電容CL。儲(chǔ)存電容CS以及液晶電容CL又連接至共同電勢(shì)Vcom。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，當(dāng)掃描線S1傳送掃描信號(hào)至晶體管T的控制端而開(kāi)啟晶體管T時(shí)，數(shù)據(jù)線D1經(jīng)由晶體管T傳送數(shù)據(jù)信號(hào)至儲(chǔ)存電容CS及/或液晶電容CL而對(duì)儲(chǔ)存電容CS及/或液晶電容CL進(jìn)行充電。儲(chǔ)存電容CS可儲(chǔ)存數(shù)據(jù)線D1所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)中的數(shù)據(jù)電勢(shì)，可以穩(wěn)定液晶電容CL在掃描線S1不提供掃描信號(hào)時(shí)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)電勢(shì)。

當(dāng)液晶顯示器100顯示持續(xù)一段長(zhǎng)時(shí)間的靜態(tài)畫面后，在顯示下一畫面時(shí)會(huì)在此畫面出現(xiàn)前一個(gè)靜態(tài)畫面的影像或輪廓，也就是燒屏現(xiàn)象。針對(duì)燒屏現(xiàn)象，已有一些方法被提出，例如通過(guò)控制電路或配向模等方法以改善燒屏現(xiàn)象，然而，這些方法僅是針對(duì)環(huán)境溫度為常溫的情況下所提出。但在低溫下，液晶及/或組件的例如電子遷移率、充電率與液晶轉(zhuǎn)動(dòng)速度等物理特性與常溫環(huán)境下差異很大，因此常溫?zé)翣顩r好的液晶顯示器在低溫下的燒屏狀況通常都比常溫狀況下差。

在本實(shí)用新型中，當(dāng)環(huán)境溫度低于溫度閾值時(shí)，儲(chǔ)存電容CS及/或液晶電容CL的充電率仍大于或等于充電率閾值，以有效地改善液晶顯示器100的低溫?zé)连F(xiàn)象。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，充電率閾值介于約90％～99％之間。在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，溫度閾值介于約-20℃～-40℃之間。但本實(shí)用新型不以此范圍為限。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，儲(chǔ)存電容CS及/或液晶電容CL的充電率的提高是通過(guò)改變像素設(shè)計(jì)參數(shù)、驅(qū)動(dòng)頻率及/或柵極正電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)，藉以改善液晶顯示器100的低溫?zé)连F(xiàn)象。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，燒屏現(xiàn)象的測(cè)試是通過(guò)對(duì)液晶顯示器100實(shí)施燒屏條件。燒屏條件包含于液晶顯示器100上顯示測(cè)試畫面并維持測(cè)試畫面一段時(shí)間后，轉(zhuǎn)換液晶顯示器100上顯示的畫面為灰階畫面，并偵測(cè)烙痕于液晶顯示器100上的存在時(shí)間。但燒屏現(xiàn)象的測(cè)試有各種方法，在此提出的燒屏條件僅作為例示，本實(shí)用新型不以此為限。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，灰階畫面的灰階階調(diào)是介于液晶顯示器100的最小灰階階調(diào)與最大灰階階調(diào)之間。舉例來(lái)說(shuō)，在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，灰階畫面可為128灰階階調(diào)。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，即便液晶顯示器100處于環(huán)境溫度低于溫度閾值的狀況下，對(duì)液晶顯示器100實(shí)施燒屏現(xiàn)象的測(cè)試，液晶顯示器100的烙痕的存在時(shí)間小于時(shí)間閾值，換言的，本實(shí)用新型的液晶顯示器100的烙痕在很短的時(shí)間內(nèi)就消失了。一般而言，在對(duì)液晶顯示器100實(shí)施燒屏現(xiàn)象的測(cè)試的后，烙痕的存在時(shí)間小于五分鐘為可接受的水平。因此，在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，可設(shè)定時(shí)間閾值為5分鐘，但不以此為限。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，在低溫環(huán)境下的儲(chǔ)存電容CS及/或液晶電容CL的充電率達(dá)到充電率閾值的實(shí)現(xiàn)是通過(guò)像素單元112中的晶體管T的參數(shù)設(shè)計(jì)。在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，晶體管T的信道寬度對(duì)信道長(zhǎng)度的比率為40.728/3.5。表1所示為測(cè)試液晶顯示器100在常溫時(shí)與環(huán)境溫度低于溫度閾值時(shí)的充電率與烙痕的存在時(shí)間的測(cè)試結(jié)果：

表1

表1中的機(jī)種A為依據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例的液晶顯示器100的示范例，其中機(jī)種A的晶體管T的信道寬度對(duì)信道長(zhǎng)度的比率為40.728/3.5。而機(jī)種B的液晶顯示器100是作為對(duì)照用，其中機(jī)種B的液晶顯示器100與機(jī)種A的液晶顯示器100使用的彩色濾光片、面板組裝以及晶體管T的材料組配都相同，僅像素單元112中的晶體管T的設(shè)計(jì)參數(shù)不同。機(jī)種B的晶體管T的信道寬度對(duì)信道長(zhǎng)度的比率為17.728/3.5。

如表1所示，在常溫下，機(jī)種A的液晶顯示器100與機(jī)種B的液晶顯示器100的充電率均達(dá)到99.17％以上，以使機(jī)種A的液晶顯示器100與機(jī)種B的液晶顯示器100在以128灰階階調(diào)進(jìn)行烙痕測(cè)試時(shí)烙痕均立即消失。然而，在溫度低于溫度閾值(例如-30℃)時(shí)，僅機(jī)種A的液晶顯示器100的充電率達(dá)到98.75％，相比之下，機(jī)種B的液晶顯示器100的充電率只能達(dá)到84.48％。在以128灰階階調(diào)進(jìn)行烙痕測(cè)試時(shí)，僅機(jī)種A的液晶顯示器100的烙痕立即消失，相比之下，機(jī)種B的液晶顯示器100的烙痕10分鐘才會(huì)消失。由上可知，在低溫環(huán)境(例如-30℃)中，當(dāng)充電率達(dá)到98.75％以上時(shí)，烙痕會(huì)立即消失，也就是烙痕的存在時(shí)間小于設(shè)定的時(shí)間閾值(例如5分鐘)。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果，本案將充電率閾值設(shè)定為98.75％，以使烙痕立即消失。

此外，在環(huán)境溫度低于溫度閾值(例如-30℃)時(shí)，機(jī)種A的充電率可達(dá)到至少98.75％。此時(shí)無(wú)論以何種灰階階調(diào)的灰階畫面對(duì)機(jī)種A進(jìn)行測(cè)試，機(jī)種A的液晶顯示器100的烙痕均立即消失。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，在低溫環(huán)境下的儲(chǔ)存電容CS及/或液晶電容CL的充電率達(dá)到充電率閾值的實(shí)現(xiàn)是通過(guò)提高掃描線S1～SN的柵極正電壓。表2所示為測(cè)試液晶顯示器100在常溫時(shí)與環(huán)境溫度低于溫度閾值時(shí)的充電率與烙痕的存在時(shí)間的測(cè)試結(jié)果：

表2

如表2所示，在常溫下，對(duì)機(jī)種B的液晶顯示器100施加不同的柵極正電壓，機(jī)種B的液晶顯示器100的充電率均達(dá)到99.17％以上，以使機(jī)種B的液晶顯示器100在以128灰階階調(diào)進(jìn)行烙痕測(cè)試時(shí)的烙痕均立即消失。然而，在溫度低于溫度閾值(例如-30℃)時(shí)，須對(duì)機(jī)種B實(shí)施28V以上的柵極正電壓，以使機(jī)種B在低溫環(huán)境中的充電率達(dá)到90％以上，此時(shí)，機(jī)種B的烙痕存在時(shí)間才會(huì)小于時(shí)間閾值(例如5分鐘)。由上可知，在低溫環(huán)境中，當(dāng)充電率達(dá)到90％以上時(shí)，烙痕存在時(shí)間會(huì)小于時(shí)間閾值(例如5分鐘)。因此，可設(shè)定在低溫環(huán)境時(shí)的充電率閾值為90％，以使烙痕存在時(shí)間小于時(shí)間閾值(例如5分鐘)。

除此的外，如表2所示，在溫度低于溫度閾值(例如-30℃)時(shí)，若是對(duì)機(jī)種B實(shí)施36V的柵極正電壓時(shí)，機(jī)種B的液晶顯示器100的充電率可達(dá)到98.73％以上，使得以128灰階階調(diào)進(jìn)行烙痕測(cè)試時(shí)的烙痕立即消失。此外，若是對(duì)機(jī)種B實(shí)施36V的柵極正電壓，無(wú)論以何種灰階階調(diào)的灰階畫面進(jìn)行測(cè)試，機(jī)種B的液晶顯示器100的烙痕均立即消失。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果，本案將在低溫環(huán)境時(shí)的充電率閾值設(shè)定為98.73％，以使烙痕立即消失。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，在低溫環(huán)境下的儲(chǔ)存電容CS及/或液晶電容CL的充電率達(dá)到充電率閾值的實(shí)現(xiàn)是通過(guò)提高掃描線S1～SN的驅(qū)動(dòng)頻率。表3所示為測(cè)試液晶顯示器100在常溫時(shí)與環(huán)境溫度低于溫度閾值時(shí)的充電率與烙痕的存在時(shí)間的測(cè)試結(jié)果：

表3

如表3所示，在常溫下，對(duì)機(jī)種B的液晶顯示器100施加不同的驅(qū)動(dòng)頻率，機(jī)種B的液晶顯示器100的充電率均達(dá)到99.17％以上，以使機(jī)種B的液晶顯示器100在以128灰階階調(diào)進(jìn)行烙痕測(cè)試時(shí)烙痕均立即消失。然而，在溫度低于溫度閾值(例如-30℃)時(shí)，若是對(duì)機(jī)種B實(shí)施60Hz或50Hz的驅(qū)動(dòng)頻率，則機(jī)種B的液晶顯示器100在以128灰階階調(diào)進(jìn)行烙痕測(cè)試時(shí)，烙痕的存在時(shí)間大于設(shè)定的時(shí)間閾值(例如5分鐘)。但若是對(duì)機(jī)種B實(shí)施30Hz以下的驅(qū)動(dòng)頻率時(shí)，機(jī)種B的液晶顯示器100的充電率可達(dá)到97.01％以上，以使烙痕存在時(shí)間小于時(shí)間閾值(例如5分鐘)。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果，本實(shí)用新型將在低溫環(huán)境時(shí)的充電率閾值設(shè)定為97.01％，以使烙痕存在時(shí)間小于時(shí)間閾值(例如5分鐘)。

除此的外，如表3所示，在溫度低于溫度閾值(例如-30℃)時(shí)，若是對(duì)機(jī)種B實(shí)施20Hz的驅(qū)動(dòng)頻率，機(jī)種B的液晶顯示器100的充電率可達(dá)到99.38％，且在以128灰階階調(diào)進(jìn)行烙痕測(cè)試時(shí)烙痕立即消失。此外，在對(duì)機(jī)種B實(shí)施20Hz的驅(qū)動(dòng)頻率時(shí)，無(wú)論以何種灰階階調(diào)的灰階畫面進(jìn)行測(cè)試，機(jī)種B的液晶顯示器100的烙痕均立即消失。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果，本案將在低溫環(huán)境時(shí)的充電率閾值設(shè)定為99.38％，以使烙痕立即消失。

如上所述的時(shí)間閾值、充電率閾值以及溫度閾值僅作為例示，本實(shí)用新型并不以此為限。

本實(shí)用新型的實(shí)施例中的電路與功能可以通過(guò)硬件、軟件或例如微控制器、集成電路(ASIC)以及可編程微控制器等的硬件與軟件的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。

本實(shí)用新型所述的液晶顯示器，通過(guò)改變像素設(shè)計(jì)參數(shù)、驅(qū)動(dòng)頻率及/或柵極正電壓，可提高在低溫環(huán)境下的電容充電率，使電容充電率在低溫環(huán)境下達(dá)到充電率閾值，并有效地改善在低溫環(huán)境下的燒屏現(xiàn)象。

雖然本實(shí)用新型已以實(shí)施方式公開(kāi)如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。