技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及一種低衰減單模光纖及其制備方法，包括有芯層和包層，其特征在于所述的芯層半徑r1為3.5～4.0μm，相對折射率差△1為0.33～0.36％，芯層外從內向外依次包覆內包層和外包層，所述的內包層半徑r2為12～14μm，相對折射率差△2為?0.01～0.01％，所述的外包層半徑r3為62～63μm，所述的外包層為純二氧化硅玻璃層。通過VAD工藝制造芯棒得到芯層摻鍺和氯、內包層摻氟和氯的玻璃芯棒，將此芯棒套入純二氧化硅外套管，或通過OVD工藝在此芯棒外面沉積外包層，得到可供拉絲的預制棒，將此預制棒在1500～3300m/min的拉絲速度下進行拉絲形成光纖。本發(fā)明通過摻氯減少芯層摻鍺量和改善芯包層粘度匹配實現(xiàn)光纖的低衰減，該光纖制備工藝較為簡單，制作成本低，且工藝穩(wěn)定，產出合格率高。

技術研發(fā)人員：陳剛;朱繼紅;黃利偉;雷漢林;馮正鵬;汪洪海;王瑞春
受保護的技術使用者：長飛光纖光纜股份有限公司
技術研發(fā)日：2017.07.04
技術公布日：2017.10.13