本發(fā)明涉及太赫茲可變衰減器技術領域，尤其涉及的是一種太赫茲可變衰減器。

背景技術：

太赫茲波是指光波頻率在0.1～10thz的范圍內(nèi)，真空中的相應波長為(3000～30)μm，它是位于紅外與微波之間的一個波段，通常也叫thz波。

近幾年來，隨著人們對太赫茲波的產(chǎn)生和探測技術研究的日漸深入，太赫茲波在物質特性分析、成像、探測、遙感和國防上面的作用日益凸顯出來，由此引起了一場世界范圍內(nèi)的針對太赫茲波的研究熱潮。目前對太赫茲波的衰減一般是通過一片硅片的衰減來進行的，但是由于一片硅片的衰減量是固定的，因此不能很好的滿足用戶想要輸出額定太赫茲波功率的要求。

當用多片硅片對太赫茲波進行衰減時，由于相鄰兩片硅片會產(chǎn)生法布里-玻羅效應，導致衰減量與預期的衰減量不同。因為硅片表面都是很光滑的，所以當太赫茲波入射后，會有部分光透過，部分光反射回去，反射回去的光到另一個硅平面，又反射回來，從而形成法布里-玻羅效應，大大影響太赫茲光的定量衰減。如圖1所示。

現(xiàn)有的太赫茲衰減片存在以下不足：

(1)現(xiàn)有的太赫茲衰減片都是硅片，單片只有固定的衰減量，對太赫茲波的功率衰減只有一個定值，難以達到理想的太赫茲功率；

(2)現(xiàn)有的多硅片可調(diào)太赫茲衰減器，由于硅片之間存在法布里-玻羅效應，導致多片硅衰減片的衰減量是不可控的；

(3)由于硅衰減片有一定的厚度，當角度稍微有所不同的時候，硅衰減片對太赫茲波的衰減量也有所不同；

(4)平滑表面的硅片加工難度極高，而且需要加工數(shù)片，對加工工藝的要求就更高了。

因此，現(xiàn)有技術存在缺陷，需要改進。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種太赫茲可變衰減器。

本發(fā)明的技術方案如下：

一種太赫茲可變衰減器，包括數(shù)片基于砷化鎵材料的薄片排列而成，太赫茲光源發(fā)出的太赫茲光經(jīng)過砷化鎵材料的薄片衰減并到太赫茲探測器中，太赫茲探測器用于計算的太赫茲功率；帶有凹槽的底座用于放置使太赫茲波按相同的方向經(jīng)過所述薄片。

上述方案中，所述薄片的數(shù)量根據(jù)需要增加或者減少。

上述方案中，所述薄片1作為衰減片都很薄并且厚度相同。，從而保證最后的衰減量是每片衰減量的和。

上述方案中，所述薄片的厚度小于1mm，最佳為0.7mm。

上述方案中，所述底座放置薄片的槽需要相互平行。

上述方案中，所述薄片根據(jù)需要增加或者減少。

采用上述方案，方法設計的太赫茲可變衰減器，使用方便，對放置角度要求低，精度高。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術中多硅片之間形成的法布里-玻羅效應示意圖。

圖2為本發(fā)明太赫茲可變衰減器的結構示意圖。

圖3為本發(fā)明太赫茲可變衰減器底座的結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面結合附圖和具體實施例，對本發(fā)明進行更詳細的說明。但是，本發(fā)明可以采用許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本說明書所描述的實施例。需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。

除非另有定義，本說明書所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本說明書中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是用于限制本發(fā)明。本說明書所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

實施例1

如圖2-圖3所示，本發(fā)明太赫茲可變衰減器是由數(shù)片基于砷化鎵材料的薄片1排列而成，薄片1的數(shù)量可以根據(jù)需要增加或者減少。太赫茲光源2發(fā)出的太赫茲光經(jīng)過砷化鎵材料的薄片1可以衰減并到太赫茲探測器3中，太赫茲探測器3可以計算的太赫茲功率。每片砷化鎵材料薄片1作為衰減片都很薄并且厚度相同，這樣就可以保證每片薄片1作為衰減片對太赫茲波的衰減量是相同的，并且多片砷化鎵材料的薄片1作為衰減片不會產(chǎn)生法布里-玻羅效應，影響最后的太赫茲衰減量。帶有凹槽的底座4可以使太赫茲波按相同的方向經(jīng)過砷化鎵材料的薄片1作為衰減片，從而保證最后的衰減量是每片衰減量的和。所述薄片1的厚度小于1mm，最佳為0.7mm在薄片1為0.7mm，能夠最大程度上保證選用砷化鎵材料作為衰減材料，厚度相同的情況下，對太赫茲波的衰減量相同。

太赫茲衰減器底座放置衰減片的槽5需要相互平行，保證太赫茲波是以相同的角度入射到每個太赫茲衰減片。

太赫茲衰減器上的衰減薄片可以根據(jù)需要增加或者減少。

相對于現(xiàn)有技術方案，本發(fā)明的優(yōu)點在于：(1)消除了多衰減片組合會產(chǎn)生法布里-玻羅效應的問題，可以通過組合得到想要的太赫茲波功率。(2)制作方便，精確度高。(3)使用便捷，適于外出便攜，穩(wěn)定性好。

需要說明的是，上述各技術特征繼續(xù)相互組合，形成未在上面列舉的各種實施例，均視為本發(fā)明說明書記載的范圍；并且，對本領域普通技術人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬于本發(fā)明所附權利要求的保護范圍。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明提供一種太赫茲可變衰減器，由數(shù)片基于砷化鎵材料的薄片排列而成，薄片的數(shù)量可以根據(jù)需要增加或者減少。太赫茲光源發(fā)出的太赫茲光經(jīng)過砷化鎵材料的薄片可以衰減并到太赫茲探測器中，太赫茲探測器可以計算的太赫茲功率。每片砷化鎵材料薄片作為衰減片都很薄并且厚度相同，這樣就可以保證每片薄片作為衰減片對太赫茲波的衰減量是相同的，并且多片砷化鎵材料的薄片作為衰減片不會產(chǎn)生法布里?玻羅效應，影響最后的太赫茲衰減量。帶有凹槽的底座可以使太赫茲波按相同的方向經(jīng)過砷化鎵材料的薄片作為衰減片，從而保證最后的衰減量是每片衰減量的和。采用上述方案，方法設計的太赫茲可變衰減器，使用方便，對放置角度要求低，精度高。

技術研發(fā)人員：姜斌;吳斌;楊延召;王恒飛;應承平
受保護的技術使用者：中國電子科技集團公司第四十一研究所
技術研發(fā)日：2017.05.27
技術公布日：2017.09.26