技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種陣列基板，其包括：基板；薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板之上；像素電極，設(shè)置于所述基板之上且與所述薄膜晶體管的漏極接觸；公共電極，設(shè)置于所述像素電極之上且與所述像素電極電絕緣，所述公共電極中具有多個(gè)第一通孔。本發(fā)明還公開了一種該陣列基板的制作方法。本發(fā)明的陣列基板及其制作方法，能夠降低公共電極和像素電極之間的寄生電容，并且能夠加速聚集離子的釋放。此外，本發(fā)明通過形成立體電極結(jié)構(gòu)，有效增強(qiáng)橫向電場(chǎng)，從而可以降低驅(qū)動(dòng)電壓，提高顯示穿透率，降低能耗。

技術(shù)研發(fā)人員：陳興武;陳黎暄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華星光電技術(shù)有限公司
文檔號(hào)碼：201710227135
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.06
技術(shù)公布日：2017.06.13