1.一種量子點彩色濾光片，其特征在于，包括襯底基板、黑矩陣和量子點層，所述黑矩陣和所述量子點層均位于所述襯底基板上，所述黑矩陣呈網(wǎng)格狀，所述量子點層位于所述黑矩陣所圍成的網(wǎng)格內(nèi)，其中，所述黑矩陣可反射所述量子點層中的量子點被激發(fā)后發(fā)出的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點彩色濾光片，其特征在于，所述黑矩陣包括位于所述襯底基板上的第一黑矩陣層和覆蓋在所述第一黑矩陣層上的第二黑矩陣層，所述第二黑矩陣層的光反射率高于所述第一黑矩陣層的光反射率，所述第一黑矩陣層與所述襯底基板之間的貼合力高于所述第二黑矩陣層與所述襯底基板之間的貼合力。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點彩色濾光片，其特征在于，所述第一黑矩陣層的材料為鉻，所述第二黑矩陣層的材料為鋁、銀或鋁銀合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點彩色濾光片，其特征在于，所述第一黑矩陣層的厚度為5μm～100μm，所述第二黑矩陣層的厚度為2nm～20nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點彩色濾光片，其特征在于，所述黑矩陣的材料為鋁、銀或鋁銀合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的量子點彩色濾光片，其特征在于，所述鋁銀合金中，鋁和銀的質(zhì)量比為90:10～95:5。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點彩色濾光片，其特征在于，所述黑矩陣的厚度為5μm～100μm。
8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置設(shè)置有如權(quán)利要求1～7任一所述的量子點彩色濾光片。
9.一種量子點彩色濾光片的制造方法，其特征在于，用于制造如權(quán)利要求1～7任一所述的量子點彩色濾光片，所述量子點彩色濾光片的制造方法包括：
提供一襯底基板；
在所述襯底基板上形成黑矩陣和量子點層，所述黑矩陣呈網(wǎng)格狀，所述量子點層位于所述黑矩陣所圍成的網(wǎng)格內(nèi)，其中，所述黑矩陣可反射所述量子點層中的量子點被激發(fā)后發(fā)出的光。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點彩色濾光片的制造方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成黑矩陣和量子轉(zhuǎn)換層的步驟包括：
采用液相沉積法在所述襯底基板上沉積鉻金屬層；
在所述鉻金屬層上涂覆光刻膠；
對涂覆在所述鉻金屬層上的光刻膠進行曝光和顯影；
對所述鉻金屬層進行濕刻，其中，對所述鉻金屬層進行濕刻時所使用的刻蝕液為硝酸鈰銨與高氯酸的混合溶液，硝酸鈰銨的質(zhì)量百分數(shù)為5％～20％，高氯酸的體積百分數(shù)為1.5％～8％；
去除所述鉻金屬層上未被曝光的光刻膠；
采用電化學沉積法形成覆蓋鉻的鋁、銀或鋁銀合金；
在所述襯底基板上形成所述量子點層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點彩色濾光片的制造方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成黑矩陣和量子轉(zhuǎn)換層的步驟包括：
采用液相沉積法在所述襯底基板上沉積鋁金屬層、銀金屬層或鋁銀合金層；
在所述鋁金屬層、所述銀金屬層或所述鋁銀合金層上涂覆光刻膠；
對涂覆在所述鋁金屬層、所述銀金屬層或所述鋁銀合金層上的光刻膠進行曝光和顯影；
對所述鋁金屬層、所述銀金屬層或所述鋁銀合金層進行刻蝕；
去除所述鋁金屬層、所述銀金屬層或所述鋁銀合金層上未被曝光的光刻膠；
在所述襯底基板上形成所述量子點層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的量子點彩色濾光片的制造方法，其特征在于，對所述鋁金屬層進行刻蝕時，利用氯化硼刻蝕劑對所述鋁金屬層進行刻蝕，并利用鈍化氣體對所述鋁金屬層進行鈍化和沖洗，所述鈍化氣體包括氮氣、三氟甲烷和乙烯，所述鈍化氣體中，氮氣、三氟甲烷和乙烯的體積比為3:1:2～5:3:3。