1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
襯底基板；
公共電極層，所述公共電極層包括多個(gè)公共電極單元，且所述公共電極單元在觸控階段復(fù)用為觸控電極；
第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述公共電極層背離所述襯底基板的一側(cè)；
像素電極，所述像素電極位于所述第一絕緣層背離所述襯底基板的一側(cè)；
觸控信號(hào)線，所述觸控信號(hào)線位于所述第一絕緣層背離所述襯底基板的一側(cè)；
其中，每個(gè)所述公共電極單元與至少一條所述觸控信號(hào)線通過設(shè)置于所述第一絕緣層上的過孔連接；
所述觸控信號(hào)線與所述像素電極絕緣設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括集成電路，所述多個(gè)公共電極單元為呈陣列排布的公共電極塊，所述公共電極單元通過所述觸控信號(hào)線與所述集成電路連接；
在顯示階段，所述集成電路為所述公共電極單元提供公共電壓信號(hào)；
在觸控階段，所述集成電路為所述公共電極單元提供觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并接收所述公共電極單元上收集的觸控感應(yīng)信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線和掃描線，所述觸控信號(hào)線平行于所述數(shù)據(jù)線的延伸方向，且一所述觸控信號(hào)線與一所述數(shù)據(jù)線在垂直于所述襯底基板的方向上相互交疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域位于所述像素電極與所述公共電極之間，所述第二區(qū)域位于所述觸控信號(hào)線與所述公共電極之間；其中，
所述第一區(qū)域包括第一材料層，所述第二區(qū)域包括所述第一材料層和第二材料層，所述第二區(qū)域的厚度大于所述第一區(qū)域的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一材料層由氮化硅材料制成，所述第二材料層由氧化硅材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一材料層的厚度范圍為50nm-200nm，所述第二材料層的厚度范圍為50-200nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層由氮化硅材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，觸控信號(hào)線由Mo、Al或Ti制成。
9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，用于如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，所述方法包括：
沉積第一透明電極層，對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行一次圖案化處理，形成公共電極層；
在所述公共電極層上沉積第一絕緣層，對(duì)所述第一絕緣層進(jìn)行一次圖案化處理，形成過孔；
在所述第一絕緣層上沉積一層金屬層，對(duì)所述金屬層進(jìn)行一次圖案化處理，形成觸控信號(hào)線以及，所述觸控信號(hào)線通過所述過孔與所述公共電極層連接；
在所述第一絕緣層上沉積一層第二透明導(dǎo)電層，對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行一次圖案化處理，形成像素電極，所述觸控信號(hào)線與所述像素電極絕緣設(shè)置。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括：
如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板；
彩膜基板；
位于所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的顯示面板。