技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種長(zhǎng)程表面等離子激元波導(dǎo)耦合器，其特征是，包括順序疊接的第一SiO2層、Ag層和第二SiO2層，所述第一SiO2層和第二SiO2層對(duì)稱設(shè)置在Ag層的兩面。這種耦合器能使入射光突破衍射極限，高效耦合進(jìn)硅基光子器件中，能提高光纖與硅基光子器件之間的耦合效率，而且此種長(zhǎng)程表面等離子激元波導(dǎo)耦合器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)于工藝要求低，易于加工，成本較低。

技術(shù)研發(fā)人員：肖經(jīng);劉平;韋啟欽;王泉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：桂林電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710003556
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.04
技術(shù)公布日：2017.05.31