本發(fā)明涉及無機(jī)偏振片。

背景技術(shù)：

僅使在特定方向偏振或極化的光通過的偏振片用于液晶顯示裝置等中。

作為上述偏振片，廣泛使用在聚乙烯醇(pva)膜中吸附有碘化合物并使其延伸取向而呈現(xiàn)可見光的吸收二色性的偏光膜。上述偏光膜為了確保機(jī)械強(qiáng)度、耐熱性、耐濕性，由三醋酸纖維素(tac)等透明膜從兩面夾持，并在其上實施防傷、防污物附著等的硬化處理。

入射到上述偏光膜的光中未通過的偏光成分的光，在偏光膜內(nèi)被吸收，并作為熱釋放到上述偏光膜外。因此，在照射強(qiáng)光時，會有因發(fā)熱而使上述偏光膜的溫度上升、偏光特性變差這樣的問題。其原因在于有機(jī)材料自身的耐熱性，難以從本質(zhì)上進(jìn)行改善。

這里，作為即使在要求高耐熱性的場所也能夠使用的偏振片，正在研究完全僅由無機(jī)材料構(gòu)成的線柵偏振片。上述線柵偏振片具有在基板表面形成由帶有光的波長以下周期的微細(xì)的金屬線形成的線柵的結(jié)構(gòu)(例如，參見專利文獻(xiàn)1)。

線柵偏振片中，如果柵極(グリッド)端部附著液狀污物，則上述液狀污物會因柵極結(jié)構(gòu)的凹凸而引起的毛細(xì)現(xiàn)象而擴(kuò)散至線柵的凹部內(nèi)，會使線柵偏振片的光學(xué)特性下降。

這里，提出了以下這樣的偏振鏡(例如，參見專利文獻(xiàn)2)。偏振鏡在端部具有隔著邊界的第1表面，包括標(biāo)準(zhǔn)區(qū)域和肋(リブ)修正區(qū)域。上述標(biāo)準(zhǔn)區(qū)域包括具有標(biāo)準(zhǔn)特性的肋。上述標(biāo)準(zhǔn)區(qū)域使入射光產(chǎn)生偏光。上述肋修正區(qū)域在上述標(biāo)準(zhǔn)區(qū)域的至少一部分與上述端部之間，沿著基板的端部的至少一部分來設(shè)置。上述肋修正區(qū)域包含修正肋，其被修正為具有與標(biāo)準(zhǔn)特性不同的特性，從而使得上述肋修正區(qū)域的毛細(xì)作用實質(zhì)地小于上述標(biāo)準(zhǔn)區(qū)域的毛細(xì)作用。

在這樣的偏振鏡中，通過設(shè)置修正肋與肋的毛細(xì)作用的大小不同，來防止液狀污物向肋的侵入。

但是，在該提案的技術(shù)中，因為需要制作肋和修正肋，制造工序變得煩雜，除此之外，由于修正肋也有毛細(xì)作用，因而存在不能完全防止液狀污物介由修正肋向肋的侵入這樣的問題。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-210829號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開2013-218294號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明以解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述各問題并實現(xiàn)以下目的為課題。即，本發(fā)明的目的在于，提供無機(jī)偏振片，制造工序并不煩雜，且能夠抑制因附著在端部的液狀污物所引起的光學(xué)特性的下降。

解決課題的方法

作為上述解決課題的方法，如下所述。即，

<1>一種無機(jī)偏振片，其依次具有相對于使用帶寬的光為透明的基板、第1電介質(zhì)層、多個線狀金屬層、多個線狀第2電介質(zhì)層和多個線狀光吸收層，其特征在于，

上述多個線狀金屬層以比上述光的波長更短的間隔分隔排列在上述第1電介質(zhì)層上，

上述多個線狀第2電介質(zhì)層的各個線狀第2電介質(zhì)層配置在上述多個線狀金屬層的各個線狀金屬層上，

上述多個線狀光吸收層的各個線狀光吸收層配置在上述多個線狀第2電介質(zhì)層的上述各個線狀第2電介質(zhì)層上，

在上述線狀金屬層的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部，具有覆蓋上述線狀金屬層、上述線狀第2電介質(zhì)層和上述線狀光吸收層的長度方向的端部的拒水層。

<2>如上述<1>所記載的無機(jī)偏振片，在多個線狀金屬層間所面對的、線狀金屬層的側(cè)面上和第1電介質(zhì)層的表面上，具有第3電介質(zhì)層。

<3>如上述<1>至<2>任一項所記載的無機(jī)偏振片，線狀金屬層的材質(zhì)為al、ag、cu、mo、cr、ti、ni、w、fe、si、ge、te以及由這些中的2種以上形成的合金中的任一種。

<4>如上述<1>至<3>任一項所記載的無機(jī)偏振片，第1電介質(zhì)層和線狀第2電介質(zhì)層的材質(zhì)為sio2和al2o3中的任一種。

<5>如上述<1>至<4>任一項所記載的無機(jī)偏振片，線狀光吸收層的材質(zhì)為ta、al、ag、cu、mo、cr、ti、w、ni、fe、sn、si以及這些中的2種以上的合金中的任一種。

<6>如上述<1>至<5>任一項所記載的無機(jī)偏振片，拒水層的水接觸角為90°以上。

<7>如上述<1>至<6>任一項所記載的無機(jī)偏振片，拒水層的材質(zhì)為有機(jī)聚硅氮烷。

<8>如上述<1>至<7>任一項所記載的無機(jī)偏振片，基板的材質(zhì)是玻璃、水晶和藍(lán)寶石中的任一種。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，提供無機(jī)偏振片，解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述各問題，能夠?qū)崿F(xiàn)上述目的，制造工序并不煩雜，且能夠抑制因附著在端部的液狀污物所引起的光學(xué)特性的下降。

附圖說明

[圖1]圖1是本發(fā)明無機(jī)偏振片的一例的概略側(cè)面圖。

[圖2]圖2是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略側(cè)面圖。

[圖3]圖3是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略側(cè)面圖。

[圖4]圖4是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略側(cè)面圖。

[圖5]圖5是本發(fā)明無機(jī)偏振片的一例的概略俯視圖。

[圖6]圖6是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略俯視圖。

[圖7]圖7是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略俯視圖。

[圖8]圖8是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略俯視圖。

[圖9]圖9是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的流程圖。

[圖10a]圖10a是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之一)。

[圖10b]圖10b是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之二)。

[圖10c]圖10c是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之三)。

[圖10d]圖10d是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之四)。

[圖10e]圖10e是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之五)。

[圖10f]圖10f是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之六)。

[圖10g]圖10g是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之七)。

[圖10h]圖10h是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之八)。

[圖10i]圖10i是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖(之九)。

[圖11]圖11是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的流程圖。

[圖12a]圖12a是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的概略圖(之一)。

[圖12b]圖12b是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的概略圖(之二)。

[圖13]圖13是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的流程圖。

[圖14a]圖14a是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的概略圖(之一)。

[圖14b]圖14b是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的概略圖(之二)。

[圖14c]圖14c是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的概略圖(之三)。

[圖14d]圖14d是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的概略圖(之四)。

[圖15a]圖15a是因毛細(xì)現(xiàn)象所產(chǎn)生的液面上升高度的模擬結(jié)果。

[圖15b]圖15b是因毛細(xì)現(xiàn)象所產(chǎn)生的液面上升高度的模擬結(jié)果。

[圖16a]圖16a是顯示超拒水性的樣子的照片。

[圖16b]圖16b是顯示超拒水性的樣子的照片。

[圖17]圖17是觀察因毛細(xì)現(xiàn)象所導(dǎo)致的皮脂污物的狀態(tài)的結(jié)果。

[圖18]圖18是顯示累計照射時間與接觸角之間關(guān)系的曲線。

[圖19]圖19是顯示累計照射時間、接觸角和毛細(xì)現(xiàn)象之間關(guān)系的照片。

具體實施方式

(無機(jī)偏振片)

本發(fā)明的無機(jī)偏振片至少依次具有基板、第1電介質(zhì)層、多個線狀金屬層、多個線狀第2電介質(zhì)層和多個線狀光吸收層。

上述無機(jī)偏振片在上述線狀金屬層的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部，具有拒水層。

上述拒水層覆蓋上述線狀金屬層、上述線狀第2電介質(zhì)層和上述線狀光吸收層的長度方向的端部。

上述無機(jī)偏振片就是所謂的線柵偏振片。

本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，至少依次具有基板、第1電介質(zhì)層、多個線狀金屬層、多個線狀第2電介質(zhì)層和多個線狀光吸收層的無機(jī)偏振片，制造工序并不煩雜，且偏光特性良好。而且，本發(fā)明者們?yōu)榱艘种埔蛟诙瞬扛街囊籂钗畚锼鸬墓鈱W(xué)特性的下降，進(jìn)行了認(rèn)真的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，上述無機(jī)偏振片通過在上述線狀金屬層的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部，具有拒水層，所述拒水層覆蓋上述線狀金屬層、上述線狀第2電介質(zhì)層和上述線狀光吸收層的長度方向的端部，從而能夠抑制因在端部附著的液狀污物所引起的光學(xué)特性的下降，從而完成了本發(fā)明。

<基板>

作為上述基板，只要是相對于使用帶寬的光為透明，則其材質(zhì)、形狀、大小、結(jié)構(gòu)就沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇。

作為上述使用帶寬的光，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，可以列舉例如可見光等。作為上述可見光，可以列舉例如380nm～810nm的光等。

相對于上述使用帶寬的光為透明，并不意味著透過率為100％，只要在保持作為無機(jī)偏振片的功能的范圍內(nèi)是透明的即可。

作為上述基板的材質(zhì)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，優(yōu)選為玻璃、水晶、藍(lán)寶石，從成本和透過率的角度，更優(yōu)選為玻璃。

此外，作為上述基板的材質(zhì)，優(yōu)選折射率為1.1～2.2的材料。

作為上述基板的平均厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，優(yōu)選為300μm～1,000μm。

<第1電介質(zhì)層>

上述第1電介質(zhì)層形成于上述基板之上。

作為上述第1電介質(zhì)層的材質(zhì)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，可以列舉例如sio2、al2o3、mgf2等。這些中，優(yōu)選sio2、al2o3。

作為上述第1電介質(zhì)層的平均厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，從提高干涉效果的角度，優(yōu)選為1nm～105nm，更優(yōu)選為35nm～105nm。

這里，上述平均厚度可以通過例如掃描電子顯微鏡觀察、透射電子顯微鏡觀察來求出。例如，測定任意10個地方的厚度，由其算術(shù)平均值求出平均厚度。

<多個線狀金屬層>

上述多個線狀金屬層在上述無機(jī)偏振片中，以比上述光的波長更短的間隔分隔排列在上述第1電介質(zhì)層上。

作為上述線狀金屬層的材質(zhì)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，從圖案形成和光學(xué)特性的角度，優(yōu)選為al、ag、cu、mo、cr、ti、ni、w、fe、si、ge、te以及由這些中的2種以上形成的合金中的任一種。

作為與上述線狀金屬層的長度方向垂直的截面中的上述線狀金屬層的截面形狀，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，可以列舉例如矩形、梯形等。

作為上述線狀金屬層的平均厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，從偏光特性的角度，優(yōu)選為20nm～400nm。

此外，作為上述線狀金屬層的平均厚度，優(yōu)選為上述線狀金屬層的平均厚度、上述第2電介質(zhì)層的平均厚度和上述線狀光吸收層的平均厚度的合計的50％以上。

這里，本說明書中，線狀金屬層的平均厚度是與上述線狀金屬層的長度方向垂直的截面中的金屬層的高度的算術(shù)平均值，例如，可以通過掃描電子顯微鏡觀察、透射電子顯微鏡觀察來求出。例如，測定任意10個地方的上述高度，由其算術(shù)平均值求出平均厚度。

作為上述線狀金屬層的平均寬度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，從偏光特性和工藝穩(wěn)定性的角度，優(yōu)選為多個上述線狀金屬層間的平均間隔的20％～60％。

上述線狀金屬層的平均寬度，例如可以通過掃描電子顯微鏡觀察、透射電子顯微鏡觀察來求出。例如，對于4條線狀金屬層，測定任意處的寬度，由其算術(shù)平均值求出平均寬度。需說明的是，上述寬度在上述線狀金屬層的頂部進(jìn)行測定。

作為多個上述線狀金屬層間的平均間隔，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，從制作的容易性和穩(wěn)定性的角度，優(yōu)選為100nm～200nm。

上述平均間隔，例如可以通過掃描電子顯微鏡觀察、透射電子顯微鏡觀察來求出。例如，對任意4個地方的線狀金屬層的間隔(間距)進(jìn)行測定，由其算術(shù)平均求出平均間隔。需說明的是，上述間隔(間距)是指相鄰接的2個線狀金屬層中的、一方的線狀金屬層的頂部中的另一方的線狀金屬層側(cè)的端部與另一方的線狀金屬層的頂部中的一方的線狀金屬層側(cè)相反側(cè)的端部之間的距離。

<多個線狀第2電介質(zhì)層>

上述多個線狀第2電介質(zhì)層中，各個線狀第2電介質(zhì)層配置在上述多個線狀金屬層的各個線狀金屬層上。

作為上述線狀第2電介質(zhì)層的材質(zhì)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，例如可以列舉sio2、al2o3、mgf2等。這些之中，優(yōu)選sio2、al2o3。

作為與上述線狀第2電介質(zhì)層的長度方向垂直的截面中的上述線狀第2電介質(zhì)層的截面形狀，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，例如可以列舉矩形、梯形等。

作為上述線狀第2電介質(zhì)層的平均厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，從提高干涉效果的角度，優(yōu)選為1nm～100nm，更優(yōu)選為3nm～80nm。

上述平均厚度可以與上述線狀金屬層的平均厚度同樣地求出。

<多個線狀光吸收層>

上述多個線狀光吸收層中，各個線狀光吸收層配置在上述多個線狀第2電介質(zhì)層的上述各個線狀第2電介質(zhì)層上。

上述線狀光吸收層具有光吸收作用。

這里，光吸收作用是指使帶有與上述無機(jī)偏振片內(nèi)所形成的格子(柵極)平行的電場成分的偏光波(te波(s波))衰減的作用。需說明的是，上述線狀光吸收層使帶有與上述格子垂直的電場成分的偏光波(tm波(p波))透過。

作為上述線狀光吸收層，在具有光吸收作用的限度內(nèi)，其材質(zhì)沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，例如可以列舉金屬、半導(dǎo)體、含有金屬的半導(dǎo)體等。在這些中，從光學(xué)特性的角度，優(yōu)選ta、al、ag、cu、mo、cr、ti、w、ni、fe、sn、si以及這些中的2種以上的合金中的任一種。

上述線狀光吸收層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)。例如，可以是由含有金屬的半導(dǎo)體形成的單層，也可以是由金屬或半導(dǎo)體以及含有金屬的半導(dǎo)體形成的2層。

通過將上述線狀光吸收層成為由金屬或半導(dǎo)體以及含有金屬的半導(dǎo)體形成的2層結(jié)構(gòu)，能夠抑制反射，提高透過率，并增大對比度。

作為上述線狀光吸收層的平均厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，優(yōu)選為1nm～100nm，更優(yōu)選為5nm～80nm，特別優(yōu)選為10nm～50nm。

上述平均厚度可以與上述線狀金屬層的平均厚度同樣地求出。

<拒水層>

上述拒水層形成于上述線狀金屬層的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部。上述拒水層覆蓋上述線狀金屬層、上述線狀第2電介質(zhì)層和上述線狀光吸收層的長度方向的端部。

上述無機(jī)偏振片中，拒水層除了形成在上述線狀金屬層的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部以外，還可以形成于這之外的地方。

上述無機(jī)偏振片通過在上述線狀金屬層的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部，具有覆蓋上述線狀金屬層、上述線狀第2電介質(zhì)層和上述線狀光吸收層的長度方向的端部的拒水層，從而能夠防止液狀污物從上述線狀金屬層的長度方向的端部侵入到線狀金屬層間(線柵的柵格間)，進(jìn)而防止因毛細(xì)現(xiàn)象而擴(kuò)散到線柵內(nèi)。其結(jié)果是，能夠抑制因在端部附著的液狀污物所引起的光學(xué)特性的下降。

此外，通過上述拒水層，上述無機(jī)偏振片能夠防止液狀污物侵入至線狀金屬層間(線柵的柵格間)，進(jìn)而能夠防止因毛細(xì)現(xiàn)象而擴(kuò)散到線柵內(nèi)，因此，不再如特開2013-218294號公報所記載的發(fā)明那樣需要制作修正肋和肋。因此，上述無機(jī)偏振片的制造工序也不煩雜。

上述拒水層只要為拒水性，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，水接觸角優(yōu)選為90°以上。上述水接觸角例如可以通過使用純水的接觸角計來測定。

作為上述拒水層的材質(zhì)，只要能夠得到拒水性，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，從耐熱性優(yōu)良的角度，優(yōu)選為有機(jī)聚硅氮烷。

作為上述拒水層的平均厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇。

<其他的部件>

作為上述其他的部件，可以列舉例如第3電介質(zhì)層等。

<<第3電介質(zhì)層>>

上述第3電介質(zhì)層配置在2個線狀金屬層間所面對的上述線狀金屬層的側(cè)面上。

上述第3電介質(zhì)層配置在2個線狀金屬層間所面對的上述第1電介質(zhì)層的表面上。

上述無機(jī)偏振片通過具有第3電介質(zhì)層，能夠提高耐熱性、耐濕性等耐久性。

作為上述第3電介質(zhì)層的材質(zhì)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，可以列舉例如sio2、al2o3、mgf2等。這些之中，優(yōu)選sio2、al2o3。

作為上述第3電介質(zhì)層的平均厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇，優(yōu)選為1nm～100nm，更優(yōu)選為3nm～80nm。

這里，使用附圖，對本發(fā)明的無機(jī)偏振片的一例進(jìn)行說明。

圖1是本發(fā)明無機(jī)偏振片的一例的概略側(cè)面圖。

圖2是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略側(cè)面圖。

圖3是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略側(cè)面圖。

圖4是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略側(cè)面圖。

圖1～圖4的無機(jī)偏振片依次具有基板1、第1電介質(zhì)層2、多個線狀金屬層3、多個線狀第2電介質(zhì)層4和多個線狀光吸收層5。

多個線狀金屬層3以比光的波長更短的間隔分隔排列在第1電介質(zhì)層2上。

多個線狀第2電介質(zhì)層4中的各個線狀第2電介質(zhì)層4配置在多個線狀金屬層3的各個線狀金屬層3之上。

多個線狀光吸收層5中的各個線狀光吸收層5配置在多個線狀第2電介質(zhì)層4的各個線狀第2電介質(zhì)層4之上。

該無機(jī)偏振片在線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部具有拒水層6，拒水層6覆蓋線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4和線狀光吸收層5的長度方向的端部。

在線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部，如圖1所示，拒水層6沒有必要覆蓋位于作為上述端部的上述無機(jī)偏振片的邊的兩端的線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4和線狀光吸收層5的長度方向的端部。這是因為，上述無機(jī)偏振片的上述邊的兩端有時會是發(fā)揮偏光功能的區(qū)域(以下，有時稱為“有效區(qū)域”)之外。即，在有效區(qū)域之外的柵極結(jié)構(gòu)中，拒水層6也可以不覆蓋位于作為上述端部的上述無機(jī)偏振片的邊的兩端的線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4和線狀光吸收層5的長度方向的端部。

需說明的是，當(dāng)然，在線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部，如圖2所示，拒水層6也可以覆蓋至作為上述端部的上述無機(jī)偏振片的邊的兩端。

此外，在線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部，如圖3所示，拒水層6也可以覆蓋基板1的一部分，如圖4所示，拒水層6也可以覆蓋基板1的整面。

此外，在線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部，如圖1和圖2所示，拒水層6可以覆蓋第1電介質(zhì)層，也可以不覆蓋。

圖5是本發(fā)明無機(jī)偏振片的一例的概略俯視圖。

圖6是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略俯視圖。

圖7是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略俯視圖。

圖8是本發(fā)明無機(jī)偏振片的另一例的概略俯視圖。

在具有如圖1和圖3所示的側(cè)面的上述無機(jī)偏振片中，在其頂面中，如圖5所示，拒水層6可以僅覆蓋線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部側(cè)的頂面，如圖6所示，拒水層6也可以覆蓋從線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的一個端部經(jīng)由頂面直至另一個端部。

此外，在具有如圖2和圖4所示側(cè)面的上述無機(jī)偏振片中，在其頂面中，如圖7所示，拒水層6也可以僅覆蓋線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部側(cè)的頂面，如圖8所示，拒水層6也可以覆蓋從線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的一個端部經(jīng)由頂面直至另一個端部。

<無機(jī)偏振片的制造方法>

接著，沿著圖9和圖10a～圖10i，對本發(fā)明的無機(jī)偏振片的制造方法的一例進(jìn)行說明。

圖9是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的流程圖。

圖10a～圖10i是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖。

首先，準(zhǔn)備基板1(圖10a)。

接著，在基板1上形成第1電介質(zhì)層2(圖10b)。第1電介質(zhì)層2例如可以通過蒸鍍法、濺射法等來形成。

接著，在第1電介質(zhì)層2上形成金屬層3’(圖10c)。金屬層3’例如可以通過蒸鍍法、濺射法等來形成。

接著，在金屬層3’上形成第2電介質(zhì)層4’(圖10d)。第2電介質(zhì)層4’例如可以通過蒸鍍法、濺射法等來形成。

接著，在第2電介質(zhì)層4’上形成光吸收層5’(圖10e)。光吸收層5’例如可以通過蒸鍍法、濺射法等來形成。

接著，在光吸收層5’上形成抗蝕劑層11’(圖10f)。作為抗蝕劑層11’的材質(zhì)只要是能夠形成具有耐受后述的蝕刻的耐性的抗蝕劑圖案的材質(zhì)，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇?？刮g劑層11’的形成方法可以列舉例如涂布法等。

接著，對于抗蝕劑層11’進(jìn)行曝光和顯影，形成抗蝕劑圖案11(圖10g)。

接著，以抗蝕劑圖案11作為掩模來進(jìn)行蝕刻，形成線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4、線狀光吸收層5(圖10h)。

接著，通過切割(scribe)裝置隨意地切斷為所希望的大小。

接著，在線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的無機(jī)偏振片的端部，形成覆蓋線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4和線狀光吸收層5的長度方向的端部的拒水層6(圖10i)。作為拒水層6的形成方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的而適宜選擇。

如上所述，制作了無機(jī)偏振片。

接著，沿著圖11和圖12a～圖12b，對本發(fā)明的無機(jī)偏振片的制造方法的另一例進(jìn)行說明。

圖11是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的流程圖。

圖12a～圖12b是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的概略圖。

直至以抗蝕劑圖案11作為掩模來進(jìn)行蝕刻、形成線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4、線狀光吸收層5，與圖9和圖10a～圖10h相同。

接著，通過切割裝置隨意地切斷為所希望的大小。

接著，在露出的第1電介質(zhì)層2上、線狀金屬層3側(cè)面上、線狀第2電介質(zhì)層4側(cè)面上以及線狀光吸收層5側(cè)面和頂面上，形成第3電介質(zhì)層7(圖12a)。通過這樣，在多個線狀金屬層3間所面對的、線狀金屬層3的側(cè)面上以及第1電介質(zhì)層2的表面上，形成第3電介質(zhì)層7。

接著，在線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的無機(jī)偏振片的端部，形成覆蓋線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4和線狀光吸收層5的長度方向的端部的拒水層6(圖12b)。

如上所述，制作了無機(jī)偏振片。

接著，沿著圖13和圖14a～圖14d，對本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例進(jìn)行說明。

圖13是本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的另一例的流程圖。

圖14a～圖14d是用于說明本發(fā)明無機(jī)偏振片的制造方法的一例的概略圖。

首先，在準(zhǔn)備好的基板1上，依次形成第1電介質(zhì)層2、金屬層和抗蝕劑層后，進(jìn)行曝光和顯影，形成抗蝕劑圖案，進(jìn)而接著，以抗蝕劑圖案作為掩模進(jìn)行蝕刻，將金屬層加工成為所希望的線狀金屬層3(圖14a)。

接著，通過切割裝置隨意地切斷為所希望的大小。

接著，在露出的第1電介質(zhì)層2上以及線狀金屬層3側(cè)面和頂面上，形成電介質(zhì)層(圖14b)。由此，在多個線狀金屬層3間所面對的、線狀金屬層3的側(cè)面上和第1電介質(zhì)層2的表面上，形成第3電介質(zhì)層7。需說明的是，這里，在圖14b中，所形成的電介質(zhì)層中，將面對多個線狀金屬層3間的、在線狀金屬層3的側(cè)面上和第1電介質(zhì)層2的表面上的電介質(zhì)層稱為第3電介質(zhì)層7，將線狀金屬層3頂面上的電介質(zhì)層稱為線狀第2電介質(zhì)層4。

接著，在線狀第2電介質(zhì)層4之上，形成線狀光吸收層5(圖14c)。

接著，在線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的無機(jī)偏振片的端部，形成覆蓋線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4和線狀光吸收層5的長度方向的端部的拒水層6(圖14d)。

如上所述，制作了無機(jī)偏振片。

<拒水層>

接著，對拒水層進(jìn)行更詳細(xì)的說明。

圖15a和圖15b是以本發(fā)明無機(jī)偏振片的柵極結(jié)構(gòu)為前提，以水作為介質(zhì)，模擬因毛細(xì)現(xiàn)象所產(chǎn)生的液面上升高度對應(yīng)于接觸角的結(jié)果。

這里，圖15a和圖15b中的液面上升高度h(m)由下記式來求出。

[數(shù)1]

這里，t為表面張力(n/m)，ρ為密度(kg/m³)，g為重力加速度(m/s²)、d為管直徑(m)，θ為接觸角(°)。

此外，圖15a和圖15b中的“全密封”、“50％密封”、“25％密封”，如下定義。

全密封：侵入到空隙部的介質(zhì)達(dá)到柵極的最大高度的狀態(tài)

50％密封：侵入到空隙部的介質(zhì)達(dá)到柵極高度的50％的狀態(tài)

25％密封：侵入到空隙部的介質(zhì)達(dá)到柵極高度的25％的狀態(tài)

由圖15a和圖15b可知，在以水為介質(zhì)的情形下，與柵極介質(zhì)量無關(guān)，以幾乎90°的接觸角為邊界，液面上升停止，由此可知，拒水層的表面接觸角控制為90°以上是重要的。

上述拒水層例如可以使用具有水接觸角90°以上的拒水劑來形成。這種情況下，例如，將無機(jī)偏振片的柵極開口邊側(cè)含浸在拒水劑中。此外，通過組合浸漬槽和升降機(jī)構(gòu)，還能夠一次性地在大量的無機(jī)偏振片上形成拒水層。

在使用具有超拒水性的拒水劑時，其水接觸角如圖16a和圖16b所示，為125°以上，能夠確保必要的90°以上的水接觸角。此外，正如圖2和圖4的組合，通過在具有層疊結(jié)構(gòu)的無機(jī)偏振片整面上形成拒水層，在使用投影機(jī)等時，對于由冷卻扇的冷風(fēng)所導(dǎo)致的液狀污染物質(zhì)，能夠在全方向上防污。

上述拒水層的形成處，列舉如圖1～圖8所示的地方。

如圖1和圖3所示，拒水層不需要覆蓋位于上述無機(jī)偏振片的邊的兩端(即作為線狀金屬層3的長度方向的端部所存在的上述無機(jī)偏振片的端部)的線狀金屬層3、線狀第2電介質(zhì)層4和線狀光吸收層5的長度方向的端部。但是，不覆蓋的地方在上述無機(jī)偏振片的上述邊中，優(yōu)選從上述兩端不足0.5mm。

為了確認(rèn)防止毛細(xì)現(xiàn)象，有在線狀金屬層的長度方向的端部所存在的無機(jī)偏振片的端部，附著皮脂等，觀察柵極溝部的皮脂等的進(jìn)展?fàn)顟B(tài)的方法。例如，在具有水接觸角為90°以上的拒水層的本發(fā)明的無機(jī)偏振片中的線狀金屬層的長度方向的端部，附著皮脂，以附著有皮脂的端部作為下側(cè)，以相對于地面直立的狀態(tài)放置于常溫。用光學(xué)顯微鏡觀察皮脂在附著部中的毛細(xì)現(xiàn)象，觀察經(jīng)時變化。

圖17是觀察實際的經(jīng)時變化的圖。水接觸角為20°～30°的無機(jī)偏振片在附著皮脂污物后立刻確認(rèn)到毛細(xì)現(xiàn)象的發(fā)生，隨著時間的經(jīng)過可以看到進(jìn)展，而與此相對，具有水接觸角為90°以上的拒水層的本發(fā)明的無機(jī)偏振片，即使經(jīng)過21小時，也沒有發(fā)生毛細(xì)現(xiàn)象。

此外，無機(jī)偏振片在用于投影機(jī)時，投影機(jī)的光長時間地透過上述無機(jī)偏振片，由于產(chǎn)生光熱，上述無機(jī)偏振片的溫度會高溫化至150℃以上。據(jù)認(rèn)為用于形成上述拒水層的拒水劑在高溫250℃的高溫環(huán)境下，會因熱分解而成分揮發(fā)，水接觸角變?yōu)?0°以下，喪失其性能。但是，投影機(jī)的光在透過無機(jī)偏振片的中心的同時，使無機(jī)偏振片發(fā)熱，無機(jī)偏振片的端部的溫度不會升至250℃，因而上述拒水層不會散失其性能。

圖18表示將本發(fā)明的無機(jī)偏振片搭載于代表性的液晶投影機(jī)中，相對于在點亮燈泡時的累計照射時間的無機(jī)偏振片的中心部和端部的水接觸角的變化。在該實驗中，除了無機(jī)偏振片的端部之外，在中心部也形成拒水層。即，采用具有如圖2所示的側(cè)面和如圖8所示的頂面的無機(jī)偏振片。

每100小時中，無機(jī)偏振片的中心部的水接觸角隨著累計照射時間而下降。但是，在從光路靠外的無機(jī)偏振片的端部，其接觸角保持在135°以上。因此，能夠維持相對于毛細(xì)現(xiàn)象有效的水接觸角。通過毛細(xì)現(xiàn)象實驗確認(rèn)了該效果，這樣的結(jié)果表明，如圖19所示，即使累計500小時，也沒有產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象的進(jìn)展。

此外，作為形成上述拒水層的材質(zhì)，優(yōu)選為有機(jī)聚硅氮烷。上述有機(jī)聚硅氮烷除了能形成水接觸角為90°以上的拒水層之外，耐熱性優(yōu)異。由于有機(jī)聚硅氮烷的耐熱性優(yōu)異，能夠防止作為使用通常的拒水劑時的缺點的因光路上的發(fā)熱所導(dǎo)致的拒水性的下降。

工業(yè)上的利用可能性

本發(fā)明的無機(jī)偏振片制造工序并不煩雜，且能夠抑制因在端部附著的液狀污物所引起的光學(xué)特性的下降，因而能夠適合用于投影機(jī)。

符號說明

1基板

2第1電介質(zhì)層

3線狀金屬層

3’金屬層

4線狀第2電介質(zhì)層

4’第2電介質(zhì)層

5線狀光吸收層

5’光吸收層

6拒水層

6第1掩模層

7第3電介質(zhì)層

11’抗蝕劑層

11抗蝕劑圖案