本發(fā)明涉及多芯光纖，適用于提高設(shè)計的自由度的情況。
背景技術(shù)：
：目前，通常已普及的光纖通信系統(tǒng)中使用的光纖形成為通過包層包圍一根纖芯的外周的構(gòu)造，通過在該纖芯內(nèi)傳播光信號來傳輸信息。而且，近年來隨著光纖通信系統(tǒng)的普及，傳輸?shù)男畔⒘棵黠@增大。隨著這種傳輸?shù)男畔⒘康脑龃螅诠饫w通信系統(tǒng)中，通過使用數(shù)十根～數(shù)百根的大量光纖，來進行大容量的長距離光通信。在這種光纖通信系統(tǒng)中，已知有使用多個纖芯的外周被一個包層包圍的多芯光纖，通過沿各個纖芯傳播的光來傳輸多個信號。在下述專利文獻1中記載了多芯光纖的一例。在該多芯光纖中，在包層的中心配置一個纖芯，在配置于該中心的纖芯的周圍配置6個纖芯。這樣的配置是能夠最密實地填充纖芯的構(gòu)造，因此，能夠?qū)τ谔囟ǖ陌鼘拥耐鈴脚渲枚鄠€纖芯。此外，在該專利文獻1所記載的多芯光纖中，為了抑制在各個纖芯傳播的光的串?dāng)_而使沿互為相鄰的纖芯傳播的光的傳播常數(shù)互不相同。但是，存在與如專利文獻1所記載的多芯光纖那樣使互為相鄰的纖芯的有效折射率變化情況相比，更想要抑制串?dāng)_的要求。因此，已知有以包圍各個纖芯的外周面的方式配置折射率低于包層的折射率的低折射率層，從而進一步防止串?dāng)_的多芯光纖。下述專利文獻2中記載了這樣的多芯光纖。當(dāng)出于折射率的觀點來觀察該多芯光纖時，上述低折射率層形成為溝道狀，因此將該多芯光纖稱作溝道型，將從纖芯到低折射率層的結(jié)構(gòu)稱作纖芯單元。即使是這樣的溝道型的多芯光纖，為了抑制沿各個纖芯傳播的光的串?dāng)_也優(yōu)選沿互為相鄰的纖芯傳播的光的傳播常數(shù)互不相同。專利文獻1：日本特開2011-170336號公報專利文獻1：日本特開2012-118495號公報但是，為了使如上述那樣沿互為相鄰的纖芯傳播的光的傳播常數(shù)互為改變，需要使互為相鄰的纖芯的折射率、直徑互為改變。但是，為了在所希望的波長頻帶，通過所希望的模式的光實施通信，纖芯的折射率、直徑的可取值范圍窄，用于使互為相鄰的纖芯的折射率、直徑互為改變的設(shè)計的自由度受限。另外，在溝道型的多芯光纖中，如果配置為纖芯單元將特定的纖芯、纖芯單元包圍，則沿該特定的纖芯、纖芯單元傳播的光中的高階模式的光難以逃脫，存在截止波長長波長化的趨勢。因此，為了抑制比在纖芯單元單獨存在的情況下傳播的光的模式呈高階的模式的光的傳播，而不能使纖芯間距離過小，設(shè)計的自由度仍然受限。技術(shù)實現(xiàn)要素：因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠提高設(shè)計的自由度的多芯光纖。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明是在通信頻帶通過截止于x階lp模式的光(x為1以上的整數(shù))實施通信的多芯光纖，其特征在于，具備：多個信號光傳播纖芯，其對截止于(x+1)階lp模式的光進行傳播；和至少一個高損耗纖芯，其所傳播的光在該高損耗纖芯中的損耗大于在所述信號光傳播纖芯中的損耗，在所述信號光傳播纖芯中的至少一個信號光傳播纖芯中傳播的(x+1)階lp模式的光與在所述高損耗纖芯中的至少一個高損耗纖芯中傳播的1階lp模式的光形成串?dāng)_。根據(jù)這樣的多芯光纖，各個纖芯是對于比對截止于x階lp模式的光進行傳播的纖芯高出1階lp模式的光進行傳播的纖芯，因此能夠增強截止于x階模式的光在纖芯中的封入。因此，與利用僅傳播截止于x階lp模式的光的纖芯構(gòu)成的多芯光纖相比，能抑制截止于x階模式的光形成的串?dāng)_。因此，相比于由傳播截止于x階lp模式的光的纖芯構(gòu)成的多芯光纖，纖芯間隔的設(shè)計自由度以及各個纖芯的折射率、直徑等的設(shè)計自由度有所提高。另外，因為在信號光傳播纖芯中傳播的(x+1)階lp模式的光與在高損耗纖芯中傳播的1階lp模式的光形成串?dāng)_，因此在信號光傳播纖芯中傳播的(x+1)階lp模式的光能夠移動到高損耗纖芯。因此，沿信號光傳播纖芯傳播的(x+1)階lp模式的光形成衰減。另外，高損耗纖芯對所傳播的光形成的損耗大于信號傳播纖芯對所傳播的光形成的損耗，因此從信號光傳播纖芯移動到高損耗纖芯的光也形成衰減。這樣，能夠去除通信所不需要的(x+1)階lp模式的光。另外，優(yōu)選沿所述信號光傳播纖芯傳播的(x+1)階lp模式的光的傳播常數(shù)與沿所述高損耗纖芯傳播的1階lp模式的光的傳播常數(shù)一致。傳播常數(shù)一致，由此能夠?qū)⒀匦盘柟鈧鞑ダw芯傳播的(x+1)階lp模式的光與沿高損耗纖芯傳播的1階lp模式的光的串?dāng)_量設(shè)為最大，能夠使沿信號光傳播纖芯傳播的(x+1)階lp模式的光更為高效地移動到高損耗纖芯。因此，能夠更加高效地去除通信所不需要的(x+1)階lp模式的光。另外，優(yōu)選將沿所述高損耗纖芯傳播的光的傳播損耗設(shè)為3db/km以上。沿高損耗纖芯傳播的光以3db/km以上進行損耗，由此能夠通過光的10km的傳播，使功率為1/1000以下。另外，優(yōu)選將互為相鄰的所述信號光傳播纖芯間的距離設(shè)為，使截止于x階lp模式的光的串?dāng)_為-40db/km以下且(x+1)階lp模式的光的串?dāng)_為-30db/km以上的距離。(x+1)階lp模式的光的有效纖芯截面積大于截止于x階lp模式的光的有效纖芯截面積。利用這一點，能夠?qū)⒒橄噜彽男盘柟鈧鞑ダw芯間的距離設(shè)為，使截止于x階lp模式的光的串?dāng)_為-40db/km以下且(x+1)階lp模式的光的串?dāng)_為-30db/km以上的距離。因此，通信所使用的截止于x階lp模式的光的串?dāng)_受到抑制，通信所不需要的光即(x+1)階lp模式的光形成串?dāng)_。因此，即使是在存在無法與高損耗纖芯直接串?dāng)_的信號光傳播纖芯的情況下，也能使沿該信號光傳播纖芯傳播的(x+1)階的光通過串?dāng)_移動到能夠與高損耗纖芯形成串?dāng)_的信號光傳播纖芯，進而能夠通過串?dāng)_，移動到高損耗纖芯。因此，能夠去除沿?zé)o法與高損耗纖芯直接串?dāng)_的信號光傳播纖芯傳播的(x+1)階lp模式的光。另外，優(yōu)選所述高損耗纖芯配置于受3個以上所述信號光傳播纖芯包圍的位置。高損耗纖芯受3個以上信號光傳播纖芯包圍，由此能夠與各個信號光傳播纖芯形成串?dāng)_，從而能夠使(x+1)階lp模式的光從信號光傳播纖芯高效地移動到高損耗纖芯。另外，優(yōu)選地，在所述多個信號光傳播纖芯的縱長方向上的局部進一步具備以所述多個信號光傳播纖芯的直徑變細(xì)的方式延伸的延伸部，在所述延伸部，所述多個信號光傳播纖芯對截止于x階lp模式的光進行傳播，抑制(x+1)階lp模式的光的傳播。另外，在該情況下，優(yōu)選在所述延伸部將沿所述多個信號光傳播纖芯傳播的(x+1)階lp模式的光的損耗設(shè)為20db以上。通過設(shè)置這樣的延伸部，能夠更加損耗(x+1)階lp模式的光，從而能夠更加適當(dāng)?shù)嘏懦ㄐ潘恍枰哪Ｊ降墓?。另外，可以設(shè)為x＝1。根據(jù)這樣結(jié)構(gòu)的多芯光纖，能夠?qū)崿F(xiàn)與以往僅使用只傳播基本模式的光的纖芯的多芯光纖相比改善了串?dāng)_的單模通信用多芯光纖。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，提供能夠提高設(shè)計的自由度的多芯光纖。附圖說明圖1是本發(fā)明的實施方式所涉及的多芯光纖的與縱長方向垂直剖面上的剖視圖。圖2是示出圖1的多芯光纖中的纖芯單元和高損耗纖芯的折射率分布的圖。圖3是示出本實施方式的多芯光纖的彎曲半徑與串?dāng)_之間的關(guān)系的計算結(jié)果的圖。圖4是從旁側(cè)觀察圖1的多芯光纖的圖。圖5是示出延伸倍率與lp11模式的光的傳播損耗之間的關(guān)系的計算結(jié)果的圖。具體實施方式下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明所涉及的多芯光纖的優(yōu)選實施方式。此外，為了便于理解，各圖中記載的比例尺與以下的說明中記載的比例尺有時不同。圖1是示出本實施方式所涉及的多芯光纖的狀態(tài)的圖。如圖1所示，多芯光纖1具備多個纖芯單元10、多個高損耗纖芯15、無縫隙地包圍各個纖芯單元10和高損耗纖芯15的包層20以及被覆包層20的被覆層30。各個纖芯單元10配置于正方形點陣的各點陣點上。具體而言，配置為，4個纖芯單元10以包圍包層20的中心的方式位于正方形的各頂點，12個纖芯單元10以包圍該4個纖芯單元10的方式配置于以上述正方形為基準(zhǔn)的正方形點陣的各點陣點上。這樣，在本實施方式中，配置有16個纖芯單元10。各個纖芯單元10為相互相同的構(gòu)造。各個纖芯單元10具有傳播信號光的作為信號光傳播纖芯的纖芯11、無縫隙地包圍纖芯11的外周面的內(nèi)側(cè)包層12以及無縫隙地包圍內(nèi)側(cè)包層12的外周面并無縫隙地被包層20包圍外周面的低折射率層13。另外，多個高損耗纖芯15配置于各個正方形點陣的中心。因此，各個高損耗纖芯15由四個纖芯單元10包圍。這樣，在本實施方式中，配置9個高損耗纖芯15，所有纖芯單元10都與至少一個高損耗纖芯15相鄰。圖2是示出圖1所示的多芯光纖1的各個纖芯單元10和高損耗纖芯15的折射率分布的圖。如圖2所示，纖芯單元10的纖芯11的折射率高于內(nèi)側(cè)包層12的折射率和包層20的折射率，低折射率層13的折射率低于內(nèi)側(cè)包層12的折射率和包層20的折射率。如此，在從折射率的角度觀察各個纖芯單元10的情況下，低折射率層13分別為槽狀，各個纖芯單元10具有道溝構(gòu)造。通過這樣的道溝構(gòu)造，能夠增強對沿多芯光纖1的各個纖芯11傳播的光的封入。此外，在本實施方式中，內(nèi)側(cè)包層12的折射率被設(shè)定為與包層20的折射率相同的折射率。各個纖芯單元10具有這樣的折射率，因此，例如，包層20和各個內(nèi)側(cè)包層12由未添加任何摻雜劑的石英構(gòu)成，各個纖芯11由添加了鍺等提高折射率的摻雜劑的石英構(gòu)成，低折射率層13由添加了氟等降低折射率的摻雜劑的石英等構(gòu)成。另外，各個纖芯單元10傳播lp01模式的光和lp11模式的光。從與標(biāo)準(zhǔn)的單模式光纖的連接性的觀點出發(fā)，優(yōu)選沿各個纖芯單元10傳播的lp01模式的光在波長為1550nm時的有效纖芯截面積aeff為與80μm2相同的程度。這里，表1示出在低折射率層13相對于包層20的相對折射率差δt為-0.7％且纖芯11的半徑r1與內(nèi)側(cè)包層12的半徑r2之比r2/r1為1.7的情況下，波長為1550nm的光的lp01模式的光的有效纖芯截面積aeff為80μm2的情況下的纖芯11相對于包層20的相對折射率差δ與纖芯11的半徑r1的組合。表1δ[％]0.40.410.420.430.440.450.460.470.480.490.5r1[μm]55.045.075.15.135.175.25.225.255.285.31在該情況下，沿纖芯11傳播的lp11模式的光的波長1550nm的有效纖芯截面積aeff大體設(shè)為92μm2。此外，沿纖芯11傳播的光的傳播損耗例如設(shè)為0.30db/km以下。另外，各個高損耗纖芯15被設(shè)為高于包層的折射率，并以lp01模式傳播由纖芯11傳播的波長的光。例如，在傳播波長1550nm的光的情況下，高損耗纖芯15相對于包層20的相對折射率差被設(shè)為0.29％，半徑被設(shè)為3.0μm。各個高損耗纖芯15具有這樣的折射率，因此例如，在包層20由未添加任何摻雜劑的石英構(gòu)成的情況下，各個高損耗纖芯15由添加了鍺等提高折射率的摻雜劑的石英構(gòu)成。另外，圖2的虛線表示沿纖芯11傳播的各lp模式的光的有效折射率和沿高損耗纖芯15傳播的lp01模式的光的有效折射率。一方面，由圖2可知，在多芯光纖1中，在沿纖芯11傳播的光的波長下，纖芯11的2階lp模式即lp11模式的光的有效折射率與高損耗纖芯15的1階lp模式即lp01模式的光的有效折射率相互一致。傳播常數(shù)與有效折射率相對應(yīng)。因此，在本實施方式中，纖芯11的lp11模式的光的傳播常數(shù)與高損耗纖芯15的lp01模式的光的傳播常數(shù)一致。故而，沿纖芯11傳播的lp11模式的光與沿高損耗纖芯15傳播的lp01模式的光能夠形成串?dāng)_。另一方面，由圖2可知，在多芯光纖1中，在沿纖芯11傳播的光的波長下，纖芯11的lp01模式的光的有效折射率與高損耗纖芯15的lp01模式的光的有效折射率互不相同。因此，能夠抑制沿纖芯11傳播的lp01模式的光通過串?dāng)_移動到高損耗纖芯15。為了像這樣使纖芯11的lp11模式的光的傳播常數(shù)與高損耗纖芯15的lp01模式的光的傳播常數(shù)一致，則可以以如下方式做設(shè)置，例如，在傳播波長為1550nm的光的情況下，如上所述，在低折射率層13相對于包層20的相對折射率差δt為-0.7％，纖芯11的半徑r1與內(nèi)側(cè)包層12的半徑r2之比r2/r1為1.7，纖芯11相對于包層20的相對折射率差δ為0.45％，纖芯11的半徑為5.17μm的情況下，將高損耗纖芯15相對于包層20的相對折射率差設(shè)為0.29％，將高損耗纖芯15的半徑設(shè)為3.0μm。另外，相比于纖芯11，高損耗纖芯15對所傳播的光形成更多的衰減。例如，將沿高損耗纖芯15傳播的光的傳播損耗設(shè)為3db/km以上。如果光的傳播損耗為3db/km以上，則能通過使光沿高損耗纖芯15傳播10km而使功率為1/1000以下。要設(shè)定為這樣的結(jié)構(gòu)，例如，只要在多芯光纖1的制造過程中，使羥基遍布于成為高損耗纖芯15的玻璃棒并且在脫水時使氧過剩流動等即可。另外，被覆層30的折射率高于包層20。被覆層30具有吸收光的性質(zhì)，從包層20到達被覆層30的光被被覆層30吸收而消失。作為構(gòu)成這樣的被覆層30的材料，例如，可以舉出紫外線固化樹脂。接下來說明纖芯11彼此的纖芯間距離與串?dāng)_之間的關(guān)系。此外，這里所說的纖芯間距離是指互為相鄰的纖芯11的中心間距離。圖3是示出本實施方式的多芯光纖1的彎曲半徑與串?dāng)_之間的關(guān)系的計算結(jié)果的圖。在圖3的計算中，將纖芯間距離λ設(shè)為32μm，將lp01模式的光的波長和lp11模式的光的波長設(shè)為1550nm。在圖3中，實線表示將纖芯11相對于包層20的相對折射率差δ設(shè)為0.45％、將纖芯11的半徑設(shè)為5.17μm、將纖芯11的半徑r1與內(nèi)側(cè)包層12的半徑r2之比r2/r1設(shè)為1.7、將纖芯11的半徑r1與低折射率層13的厚度w之比w/r1設(shè)為0.9、將纖芯間距離λ設(shè)為32μm的計算結(jié)果。另外，虛線所表示的計算結(jié)果是將纖芯11相對于包層20的相對折射率差δ設(shè)為0.46％，將纖芯11的半徑設(shè)為5.20μm，將纖芯11的半徑r1與低折射率層13的厚度w之比w/r1設(shè)為0.8，在這一點上，不同于實線所表示的計算結(jié)果。另外，點線所表示的計算結(jié)果是將纖芯11相對于包層20的相對折射率差δ設(shè)為0.47％，將纖芯11的半徑設(shè)為5.22μm，將纖芯11的半徑r1與低折射率層13的厚度w之比w/r1設(shè)為0.7，在這一點上，不同于實線所表示的計算結(jié)果。如圖3所示，lp01模式的光的串?dāng)_的結(jié)果是在任何情況下都能夠小于-40db/km。另外，lp11模式的光的串?dāng)_的結(jié)果是在任何情況下都大于-30db/km。即，在上述條件的情況下，只要纖芯間距離為32μm，就能將lp01模式的光的串?dāng)_設(shè)為-40db/km以下，就能將lp11模式的光的串?dāng)_設(shè)為-30db/km以上。并且，在圖3中，在c頻帶和l頻帶中，lp01模式的光的波長設(shè)為有效纖芯截面積aeff最大的波長、lp11模式的光的波長設(shè)為有效纖芯截面積aeff最小的波長來進行計算。因此，在以相同波長帶傳播lp01模式的光和lp11模式的光的情況下，存在能夠?qū)p01模式的光的串?dāng)_設(shè)為不妨礙光通信的較小的值并將lp11模式的光的串?dāng)_設(shè)為較大的值的纖芯間距離λ。因此，本實施方式的多芯光纖1的各個纖芯間距離λ被設(shè)為，使lp01模式(1階lp模式)的光的串?dāng)_為-40db/km以下且lp11模式(2階lp模式)的光的串?dāng)_為-30db/km以上的距離。因此，在本實施方式的多芯光纖1中，沿各個纖芯單元10傳播的lp01模式的光的串?dāng)_受到抑制，但沿各個纖芯單元10傳播的lp11模式的光能夠通過串?dāng)_而在互為相鄰的纖芯單元10之間移動。圖4是從旁側(cè)觀察圖1的多芯光纖1的圖。但是，在圖4中，為了便于理解，而省略了被覆層30。如圖4所示，本實施方式的多芯光纖1在多個纖芯11的縱長方向上的局部，具備以多個纖芯11的直徑變細(xì)的方式延伸的延伸部bp。延伸部bp通過局部剝離多芯光纖1的被覆層30、從包層20的外部加熱多芯光纖1并進行拉伸而延伸。圖5是示出延伸倍率與lp11模式的光的傳播損耗之間的關(guān)系的計算結(jié)果的圖。在實施圖5的計算時，將低折射率層13相對于包層20的相對折射率差δt設(shè)為-0.7％，將纖芯11的半徑r1與內(nèi)側(cè)包層12的半徑r2之比r2/r1設(shè)為1.7，將纖芯11相對于包層20的相對折射率差δ設(shè)為0.45％，將纖芯11的半徑設(shè)為5.17μm，將纖芯11的半徑r1與低折射率層13的厚度w之比w/r1設(shè)為0.9。由圖5可預(yù)料到，若將延伸部bp相對于非延伸部的縮徑比設(shè)為0.6左右、即、將延伸部bp處的多芯光纖1的各部件的直徑設(shè)為非縮徑部處的多芯光纖1的各部件的直徑的0.6倍，則沿纖芯單元10傳播的lp11模式的光的損耗變?yōu)?0db/cm。因此，通過設(shè)置2cm左右的縮徑比0.6左右的延伸部bp，由此能夠?qū)p11模式的光去除至不妨礙光通信的程度。此外，在該情況下，基本模式即lp01模式的因延伸所產(chǎn)生的光的損耗幾乎沒有，幾乎不會影響光通信。如以上所述，本實施方式的多芯光纖1采用在通信頻帶通過1階lp模式的光實施通信的多芯光纖，具備對截止于2階lp模式的光進行傳播的多個纖芯11以及以對所傳播的光的損耗高于纖芯11的損耗的多個高損耗纖芯15。而且，沿纖芯11傳播的2階lp模式的光與沿高損耗纖芯15傳播的1階lp模式的光形成串?dāng)_。因此，根據(jù)本實施方式的多芯光纖1，能夠增強1階模式的光向纖芯11中的封入。因此，與由僅傳播1階lp模式的光的纖芯構(gòu)成的多芯光纖相比，能抑制1階模式的光的串?dāng)_。因此，纖芯間距離的設(shè)計自由度和各個纖芯的折射率、直徑的設(shè)計自由度比僅傳播1階lp模式的光的多芯光纖有所提高。另外，沿纖芯11傳播的2階lp模式的光與沿高損耗纖芯15傳播的1階lp模式的光形成串?dāng)_，因此沿纖芯11傳播的2階lp模式的光能夠移動到高損耗纖芯15。故而，沿纖芯11傳播的2階lp模式的光形成衰減。另外，高損耗纖芯15使所傳播的光形成損耗，因此從纖芯11移動到高損耗纖芯15的光形成衰減。這樣，能夠去除通信所不需要的2階lp模式的光。另外，在本實施方式的多芯光纖1中，沿纖芯11傳播的2階lp模式的光的傳播常數(shù)與沿高損耗纖芯15傳播的1階lp模式的光的傳播常數(shù)一致。因此，能夠?qū)⒀乩w芯11傳播的2階lp模式的光與沿高損耗纖芯15傳播的1階lp模式的光之間的串?dāng)_量設(shè)為最大，從而能夠使沿纖芯11傳播的2階lp模式的光更為高效地向高損耗纖芯15移動。因此，能夠高效地去除通信所不需要的2階lp模式的光。另外，在本實施方式的多芯光纖1中，互為相鄰的纖芯11間的距離被設(shè)為，使截止于1階lp模式的光的串?dāng)_為-40db/km以下且2階lp模式的光的串?dāng)_為-30db/km以上的距離。因此，通信所使用的截止于1階lp模式的光的串?dāng)_受到抑制，通信所不需要的光即2階lp模式的光形成串?dāng)_。因此，2階的光能夠通過串?dāng)_移動到能夠與高損耗纖芯15串?dāng)_的纖芯11。因此，即使是在存在不與高損耗纖芯15鄰接且難與高損耗纖芯15形成串?dāng)_的纖芯11的情況下，也能使2階lp模式的光通過串?dāng)_從該纖芯11經(jīng)由其他纖芯11移動到高損耗纖芯15。因此，在存在無法與高損耗纖芯15直接串?dāng)_的纖芯11的情況下，也能夠去除2階lp模式的光。另外，在本實施方式的多芯光纖1中，高損耗纖芯15配置于受3個以上纖芯11包圍的位置。因此，高損耗纖芯15能夠與各個纖芯11形成串?dāng)_，從而能夠使2階lp模式的光從纖芯11高效地移動到高損耗纖芯15。另外，在本實施方式的多芯光纖1中，在多個纖芯11的縱長方向上的局部，進一步具備以多個纖芯11的直徑變細(xì)的方式延伸的延伸部bp，在延伸部bp，多個纖芯11對截止于1階lp模式的光進行傳播，抑制2階lp模式的光的傳播。并且，在本實施方式的延伸部bp，將沿多個纖芯11傳播的2階lp模式的光的損耗設(shè)為20db以上。通過設(shè)置這樣的延伸部bp，能夠更加對2階lp模式的光形成損耗，從而能夠更加適當(dāng)?shù)嘏懦ㄐ潘恍枰?階lp模式的光。以上，本發(fā)明以上述實施方式為例進行了說明，但本發(fā)明并不局限于這些。例如，在上述實施方式的多芯光纖1中，可以不設(shè)置延伸部bp。但是，從更加適當(dāng)?shù)嘏懦ㄐ潘恍枰膌p11模式的光的觀點出發(fā)，優(yōu)選設(shè)置延伸部bp。另外，在上述實施方式中，16個纖芯單元10被配置為正方形點陣狀，但在本發(fā)明的多芯光纖中，纖芯單元10的數(shù)量為多個即可，其配置方式、數(shù)量并不特別限定。例如，可以將多個纖芯單元10配置于三角形點陣的各點陣點上。在該情況下，高損耗纖芯15優(yōu)選配置于受3個纖芯單元包圍的位置。另外，在上述實施方式的多芯光纖1中，高損耗纖芯15被設(shè)為多個，各個高損耗纖芯15被設(shè)為由四個纖芯11包圍的結(jié)構(gòu)。但是，高損耗纖芯15也可以是單個。即使高損耗纖芯15為單個，也能夠至少使與高損耗纖芯15形成串?dāng)_的纖芯11的lp02模式的光形成衰減。另外，如上述實施方式的多芯光纖1那樣，在互為相鄰的纖芯11，lp11模式的光形成串?dāng)_的情況下，能夠使lp11模式的光從不與高損耗纖芯15形成串?dāng)_的纖芯11移動到與高損耗纖芯15形成串?dāng)_的纖芯11。另外，高損耗纖芯15只要與至少一個纖芯11串?dāng)_形成即可，因此例如，可以在多個纖芯11的外周側(cè)配置高損耗纖芯15。另外，即使纖芯11的lp11模式的光的傳播常數(shù)與高損耗纖芯15的lp01模式的光的傳播常數(shù)稍微偏離，只要沿纖芯11傳播的lp11模式的光與沿高損耗纖芯15傳播的lp01模式的光形成串?dāng)_且沿纖芯11傳播的lp01模式的光與沿高損耗纖芯15傳播的lp01模式的光的串?dāng)_受到抑制即可。另外，在上述實施方式中，多芯光纖1構(gòu)成為，在通信頻帶通過lp01模式的光實施單模通信，各個纖芯11傳播lp01模式的光和lp11模式的光，lp11模式的光被去除。但是，本發(fā)明并不局限于此。即，在實施少模通信、多模通信的情況下也能夠使用，可以設(shè)定各個纖芯構(gòu)成為對截止于比通信所使用的模式高出1階lp模式的模式的光進行傳播，通過高損耗纖芯15去除該高出1階lp模式的光。若將其一般化，則為在通信頻帶通過截止于x階lp模式的光(x為1以上的整數(shù))實施通信的多芯光纖，該多芯光纖構(gòu)成為，具備：多個信號光傳播纖芯，其傳播截止于(x+1)階lp模式的光；和至少一個高損耗纖芯，其對所傳播的光形成的損耗高于所述信號光傳播纖芯對所傳播的光形成的損耗，沿所述信號光傳播纖芯中的至少一個信號光傳播纖芯傳播的(x+1)階lp模式的光與沿所述高損耗纖芯中的至少一個高損耗纖芯傳播的1階lp模式的光形成串?dāng)_。在像這樣多芯光纖在通信頻帶通過截止于x階lp模式的光實施通信的情況下，也優(yōu)選設(shè)置延伸部bp。在該情況下，優(yōu)選在延伸部bp，將(x+1)階lp模式的光的損耗設(shè)為20db以上，更加優(yōu)選將x階lp模式的光的附加損耗設(shè)為0.001db以下。另外，在上述實施方式、變形例中，各個纖芯11構(gòu)成為由內(nèi)側(cè)包層12和低折射率層13包圍，但本發(fā)明并不局限于此。例如，可以在各個纖芯單元10，省略內(nèi)側(cè)包層12，而構(gòu)成為纖芯11被低折射率層13直接包圍。并且，在各個纖芯單元10，還可以省略內(nèi)側(cè)包層12和低折射率層13，而由包層20直接將纖芯11包圍。如上說明所示，根據(jù)本發(fā)明，提供能夠提高設(shè)計的自由度的多芯光纖，并能夠?qū)⑵鋺?yīng)用于光通信領(lǐng)域。附圖標(biāo)記說明1…多芯光纖；10…纖芯單元；11…纖芯(信號光傳播纖芯)；12…內(nèi)側(cè)包層；13…低折射率層；15…高損耗纖芯；20…包層；30…被覆層；bp…延伸部；tc…包層厚度；λ…纖芯間距離。當(dāng)前第1頁12