本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種量子點(diǎn)顯示基板和量子點(diǎn)顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示裝置(TFT-LCD Display)技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，液晶顯示裝置的生產(chǎn)成本降低且制造工藝的日益完善，液晶顯示裝置已經(jīng)取代了陰極射線管顯示裝置成為平板顯示領(lǐng)域的主流技術(shù)，且由于其本身所具有的優(yōu)點(diǎn),在市場(chǎng)和消費(fèi)者心中成為理想的顯示裝置。

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，量子點(diǎn)(Quantum Dot，簡(jiǎn)稱：QD)顯示裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。量子點(diǎn)顯示裝置可包括紅色量子點(diǎn)圖形和綠色量子點(diǎn)圖形。

現(xiàn)有技術(shù)中，量子點(diǎn)顯示裝置在進(jìn)行暗態(tài)(L0)顯示時(shí)，外界的自然光照射到量子點(diǎn)圖形上時(shí)，由于自然光中包含有藍(lán)色光，因此紅色量子點(diǎn)圖形有藍(lán)光經(jīng)過(guò)時(shí)會(huì)散射紅色光，綠色量子點(diǎn)圖形有藍(lán)光經(jīng)過(guò)時(shí)會(huì)散射綠色光，散射的紅色光和綠色光使得量子點(diǎn)顯示裝置發(fā)出黃色光，從而使得量子點(diǎn)顯示裝置無(wú)法進(jìn)行真正的暗態(tài)(L0)顯示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種量子點(diǎn)顯示基板和量子點(diǎn)顯示裝置，用于使得量子點(diǎn)顯示裝置能夠進(jìn)行真正的暗態(tài)顯示。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種量子點(diǎn)顯示基板，包括黑矩陣圖形和量子點(diǎn)圖形，所述量子點(diǎn)圖形位于所述黑矩陣圖形之間，所述量子點(diǎn)顯示基板還包括：第一襯底基板和位于所述第一襯底基板一側(cè)的第一光學(xué)層和第二光學(xué)層，所述第一光學(xué)層位于所述第二光學(xué)層的遠(yuǎn)離所述第一襯底基板的一側(cè)；

所述第一光學(xué)層，用于對(duì)入射光進(jìn)行準(zhǔn)直處理形成準(zhǔn)直光，并將所述準(zhǔn)直光輸出至第二光學(xué)層；

所述第二光學(xué)層，用于調(diào)整準(zhǔn)直光的出光方向形成出射光，并使出射光照射至所述黑矩陣圖形上。

可選地，所述入射光為環(huán)境光。

可選地，所述第一光學(xué)層包括多個(gè)凸透鏡結(jié)構(gòu)。

可選地，所述凸透鏡結(jié)構(gòu)的凸面朝向所述第二光學(xué)層設(shè)置。

可選地，所述第一光學(xué)層還包括第一基體層，多個(gè)所述凸透鏡結(jié)構(gòu)位于所述第一基體層內(nèi)。

可選地，多個(gè)所述凸透鏡結(jié)構(gòu)均勻分布。

可選地，所述第二光學(xué)層包括多個(gè)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；

所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，用于對(duì)準(zhǔn)直光進(jìn)行全反射處理形成出射光，并使出射光照射至黑矩陣圖形上。

可選地，所述第二光學(xué)層還包括第二基體層，所述第二基體層覆蓋所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。

可選地，所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為弧形結(jié)構(gòu)。

可選地，所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的縱截面的弧線向所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的內(nèi)部彎曲。

可選地，所述量子點(diǎn)圖形與所述第一光學(xué)層位于所述第一襯底基板的同側(cè)或不同側(cè)，所述黑矩陣圖形與所述第一光學(xué)層位于所述第一襯底基板的同側(cè)或不同側(cè)；

所述量子點(diǎn)圖形位于所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述第一光學(xué)層的一側(cè)，所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和所述量子點(diǎn)圖形一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。

可選地，所述量子點(diǎn)圖形與所述第一光學(xué)層位于所述第一襯底基板的同側(cè)，所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)位于所述量子點(diǎn)圖形之上。

可選地，所述量子點(diǎn)圖形為紅色量子點(diǎn)圖形或者綠色量子點(diǎn)圖形。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種量子點(diǎn)顯示裝置，包括：相對(duì)設(shè)置的陣列基板和上述量子點(diǎn)顯示基板。

本實(shí)用新型具有以下有益效果：

本實(shí)用新型提供的量子點(diǎn)顯示基板和量子點(diǎn)顯示裝置的技術(shù)方案 中，第一光學(xué)層對(duì)入射光進(jìn)行準(zhǔn)直處理形成準(zhǔn)直光并將準(zhǔn)直光輸出至第二光學(xué)層，第二光學(xué)層調(diào)整準(zhǔn)直光的出光方向形成出射光并使出射光照射至黑矩陣圖形上，避免了出射光照射至量子點(diǎn)圖形上，從而使得量子點(diǎn)顯示裝置能夠進(jìn)行真正的暗態(tài)顯示。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種量子點(diǎn)顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中第二光學(xué)層的光路示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種量子點(diǎn)顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種量子點(diǎn)顯示基板的制造方法的流程圖；

圖5a為實(shí)施例三中形成黑矩陣圖形的示意圖；

圖5b為實(shí)施例三中形成保護(hù)層的示意圖；

圖5c為實(shí)施例三中形成第一偏光片的示意圖；

圖5d為實(shí)施例三中形成量子點(diǎn)圖形的示意圖；

圖5e為實(shí)施例三中形成光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5f為實(shí)施例三中形成第二基體層的示意圖；

圖5g為實(shí)施例三中形成第一基體層的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的量子點(diǎn)顯示基板及其制造方法和量子點(diǎn)顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種量子點(diǎn)顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該量子點(diǎn)顯示基板包括黑矩陣圖形3和量子點(diǎn)圖形4，量子點(diǎn)圖形3位于黑矩陣圖形3之間，該量子點(diǎn)顯示基板還包括：第一襯底基板1和位于第一襯底基板1一側(cè)的第一光學(xué)層21和第二光學(xué)層22，第一光學(xué)層21位于第二光學(xué)層22的遠(yuǎn)離第一襯底基板1的一側(cè)。第一光 學(xué)層21用于對(duì)入射光進(jìn)行準(zhǔn)直處理形成準(zhǔn)直光，并將準(zhǔn)直光輸出至第二光學(xué)層22。第二光學(xué)層22用于調(diào)整準(zhǔn)直光的出光方向形成出射光，并使出射光照射至黑矩陣圖形3上。

本實(shí)施例中，入射光可以為環(huán)境光。

本實(shí)施例中，準(zhǔn)直光可以為平行光。

本實(shí)施例中，第一光學(xué)層21包括多個(gè)凸透鏡結(jié)構(gòu)211。凸透鏡結(jié)構(gòu)211的凸面朝向第二光學(xué)層22設(shè)置。進(jìn)一步地，該第一光學(xué)層21還包括第一基體層212，多個(gè)凸透鏡結(jié)構(gòu)211位于第一基體層212內(nèi)。凸透鏡結(jié)構(gòu)211可對(duì)入射光進(jìn)行準(zhǔn)直處理形成準(zhǔn)直光，并將準(zhǔn)直光通過(guò)第一基體層212輸出至第二光學(xué)層22。優(yōu)選地，多個(gè)凸透鏡結(jié)構(gòu)211均勻分布，圖中僅以兩個(gè)凸透鏡結(jié)構(gòu)211為例進(jìn)行描述。優(yōu)選地，凸透鏡結(jié)構(gòu)211的折射率大于第一基體層212的折射率。優(yōu)選地，凸透鏡結(jié)構(gòu)211的材料包括但不限于樹(shù)脂，第一基體層211的材料包括但不限于氧化硅或者氮氧化硅，其中，氧化硅可以為二氧化硅。

本實(shí)施例中，第二光學(xué)層22包括多個(gè)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221。光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221用于對(duì)準(zhǔn)直光進(jìn)行全反射處理形成出射光，并使出射光照射至黑矩陣圖形3上。優(yōu)選地，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221為弧形結(jié)構(gòu)。如圖1和圖2所示，優(yōu)選地，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的縱截面的弧線向光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的內(nèi)部彎曲，也就是說(shuō)，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的縱截面的弧線向光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的內(nèi)部凹進(jìn)。進(jìn)一步地，第二光學(xué)層22還包括第二基體層222，第二基體層222覆蓋光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221。優(yōu)選地，第二基體層222為平坦層。優(yōu)選地，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的材料包括但不限于樹(shù)脂，第二基體層222的材料包括但不限于氧化硅或者氮氧化硅，其中，氧化硅可以為二氧化硅。

光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的弧面上每個(gè)點(diǎn)的弧度設(shè)置為設(shè)定弧度，從而使得準(zhǔn)直光經(jīng)過(guò)該點(diǎn)的全反射形成的出射光能夠照射至黑矩陣圖形3上，優(yōu)選地，使得準(zhǔn)直光經(jīng)過(guò)該點(diǎn)的全反射形成的出射光能夠照射至黑矩陣圖形3的中心位置。綜上所述，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的弧面上每個(gè)點(diǎn)的設(shè)定弧度能夠使得全反射后形成的出射光照射至黑矩陣圖形3上即可。

圖2為圖1中第二光學(xué)層的光路示意圖，如圖2所示，當(dāng)準(zhǔn)直光照射到光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的弧面上，準(zhǔn)直光在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的弧面上發(fā)生全 反射形成出射光，出射光照射至黑矩陣圖形3上。根據(jù)全反射的光學(xué)原理，n1sinθ＝n2sin90°，則n1sinθ＝n2，其中，n1為第二基體層222的折射率，n2為光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的折射率，θ為準(zhǔn)直光的入射角，本實(shí)施例中，θ≥45°。

本實(shí)施例中，量子點(diǎn)圖形4與第一光學(xué)層21位于第一襯底基板1的同側(cè)，黑矩陣圖形3與第一光學(xué)層21位于第一襯底基板1的同側(cè)。量子點(diǎn)圖形4可以為紅色量子點(diǎn)圖形42或者綠色量子點(diǎn)圖形412。進(jìn)一步地，黑矩陣圖形3還可以形成非量子點(diǎn)像素區(qū)域5，如圖1所示，該非量子點(diǎn)像素區(qū)域5中不設(shè)置任何像素圖形；或者該非量子點(diǎn)像素區(qū)域5中可以設(shè)置藍(lán)色像素圖形，該藍(lán)色像素圖形為藍(lán)色樹(shù)脂圖形，并非為藍(lán)色量子點(diǎn)圖形。量子點(diǎn)圖形4位于光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221的遠(yuǎn)離第一光學(xué)層21的一側(cè)，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221和量子點(diǎn)圖形4一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。具體地，黑矩陣圖形3位于第一襯底基板1之上；黑矩陣圖形3上設(shè)置有保護(hù)層6，該保護(hù)層6覆蓋黑矩陣圖形3，優(yōu)選地，保護(hù)層6為平坦層；量子點(diǎn)顯示基板還包括第一偏光片7，第一偏光片7位于黑矩陣圖形3的上方，具體地，第一偏光片7位于保護(hù)層6之上；量子點(diǎn)圖形4位于第一偏光片7之上；光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221位于所述量子點(diǎn)圖形4之上；第一基體層211位于第二基體層222之上。進(jìn)一步地，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221還位于非量子點(diǎn)像素區(qū)域5中，若該非量子點(diǎn)像素區(qū)域5中不設(shè)置任何像素圖形，則位于非量子點(diǎn)像素區(qū)域5中的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221位于第一偏光片7之上。

如圖1所示，入射光從第一光學(xué)層21的遠(yuǎn)離第二光學(xué)層22的一側(cè)入射，出射光從第二光學(xué)層22的遠(yuǎn)離第一光學(xué)層21的一側(cè)出射。

如圖1所示，量子點(diǎn)圖形4之間形成有空隙，該空隙與黑矩陣圖形3對(duì)應(yīng)設(shè)置。光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221生成的出射光可通過(guò)該空隙照射至黑矩陣圖形3上。

本實(shí)施例中，當(dāng)該量子點(diǎn)顯示基板與對(duì)置基板相對(duì)設(shè)置形成顯示裝置時(shí)，則第一襯底基板1的一側(cè)指的是第一襯底基板1的遠(yuǎn)離對(duì)置基板的一側(cè)。優(yōu)選地，量子點(diǎn)顯示基板可以為彩膜基板，對(duì)置基板可以為陣列基板。

在實(shí)際應(yīng)用中，可選地，量子點(diǎn)圖形與第一光學(xué)層位于第一襯底基 板的不同側(cè)，此種情況未具體畫(huà)出；可選地，黑矩陣圖形與第一光學(xué)層位于第一襯底基板不同側(cè)，此種情況未具體畫(huà)出。

本實(shí)施例中量子點(diǎn)顯示基板中各個(gè)結(jié)構(gòu)之間的位置關(guān)系包括但不限于上述位置關(guān)系。在實(shí)際應(yīng)用中，量子點(diǎn)顯示基板中的各個(gè)結(jié)構(gòu)的位置可根據(jù)需要進(jìn)行變更，此處不再一一列舉。

本實(shí)施例提供的量子點(diǎn)顯示基板的技術(shù)方案中，第一光學(xué)層對(duì)入射光進(jìn)行準(zhǔn)直處理形成準(zhǔn)直光并將準(zhǔn)直光輸出至第二光學(xué)層，第二光學(xué)層調(diào)整準(zhǔn)直光的出光方向形成出射光并使出射光照射至黑矩陣圖形上，避免了出射光照射至量子點(diǎn)圖形上，從而使得量子點(diǎn)顯示裝置能夠進(jìn)行真正的暗態(tài)顯示。本實(shí)施例的量子點(diǎn)顯示基板實(shí)現(xiàn)了真彩色、寬色域和高透過(guò)率的顯示。

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種量子點(diǎn)顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，該量子點(diǎn)顯示裝置可包括：相對(duì)設(shè)置的陣列基板和量子點(diǎn)顯示基板。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，量子點(diǎn)顯示基板為彩膜基板，則量子點(diǎn)顯示基板和陣列基板之間設(shè)置有液晶層8。其中，陣列基板可包括第二襯底基板9和位于第二襯底基板9的靠近量子點(diǎn)顯示基板一側(cè)的陣列結(jié)構(gòu)10，第二襯底基板9的遠(yuǎn)離量子點(diǎn)顯示基板的一側(cè)設(shè)置有第二偏光片11。其中，陣列結(jié)構(gòu)10包括柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定出像素單元，像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，陣列結(jié)構(gòu)10的具體結(jié)構(gòu)在圖中未具體畫(huà)出。進(jìn)一步地，該量子點(diǎn)顯示基板還包括第二偏光片11，第二偏光片11位于第二襯底基板9的遠(yuǎn)離量子點(diǎn)顯示基板的一側(cè)。

進(jìn)一步地，該量子點(diǎn)顯示裝置還包括背光源12，背光源12位于第二襯底基板9的遠(yuǎn)離量子點(diǎn)顯示基板的一側(cè)。背光源12為藍(lán)光光源，例如：藍(lán)光LED。背光源12發(fā)出的藍(lán)光經(jīng)過(guò)紅色量子點(diǎn)圖形42時(shí)，紅色量子點(diǎn)圖形42發(fā)出紅色光；背光源12發(fā)出的藍(lán)光經(jīng)過(guò)綠色量子點(diǎn)圖形41時(shí)，綠色量子點(diǎn)圖形41發(fā)出綠色光；背光源12發(fā)出的藍(lán)光直接經(jīng)過(guò)非量子點(diǎn)像素區(qū)域5，以使非量子點(diǎn)像素區(qū)域5發(fā)出藍(lán)色光。

本實(shí)施例中，量子點(diǎn)顯示基板可采用上述實(shí)施例一提供的量子點(diǎn)顯示基板，此處不再具體描述。

本實(shí)施例提供的量子點(diǎn)顯示裝置的技術(shù)方案中，第一光學(xué)層對(duì)入射光進(jìn)行準(zhǔn)直處理形成準(zhǔn)直光并將準(zhǔn)直光輸出至第二光學(xué)層，第二光學(xué)層調(diào)整準(zhǔn)直光的出光方向形成出射光并使出射光照射至黑矩陣圖形上，避免了出射光照射至量子點(diǎn)圖形上，從而使得量子點(diǎn)顯示裝置能夠進(jìn)行真正的暗態(tài)顯示。本實(shí)施例的量子點(diǎn)顯示裝置實(shí)現(xiàn)了真彩色、寬色域和高透過(guò)率的顯示。

本實(shí)用新型實(shí)施例三提供了一種量子點(diǎn)顯示基板的制造方法，該方法包括：

步驟101、在第一襯底基板上形成黑矩陣圖形和量子點(diǎn)圖形，所述量子點(diǎn)圖形位于所述黑矩陣圖形之間。

步驟102、在第一襯底基板的一側(cè)形成第二光學(xué)層。

具體地，第二光學(xué)層包括第二基體層和多個(gè)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，則步驟102可包括：在第一襯底基板的一側(cè)形成多個(gè)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)之上形成第二基體層。

步驟103、在所述第二光學(xué)層的遠(yuǎn)離第一襯底基板的一側(cè)形成第一光學(xué)層，所述第一光學(xué)層用于對(duì)入射光進(jìn)行準(zhǔn)直處理形成準(zhǔn)直光并將準(zhǔn)直光輸出至第二光學(xué)層，第二光學(xué)層用于調(diào)整準(zhǔn)直光的出光方向形成出射光并使出射光照射至黑矩陣圖形上。

具體地，第一光學(xué)層包括第一基體層和多個(gè)凸透鏡結(jié)構(gòu)，則步驟103可包括：在第一襯底基板的一側(cè)形成多個(gè)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)之上形成第二基體層。

下面通過(guò)一個(gè)具體的例子對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的量子點(diǎn)顯示基板的制造方法進(jìn)行具體描述。圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種量子點(diǎn)顯示基板的制造方法的流程圖，如圖4所示，該方法包括：

步驟201、在第一襯底基板的一側(cè)形成黑矩陣圖形。

圖5a為實(shí)施例三中形成黑矩陣圖形的示意圖，如圖5a所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一襯底基板1的一側(cè)形成黑矩陣圖形3。

步驟202、在黑矩陣圖形之上形成保護(hù)層。

圖5b為實(shí)施例三中形成保護(hù)層的示意圖，如圖5b所示，在黑矩陣圖形3之上沉積保護(hù)層6。

步驟203、在保護(hù)層之上形成第一偏光片。

圖5c為實(shí)施例三中形成第一偏光片的示意圖，如圖5c所示，在保護(hù)層6上形成第一偏光片7。

步驟204、在第一偏光片之上形成量子點(diǎn)圖形。

圖5d為實(shí)施例三中形成量子點(diǎn)圖形的示意圖，如圖5d所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一偏光片7之上形成量子點(diǎn)圖形4。優(yōu)選地，量子點(diǎn)圖形4可以為紅色量子點(diǎn)圖形42或者綠色量子點(diǎn)圖形41。

步驟205、在量子點(diǎn)圖形之上形成多個(gè)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。

圖5e為實(shí)施例三中形成光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的示意圖，如圖5e所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝在量子點(diǎn)圖形4之上形成光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221。黑矩陣圖形3圍繞量子點(diǎn)圖形4形成量子點(diǎn)像素區(qū)域。進(jìn)一步地，黑矩陣圖形3還可以形成非量子點(diǎn)像素區(qū)域5，則非量子點(diǎn)像素區(qū)域5中也形成有光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221，此時(shí)，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221位于第一偏光片7之上。

步驟206、在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)之上形成第二基體層。

圖5f為實(shí)施例三中形成第二基體層的示意圖，如圖5f所示，在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221之上沉積第二基體層222。光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)221和第二基體層222形成第二光學(xué)層22。

步驟207、在第二基體層之上形成第一基體層。

圖5g為實(shí)施例三中形成第一基體層的示意圖，如圖5g所示，在第二基體層222之上沉積第一基體層212。

步驟208、在第一基體層內(nèi)形成多個(gè)凸透鏡結(jié)構(gòu)。

如圖1所示，對(duì)第一基體層212進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成空白結(jié)構(gòu)，該空白結(jié)構(gòu)為凸透鏡結(jié)構(gòu)211。在實(shí)際應(yīng)用中，可選地，該空白結(jié)構(gòu)中還以填充凸透鏡圖形以形成凸透鏡結(jié)構(gòu)211。第一基體層212和凸透鏡結(jié)構(gòu)211形成第一光學(xué)層21。

本實(shí)施例中各步驟可根據(jù)量子點(diǎn)顯示基板中各結(jié)構(gòu)的改變而進(jìn)行相應(yīng)的變更，此處不再具體描述。

本實(shí)施例提供的量子點(diǎn)顯示基板的制造方法可用于制造上述實(shí)施例一提供的量子點(diǎn)顯示基板。

本實(shí)施例提供的量子點(diǎn)顯示基板的制造方法的技術(shù)方案中，第一光 學(xué)層對(duì)入射光進(jìn)行準(zhǔn)直處理形成準(zhǔn)直光并將準(zhǔn)直光輸出至第二光學(xué)層，第二光學(xué)層調(diào)整準(zhǔn)直光的出光方向形成出射光并使出射光照射至黑矩陣圖形上，避免了出射光照射至量子點(diǎn)圖形上，從而使得量子點(diǎn)顯示裝置能夠進(jìn)行真正的暗態(tài)顯示。本實(shí)施例的量子點(diǎn)顯示基板實(shí)現(xiàn)了真彩色、寬色域和高透過(guò)率的顯示。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。