本發(fā)明涉及照明領(lǐng)域，尤其是涉及一種用于兩束或者兩束以上的光束進(jìn)行耦合的耦合裝置以及應(yīng)用該耦合裝置的光源系統(tǒng)，本發(fā)明還涉及醫(yī)療器械領(lǐng)域，尤其是涉及應(yīng)用上述光源系統(tǒng)的內(nèi)窺鏡系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

在需要進(jìn)行兩束或兩束以上光束耦合的照明光源系統(tǒng)中，常見的耦合部件包括半透射半反射鏡，以正交的兩束光為例，半透射半反射鏡放置在光束的相交處，其中第一束光透過半透射半反射鏡，第二束光則由半透射半反射鏡進(jìn)行反射，改變方向后與第一束光耦合，由于半透射半反射鏡的特性，上述兩束光在透鏡處均會發(fā)生透射和反射，對于第一束光而言，反射部分無法被利用，對于第二束光而言，透射部分無法被利用，從而導(dǎo)致參與耦合的各束光分別損失掉至少一半的光功率，因此利用半透射半反射鏡進(jìn)行耦合的方案在對照明光源出射光功率有較高要求的應(yīng)用場合中往往難以獲得最佳的照明效果。

基于此，目前還具有一種耦合裝置，該耦合裝置包括一可透光的透射結(jié)構(gòu)，以及位于該透射結(jié)構(gòu)中心的反射結(jié)構(gòu)，同樣以正交的兩束光為例，耦合裝置放置在光束的相交處，其中第一束光由透射結(jié)構(gòu)穿透耦合裝置，第二束光則由反射結(jié)構(gòu)進(jìn)行反射，改變方向后與第一束光耦合，此方案可以解決半透射半反射鏡方案中容易損失光功率的問題，然而其同樣存在缺陷：在耦合裝置的實(shí)際生產(chǎn)過程中，為了加工出具有限定大小與形狀的反射結(jié)構(gòu)，加工商會先制造一個(gè)對應(yīng)的夾具對透射結(jié)構(gòu)進(jìn)行遮擋，然后在透射結(jié)構(gòu)中心的露出區(qū)域鍍反射膜。由于鍍膜工藝的局限性，夾具與透射結(jié)構(gòu)的接觸部分不可避免地存在鍍膜過渡區(qū)域。根據(jù)每家廠商工藝把控能力的不同，鍍膜過渡區(qū)域的尺寸在0.3mm～1mm之間漂移，無論其大小，鍍膜過渡區(qū)域均會改變反射結(jié)構(gòu)的尺寸精度，不但影響反射結(jié)構(gòu)的反射效率，還會影響透射結(jié)構(gòu)的光傳遞效率。

此外，由于反射作用的存在，光束在穿透透射結(jié)構(gòu)時(shí)不可避免的產(chǎn)生功率損失，通常而言透射率為92%，雖然可以通過在透射結(jié)構(gòu)的入射面和出射面設(shè)置防反射涂層的方式提升透射率，然而設(shè)置防反射涂層將會導(dǎo)致工藝的復(fù)雜化，并顯著增加成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種光耦合裝置，以解決現(xiàn)有耦合裝置制造工藝復(fù)雜、成本高以及存在鍍膜過渡區(qū)域的問題。

本發(fā)明還提供一種應(yīng)用上述光耦合裝置的光源系統(tǒng)與內(nèi)窺鏡系統(tǒng)。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種光耦合裝置，包括基板，基板上具有通孔，以及圍繞通孔設(shè)置的反射結(jié)構(gòu)，其中，通孔可供光束穿透基板，反射結(jié)構(gòu)可對光束進(jìn)行反射。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，反射結(jié)構(gòu)包括覆蓋在基板上的反射膜層。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，反射膜層在400nm-700nm波段的反射率大于99%。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，通孔位于反射結(jié)構(gòu)的中心。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，通孔的形狀包括矩形、圓形或者橢圓形。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，包括嵌設(shè)在通孔內(nèi)的透光部件。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，通孔面積占基板面積的比值滿足：當(dāng)光束被反射結(jié)構(gòu)反射時(shí)，由通孔導(dǎo)致的光通量的降低比例不大于30%。

一種光源系統(tǒng)，包括第一光源模塊、第二光源模塊以及上述的光耦合裝置，光耦合裝置設(shè)于第一光源模塊與第二光源模塊所射出的光束的相交處，其中第一光源模塊射出的第一光束自通孔穿過光耦合裝置，第二光源模塊射出的第二光束被反射結(jié)構(gòu)反射后沿第一光束前進(jìn)的方向射出，以與第一光束形成一耦合光束。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，光耦合裝置與第一光束之間的夾角為30°-60°。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，第一光束與第二光束正交，光耦合裝置與第一光束之間的夾角為45°。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，第一光源模塊包括激光二極管以及依次設(shè)于激光二極管光路上的第一準(zhǔn)直透鏡、第一匯聚透鏡、消散斑模塊與第二準(zhǔn)直透鏡。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，第一光源模塊包括多個(gè)激光二極管與對應(yīng)的第一準(zhǔn)直透鏡，其中該多個(gè)激光二極管中至少包括一個(gè)紅光激光二極管、一個(gè)綠光激光二極管與一個(gè)藍(lán)光激光二極管，各激光二極管射出的光束合成為一平行光束。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，由紅光激光二極管射出的紅光激光的波長為630-670nm，由綠光激光二極管射出的綠光激光的波長為510-550nm，由藍(lán)光激光二極管射出的藍(lán)光激光的波長為430-470nm。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，第一光源模塊包括LED與設(shè)于LED光路上的準(zhǔn)直透鏡。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，第二光源模塊包括白光LED以及設(shè)于白光LED光路上的第三準(zhǔn)直透鏡。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，包括第三光源模塊與次級光耦合裝置，其中次級光耦合裝置設(shè)于第三光源模塊所射出的第三光束與耦合光束的相交處，耦合光束透過次級光耦合裝置，第三光束被次級光耦合裝置反射后沿耦合光束前進(jìn)的方向射出，以與耦合光束進(jìn)行耦合。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，第三光源模塊包括藍(lán)紫光LED以及設(shè)于藍(lán)紫光LED光路上的第四準(zhǔn)直透鏡。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，次級光耦合裝置包括次級基板以及覆蓋在次級基板上的透射/反射膜層，透射/反射膜層的參數(shù)滿足：在390nm-420nm波段，膜層反射率大于99%；在440nm-700nm波段，透射率大于95%。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，次級光耦合裝置包括次級基板，次級基板上具有通孔，以及圍繞通孔設(shè)置的反射膜層，其中，通孔可供耦合光束穿透次級基板，反射結(jié)構(gòu)可對第三光束進(jìn)行反射。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，第三光束與耦合光束正交，次級光耦合裝置與耦合光束之間的夾角為45°。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)方式，包括第二匯聚透鏡與勻光棒，勻光棒的入光口放置于第二匯聚透鏡的焦點(diǎn)處，耦合光束由第二匯聚透鏡匯聚后進(jìn)入勻光棒。

一種內(nèi)窺鏡系統(tǒng)，包括上述的光源系統(tǒng)。

本發(fā)明的有益效果是：

光束在透過光耦合裝置時(shí)不會發(fā)生任何衰減，透射率相對于現(xiàn)有技術(shù)中的耦合裝置可以提升到100%，同時(shí)也可以省去在基板入射面和出射面設(shè)置防反射涂層的步驟，從而可以簡化工藝、降低成本；此外，本發(fā)明的光耦合裝置在鍍反射膜時(shí)無需專用治具對透射結(jié)構(gòu)進(jìn)行遮擋，在進(jìn)一步降低成本的同時(shí)，也可以避免鍍膜過渡區(qū)域的產(chǎn)生，保證透射結(jié)構(gòu)與反射結(jié)構(gòu)尺寸的精確性。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。

圖1是本發(fā)明光耦合裝置第一個(gè)實(shí)施例的正視圖；

圖2是本發(fā)明光耦合裝置第一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；

圖3是本發(fā)明光耦合裝置第二個(gè)實(shí)施例的剖視圖；

圖4是本發(fā)明光源系統(tǒng)第一實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖；

圖5是本發(fā)明光源系統(tǒng)第二實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖；

圖6是本發(fā)明光源系統(tǒng)第三實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖；

圖7是本發(fā)明光源系統(tǒng)第四實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖；

圖8是本發(fā)明光源系統(tǒng)第五實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖；

圖9是本發(fā)明光源系統(tǒng)第六實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果進(jìn)行清楚、完整的描述，以充分地理解本發(fā)明的目的、方案和效果。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

需要說明的是，如無特殊說明，當(dāng)某一特征被稱為“固定”、“連接”在另一個(gè)特征，它可以直接固定、連接在另一個(gè)特征上，也可以間接地固定、連接在另一個(gè)特征上。此外，本發(fā)明中所使用的上、下、左、右等描述僅僅是相對于附圖中本發(fā)明各組成部分的相互位置關(guān)系來說的。

此外，除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例，而不是為了限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的組合。

參照圖1、圖2，分別示出了本發(fā)明光耦合裝置第一個(gè)實(shí)施例的正視圖與剖視圖，如圖所示，光耦合裝置包括基板101，基板101上具有通孔102，以及圍繞通孔102設(shè)置的反射結(jié)構(gòu)103。其中光束可自通孔102穿透基板101，反射結(jié)構(gòu)103則可對光束進(jìn)行反射，由于該通孔的存在，光束在透過光耦合裝置時(shí)不會發(fā)生任何衰減，透射率相對會現(xiàn)有技術(shù)中的耦合裝置可以提升到100%，同時(shí)也可以省去在基板入射面和出射面設(shè)置防反射涂層的步驟，從而可以簡化工藝、降低成本；此外，本發(fā)明的光耦合裝置在鍍反射膜時(shí)無需專用治具對透射結(jié)構(gòu)進(jìn)行遮擋，在進(jìn)一步降低成本的同時(shí)，也可以避免鍍膜過渡區(qū)域的產(chǎn)生，保證透射結(jié)構(gòu)與反射結(jié)構(gòu)尺寸的精確性。

在本實(shí)施例中，反射結(jié)構(gòu)103包括覆蓋在基板101上的反射膜層，該反射膜層可以采用已知的任何工藝與基板連接，在此不做限定。

進(jìn)一步的，本實(shí)施例優(yōu)選對反射膜層的參數(shù)具有一定的要求：該膜層在400nm-700nm波段的反射率大于99%，即光耦合裝置的透射率達(dá)到100%，反射率達(dá)到99%。

在本實(shí)施例中，通孔102位于反射結(jié)構(gòu)103的中心，以使透過光耦合裝置的光束位于被反射結(jié)構(gòu)反射后的光束的中心。本發(fā)明也不對通孔102的形狀進(jìn)行限制，其可以是常見的幾何形狀，如包括矩形、圓形、橢圓形等，本實(shí)施例優(yōu)選采用長方形的通孔。

此外，本實(shí)施例優(yōu)選對通孔102面積占基板101面積的比值具有一定的要求：當(dāng)光束被反射結(jié)構(gòu)反射時(shí)，由通孔導(dǎo)致的光通量的降低比例應(yīng)不大于30%，作為光耦合裝置相關(guān)尺寸的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，其外形尺寸為70mm*70mm，通孔尺寸為22mm*25mm。

參照圖3，示出了本發(fā)明光耦合裝置第二個(gè)實(shí)施例的剖視圖，如圖所示，其與第一個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于通孔102內(nèi)嵌設(shè)有一透光部件104，該透光部件104可由已知的任何透光材料制成，其一側(cè)或者兩側(cè)表面上也可以設(shè)置防反射涂層以提升透射率，透光部件104使得光耦合裝置從外觀上無任何可見的通孔，其雖然對生產(chǎn)工藝與成本控制造成一定的影響，但至少可以避免鍍膜過渡區(qū)域的產(chǎn)生，比如先在基板的表面鍍反射膜，鍍膜完成后再在通孔內(nèi)嵌設(shè)透光部件。

本發(fā)明還公開了一種光源系統(tǒng)，參照圖4，示出了光源系統(tǒng)第一實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖，圖中虛線框表示光源模塊。帶箭頭的虛線表示光束，箭頭方向表示光束的前進(jìn)方向，且附圖中各部件的形狀與尺寸僅起示意的作用，不代表實(shí)際的形狀與尺寸，下同。如圖所示，光源系統(tǒng)包括第一光源模塊200、第二光源模塊300以及上述的光耦合裝置100，作為光耦合裝置、第一光源模塊、第二光源模塊的相對位置關(guān)系的最優(yōu)實(shí)施例，本實(shí)施例中第一光源模塊200射出的第一光束與第二光源模塊射出的第二光束正交，光耦合裝置100與第一光束之間的夾角為45°，如此既可以保證第一光束可從光耦合裝置100的通孔內(nèi)射出，又可以保證第二光束被反射結(jié)構(gòu)反射后沿第一光束前進(jìn)的方向射出，從而與第一光束形成一耦合光束。

光耦合裝置設(shè)于第一光源模塊與第二光源模塊所射出的光束的相交處，其中第一光源模塊射出的第一光束自通孔穿過光耦合裝置，第二光源模塊射出的第二光束被反射結(jié)構(gòu)反射后沿第一光束前進(jìn)的方向射出，以與第一光束形成一耦合光束。

除上述實(shí)施例外，光耦合裝置100與第一光束之間的夾角可以在30°-60°的范圍內(nèi)調(diào)整，第一光束與第二光束之間的角度也需要對應(yīng)調(diào)整，以保證第二光束經(jīng)反射后可與第一光束耦合。

具體的，第一光源模塊200為激光光源，包括激光二極管201以及依次設(shè)于激光二極管201光路上的第一準(zhǔn)直透鏡202、包括第一匯聚透鏡203、消散斑模塊204、第二準(zhǔn)直透鏡205，激光二極管201發(fā)射出的發(fā)散光經(jīng)過第一準(zhǔn)直透鏡202變成準(zhǔn)直光，準(zhǔn)直光經(jīng)過第一匯聚透鏡203匯聚，然后進(jìn)入消散斑模塊204中進(jìn)行消相干處理，經(jīng)過消散斑模塊204處理的消相干光被第二準(zhǔn)直透鏡205準(zhǔn)直后參與后續(xù)的光束耦合。

優(yōu)選的，消散斑模塊204可采用旋轉(zhuǎn)擴(kuò)散片或振動擴(kuò)散片的方式進(jìn)行消相干，擴(kuò)散片的散射角度大于5°，轉(zhuǎn)速大于或等于400轉(zhuǎn)/分。此外，本實(shí)施例中的第一準(zhǔn)直透鏡202優(yōu)選采用非球面準(zhǔn)直透鏡。

本實(shí)施例中的透鏡（包括但不限于匯聚透鏡、準(zhǔn)直透鏡）可以根據(jù)需要選用已知的任何透鏡結(jié)構(gòu)，或者由已知的可以達(dá)到同樣目的的光學(xué)構(gòu)件替代，下同。

第二光源模塊300包括白光LED301以及設(shè)于白光LED301光路上的第三準(zhǔn)直透鏡302，白光LED301的初始光通量優(yōu)選大于800流明。類似的，白光LED301發(fā)射出的發(fā)散光經(jīng)過第三準(zhǔn)直透鏡302變成準(zhǔn)直光，然后與第一光束進(jìn)行耦合。

此外，光源系統(tǒng)還包括第二匯聚透鏡400與勻光棒500，勻光棒500的入光口放置于第二匯聚透鏡400的焦點(diǎn)處，第一光束與第二光束耦合后由第二匯聚透鏡400進(jìn)行匯聚，再由勻光棒500導(dǎo)入后續(xù)的照明光纖束（未示出）中進(jìn)行照明，其中勻光棒500的通光孔徑等于或略小于照明光纖束的通光孔徑，以保證光束的高效傳輸。

參照圖5，示出了光源系統(tǒng)第二實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖，其與第一個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于第一光源模塊200包括多個(gè)激光二極管201與對應(yīng)的第一準(zhǔn)直透鏡202，進(jìn)一步的，該多個(gè)激光二極管中至少包括一個(gè)紅光激光二極管、一個(gè)綠光激光二極管與一個(gè)藍(lán)光激光二極管，各激光二極管可以獨(dú)立調(diào)節(jié)亮度。本實(shí)施例具體包括一個(gè)紅光激光二極管、一個(gè)綠光激光二極管與一個(gè)藍(lán)光激光二極管。

優(yōu)選的，由紅光激光二極管射出的紅光激光的波長為630-670nm，總初始功率為0.7-1.4W；由綠光激光二極管射出的綠光激光的波長為510-550nm，總初始功率為0.6-1.6W；由藍(lán)光激光二極管射出的藍(lán)光激光的波長為430-470nm，總初始功率為0.2-1.6W。

為實(shí)現(xiàn)多束激光的耦合，本實(shí)施例還包括若干的二向色合光片206，其中二向色合光片206對應(yīng)各激光二極管設(shè)置，以將各激光二極管射出的光束合成為一平行光束，合束后的平行光束再依次經(jīng)過第一匯聚透鏡203、消散斑模塊204、第二準(zhǔn)直透鏡205，除上述實(shí)施例之外，多束激光的耦合還可以采用其它已知的技術(shù)，如通過光纖耦合等。

本發(fā)明不對光源模塊（包括下述的第三光源模塊）的種類與組成做任何限定，根據(jù)需求各光源模塊可以進(jìn)行替換調(diào)整，參照圖6，示出了光源系統(tǒng)第三實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖，圖中第一光源模塊包括LED207與設(shè)于LED207光路上的準(zhǔn)直透鏡208，當(dāng)然，LED也可以如第二實(shí)施例一樣采用紅光、綠光、藍(lán)光LED的組合，各LED射出的光束通過已知的任何方式進(jìn)行耦合。

參照圖7，示出了光源系統(tǒng)第四實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖，其與第一個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于還包括第三光源模塊600與次級光耦合裝置700，其中第三光源模塊600放置在第二光源模塊300與第二匯聚透鏡400之間，其射出的第三光束與第一、第二光束耦合后的耦合光束正交，次級光耦合裝置700設(shè)于第三光束與耦合光束的相交處，且與耦合光束之間的夾角為45°，如此耦合光束透過次級光耦合裝置700，第三光束被次級光耦合裝置700反射后沿耦合光束前進(jìn)的方向射出，以與耦合光束進(jìn)行耦合。當(dāng)然，第三光束與耦合光束之間的夾角也可以在30°-60°的范圍內(nèi)調(diào)整。

優(yōu)選的，第三光源模塊600包括藍(lán)紫光LED601以及設(shè)于藍(lán)紫光LED601光路上的第四準(zhǔn)直透鏡602，本實(shí)施例中藍(lán)紫光LED601的光譜波段范圍為390-430 nm，藍(lán)紫光LED601發(fā)射出的發(fā)散光經(jīng)過第四準(zhǔn)直透鏡602變成準(zhǔn)直光，然后參與后續(xù)的光束耦合，藍(lán)紫光LED601也可以由藍(lán)紫光激光二極管替代。

藍(lán)紫光LED模塊具有以下作用：

（1）藍(lán)紫光LED的光譜波段范圍為390-430 nm，能夠很好地彌補(bǔ)白光LED光譜在此波段范圍內(nèi)光譜光功率不足的缺點(diǎn)，藍(lán)紫光LED與白光LED按照一定的光功率比混合生成的白光具有更寬的光譜覆蓋范圍，從而使照明光源具備更高的顯色指數(shù)。

（2）藍(lán)紫光LED的光譜波段范圍覆蓋了血紅蛋白的最大光譜吸收波段，由此將藍(lán)紫光LED與白光LED按照前者光功率高于后者的方式混合生成的照明光源，能夠在保持圖像亮度的同時(shí)凸顯淺層血管，從而提高疾病檢出率。

本實(shí)施例中的次級光耦合裝置700可以允許部分波段的光透過，而對另一部分波段的光進(jìn)行反射，具體而言，次級光耦合裝置包括次級基板以及覆蓋在次級基板上的透射/反射膜層，在390nm-420nm波段，膜層反射率大于99%；在440nm-700nm波段，透射率大于95%，如此，只需滿足第一光束、第二光束耦合后的耦合光束的波段范圍在440nm-700nm之間，第三光束的波段范圍在390nm-420nm之間便可以實(shí)現(xiàn)第一、第二、第三光束的耦合。

參照圖8，示出了光源系統(tǒng)第五實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖，其與第三個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于次級光耦合裝置700，本實(shí)施例中的次級光耦合裝置700與光耦合裝置100的結(jié)構(gòu)類似，即包括次級基板，次級基板上具有通孔，以及圍繞通孔設(shè)置的反射膜層，其中，次級基板及其上的通孔的尺寸相對于基板及其上的通孔的尺寸應(yīng)做擴(kuò)大處理，以保證第一、第二光束耦合后的耦合光束可以自次級基板上的通孔穿透該次級基板，反射結(jié)構(gòu)則用于對第三光束進(jìn)行反射，如此同樣可以實(shí)現(xiàn)第一、第二、第三光束的耦合。

參照圖9，示出了光源系統(tǒng)第六實(shí)施例的系統(tǒng)組成示意圖，本實(shí)施例即為光源系統(tǒng)的最優(yōu)實(shí)施例，其包括有第一光源模塊200、第二光源模塊300與第三光源模塊600，其中第一光源模塊200、第二光源模塊300與第二實(shí)施例中的第一光源模塊200、第二光源模塊300相同，第三光源模塊600與第三實(shí)施例中的第三光源模塊600相同，在此就不一一贅述，結(jié)合上述各光源模塊，本實(shí)施例的工作模式如下：

（1）基本照明模式：同時(shí)開啟白光LED光源和藍(lán)紫光LED光源，通過一定配比，提供高亮度、高顯色指數(shù)圖像。

（2）增強(qiáng)照明模式：同時(shí)開啟白光LED光源、藍(lán)紫光LED光源和多波長激光光源（其中一束或幾束組合），通過一定配比，可在提供高亮度圖像的同時(shí)，凸顯不同深度的血管形態(tài)。

（3）純激光模式：同時(shí)開啟藍(lán)紫光LED光源和多波長激光光源（其中一束或幾束組合），通過一定配比，可在提供高對比度圖像的同時(shí)，凸顯不同深度的血管形態(tài)。

本發(fā)明還公開了一種應(yīng)用上述光源系統(tǒng)的內(nèi)窺鏡系統(tǒng)。

以上是對本發(fā)明的較佳實(shí)施進(jìn)行了具體說明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明精神的前提下還可做出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。