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半導(dǎo)體裝置、積層型半導(dǎo)體裝置、密封后積層型半導(dǎo)體裝置、以及這些裝置的制造方法與流程

文檔序號:12468151閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置,其利用在半導(dǎo)體元件上實施微細(xì)電極形成,并在半導(dǎo)體元件外部實施貫穿電極,使在配線基板上的載置和半導(dǎo)體裝置的積層變得容易。為了解決上述課題,本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置,其具有半導(dǎo)體元件、和與所述半導(dǎo)體元件電連接的半導(dǎo)體元件上金屬焊盤及金屬配線,所述金屬配線與貫穿電極及焊料凸塊電連接,其中,在所述半導(dǎo)體元件上形成有第一感光性絕緣層,在所述第一感光性絕緣層上形成有第二感光性絕緣層,所述第一感光性絕緣層及所述第二感光性絕緣層由光固化性樹脂組合物形成,所述光固化性樹脂組合物含有:具有由下述通式(1)及(2)所表示的重復(fù)單元的硅酮高分子化合物、光致產(chǎn)酸劑、溶劑及交聯(lián)劑,

技術(shù)研發(fā)人員:曾我恭子;淺井聰;竹村勝也
受保護的技術(shù)使用者:信越化學(xué)工業(yè)株式會社
文檔號碼:201610405479
技術(shù)研發(fā)日:2016.06.08
技術(shù)公布日:2016.12.21

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