技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種厚體硅反射式單級(jí)衍射光柵的制作方法。所述方法是先利用電子束直寫光刻制備薄硅反射式單級(jí)衍射光柵，再利用晶圓低溫鍵合工藝，把薄硅反射式單級(jí)衍射光柵與厚體硅鍵合，形成厚體硅反射式單級(jí)衍射光柵。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法制作厚體硅反射式單級(jí)衍射光柵的技術(shù)問(wèn)題，而且，本發(fā)明的厚體硅反射式單級(jí)衍射光柵的制作方法的鍵合過(guò)程不要高壓、高溫環(huán)境，且制作方法簡(jiǎn)單，從而能夠適用于大批量生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：朱效立;施百齡;謝常青;華一磊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.22
技術(shù)公布日：2017.10.31