本發(fā)明涉及玻璃技術領域，特別涉及一種電致變色結構及其形成方法。

背景技術：

電致變色是指在外加電場的作用下，材料的反射率、透射率以及吸收率等特性能夠根據電場的大小與極性發(fā)生可逆的變化。在玻璃表面設置電致變色結構形成電致變色玻璃，能夠通過電壓控制實現(xiàn)對玻璃透光性能的控制。

根據美國綠色建筑委員會報告，建筑物的能量消耗占整體能源消耗的近40％：隔離性能不好的窗戶所損失的熱量占建筑物冬季熱損失的10％～30％；而夏天穿透窗戶進入建筑物內部的光線，則增加室內制冷所需要的能量。據估算，美國每年由于建筑物玻璃窗而造成的能量損失價值約200億美元。

電致變色玻璃可以控制玻璃的透光量和眩光量，可以對玻璃的透光量及透過玻璃的熱量進行優(yōu)化，保持室內條件舒適，從而能夠減少維持建筑物室內溫度的能量消耗。因此，隨著材料技術的飛速發(fā)展，電致變色玻璃已經開始逐步應用于汽車防眩光反射鏡、汽車天窗、高鐵窗戶、飛機窗戶、高檔大廈的幕墻玻璃等領域。而且隨著綜合使用成本的逐步降低，電致變色玻璃能夠逐步替代low-e玻璃，在節(jié)能環(huán)保的智能建筑中得到廣泛的應用。

隨著電致變色玻璃在建筑領域應用的擴大，大面積電致變色玻璃的需求將越來越多。但是現(xiàn)有技術中大面積的電致變色玻璃往往存在變色不均勻、變色速度慢等性能問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種電致變色結構及其形成方法，以改善提高電致變色玻璃的性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種電致變色結構，包括：

基底，所述基底表面形成有第一導電層；變色功能層，位于所述第一導電層表面；第二導電層，位于所述變色功能層表面；第一電極，與第二導電 層同屬所述變色功能層的一側，所述第一電極與所述第二導電層電隔離、且依次貫穿所述第二導電層和變色功能層與所述第一導電層電連接；第二電極，與第二導電層同屬所述變色功能層的一側，與所述第二導電層電連接。

可選的，所述第一導電層包括相互電隔離的第一隔離區(qū)和第一傳導區(qū)，所述第一隔離區(qū)的數(shù)量為一個或多個；所述第一傳導區(qū)的數(shù)量為一個或多個；所述第一電極與所述第一傳導區(qū)的所述第一導電層電連接。

可選的，所述電致變色結構還包括：貫穿所述第一導電層的第一溝槽，所述第一溝槽將所述第一導電層分為多個第一隔離區(qū)和多個第一傳導區(qū)。

可選的，所述第一溝槽呈“幾”字形延伸，所述多個第一隔離區(qū)相互連通，形成梳子形狀；所述多個第一傳導區(qū)相互連通，形成和第一隔離區(qū)的梳齒相配合的梳子形狀。

可選的，所述第一溝槽的寬度范圍為1微米～50微米。

可選的，所述第一隔離區(qū)的寬度范圍為1微米～500微米，所述第一傳導區(qū)的寬度范圍為1厘米～500厘米。

可選的，所述第二導電層包括相互電隔離的第二隔離區(qū)和第二傳導區(qū)，所述第二隔離區(qū)的數(shù)量為一個或多個，所述第二傳導區(qū)的數(shù)量一個或為多個；所述第一電極位于第二隔離區(qū)的所述第二導電層表面；所述第二電極位于第二傳導區(qū)的所述第二導電層表面，所述第一電極和多個第二電極交錯排列。

可選的，所述第二隔離區(qū)和所述第一隔離區(qū)在所述基底表面的投影相互錯開。

可選的，所述第二電極和所述第一隔離區(qū)位置相互對應。

可選的，所述電致變色結構還包括：貫穿所述第二導電層的第二溝槽，所述第二溝槽將所述第二導電層分為多個第二隔離區(qū)和多個第二傳導區(qū)。

可選的，所述第二溝槽呈“幾”字形延伸，所述多個第二隔離區(qū)相互連通，形成梳子形狀；所述多個第二傳導區(qū)相互連通，形成與第二隔離區(qū)的梳齒圖形相配合的梳子形狀。

可選的，所述第二溝槽的寬度范圍為1微米～50微米。

可選的，所述第二隔離區(qū)的寬度范圍為1微米～500微米范圍內，所述第二傳導區(qū)的寬度范圍為1厘米～500厘米。

可選的，所述第二導電層包括相互電隔離的第二隔離區(qū)和第二傳導區(qū)；所述第一電極位于第二隔離區(qū)的所述第二導電層表面；所述第二電極位于第二傳導區(qū)的所述第二導電層表面，所述第一電極和多個第二電極交錯排列。

可選的，所述變色功能層包括一個或多個功能層，每個功能層包括電致變色層、離子存儲層以及位于電致變色層和離子存儲層之間的離子傳導層。

可選的，所述基底為透光材料。

可選的，所述基底包括玻璃基底或柔性基底。

可選的，所述電致變色結構還包括位于所述基底和所述第一導電層之間的阻擋層。

可選的，所述第一導電層和/或所述第二導電層的材料包括透明導電氧化物。

相應的，本發(fā)明還提供一種電致變色結構的形成方法，包括：

提供基底，所述基底表面形成有第一導電層；形成位于所述第一導電層表面的變色功能層；形成位于所述變色功能層表面的第二導電層；形成位于第二導電層表面的第一電極，所述第一電極與所述第二導電層電隔離且依次貫穿所述第二導電層和變色功能層與所述第一導電層電連接；形成位于第二導電層表面的第二電極，所述第二電極與所述第二導電層電連接。

可選的，所述形成方法還包括：形成貫穿所述第一導電層的第一溝槽，所述第一溝槽將所述第一導電層分為第一隔離區(qū)和第一傳導區(qū)；所述第一電極與所述第一傳導區(qū)的第一導電層電連接。

可選的，所述第一溝槽呈“幾”字形延伸，形成多個第一隔離區(qū)和多個第一傳導區(qū)，所述多個第一隔離區(qū)相互連通形成梳子形狀；所述多個第一傳導區(qū)相互連通，形成和第一隔離區(qū)的梳齒相配合的梳子形狀。

可選的，所述形成方法還包括：形成貫穿所述第二導電層的第二溝槽，所述第二溝槽將所述第二導電層分為第二隔離區(qū)和第二傳導區(qū)；所述第一電 極位于第二隔離區(qū)的所述第二導電層表面；所述第二電極位于第二傳導區(qū)的所述第二導電層表面。

可選的，所述第二溝槽呈“幾”字形延伸，形成多個第二傳導區(qū)和多個第二隔離區(qū)，所述多個第二隔離區(qū)相互連通，形成梳子形狀；所述多個第二傳導區(qū)相互連通，形成與第二隔離區(qū)的梳齒圖形相配合的梳子形狀。

可選的，所述第一溝槽和/或第二溝槽通過激光劃線的方式形成。

可選的，形成第一電極包括：形成依次貫穿所述第二導電層和所述變色功能層的第三溝槽；向所述第三溝槽內填充導電材料以形成所述第一電極。

可選的，所述第三溝槽通過激光劃線的方式形成。

可選的，所述第三溝槽的寬度范圍為1微米～50微米。

可選的，所述第一電極和/或第二電極分別通過絲網印刷、真空熱蒸鍍鍍膜、真空磁控濺射鍍膜、真空離子源鍍膜或噴墨打印的方式形成。

可選的，所述形成方法還包括：在形成第一導電層之前，形成覆蓋基底表面的阻擋層。

可選的，形成所述變色功能層包括：形成一個或多個功能層，所述功能層包括電致變色層、離子存儲層以及位于電致變色層和離子存儲層之間的離子傳導層。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的技術方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明實施例通過使使第一電極和第二電極均位于第二導電層表面，能夠使得對于所述電致變色結構施加電壓更為方便。而且，本發(fā)明實施例的第一電極和第二電極均為多個，從而能夠通過調節(jié)電極分布來提高第一導電層和第二導電層之間電場的均勻程度，從而能夠提高所述變色功能層的變色均勻度，改善電致變色結構變色速度慢的問題，進而有利于擴大電致變色玻璃的面積，使大面積電致變色玻璃的變色更快、更均勻。

進一步地，本發(fā)明實施例的第二隔離區(qū)和第一隔離區(qū)在所述基底表面的投影相互錯開，通過使第一電極和第二電極位置錯開，降低了第二電極與第一導電層之間出現(xiàn)漏電或短路的可能，提高了所述電致變色結構的穩(wěn)定性， 延長了所述電致變色玻璃的使用壽命。

此外，本發(fā)明實施例的第二電極和第一隔離區(qū)對應，通過隔離區(qū)，可以防止第二電極電壓過大導致導電層被擊穿造成的漏電或短路問題。

附圖說明

圖1是一種電致變色結構的俯視示意圖；

圖2是一種電致變色結構的俯視示意圖；

圖3是一種電致變色結構的俯視示意圖；

圖4是本發(fā)明電致變色結構的形成方法一實施例的流程示意圖；

圖5至圖15是本發(fā)明電致變色結構的形成方法一實施例各個步驟中間結構的結構示意圖。

具體實施方式

由背景技術可知，現(xiàn)有技術中大面積的電致變色玻璃存在變色不均勻、變色速度慢等性能問題?，F(xiàn)結合現(xiàn)有技術中電致變色玻璃中電致變色結構的結構分析其性能問題的原因：

專利號為cn104898345a的中國專利中公開了一種電致變色玻璃的驅動布置結構(參考圖1至圖3)。

如圖1所示，所述電致變色結構包括：用于形成電場的第一導電層11和第二導電層12、用于實現(xiàn)第一導電層11和第二導電層12與電源電連接的第一電極13和第二電極14以及位于第一導電層11和第二導電層12之間的變色功能層。

如圖2所示，所述電致變色結構中的第一電極23和第二電極24分別位于第一導電層21和第二導電層22的兩側，如圖3所述電致變色結構中的第一電極33和第二電極34分別位于第一導電層31和第二導電層32的兩側。

上述三種電致變色結構中，第一電極和第二電極均設置于電致變色層的四側邊緣。由于形成第一導電層和第二導電層的透明氧化物導體的電導率較差，在加載電壓的過程中會在第一導電層和第二導電層內形成較高的電壓降， 從而造成第一導電層和第二導電層中心區(qū)域的電壓低于邊緣區(qū)域的電壓，從而引起電致變色結構在變色過程出現(xiàn)變色不均勻，變色速度不一致的問題，由此也限制了電致變色玻璃的面積，難以滿足大面積電致變色玻璃的要求。

下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。

圖4是本發(fā)明電致變色結構的形成方法一實施例的流程示意圖。

圖5至圖15是本發(fā)明電致變色結構的形成方法一實施例各個步驟中間結構的結構示意圖。

參考圖4中步驟s100，結合參考圖5，提供基底100，所述基底100表面形成有第一導電層110。

所述基底100用于提供物理支撐平臺。所述基底100包括第一面和與所述第一面相對的第二面。所述基底100可以是柔性基底也可以是剛性基底。所述基底100可以為透光材料。在一些實施例中，所述基底100為玻璃。

所述第一導電層110形成于所述基底100的第一面或第二面上，所述第一導電層110用于加載電壓以形成電場。所述第一導電層110的材料包括透明導電氧化物(transparentconductiveoxide,tco)。具體的，所述第一導電層110可以為氧化銦錫(ito)、氧化鋅錫(izo)、氧化鋅鋁(azo)、氟摻氧化錫(fto)、鎵摻雜氧化錫(gto)等材料中的一種或多種；也可以是導電的透明氮化物包括氮化鈦、氮氧化鈦、氮化鉭以及氧氮化鉭等材料中的一種或多種；也可以是透明導電的石墨烯材料；還可以是其他透明的金屬或合金材料。所述第一導電層110的厚度范圍為10納米～1000納米?？蛇x的，在一些實施例中，所述第一導電層110的厚度范圍為300納米～600納米。

需要說明的是，為了避免雜質離子擴散進入所述第一導電層110，從而影響所述第一導電層110的導電性能，因此所述電致變色結構還包括位于所述基底100和所述第一導電層110之間的阻擋層101，所以所述形成方法還可以包括：在形成第一導電層110之前，形成覆蓋基底100表面的阻擋層101。

在一些實施例中，所述基底100為鈉玻璃，為了避免鈉玻璃中的鈉離子擴散進入第一導電層110而使所述第一導電層110的電導率降低，所述阻擋層101為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁等材料中一種或多種構成的 鈉離子阻擋層。

在一些實施例中，所述基底100的材料為玻璃，可以直接在所形成的電致變色結構上壓合玻璃構成電致變色玻璃，能夠簡化電致變色玻璃的結構，減小電致變色玻璃的重量。

所述電致變色結構的數(shù)量不做限定，在另一些實施例中，可以通過將所述電致變色結構夾合于兩塊玻璃之間形成電致變色結構，從而降低對工藝機臺的要求，降低制造成本。

參考圖6至圖8，形成位于所述第一導電層110表面的變色功能層120。

參考圖6和圖7，其中圖6是所述電致變色結構的中間結構的俯視示意圖，圖7是圖6中沿aa線的剖視結構示意圖。為了提高第一導電層110與后續(xù)所形成第二電極之間的電隔離性，避免出現(xiàn)漏電或短路的問題，所述第一導電層110包括相互電隔離的第一隔離區(qū)110i和第一傳導區(qū)110t，所述第一隔離區(qū)110i的數(shù)量為一個或多個，所述第一傳導區(qū)110t的數(shù)量為一個或多個。

所述第一隔離區(qū)110i的寬度范圍為1微米～500微米，所述第一傳導區(qū)110t的寬度范圍為1厘米～500厘米。為了提高所述電致變色結構的變色均勻性和變色速度，可選的，所述第一隔離區(qū)110i的寬度范圍為5微米～50微米，所述第一傳導區(qū)110t的寬度范圍為5厘米～50厘米。

參考圖4中步驟s110，并結合參考圖6和圖7，為簡化器件結構，降低工藝難度，本發(fā)明一些實施例中，所述電致變色結構還包括：貫穿所述第一導電層110的第一溝槽111，所述第一隔離區(qū)110i和所述第一傳導區(qū)110t之間通過第一溝槽111進行隔離。

具體地，可以在形成變色功能層120之前，形成貫穿所述第一導電層110的第一溝槽111。所述第一溝槽111可以為沿“幾”字形延伸，這樣形成的多個第一隔離區(qū)110i之間連通形成梳狀，多個第一傳導區(qū)110t之間連通形成梳狀，所述多個第一傳導區(qū)110t形成的梳狀與多個第一隔離區(qū)110i形成的梳狀的梳齒相互補償。所述第一隔離區(qū)110i寬度(梳齒寬度)范圍為5厘米～50厘米，相鄰梳齒之間為第一傳導區(qū)110t，第一傳導區(qū)110t的寬度范圍為5厘米～50厘米。所述第一溝槽111的寬度范圍為1微米～50微米?？蛇x的，所述 第一溝槽111的寬度范圍為2微米～10微米以提高所述第一隔離區(qū)110i和第一傳導區(qū)110t之間的絕緣性。

所述第一溝槽111可以通過激光劃線的方式在所述第一導電層110內形成。具體的，可以通過可見光激光劃線工藝或紅外光激光劃線工藝形成所述第一溝槽111。此外，激光劃線工藝過程中可以采用恒定功率輸出也可以采用脈沖功率輸出。可選的，在一些實施例中，通過脈沖激光劃線方式形成所述第一溝槽111，所述脈沖頻率范圍為5khz～500khz，激光功率范圍為0.1瓦～10瓦。一些實施例中，激光功率范圍為0.5瓦～5瓦。需要說明的是，通過激光劃線的方式形成所述第一溝槽111的做法僅為一示例，本發(fā)明對形成所述第一溝槽111的具體方法不做限定。

需要說明的是，參考圖4中步驟s111，在一些實施例中，在形成所述第一溝槽111的步驟之后，在形成所述變色功能層120的步驟之前，所述形成方法還包括：清理粉塵殘余，以獲得清潔的工藝表面。

參考圖4中步驟s200，并結合參考圖8，形成位于所述第一導電層110表面的變色功能層120。

所述變色功能層120用于在電壓控制下變化顏色。所述變色功能層120包括一個或多個功能層，形成所述變色功能層120的步驟包括：形成一個或多個功能層，所述功能層包括電致變色層、離子存儲層以及位于電致變色層和離子存儲層之間的離子傳導層。

其中，所述電致變色層用于在外加電場作用下發(fā)生氧化還原反應，顏色發(fā)生變化，可以為陰極電致變色金屬氧化物，即離子注入后顏色發(fā)生變化的金屬氧化物，如欠氧氧化鎢(wox，2.7<x<3)、氧化鈦(tio2)、氧化釩(v2o5)、氧化鈮(nb2o5)、氧化鉬(moo3)、氧化鉭(ta2o5)等材料中的一種或多種；也可以是鋰、鈉、鉀、釩或鈦摻雜的陰極電致變色金屬氧化物。具體的，所述電致變色層的厚度范圍為10納米～1000納米。可選的，所述電致變色層的厚度范圍為300納米～600納米。

所述離子傳導層用于傳輸離子，可以為li2o、li2o2、li3n、lii、lif、sio2、al2o3、nb2o3、litao3、linbo3、la2tio7、li2wo4、富氧氧化鎢(wox， 3<x<3.5)、hwo3、zro2、hfo2、latio3、srtio3、batio3、lipo3等材料中的一種或多種。具體的，所述離子傳導層的厚度范圍為10納米～300納米。可選的，所述離子傳導層的厚度范圍為20納米～150納米。

所述離子存儲層用于存儲電性相應的離子，保持整個體系的離子平衡，可以為陽極電致變色金屬氧化物，即離子析出后顏色發(fā)生變化的金屬氧化物，如氧化釩(v2o5)、氧化鉻(cr2o3)、氧化錳(mn2o3)、氧化鐵(fe2o3)、氧化鈷(co2o3)、氧化鎳(ni2o3)、氧化銥(iro2)、氧化鎳鎢、氧化鎳釩、氧化鎳鈦、氧化鎳鈮、氧化鎳鉬、氧化鎳鉭等材料中的一種或多種；也可以是混合金屬氧化物lixniymzoa，其中0<x<10，0<y<1，0<z<10，(0.5x+1+0.5y+z)<a<(0.5x+1+0.5y+3.5z)，其中m可以是al、cr、zr、w、v、nb、hf、y、mn等金屬元素。具體的，所述離子存儲層厚度范圍為10納米～1000納米?？蛇x的，所述離子存儲層厚度范圍為100納米～300納米。

此外，本發(fā)明實施例的形成所述功能層的步驟包括：沿遠離基底100的方向，依次形成電致變色層、離子傳導層以及離子存儲層；或者沿遠離基底100的方向，依次形成離子存儲層、離子傳導層以及電致變色層。具體的，可以通過化學氣相沉積、物理氣相沉積以及原子層沉積等膜層沉積工藝形成所述功能層。

需要說明的是，所述變色功能層120還填充于所述第一溝槽111內。

參考圖4中步驟s300，并結合參考圖9，形成位于所述變色功能層120表面的第二導電層130。

所述第二導電層130用于加載電壓以形成電場。所述第二導電層130的材料也包括透明導電氧化物(transparentconductiveoxide,tco)。具體的，所述第二導電層130可以為氧化銦錫(ito)、氧化鋅錫(izo)、氧化鋅鋁(azo)、氟摻氧化錫(fto)、鎵摻雜氧化錫(gto)等材料中的一種或多種；也可以是導電的透明氮化物包括氮化鈦、氮氧化鈦、氮化鉭以及氧氮化鉭等材料中的一種或多種；也可以是透明導電的石墨烯材料；還可以是其他透明的金屬或合金材料。所述第二導電層130的厚度范圍為10納米～1000納米?？蛇x的，在一些實施例中，所述第二導電層130的厚度范圍為300納米～600納米。具 體的，可以通過化學氣相沉積、物理氣相沉積以及原子層沉積等膜層沉積工藝形成所述第二導電層130。

之后，形成位于第二導電層表面的第一電極，所述第一電極與所述第二導電層電隔離且依次貫穿所述第二導電層和變色功能層與所述第一導電層電連接；形成位于第二導電層表面的第二電極，所述第二電極與所述第二導電層電連接。下面結合參考圖10至圖15加以詳細說明。

參考圖10，給出所述電致變色結構中間結構的俯視示意圖，圖11是圖10中沿bb線的剖視結構示意圖。所述第二導電層130包括相互電隔離的第二隔離區(qū)130i和第二傳導區(qū)130t，所述第二隔離區(qū)130i的數(shù)量為多個，所述第二傳導區(qū)130t的數(shù)量為多個。

為簡化器件結構，降低工藝難度，本發(fā)明一些實施例中，所述第二隔離區(qū)130i和所述第二傳導區(qū)130t之間通過第二溝槽132進行隔離。具體地，參考圖4中步驟s310，可以在形成所述第二導電層130之后，形成貫穿所述第二導電層130的第二溝槽132，所述第二溝槽132可以為沿“幾”字形延伸，這樣形成的多個第二隔離區(qū)130i之間連通形成梳狀，多個第二傳導區(qū)130t之間連通形成梳狀，所述多個第二傳導區(qū)130t形成的梳狀與多個第二隔離區(qū)130i形成的梳狀的梳齒相互補償，所述第二隔離區(qū)130i寬度(梳子的梳齒寬度)范圍為5微米～50微米，相鄰梳齒之間為第二傳導區(qū)130t，第二傳導區(qū)130t的寬度范圍為5厘米～50厘米范圍內。

需要說明的是，以避免出現(xiàn)漏電、短路等電路問題，所述第二隔離區(qū)130i和所述第一隔離區(qū)110i在所述基底100表面的投影相互錯開，也就是說，所述第二隔離區(qū)130i和所述第一隔離區(qū)110i在所述基底100表面的投影不重疊。

所述第二溝槽132的寬度范圍為1微米～50微米。可選的，所述第二溝槽132的寬度范圍為2微米～10微米以提高所述第二隔離區(qū)130i和第二傳導區(qū)130t之間的絕緣性。

所述第二溝槽132可以通過激光劃線的方式在所述第二導電層130內形成。具體的，可以通過可將光激光劃線工藝或紅外光激光劃線工藝形成所述第二溝槽132。此外，激光劃線工藝過程中可以采用恒定功率輸出也可以采用 脈沖功率輸出?？蛇x的，在一些實施例中，通過脈沖激光劃線方式形成所述第二溝槽132，所述脈沖頻率范圍為5khz～500khz，激光功率范圍為0.1瓦～10瓦。一些實施例中，激光功率范圍為0.5瓦～5瓦。需要說明的是，通過激光劃線的方式形成所述第二溝槽132的做法僅為一示例，本發(fā)明對形成所述第二溝槽132的具體方法不做限定。

需要說明的是，參考圖4中步驟s311，在形成所述第二溝槽132的步驟之后，所述形成方法還可以包括清理粉塵殘余，提高所述電致變色結構的制造良品率。

圖12至圖15示出形成位于第二導電層130表面的第一電極141和第二電極142的中間結構的示意圖，其中圖12和圖14是俯視示意圖，圖13是圖12中沿cc線的剖視結構示意圖，圖15是圖14中沿dd線的剖視圖。

參考圖4中步驟s410，并結合參考圖12和圖13，首先形成依次貫穿所述第二導電層130和所述變色功能層120的第三溝槽133。

所述第三溝槽133的寬度范圍為1微米～50微米。為了降低工藝難度，提高制造良品率，可選的，所述第三溝槽133的寬度范圍為2微米～10微米范圍內。

所述第三溝槽133可以通過激光劃線的方式形成。具體的，可以通過可見光激光劃線工藝或紅外光激光劃線工藝形成所述第三溝槽133。此外，激光劃線工藝過程中可以采用恒定功率輸出也可以采用脈沖功率輸出。可選的，在一些實施例中，通過脈沖激光劃線方式形成所述第三溝槽133，所述脈沖頻率范圍為5khz～500khz，激光功率范圍為0.1瓦～10瓦。一些實施例中，激光功率范圍為0.5瓦～5瓦。需要說明的是，通過激光劃線的方式形成所述第三溝槽133的做法僅為一示例，本發(fā)明對形成所述第三溝槽133的具體方法不做限定。

需要說明的是，參考圖4中步驟s411，在形成所述第三溝槽133的步驟之后，所述形成方法還可以包括清理粉塵殘余，以提高所述電致變色結構的制造良品率。

參考圖4中步驟s420，參考圖14和圖15，在形成第三溝槽133之后， 向所述第三溝槽133內填充導電材料，形成所述第一電極141；在所述第二導電層130表面形成第二電極142，所述第二電極142與第二隔離區(qū)130i內的所述第二導電層130電連接。所述第二電極142可以與第一電極141在同一步驟中形成。

所述第一電極141和所述第二電極142用于分別向所述第一導電層110和第二導電層130加載電壓信號，從而使第一導電層110和第二導電層130之間形成電場，以實現(xiàn)對變色功能層120顏色的控制。

所述第二隔離區(qū)130i和所述第二傳導區(qū)130t之間的電隔離實現(xiàn)了所述第一電極141和第二電極142之間的電隔離，使第一電極141和第二電極142均能位于所述第二導電層130的表面，使所述第一電極141和所述第二電極142能夠均勻分布在所述電致變色結構表面，從而能夠提高第一導電層110和第二導電層130之間電場的均勻程度，提高所述變色功能層120的變色均勻度，改善電致變色結構變色速度慢的問題，進而有利于擴大電致變色玻璃的面積，使大面積電致變色玻璃的變色更快、更均勻。

同時，所述第一隔離區(qū)110i和所述第一傳導區(qū)110t之間的電隔離，能夠提高所述第一電極141與第一隔離區(qū)110i的所述第一導電層110之間的電隔離，降低漏電、短路等電路問題出現(xiàn)的可能，提高制造所述電致變色結構的良品率，改善所述電致變色結構的性能，延長所述電致變色結構的使用壽命。

此外，所述第二電極142和所述第一隔離區(qū)110i位置相互對應，而第一隔離區(qū)110i與第一傳導區(qū)110t隔離，這里可以進一步提高電隔離，降低擊穿風險。

所述第一電極141和第二電極142的材料可以為金屬。所述第一電極141或所述第二電極142可以通過絲網印刷、真空熱蒸鍍鍍膜、真空磁控濺射鍍膜、真空離子源鍍膜、噴墨打印等方式形成。

為了簡化器件結構，提高制造良品率，本發(fā)明一些實施例中，所形成的第一電極141可以與所述第二溝槽132相互平行，所述第二電極142可以與所述第一溝槽111相互平行。此外，所述第一電極141和所述第二電極142之間也可以相互平行。

所述第一電極141的數(shù)量大于1個時，所述第一電極141之間可以相互平行；在所述第二電極142的數(shù)量大于1時，所述第二電極142之間也可以相互平行。

此外，為了提高第一電極141和第二電極142之間電場的均勻性，所述第二電極142和第一電極141之間交叉排列，即當所述電致變色結構包括多個第一電極141或多個第二電極142時，所述第一電極141均勻分布于相鄰第二電極142之間，或者所述第二電極142均勻分布于相鄰第一電極141之間。

如圖15所示的實例中，所述第一電極141的數(shù)量為2個，所述第二電極142的數(shù)量為3個。相鄰第二電極142之間設置一個第一電極141，且所述第一電極141到相鄰第二電極142的距離相等；相鄰第一電極141之間設置一個第二電極142，且所述第二電極142到相鄰第一電極141的距離相等。

在其他實施中，電極的數(shù)量可以根據實際電致變色結構的面積大小進行安排。在一些實施例中，可以在一定范圍內設置一對第一電極和第二電極。即在上述實施例中，所述第一導電層和第二導電層可以被分成了對應的多個隔離區(qū)和多個傳導區(qū)，實際上，若面積不大，他們可以分別僅設置為一個，即只有1對的第一電極和第二電極，但是第一電極和第二電極均位于電致變色層的一側。在一些實施例中，所述第一導電層甚至可以不被隔離，僅第二導電層被分割成多個隔離區(qū)和多個傳導區(qū)，可以解決大面積下電致變色均勻的問題。

需要說明的是，在本發(fā)明的一些實施例中，所述第一導電層110、電致變色層120、第二導電層130以及第一電極141和第二電極142都位于所述基底100的一側，但是這種做法僅為一示例，本發(fā)明對此不做限定。在本發(fā)明其他實施例中，所述電致變色結構還可以包括分別位于基底100兩側的所述第一導電層110、電致變色層120、第二導電層130以及第一電極141和第二電極142。

相應的，本發(fā)明還提供一種電致變色結構，參考圖14和圖15，示出了本發(fā)明電致變色結構一實施例的結構示意圖，其中圖14是所述電致變色結構的 俯視圖，圖15是圖14中沿dd線的剖視圖。

所述電致變色結構包括：基底100，所述基底100表面形成有第一導電層110。變色功能層120，位于所述第一導電層110表面；第二導電層130，位于所述變色功能層表面；第一電極141，與第二導電層130同屬所述變色功能層一側，所述第一電極141與所述第二導電層130電隔離、且依次貫穿所述第二導電層130和變色功能層120與所述第一導電層110電連接；位于第二導電層130表面的第二電極142，所述第二電極142與所述第二導電層130電連接。

綜上，本發(fā)明實施例通過使第一電極和第二電極均位于第二導電層表面，能夠使得對于所述電致變色結構施加電壓更為方便。而且，本發(fā)明實施例的第一電極和第二電極均為多個，從而能夠通過調節(jié)電極分布來提高第一導電層和第二導電層之間電場的均勻程度，從而能夠提高所述變色功能層的變色均勻度，改善電致變色結構變色速度慢的問題，進而有利于擴大電致變色玻璃的面積，使大面積電致變色玻璃的變色更快、更均勻。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。