本發(fā)明涉及光器件，更詳細(xì)而言，涉及能夠應(yīng)用于光通信傳輸技術(shù)的高速化、高頻化、高集成化、多值調(diào)制化的光器件。

本申請(qǐng)主張基于2014年09月30日申請(qǐng)的日本2014-202162號(hào)的優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援用于此。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，在光通信傳輸技術(shù)中，高速化、高頻化、高集成化、多值調(diào)制化等的要求進(jìn)一步提高，對(duì)于該光通信傳輸技術(shù)中使用的光器件，也要求應(yīng)用于高速化、高頻化、高集成化、多值調(diào)制化等。

以往，對(duì)于光器件而言，為了應(yīng)對(duì)與高頻化、高集成化相伴的小型化，提出了在具有電光效應(yīng)的鈮酸鋰(LiNbO₃)等的上表面與信號(hào)電極相鄰地形成有上部接地電極的共面型結(jié)構(gòu)的光器件(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。以下，有時(shí)也將共面型結(jié)構(gòu)稱(chēng)為CPW結(jié)構(gòu)。

為了與CPW結(jié)構(gòu)相比提高調(diào)制效率，提出了如下的微帶結(jié)構(gòu)的光器件：將使用了LiNbO₃、樹(shù)脂等的電光基板薄板化，分別在該基板的上表面形成信號(hào)電極且在下表面形成接地電極，由此利用信號(hào)電極和接地電極從上下方向夾持電光基板(參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2等)。以下，有時(shí)也將微帶結(jié)構(gòu)稱(chēng)為MSL結(jié)構(gòu)。

為了在該CPW結(jié)構(gòu)的情況下使特性穩(wěn)定，還提出了如下的光器件：在電光基板的上表面與信號(hào)電極相鄰地形成上部接地電極從而形成CPW結(jié)構(gòu)，并且在該電光基板的下表面形成下部接地電極(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。這樣的光器件中，還提出了可實(shí)現(xiàn)微波與光波的速度匹配、微波的阻抗匹配并且能夠高速動(dòng)作的光器件。

此外，還提出了如下結(jié)構(gòu)的光器件：電極層不架設(shè)于將晶片切割為各個(gè)芯片(光器件)時(shí)的切割位置，所述晶片形成有多個(gè)利用一對(duì)電極層從上下方向夾持光波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)的光器件(專(zhuān)利文獻(xiàn)4)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2006-285288號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2009-145475號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2008-250080號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2009-98197號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

在將光器件高頻化、集成化的情況下，使光器件的接地電極與固定該光器件的殼體或中繼基板、終端電阻等外部電路的接地電極之間的電位保持于同一電位很重要。

不過(guò)，對(duì)于上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2的MSL結(jié)構(gòu)的光器件而言，需要使嵌入于基板的接地電極與殼體等外部的接地電極保持于同一電位。因此，考慮利用過(guò)孔將嵌入的接地電極與外部的接地電極電連接，或者對(duì)基板的一部分進(jìn)行加工而使接地電極露出并通過(guò)引線接合法使該接地電極與外部的接地電極電連接。但是，存在如下問(wèn)題：要確保用于形成新的過(guò)孔的空間、或者需要新的用于使接地電極露出的加工。

另外，通過(guò)集成化等使得芯片尺寸增大時(shí)，芯片的中央附近的接地變?nèi)?，因此，?duì)電信號(hào)的透過(guò)特性、反射特性產(chǎn)生影響。此外，還會(huì)產(chǎn)生電極間的串?dāng)_等而導(dǎo)致特性劣化。因此，在對(duì)接地電極的連接進(jìn)行研究的情況下，空出過(guò)孔的位置因其它電極、波導(dǎo)而空間受限，因此，無(wú)法設(shè)置于所需部位。

還考慮了將背面電極與殼體等外部接地直接連接。但是，為了提高對(duì)光波導(dǎo)的調(diào)制效率而使基板變薄，因此，需要在基板下設(shè)置加強(qiáng)基板，難以將殼體與接地電極直接連接。

另外，對(duì)于上述專(zhuān)利文獻(xiàn)3的CPW結(jié)構(gòu)的光器件而言，在基板的上表面與信號(hào)電極相鄰地設(shè)置有接地電極。因此，與殼體等外部之間的電連接容易。但是，需要在基板的上表面包含信號(hào)電極和接地電極而進(jìn)行設(shè)計(jì)，存在設(shè)計(jì)、制造條件難的問(wèn)題。

此外，對(duì)于上述的專(zhuān)利文獻(xiàn)4的在切割位置不架設(shè)電極層的結(jié)構(gòu)的光器件而言，通過(guò)對(duì)下部電極的切割位置進(jìn)行開(kāi)口，切割變得容易。但是，基板本身薄，因此存在如下問(wèn)題：切割、芯片操作處理時(shí)引起的傾倒成為起點(diǎn)，而在基板產(chǎn)生破裂，或者在基板上形成的膜容易發(fā)生剝離等。

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的提供一種光器件，該光器件能夠應(yīng)用于光通信傳輸技術(shù)的高速化、高頻化、高集成化、多值調(diào)制化，并且不會(huì)產(chǎn)生基板的破裂、膜的剝離。

用于解決問(wèn)題的手段

本發(fā)明人為了解決上述問(wèn)題反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：如果在光器件的基板上的外周部的至少一部分、并且從信號(hào)電極分離的位置設(shè)置防剝離膜，其中，所述光器件是在具有電光效應(yīng)的基板內(nèi)具備光波導(dǎo)，在所述基板上且所述光波導(dǎo)的上方具備對(duì)在所述光波導(dǎo)中傳輸?shù)墓獠ㄊ┘与妶?chǎng)的信號(hào)電極，在所述基板上且從所述信號(hào)電極分離的位置具備接地電極而成的光器件，則能夠應(yīng)用于光通信傳輸技術(shù)的高速化、高頻化、高集成化、多值調(diào)制化，而且不會(huì)產(chǎn)生基板的破裂、膜的剝離，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明的光器件在具有電光效應(yīng)的基板內(nèi)具備光波導(dǎo)，在所述基板上且所述光波導(dǎo)的上方具備對(duì)在所述光波導(dǎo)中傳輸?shù)墓獠ㄊ┘与妶?chǎng)的信號(hào)電極，在所述基板上且從所述信號(hào)電極分離的位置具備接地電極，其特征在于，在所述基板上的外周部的至少一部分且從所述信號(hào)電極分離的位置設(shè)置有防剝離膜。

從所述信號(hào)電極到所述防剝離膜的距離優(yōu)選為80μm以上。

所述防剝離膜優(yōu)選從所述基板的表面的外周緣部分離設(shè)置。

所述防剝離膜優(yōu)選與所述信號(hào)電極近似平行地設(shè)置。

所述防剝離膜優(yōu)選由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，且兼作所述接地電極。

優(yōu)選在所述基板的下側(cè)具備第二接地電極，所述防剝離膜與所述第二接地電極電連接。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的光器件，在光器件中的基板上的外周部的至少一部分且從信號(hào)電極分離的位置設(shè)置有防剝離膜，所述光器件在具有電光效應(yīng)的基板內(nèi)具備光波導(dǎo)，并在該基板上且光波導(dǎo)的上方具備信號(hào)電極，在該基板上且從信號(hào)電極分離的位置具備接地電極，因此，該防剝離膜能夠防止基板的破裂、膜的剝離。因此，能夠容易地應(yīng)用于光通信傳輸技術(shù)的高速化、高頻化、高集成化、多值調(diào)制化。

附圖說(shuō)明

圖1是示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光器件的俯視圖。

圖2是沿著圖1的A-A線的剖面圖。

圖3示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光器件的俯視圖。

圖4是示出本發(fā)明的第三實(shí)施方式的光器件的俯視圖。

圖5是示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光器件的上部電極間間隙與nm變化率的關(guān)系的圖。

具體實(shí)施方式

對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的光器件的方式進(jìn)行說(shuō)明。

在本發(fā)明中，取導(dǎo)入了CPW-MSL結(jié)構(gòu)的光器件為例進(jìn)行說(shuō)明。

需要說(shuō)明的是，下述實(shí)施方式是為了更好地理解發(fā)明的主旨而具體地進(jìn)行說(shuō)明的方式，只要沒(méi)有特別指定，就并非限定本發(fā)明。

【第一實(shí)施方式】

圖1是示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光器件的俯視圖，圖2是沿著圖1的A-A線的剖面圖。

圖中，標(biāo)號(hào)1是本實(shí)施方式的光器件，在硅基板等基板2的上表面整個(gè)面上設(shè)置有背面接地電極(第二接地電極)3。另外，在該背面接地電極3上設(shè)置有具有電光效應(yīng)的基板4。以下，將具有電光效應(yīng)的基板4也稱(chēng)為EO基板4。另外，在該EO基板4內(nèi)與該EO基板4的上表面平行地形成有光波導(dǎo)5。

由此，EO基板4中的光波導(dǎo)5的上側(cè)的部分具有作為上部包覆層的功能，光波導(dǎo)5的下側(cè)的部分具有作為下部包覆層的功能。由此，具有作為由下部包覆層、光波導(dǎo)5和上部包覆層構(gòu)成的光波導(dǎo)元件的功能。

并且，在該EO基板4上且光波導(dǎo)5的上方設(shè)置有對(duì)在該光波導(dǎo)5中傳輸?shù)墓獠ㄊ┘与妶?chǎng)的信號(hào)電極6。在該EO基板4上且從信號(hào)電極6分離的位置與信號(hào)電極6大致平行地設(shè)置有由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的防剝離膜7。

該防剝離膜7設(shè)置于從EO基板4的表面的外周緣部略微分離的位置且對(duì)阻抗、微波有效折射率等信號(hào)電極6的特性沒(méi)有影響的位置(EO基板4的端部)，并由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，通過(guò)這兩點(diǎn)，而成為兼具上表面接地電極(接地電極)的防剝離膜。

作為該導(dǎo)電性材料，優(yōu)選使用金及其合金、銀及其合金、鉑及其合金、銅、鋁等導(dǎo)電性金屬。

并且，該防剝離膜7即上表面接地電極通過(guò)在厚度方向貫通EO基板4的由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的過(guò)孔8而與背面接地電極3電連接。

防剝離膜設(shè)置于EO基板4的表面的從外周部略微分離的位置以避免在切割時(shí)被卷入。作為分離的距離，考慮到切割時(shí)的誤差等，優(yōu)選為200μm以上，另外，為了抑制切割、芯片操作處理時(shí)引起的傾倒成為起點(diǎn)等的剝離的剝離抑制效果，優(yōu)選為500μm以下。

另一方面，防剝離膜設(shè)置于對(duì)信號(hào)電極6的阻抗、微波有效折射率等特性沒(méi)有影響的位置。

通過(guò)設(shè)置于切割部位的大致整個(gè)區(qū)域，能夠抑制傾倒成為起點(diǎn)。因此，優(yōu)選在對(duì)切割等制造上、電特性等沒(méi)有影響的部分設(shè)置防剝離膜。

防剝離膜與下部接地電極通過(guò)過(guò)孔連接，由此，電效應(yīng)和通過(guò)機(jī)械強(qiáng)度增加，由此防剝離效果提高。

僅出于防剝離的目的，也可以不通過(guò)過(guò)孔與下部電極連接。

該EO基板4的厚度優(yōu)選為100μm以下，更優(yōu)選為30μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10μm以下。

在此，將EO基板4的厚度設(shè)定為100μm以下的原因是因?yàn)椋鬍O基板4的厚度超過(guò)100μm，則針對(duì)位于該EO基板4的內(nèi)部的光波導(dǎo)5的調(diào)制效率降低，難以應(yīng)對(duì)高頻化、高集成化，因此不優(yōu)選。

作為構(gòu)成該EO基板4的具有電光效應(yīng)的材料，優(yōu)選使用鈮酸鋰(LiNbO₃)、鈦酸鋰(LiTiO₃)、PLZT(PbZrO₃·PbTiO₃：La)等無(wú)機(jī)系強(qiáng)電介質(zhì)材料、或者分散有顯示出電光效應(yīng)的有機(jī)分子(有機(jī)EO分子)的聚合物材料(電光聚合物)。

作為上述電光聚合物，使用對(duì)至少一種以上的有機(jī)聚合物或無(wú)機(jī)聚合物、或者將有機(jī)聚合物和無(wú)機(jī)聚合物復(fù)合而成的有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合材料等各種聚合物分散或?qū)胫辽僖环N以上的有機(jī)EO色素的材料。通過(guò)將該電光聚合物用于波導(dǎo)形成層的至少一部分，形成表現(xiàn)出電光效應(yīng)的波導(dǎo)層。

作為上述聚合物材料，只要是對(duì)在光波導(dǎo)中傳輸?shù)墓饩哂懈咄高^(guò)率的材料即可，沒(méi)有特別限定?？梢粤信e例如聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂、有機(jī)硅類(lèi)樹(shù)脂、聚苯乙烯類(lèi)樹(shù)脂、聚酰胺類(lèi)樹(shù)脂、聚酯類(lèi)樹(shù)脂、酚醛類(lèi)樹(shù)脂、聚喹啉類(lèi)樹(shù)脂、聚喹喔啉類(lèi)樹(shù)脂、聚苯并噁唑類(lèi)樹(shù)脂、聚苯并咪唑類(lèi)樹(shù)脂等。

另外，作為上述有機(jī)EO分子，只要是公知的有機(jī)EO分子就沒(méi)有特別限定。作為有機(jī)EO分子，優(yōu)選具有如下結(jié)構(gòu)的分子：在一個(gè)分子中具備具有供電子性的原子團(tuán)(以下稱(chēng)為“供體”)和具有吸電子性的原子團(tuán)(以下稱(chēng)為“受體”)兩者，并且在供體與受體之間配置有π電子共軛系的原子團(tuán)。

“供體”可以?xún)H為供電子性的取代基(供電子性取代基)，也可以是供電子性取代基與脂肪族不飽和鍵、芳香環(huán)、雜芳環(huán)等π電子系鍵合而成的原子團(tuán)。

作為供電子性取代基，只要是具有供電子性的基團(tuán)就沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為烷基、烷氧基、氨基等。

“受體”可以?xún)H為吸電子性的取代基(吸電子性取代基)，也可以為供電子性取代基與脂肪族不飽和鍵、芳香環(huán)、雜芳環(huán)等π電子系鍵合而成的原子團(tuán)。

作為吸電子性取代基，優(yōu)選鹵素原子、鹵取代后烷基、氰基、硝基、羰基等。

作為“π電子共軛系的原子團(tuán)”，優(yōu)選脂肪族不飽和鍵、芳香環(huán)、雜芳環(huán)等。

具體而言，可以列舉例如Disperse Red(分散紅)類(lèi)、Disperse Orenge(分散橙)類(lèi)、二苯乙烯化合物等。

作為“Disperse Red類(lèi)”，可以例示出Disperse Red1、Disperse Red11、Disperse Red13、Disperse Red17、Disperse Red19等市售的物質(zhì)。

作為“Disperse Orenge類(lèi)”，可以例示出Disperse Orange1、Disperse Orange3、Disperse Orange11、Disperse Orange25、Disperse Orange37等市售的物質(zhì)。

“二苯乙烯”是示意式表示為C₆H₅CH＝CHC₆H₅的有機(jī)化合物。表示“C₆H₅”苯基。另外，在此，二苯乙烯主要是指熱穩(wěn)定的反式體。

“二苯乙烯化合物”是在二苯乙烯骨架所具有的兩個(gè)芳香環(huán)的一個(gè)芳香環(huán)上結(jié)合上述供體在另一個(gè)芳香環(huán)上結(jié)合上述受體的化合物。作為“二苯乙烯骨架”，可以是二苯乙烯所具有的兩個(gè)苯基中的一個(gè)被取代為其它芳香環(huán)、硫醇或呋喃等雜芳環(huán)。

作為二苯乙烯系化合物，可以例示出下述式(1-1)～(1-7)的化合物。

【化1】

如上所說(shuō)明，根據(jù)本實(shí)施方式的光器件1，形成如下的光器件：在該EO基板4上且光波導(dǎo)5的上方設(shè)置信號(hào)電極6，在該EO基板4上且從信號(hào)電極6分離的位置與信號(hào)電極6大致平行地設(shè)置防剝離膜7，由導(dǎo)電性材料構(gòu)成這些防剝離膜7，由此兼具上表面接地電極；因此，利用這些防剝離膜7能夠防止基板的破裂、膜的剝離。而且，能夠形成利用一個(gè)防剝離膜7兼具上表面接地電極的光器件。因此，能夠容易地應(yīng)用于光通信傳輸技術(shù)的高速化、高頻化、高集成化、多值調(diào)制化。

需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式中，設(shè)定為在EO基板4上設(shè)置有直線狀的光波導(dǎo)5的構(gòu)成，但光波導(dǎo)5的形狀可以對(duì)應(yīng)于光器件1所要求的光動(dòng)作和功能而適當(dāng)變更。例如，可以為具有Y分支的光波導(dǎo)，也可以為定向耦合器型的分支形狀，也可以為使直線狀的光波導(dǎo)與分支組合而成的馬赫-曾德?tīng)?Mach-Zehnder)干涉計(jì)型的形狀，還可以為使這些形狀組合而成的形狀。

另外，信號(hào)電極6和兼具上表面接地電極的防剝離膜7的形狀可以根據(jù)所要求的光波導(dǎo)的形狀進(jìn)行各種各樣的變更。

【第二實(shí)施方式】

圖3是示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光器件11的俯視圖。光器件11是在殼體12的底部通過(guò)粘接劑等固定第一實(shí)施方式的光器件1。在沿著該光器件1的長(zhǎng)度方向的一個(gè)端部設(shè)置有具有連接光器件1和殼體12的連接器等的中繼基板13。該光器件1的信號(hào)電極6通過(guò)金屬線14接合于中繼基板13。另一方面，防剝離膜7通過(guò)金屬線14接合于中繼基板13、殼體12的底部中的任一者。

對(duì)于本實(shí)施方式的光器件11而言，也能夠發(fā)揮與上述光器件1同樣的作用效果。

此外，通過(guò)金屬線14將光器件1的信號(hào)電極6接合于中繼基板13，通過(guò)金屬線14將防剝離膜7接合于中繼基板13、殼體12的底部的任一者，因此，能夠確定光器件1的接地電位。

需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式的光器件11中，在接合中使用了金屬線14，但除金屬線14以外也可以使用金屬帶、導(dǎo)電性粘接劑等。

【第三實(shí)施方式】

圖4是示出本發(fā)明的第三實(shí)施方式的光器件21的俯視圖。光器件21經(jīng)由背面接地電極(第二接地電極)在硅基板等基板的上表面整個(gè)面上設(shè)置有EO基板4。在該EO基板4內(nèi)與該EO基板4的上表面平行地設(shè)置有馬赫-曾德?tīng)栃凸獠▽?dǎo)22。在該馬赫-曾德?tīng)栃凸獠▽?dǎo)22的一個(gè)分支光波導(dǎo)22a的上方設(shè)置有對(duì)在該分支光波導(dǎo)22a中傳輸?shù)墓獠ㄊ┘与妶?chǎng)的信號(hào)電極23。在該EO基板4上且從信號(hào)電極23分離的位置設(shè)置有由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的防剝離膜24。

另一方面，在馬赫-曾德?tīng)栃凸獠▽?dǎo)22的另一個(gè)分支光波導(dǎo)22b的上方也設(shè)置有對(duì)在該分支光波導(dǎo)22b中傳輸?shù)墓獠ㄊ┘与妶?chǎng)的信號(hào)電極23。在該EO基板4上且從信號(hào)電極23分離的位置設(shè)置有形狀不同的由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的防剝離膜24、25、26。這些防剝離膜24、25、26、…設(shè)置于從EO基板4的表面的外周緣部略微分離的位置，即對(duì)阻抗或微波有效折射率等信號(hào)電極23的特性沒(méi)有影響的位置(EO基板4的端部)，并由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，通過(guò)這兩點(diǎn)，這些防剝離膜24、25、26、…兼具上表面接地電極(接地電極)。

并且，在EO基板4上且馬赫-曾德?tīng)栃凸獠▽?dǎo)22的分支光波導(dǎo)22a、22b之間的上方設(shè)置有T字型的上表面接地電極(接地電極)27。該上表面接地電極27通過(guò)金屬線14接合于防剝離膜25，通過(guò)金屬線14接合于防剝離膜26。

對(duì)于本實(shí)施方式的光器件21而言，也能夠發(fā)揮與上述光器件1、11同樣的作用效果。

此外，在利用信號(hào)S1對(duì)分支光波導(dǎo)22a進(jìn)行調(diào)制，利用與信號(hào)S1不同的信號(hào)S2對(duì)分支光波導(dǎo)22b進(jìn)行調(diào)制的情況下，在分支光波導(dǎo)22a與分支光波導(dǎo)22b之間也設(shè)置上表面接地電極27，由此能夠抑制串?dāng)_。

另外，在發(fā)生使上表面接地電極27與背面接地電極電連接的情況時(shí)，將該上表面接地電極27通過(guò)金屬線14分別接合于防剝離膜25、26，由此能夠緩和形成過(guò)孔的位置時(shí)的限制。

需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式的光器件21中，對(duì)應(yīng)于分支光波導(dǎo)22a、22b的形狀而將上表面接地電極27的形狀設(shè)定為T(mén)字型，但并非限定于T字型。可以對(duì)應(yīng)于馬赫-曾德?tīng)栃凸獠▽?dǎo)22的形狀和位置、分支光波導(dǎo)22a、22b的形狀和位置、馬赫-曾德?tīng)栃凸獠▽?dǎo)22與上表面接地電極27的位置關(guān)系、上表面接地電極27與防剝離膜24、25、26、…的位置關(guān)系等進(jìn)行各種變形。

實(shí)施例

下面，通過(guò)實(shí)施例和比較例對(duì)本發(fā)明具體地進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并非受這些實(shí)施例限定。

【實(shí)施例1】

對(duì)于上述光器件1，為了驗(yàn)證信號(hào)電極與防剝離膜的間隔的影響，計(jì)算微波有效折射率nm。作為基板2的具有電光效應(yīng)的材料，使用作為EO聚合物的、分散有Disperse Red1的聚甲基丙烯酸甲酯和鈮酸鋰(LiNbO₃)。以下，將EO聚合物簡(jiǎn)稱(chēng)為聚合物。另外，將鈮酸鋰簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)N。在將這樣的聚合物和LN各自的膜厚設(shè)定為5μm、25μm這兩種的共計(jì)四種的條件下，在使信號(hào)電極6與兼具上表面接地電極的防剝離膜7的間隔、即上部電極間間隙從10μm到100μm以10μm間隔變化的十種、共計(jì)四十種的條件下進(jìn)行計(jì)算。

圖5是示出四種測(cè)定用光器件各自的上部電極間間隙與nm變化率的關(guān)系的圖。

由圖5可知，隨著上部電極間間隙變窄，nm發(fā)生變化。即，防剝離膜對(duì)上部信號(hào)電極帶來(lái)影響，因此，導(dǎo)致對(duì)調(diào)制效率、阻抗等電特性有影響。因此，由該圖可知：通過(guò)間隔設(shè)定為80μm以上，使得微波有效折射率nm對(duì)EO基板的介電常數(shù)沒(méi)有影響。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明并非限定于上述的實(shí)施方式。

例如，在圖2的構(gòu)成中也可以設(shè)定為在信號(hào)電極和防剝離膜上設(shè)置有保護(hù)信號(hào)電極、防剝離膜的膜的結(jié)構(gòu)。由此能夠進(jìn)一步提高防剝離的效果。

作為膜的材料，沒(méi)有特別限定，例如可以使用聚二甲基硅氧烷等有機(jī)硅樹(shù)脂、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂等通用的樹(shù)脂。另外，考慮到因熱引起的膨脹，也可以利用與包覆層相同的材料形成膜。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明的光器件在具有電光效應(yīng)的基板內(nèi)具備光波導(dǎo)，在該基板上且光波導(dǎo)的上方具備對(duì)在光波導(dǎo)中傳輸?shù)墓獠ㄊ┘与妶?chǎng)的信號(hào)電極，在該基板上且從信號(hào)電極分離的位置具備接地電極，在這樣構(gòu)成的光器件中的基板上的外周部的至少一部分、且從信號(hào)電極分離的位置設(shè)置有防剝離膜，由此，該防剝離膜能夠防止基板的破裂、膜的剝離。因此，能夠容易地應(yīng)用于光通信傳輸技術(shù)的高速化、高頻化、高集成化、多值調(diào)制化。因此，對(duì)于光傳輸技術(shù)中使用的光波導(dǎo)元件、光分支元件等光波導(dǎo)型元件自不待言，對(duì)于要求高頻化、高集成化的光器件而言，也能夠提高設(shè)計(jì)的自由度，其工業(yè)價(jià)值大。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1 光器件

3 背面接地電極(第二接地電極)

4 具有電光效應(yīng)的基板

5 光波導(dǎo)

6 信號(hào)電極

7 防剝離膜

8 過(guò)孔

11 光器件

12 殼體

14 金屬線

21 光器件

22 馬赫-曾德?tīng)栃凸獠▽?dǎo)

22a、22b 分支光波導(dǎo)

23 信號(hào)電極

24、25、26 防剝離膜