電致變色裝置包括已知響應(yīng)于電位差的施加改變其比如為著色的光學(xué)性能由此使得裝置更加透明或更不透明或者更多反射或更少反射的電致變色材料。典型的電致變色(“EC”)裝置包括反電極層(“CE層”)、基本平行于反電極層沉積的電致變色材料層(“EC層”)以及分別使反電極層與電致變色層分離的離子傳導(dǎo)層(“IC層”)。另外，兩個透明傳導(dǎo)層(“TC層”)分別地基本平行于CE層和EC層并且與CE層和EC層接觸。EC層、IC層和CE層可被共同地稱為EC膜疊層、EC薄膜疊層等等。EC膜疊層和EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層可被共同地稱為“EC疊層”。

當(dāng)在電致變色裝置的分層結(jié)構(gòu)上施加在本文中也被稱為“電位差”的電勢差時，比如通過將相應(yīng)的TC層連接至低壓電源，可以包括存儲在CE層中的Li+離子的離子從CE層通過IC層流動至EC層。另外，電子從CE層圍繞包括低壓電源的外部電路流動至EC層，以便保持CE層和EC層中的電荷中性。離子和電子向EC層的傳遞使得EC層的光學(xué)特性以及可選地互補EC裝置中的CE層發(fā)生改變，由此改變電致變色裝置的著色，并且因此改變透明度。

可以包括一個或多個層、疊層、裝置等等的介質(zhì)的著色的變化可被描述為介質(zhì)的“透射”的變化。如本文中所使用的，透射指的是許可可以包括可見光的電磁(EM)輻射通過介質(zhì)，介質(zhì)的“透射水平”可以是指介質(zhì)的透射率。在介質(zhì)改變透射水平的情況下，介質(zhì)可以從清晰的透射狀態(tài)(“完全透射水平”)改變至減小比例的入射EM照射穿過介質(zhì)的透射水平。透射水平的這種改變可能引起介質(zhì)的著色改變、透明度改變等等。例如，從完全傳遞水平改變至較低透射水平的介質(zhì)可被觀察到著色變得更加不透明、更黑暗等等。

在一些例子中，EC裝置可以至少部分地基于在EC裝置上的電位差施加在單獨的透射水平之間切換，電位差在本文中也稱為電壓差?？梢园ㄏ駿C裝置的一個或多個分離的層施加一個或多個單獨的電壓的這種施加可以使得EC疊層的包括EC層、CE層等等的一個或多個層改變著色、透明度等等。在一些例子中，可能期望的是EC疊層的不同區(qū)域不同地改變透射水平，使得電位差在EC疊層上的施加使得EC疊層的分離的區(qū)域改變至兩個或更多個不同的透射水平中的分離的透射水平。

在一些例子中，EC疊層的一個或多個部分改變透射水平的速率與EC疊層的部分的溫度相關(guān)。為了確保EC疊層以可接受的速度切換，可以加熱EC疊層。然而，加熱EC疊層來確保EC疊層的這種性能可能需要相當(dāng)大量的電能。例如，在EC疊層通常需要切換透射時，可能需要EC疊層保持在某個溫度以上，這需要對EC疊層的連續(xù)加熱，并且EC疊層可以進一步需要連續(xù)消耗電能以能夠?qū)崿F(xiàn)這種連續(xù)加熱。在另一個例子中，在EC疊層需要馬上切換透射的情況下，EC疊層可能需要被快速加熱，這可能需要相當(dāng)大地消耗電能。此外，在一些情況下，需要對EC疊層的一個或多個部分均勻地加熱。

附圖說明

圖1示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層和位于EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層的EC裝置的透視圖，其中一個傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于該層上的電位差被加熱。

圖2示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層和位于EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層的EC裝置的透視圖，在此一個傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱傳導(dǎo)層的特定有限區(qū)域。

圖3示出根據(jù)一些實施例的EC膜疊層和傳導(dǎo)層的透視圖，傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于傳導(dǎo)層的電極構(gòu)造在特定有限區(qū)域中被選擇性加熱。

圖4示出EC膜疊層和傳導(dǎo)層的透視圖，傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于傳導(dǎo)層的不同區(qū)域的不同的薄層電阻在特定有限區(qū)域中被選擇性加熱。

圖5示出根據(jù)一些實施例的EC膜疊層和傳導(dǎo)層的透視圖，傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于傳導(dǎo)層的幾何結(jié)構(gòu)在特定有限區(qū)域中被選擇性加熱。

圖6示出根據(jù)一些實施例的卵狀EC裝置的透視圖，卵狀EC裝置被結(jié)構(gòu)化成在EC膜疊層的不同的區(qū)域中在分離的透射模式之間切換，并且被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱傳導(dǎo)層的對應(yīng)于EC膜疊層區(qū)域中的一個或多個的一個或多個區(qū)域。

圖7A-B示出根據(jù)一些實施例的卵狀EC裝置的分解透視圖，卵狀EC裝置被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于一個傳導(dǎo)層的薄層電阻模式在EC膜疊層的不同區(qū)域中在分離的透射模式之間切換，并且被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱另一個傳導(dǎo)層的對應(yīng)于EC膜疊層區(qū)域中的一個或多個的一個或多個區(qū)域。

圖8A-D示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層的位于兩個傳導(dǎo)層之間的電氣短路的EC裝置。

圖9A-C示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層、位于EC膜疊層的相對側(cè)上的相鄰傳導(dǎo)層和經(jīng)由絕緣層聯(lián)接至相鄰傳導(dǎo)層之一的分離的傳導(dǎo)層的EC裝置。

圖10示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層、位于EC膜疊層的相對側(cè)上的相鄰傳導(dǎo)層和聯(lián)接至熱源并且被結(jié)構(gòu)化成加熱EC膜疊層中的一些或全部的基板的EC裝置。

圖11A-C示出根據(jù)一些實施例的包括EC裝置和控制系統(tǒng)的終端用戶裝置，控制系統(tǒng)被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于與和終端用戶裝置的終端用戶交互相關(guān)的觸發(fā)事件控制EC裝置的加熱。

圖12示出根據(jù)一些實施例被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于對一個或多個觸發(fā)事件的判定控制EC裝置的選擇性加熱的控制系統(tǒng)。

圖13是示出可以用于一些實施例的示例計算機系統(tǒng)的框圖。

本文中描述的各個實施例易于具有各種修改和替代形式。具體實施例在附圖中通過舉例示出并且將在此詳細描述。然而，應(yīng)該理解的是，附圖及其詳細描述并非旨在將本公開限制于所公開的特定形式，而相反地，旨在覆蓋落入隨附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的所有修改方案、等同方案和替代方案。本文中所使用的標題僅用于組織目的，并且非旨在用于限制說明書或權(quán)利要求書的范圍。如在整個申請中所使用的，詞語“可以”被用于容許含義(即，意味著具有潛能)，而非強制含義(即意味著必須)。類似地，詞語“包括”、“包含”以及“含有”意味著包括在內(nèi)，而不限于此。

具體實施方式

公開了電致變色(EC)裝置和用于構(gòu)造電致變色裝置的方法的各個實施例。根據(jù)一些實施例的EC裝置可被構(gòu)造成選擇性地加熱包括在EC裝置中的傳導(dǎo)層的一個或多個特定區(qū)域。這種選擇性加熱可以通過構(gòu)造聯(lián)接至傳導(dǎo)層的電極、改變貫穿傳導(dǎo)層的薄層電阻、改變傳導(dǎo)層的幾何結(jié)構(gòu)等等來實現(xiàn)。傳導(dǎo)層可以通過與EC膜疊層相鄰的另一個傳導(dǎo)層和包括絕緣層的一個或個附加層與EC裝置的EC膜疊層分離。用于構(gòu)造EC裝置的方法可以包括用于將EC裝置構(gòu)造成相對于傳導(dǎo)層的一個或多個其余區(qū)域選擇性地加熱EC裝置中的傳導(dǎo)層的一個或多個特定區(qū)域的方法。根據(jù)一些實施例的EC裝置可以包括具有聯(lián)接的熱源的熱傳導(dǎo)層，熱傳導(dǎo)層構(gòu)造成聯(lián)接至EC疊層，使得熱傳導(dǎo)層能夠?qū)⒂蔁嵩串a(chǎn)生的熱分配至EC疊層。在一些實施例中，EC裝置包括在還包括控制系統(tǒng)的裝置中，控制系統(tǒng)至少部分地基于對與裝置有關(guān)的一個或多個觸發(fā)事件的判定選擇性地控制EC裝置的一個或多個部分的加熱。這種觸發(fā)事件可以包括與裝置有關(guān)的一個或多個特定終端用戶交互、用戶指令等等。

如本文中所使用的，“構(gòu)造”EC裝置、傳導(dǎo)層等等可以互換地稱為“結(jié)構(gòu)化”EC裝置、傳導(dǎo)層等等。“構(gòu)造成”做某事的EC裝置傳導(dǎo)層等等可以互換地稱為“結(jié)構(gòu)化”成做某事的EC裝置傳導(dǎo)層等等，“結(jié)構(gòu)上構(gòu)造成”做某事等等。

I.利用傳導(dǎo)層區(qū)域的受控電致變色加熱

在一些實施例中，電致變色(EC)裝置包括EC膜疊層，EC膜疊層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于EC膜疊層上的電位差(本文中也稱為“電勢差”)在分離的透射模式之間切換。EC裝置可以包括位于EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層，施加至相對的傳導(dǎo)層上的分離的電壓可以在EC膜疊層上感應(yīng)電位差。

在一些實施例中，EC裝置被結(jié)構(gòu)化成加熱EC膜疊層的一個或多個部分。這種加熱可以改善EC膜疊層的透射切換性能。例如，在EC膜疊層處于相對低溫(例如20華氏度)的情況下，當(dāng)在EC膜疊層上感應(yīng)出給定電位差時EC膜疊層切換透射水平的速率可以小于當(dāng)EC膜疊層處于更高溫度(例如72華氏度)時的速率。

如本文中所稱的EC膜疊層可以包括反電極(CE)層、電致變色(EC)層以及位于兩者之間的離子傳導(dǎo)(IC)層。在一些實施例中，CE層或EC層之一被結(jié)構(gòu)化成可逆地嵌入特別地由陽極(或相應(yīng)地陰極)電致變色材料制成的離子，比如包括H+、Li+、D+、Na+、K+中的一個或多個的陽離子或包括OH-中的一個或多個的陰離子；CE層或EC層中的另一個被結(jié)構(gòu)化成可逆地嵌入特別地由陰極(或相應(yīng)地陽極)電致變色材料制成的所述離子。在一些實施例中，IC層被結(jié)構(gòu)化成包括電解層。EC膜疊層的特征可在于，CE層或EC層中的至少一者可被結(jié)構(gòu)化成可逆地嵌入所述離子，包括由陽極或陰極電致變色材料制成的層，其具有足夠的厚度以允許全部離子在不使所述活性層電化學(xué)機能失調(diào)的情況下被嵌入，其中，具有電解功能的IC層包括基于選自以下的材料的至少一層：氧化鉭、氧化鎢、氧化鉬、氧化銻、氧化鈮、氧化鉻、氧化鈷、二氧化鈦、氧化錫、氧化鎳、可選地與鋁合金的氧化鋅、氧化鋯、氧化鋁、可選地與鋁合金的氧化硅、可選地與鋁或與硼合金的氮化硅、氮化硼、氮化鋁、可選地與鋁合金的氧化釩以及氧化錫鋅，這些氧化物中的至少一者可選地被氫化或氮化，其中，CE層或EC層中的一個或多個包括以下化合物中的至少一種：鎢W、鈮Nb、錫Sn、鉍Bi、釩V、鎳Ni、銥Ir、銻Sb和鉭Ta的氧化物自身或其混合物，并且可選地包括另外的金屬，比如鈦、錸或鈷，以及其中，EC層或CE層中的一者或多者的厚度在70um與250um之間、在150um與220um之間等等。

EC層可以包括各種材料，包括氧化鎢。CE層可以包括各種材料，包括一種或多種鎢鎳氧化物。IC層可以包括各種材料，包括一種或多種硅氧化物。電荷可以包括各種帶電電解物質(zhì)，包括鋰離子。IC層可以包括層區(qū)域、多層區(qū)域、界面區(qū)域、其一些組合等。包括界面區(qū)域的IC層可以包括EC或CE層中的一者或多者的一種或多種組分材料。

在一些實施例中，EC膜疊層中的每一層可以可逆地嵌入陽離子和電子，其氧化程度的由于這些嵌入/提取的修改引起其光和/或熱特性的修改。特別地，能夠以可見和/或紅外波長調(diào)節(jié)其吸收和/或其反射。EC膜疊層可以包括在其中電解質(zhì)是聚合物或凝膠形式的EC裝置中。例如，質(zhì)子(protonically)傳導(dǎo)聚合物或由鋰離子傳導(dǎo)的傳導(dǎo)聚合物，其中系統(tǒng)的其他層大致具有無機特性。在另一個例子中，EC膜疊層可以包括在EC裝置中，在此疊層的電解質(zhì)和其他層具有無機特性，其可以稱作術(shù)語“全固態(tài)”系統(tǒng)。在另一個例子中，EC膜疊層可以包括在EC裝置中，在此全部層均基于聚合物，其可以表示為術(shù)語“全聚合物”系統(tǒng)。

在EC膜疊層處于“靜止”狀態(tài)時，在包括EC膜疊層的EC裝置被稱為處于完全透射狀態(tài)的情況下，電荷存在于CE層中，對其進行還原并且使其高度透明。當(dāng)通過在EC裝置中的EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層上感應(yīng)出位差來切換裝置時，包括鋰離子的電荷從CE層運動至EC層，這使得EC疊層的透射水平發(fā)生改變。在一些實施例中，鋰離子中的一些通過仍然還原CE層但相對于鋰離子具有相對較低傳輸速率的另一種帶電電解物質(zhì)替換(通過更大或通過更堅固地結(jié)合在CE層的分子晶格結(jié)構(gòu)內(nèi))。因此，可以調(diào)整由CE層的一個或多個區(qū)域切換的透射水平的速率和量。通過CE層區(qū)域調(diào)整透射水平切換的速率和量包括通過相應(yīng)的EC層調(diào)整透射水平切換的速率和量。

具有不同的傳輸速率的電荷電解物質(zhì)可以包括稀土和堿金屬。這些是比鋰更重或更加緊密地結(jié)合的物質(zhì)，并且可以包括例如鈉、鉀、銣、銫、鈁、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇和鐳。

例如，在一些實施例中，EC膜疊層的CE層可以沉積在傳導(dǎo)層上，傳導(dǎo)層可以包括透明傳導(dǎo)層(透明傳導(dǎo)層包括ITO)，各種不同的帶電電解物質(zhì)可被引入、植入等等到分離的CE層區(qū)域中。例如，鎂離子可被植入一個或多個CE層區(qū)域中，鈉離子可被植入一個或多個其他CE層區(qū)域中。應(yīng)當(dāng)理解的是，能夠控制如在整個公開中討論的離子植入的模式、深度和劑量。例如，可以利用鋁箔掩模來將CE層區(qū)域的模式選擇性地暴露于一個或多個特定帶電電解物質(zhì)的植入。

在一些實施例中，能夠經(jīng)由通過EC裝置的一部分感應(yīng)出的電流、電位差等等加熱EC膜疊層的一個或多個部分?？梢越?jīng)由聯(lián)接至給定傳導(dǎo)層的兩個或更多個電極之間的電位差通過EC裝置的一個或多個部分感應(yīng)出電位差。這種感應(yīng)出的電位差可以使電流流過傳導(dǎo)層。在一些實施例中，使電流穿過傳導(dǎo)層使得至少部分地基于電流流過的傳導(dǎo)層的區(qū)域的電阻在傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域中產(chǎn)生熱。傳導(dǎo)層可以包括包含對電流的一個或多個不同的電阻水平的一種或多種不同的化學(xué)物質(zhì)。因此，使電流穿過傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域能夠至少部分地基于一個或多個區(qū)域中的傳導(dǎo)層的電阻引起一個或多個區(qū)域中的熱發(fā)生。

加熱傳導(dǎo)層的區(qū)域能夠引起對EC裝置的EC膜疊層的一個或多個區(qū)域的加熱。EC膜疊層的這些區(qū)域可以包括對應(yīng)于被加熱的傳導(dǎo)層的區(qū)域的區(qū)域。例如，傳導(dǎo)層區(qū)域中產(chǎn)生的熱可以分配至與傳導(dǎo)層聯(lián)接的EC膜疊層。

在一些實施例中，通過其感應(yīng)出電流以加熱傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域(在此也稱為傳導(dǎo)層區(qū)域)的傳導(dǎo)層也用于感應(yīng)EC裝置的EC膜疊層上的電位差，以使得EC膜疊層的一個或多個區(qū)域(“EC區(qū)域”)改變透射水平。可以同時在至少兩個傳導(dǎo)層之間在EC膜疊層上感應(yīng)電位差以及經(jīng)由在給定傳導(dǎo)層上感應(yīng)分離的電位差加熱傳導(dǎo)層之一的一個或多個區(qū)域。這種同時電流感應(yīng)可以至少部分地基于在相對的傳導(dǎo)層之間在EC膜疊層上感應(yīng)直流電流以及在傳導(dǎo)層之一上感應(yīng)交流電流來實現(xiàn)，在此交流電流的頻率足夠高以阻止EC膜疊層至少部分地基于交替而切換透射水平。在一些實施例中，這種足夠高的切換頻率包括等于或大于100赫茲的切換頻率。

在一些實施例中，EC裝置的EC區(qū)域、傳導(dǎo)層區(qū)域等等中的每一個可以具有相同或不同的尺寸、體積和/或表面面積。在其他實施例中，EC區(qū)域、傳導(dǎo)層區(qū)域等等中的每一個可以具有相同或不同的形狀(包括曲線或弧形形狀)。

圖1示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層和位于EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層的EC裝置的透視圖，其中一個傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于該層上的電位差被加熱。

EC裝置100包括EC膜疊層102和聯(lián)接至EC膜疊層102的相對的表面的傳導(dǎo)層110、120。EC膜疊層102可以包括EC層、IC層和CE層中的一個或多個。如本文所參照的傳導(dǎo)層可以包括一個或多個透明傳導(dǎo)(TC)層。每個分離的傳導(dǎo)層110、120包括各自聯(lián)接至分離的電源130、140的一組電極112A-B。電源130是直流(DC)電源，而電源140包括DC分量和交流(AC)分量兩者。這種電源140可以包括半橋式電路，半橋式電路包括至少兩個電子開關(guān)，包括MOSFET，在此半橋式電路可以由脈寬調(diào)制器(PWM)控制。因此，電源140可以在每個電極112A-B中感應(yīng)特定電壓，特定電壓基于在電極112A-B之間感應(yīng)出的AC電位差以足夠高的頻率切換極性以阻止EC膜疊層102切換透射狀態(tài)。層110上的這種交變電位差能夠至少部分地基于層的一個或多個特性引起對層110的一個或多個區(qū)域的加熱，層的一個或多個特性包括包含在層110中的一種或多種材料物質(zhì)的電阻率、層110的幾何結(jié)構(gòu)、電極112A-B在層中的布置等等。如本文所使用的，同一層上的分離的電極之間的“在單個層上”的差，包括所示出的層120的電極112A-B之間的電位差，可以互換地稱為“平行于層”的差。另外，傳導(dǎo)層110處的至少部分地基于高頻交流電流的凈電壓可以是恒定電壓，流過層110的凈電流可以忽略，這可以引起在傳導(dǎo)層110與傳導(dǎo)層120之間在EC膜疊層102上感應(yīng)出的電位差。

如所述實施例中所示，電源130和140各自感應(yīng)聯(lián)接至相應(yīng)電源的一組電極之間的恒定凈電壓，引起每個組分離的電極聯(lián)接其上的分離的傳導(dǎo)層之間的電位差，這可以使得EC膜疊層的一個或多個區(qū)域在分離的透射模式之間切換。如圖所示，電源130在聯(lián)接至傳導(dǎo)層的每個電極112A-B處感應(yīng)電壓“V₂”，電源140在每個電極122A-B處感應(yīng)“0伏”的凈電壓，由此在兩層110、120之間在EC膜疊層102上形成電位差ΔV_α＝(V₂-0)＝V₂。如本文中所使用的，兩層之間的“在單個層上”的差，包括在層110、120之間并且在層102上的所示電位差，可以互換地成為“垂直于”層110、120、102中的一個或多個的差。

如所述實施例中進一步所示的，雖然施加至電極122A-B并且由此施加至傳導(dǎo)層120的凈電壓是零伏的凈電壓，但是電源140經(jīng)由切換施加至聯(lián)接至層120的該組電極122A-B的電壓的極性通過層120感應(yīng)交流電流。如上所述，切換頻率可以足夠大以阻止EC膜疊層102對層120上的瞬時電位差做出響應(yīng)。因此，盡管層120上以及電極122A-B之間的瞬時電位差是ΔV_β＝(V₁-(-V₁))＝2V₁，但是EC膜疊層102對層120的零伏凈電壓的凈電壓做出響應(yīng)。

在一些實施例中，層110包括具有一個或多個特性的一個或多個區(qū)域，一個或多個區(qū)域至少部分地基于通過電極112A-B之間的層110的交流電流產(chǎn)生熱。這種產(chǎn)生的熱可以從層110傳遞至EC膜疊層102以加熱EC膜疊層102的一個或多個相應(yīng)的區(qū)域。當(dāng)在EC膜疊層102的一個或多個部分上感應(yīng)出電位差時，加熱EC膜疊層102的一個或多個區(qū)域可以使得這些區(qū)域以比EC膜疊層的其他區(qū)域更快的速率切換。加熱傳導(dǎo)層、EC膜疊層等等中的一個或多個的一個或多個區(qū)域可以包括加熱超過一個或多個其他區(qū)域的一個或多個區(qū)域。

在一些實施例中，整個傳導(dǎo)層可被加熱以加熱EC膜疊層。這種加熱可以消耗大量的電能。例如，在所示的實施例中，層120的整體可以至少部分地基于通過電極112A-B之間的層120感應(yīng)出的均勻交流電被均勻地加熱。另外，在一些實施例中，EC裝置的包括EC膜疊層的某些區(qū)域的某些區(qū)域被結(jié)構(gòu)化成相對于其他的這種區(qū)域更加頻繁不同程度等等地切換透射水平。此外，在一些實施例中，一些EC膜疊層區(qū)域中的切換速度比其他區(qū)域中的切換速度更重要。因此，雖然可能要求加熱一些EC區(qū)域，但是一些其他EC區(qū)域的加熱可被視為浪費電能以實現(xiàn)這種加熱，因此加熱是不必要的。此外，在一些實施例中，一些EC區(qū)域的加熱的均勻性可以優(yōu)先于其他EC區(qū)域的加熱的均勻性。

在一些實施例中，加熱傳導(dǎo)層的整體以加熱EC膜疊層的一個或多個區(qū)域可被視為對資源的浪費消耗。例如，在所示實施例中，雖然層120的加熱區(qū)域170可以引起EC膜疊層102的加熱，但是加熱區(qū)域172A-B可能不會引起EC膜疊層102的顯著加熱；因此，消耗用于加熱區(qū)域172A-B的電能可被視為電能的浪費。

圖2示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層和位于EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層的EC裝置的透視圖，在此一個傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱傳導(dǎo)層的特定有限區(qū)域。EC裝置200包括EC膜疊層202和位于EC膜疊層202的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層204、206。這些傳導(dǎo)層204、206還可被稱為聯(lián)接至EC膜疊層202的相對的鄰接表面。在一些實施例中，EC裝置200中的一些或全部可以包括在圖1所示的EC裝置100中。

在一些實施例中，經(jīng)由向整個傳導(dǎo)層施加電位差加熱EC膜疊層可以構(gòu)成電能的浪費消耗。例如，雖然可能需要加熱所示傳導(dǎo)層204中的特定有限區(qū)域210，但是加熱層204的其余區(qū)域212可能包括資源浪費。這種“目標性”加熱可能是所希望的以能夠?qū)C膜疊層202的至少部分地重疊區(qū)域210的一個或多個相應(yīng)的區(qū)域進行目標性加熱。在一些其他實施例中，雖然可能需要層204的區(qū)域210、204的整體能夠在層204、206之間在EC膜疊層202上感應(yīng)出電位差，但是層204的體積的有限部分可能需要產(chǎn)生足夠的熱以將EC膜疊層202的一個或多個部分，包括疊層202的整體，加熱至一個或多個必要的溫度，以實現(xiàn)疊層202的一個或多個部分的至少一定的透射切換速度。如本文中進一步所討論的，EC裝置的各個實施例可以包括不同結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)層以使EC裝置結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱傳導(dǎo)層的一個或多個特定有限區(qū)域。

如本文所使用的，至少部分地基于對傳導(dǎo)層的一個或多個特定有限區(qū)域的加熱而加熱EC膜疊層的一個或多個區(qū)域可以包括至少部分地基于對傳導(dǎo)層的一個或多個特定區(qū)域的加熱來加熱EC膜疊層的整體。在一些實施例中，EC裝置200可以包括在圖1中示出的EC裝置100中，使得傳導(dǎo)層204延伸超過EC膜疊層202的邊界，類似于圖1中的層120延伸超過EC膜疊層102。因此，傳導(dǎo)層204的特定有限區(qū)域210可以與EC膜疊層202的整體對應(yīng)(即，“重疊”)，使得至少部分地基于選擇性地加熱層204的特定有限區(qū)域210而加熱EC膜疊層的整體。

圖3示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層和傳導(dǎo)層的EC裝置的分解透視圖，傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于聯(lián)接至傳導(dǎo)層的特定電極布置在特定有限區(qū)域中被選擇性地加熱。EC裝置300包括傳導(dǎo)層310，傳導(dǎo)層310聯(lián)接至EC膜疊層320并且被結(jié)構(gòu)化成對于EC膜疊層320的一個或多個區(qū)域322、324至少產(chǎn)生和分配熱330。在一些實施例中，EC裝置300包括在本文其他地方示出和公開的EC裝置的一個或多個部分中，包括圖2中示出的EC裝置200。在一些實施例中，傳導(dǎo)層310經(jīng)由一個或多個中間層聯(lián)接至EC膜疊層320，一個或多個中間層包括一個或多個絕緣層、粘合層、封裝層、防反射層、紅外截止濾光層、遮蔽層、其一些組合等等。

在一些實施例中，EC裝置被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于聯(lián)接至傳導(dǎo)層的特定電極布置選擇性地加熱傳導(dǎo)層的特定有限區(qū)域。例如，被結(jié)構(gòu)化成在給定傳導(dǎo)層上感應(yīng)電位差的一組電極可以聯(lián)接至特定布置中的傳導(dǎo)層，這形成聯(lián)接在特定有限區(qū)域的相鄰側(cè)上的電極。因此，流過傳導(dǎo)層的電流可以至少部分地局限于電極之間的特定有限區(qū)域，使得傳導(dǎo)層的超過特定有限區(qū)域的區(qū)域中的加熱被至少部分地緩和。

在示出的實施例中，例如，傳導(dǎo)層310包括聯(lián)接至傳導(dǎo)層的一組電極316A-B，傳導(dǎo)層布置成使得兩個電極316A-B位于傳導(dǎo)層310的特定有限區(qū)域312的相對側(cè)上。所示區(qū)域312大致定位在傳導(dǎo)層310的面積的中心區(qū)域中，但可以理解的是區(qū)域312可以定位在傳導(dǎo)層310的面積的任何區(qū)域中。例如，在一些實施例中，區(qū)域312由傳導(dǎo)層310的一個或多個邊緣限制。

如圖所示，限定傳導(dǎo)層310的特定有限區(qū)域312的相對邊緣的電極316A-B的布置能夠使得傳導(dǎo)層310中的電極316A-B之間的電流至少部分地限制于電極316A-B之間的流過區(qū)域312。相反地，流過傳導(dǎo)層310的其余區(qū)域314的一些或全部的電流可被至少部分地緩和。因此，當(dāng)在電極316A-B之間感應(yīng)出電位差時，可以相對于其余部分314加熱區(qū)域312。相對于包括區(qū)域314的另一個區(qū)域加熱包括區(qū)域312的一個區(qū)域可以包括比另一個區(qū)域更加加熱一個區(qū)域。例如，雖然當(dāng)在電極316A-B之間感應(yīng)出電位差時可以出現(xiàn)對其余區(qū)域314的至少一定加熱，對區(qū)域312的加熱可以大于對其余區(qū)域314的加熱。此外，區(qū)域312中的加熱均勻性可以相對于區(qū)域314最大化。這種均勻性可能是所希望的，特別是在需要EC裝置的對應(yīng)于區(qū)域312的一個或多個特定區(qū)域的均勻加熱的情況下。因此，雖然傳導(dǎo)層310的其他區(qū)域可被至少部分地加熱，至少部分地加熱可以包括整個區(qū)域314的非均勻加熱，當(dāng)在電極316A-B之間感應(yīng)出電位差時，區(qū)域312可以以比區(qū)域314更大的均勻性加熱。

在一些實施例中，可以至少部分地基于包括在電流流過的傳導(dǎo)層的特定區(qū)域中的一種或多種化學(xué)物質(zhì)的電阻加熱傳導(dǎo)層的一個或多個特定區(qū)域。例如，傳導(dǎo)層310中的一些或全部可以由一種或多種化學(xué)物質(zhì)組成，包括對電流具有一定電阻的氧化銦錫(ITO)，使得通過包括一種或多種化學(xué)物質(zhì)的層的一部分感應(yīng)電流可至少部分地基于所述電阻引起熱發(fā)生。

在一些實施例中，在電極316A-B之間感應(yīng)電位差導(dǎo)致傳導(dǎo)層310的至少特定有限區(qū)域312中的熱發(fā)生。這種熱可以傳遞330至EC膜疊層320的聯(lián)接至傳導(dǎo)層310的一個或多個部分。在傳導(dǎo)層310經(jīng)由一個或多個另外的EC裝置層聯(lián)接至EC膜疊層的情況下，從層310傳遞330至EC膜疊層320的熱可以通過一個或多個中間EC裝置層傳遞。

在一些實施例中，從傳導(dǎo)層310的一個或多個區(qū)域傳遞330至EC膜疊層的熱被傳遞至EC膜疊層的對應(yīng)于傳導(dǎo)層310的一個或多個區(qū)域的一個或多個特定區(qū)域，使得EC膜疊層的這些特定區(qū)域相對于EC膜疊層的其他區(qū)域被加熱。例如，在所示實施例中，在傳導(dǎo)層的區(qū)域312處產(chǎn)生的熱從傳導(dǎo)層310的區(qū)域312傳遞330至EC膜疊層320的相應(yīng)的區(qū)域322。相應(yīng)的區(qū)域322可以包括EC膜疊層的與EC裝置300中的區(qū)域312至少部分地重疊的區(qū)域。例如，在所示實施例中，區(qū)域312和322在EC裝置300中至少部分地豎直重疊，使得區(qū)域322包括EC膜疊層320的最靠近層310的區(qū)域312的區(qū)域，并且從層310的區(qū)域312向下傳遞至EC裝置300的其他層的熱主要接收在EC膜疊層320的區(qū)域322處。在一些實施例中，傳遞至EC膜疊層的一個或多個區(qū)域的熱貫穿EC膜疊層傳導(dǎo)，使得至少部分地基于傳遞至EC膜疊層的一個或多個特定區(qū)域的熱加熱EC膜疊層中的一些或全部。

圖4示出EC膜疊層和傳導(dǎo)層的透視圖，傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于傳導(dǎo)層的不同區(qū)域的不同的薄層電阻在特定有限區(qū)域中被選擇性加熱。EC裝置400包括傳導(dǎo)層410，傳導(dǎo)層410聯(lián)接至EC膜疊層420并且被結(jié)構(gòu)化成向EC膜疊層420的一個或多個區(qū)域422、424至少產(chǎn)生和分配熱430。在一些實施例中，EC裝置400包括在本文其他地方示出和公開的EC裝置的一個或多個部分中，包括圖2中示出的EC裝置200。在一些實施例中，傳導(dǎo)層410經(jīng)由一個或多個中間層聯(lián)接至EC膜疊層420，一個或多個中間層包括一個或多個絕緣層、粘合層、封裝層、防反射層、紅外截止濾光層、遮蔽層、其一些組合等等。

在一些實施例中，EC裝置被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于被結(jié)構(gòu)化成包括對于電流具有不同電阻(在此也稱為“薄層電阻”)的不同層區(qū)域的傳導(dǎo)層而選擇性地加熱傳導(dǎo)層的特定有限區(qū)域。傳導(dǎo)層可被結(jié)構(gòu)化成包括不同的層區(qū)域中的薄層電阻的這些變型，在此電極在遠離被選擇性地加熱的層的特定有限區(qū)域的位置處聯(lián)接至傳導(dǎo)層。例如，在所示實施例中，傳導(dǎo)層410包括區(qū)域412、414A-B、417A-B，在此區(qū)域412和417A-B位于聯(lián)接至傳導(dǎo)層的電極416A-B之間。在區(qū)域412是EC裝置400被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱的特定有限區(qū)域的情況下，電極416A-B可被結(jié)構(gòu)化成延伸至區(qū)域412的一組邊界；如圖所示，電極416A-B通過層410在區(qū)域412的寬度之間延伸，而非沿著層410的整個寬度。因此，電極416A-B不限制區(qū)域414A-B，通過層410的電流至少部分地基于在電極416A-B之間感應(yīng)出的電位差可以更加均勻地流動，在一些實施例中，主要流過層410的區(qū)域417A-B、412。

在區(qū)域412是特定有限區(qū)域并且區(qū)域417A-B和414A-B是其余區(qū)域的情況下，區(qū)域417A-B可被結(jié)構(gòu)化成具有小于區(qū)域412的薄層電阻的薄層電阻。類似地，在一些實施例中，區(qū)域412被結(jié)構(gòu)化成具有大于至少區(qū)域417A-B的薄層電阻的薄層電阻。區(qū)域417A-B相對于區(qū)域412具有減小的薄層電阻時的傳導(dǎo)層410可以引起在電極416A-B之間通過區(qū)域412、417A-B的電流的均勻性的增加。

在一些實施例中，區(qū)域417A-B的薄層電阻小于區(qū)域414A-B中的一個或多個的薄層電阻。在一些實施例中，薄層電阻的這種變化可以引起通過區(qū)域412的電流的均勻性的增加，并且因此相對于區(qū)域414A-B和417A-B具有共同或相似的薄層電阻的實施例引起區(qū)域412的加熱均勻性的增加。

在一些實施例中，區(qū)域412被結(jié)構(gòu)化成相對于至少區(qū)域417A-B的薄層電阻具有更大的薄層電阻，以使層410結(jié)構(gòu)化成當(dāng)在電極416A-B之間感應(yīng)出電位差時超過區(qū)域417A-B地加熱區(qū)域412(即，區(qū)域412的“增強的加熱”)。另外，在區(qū)域412的薄層電阻大于至少區(qū)域417A-B的薄層電阻的情況下，流過區(qū)域412并且因此加熱區(qū)域412的電流的均勻性可以相對于區(qū)域412、417A-B具有共同的薄層電阻的實施例增大。

在一些實施例中，傳導(dǎo)層的各個區(qū)域上的薄層電阻的變化至少部分地基于各個區(qū)域中的傳導(dǎo)層的一個或多個特性的變化。這種變化的特性可以包括各個區(qū)域中的層的化學(xué)物質(zhì)組成的變化。化學(xué)物質(zhì)可以包括各種不同的材料、物質(zhì)、元素、化合物等等。傳導(dǎo)層的不同的區(qū)域可以包括一種或多種不同化學(xué)物質(zhì)的不同分布，在此也稱為一種或多種不同化學(xué)物質(zhì)的“分離的”分布。區(qū)域中的物質(zhì)的不同分布可以包括遍及一個或多個不同的層區(qū)域的一些或全部中的物質(zhì)的密度的變化、遍及一個或多個不同的層區(qū)域中的一些或全部的物質(zhì)的濃度的變化、遍及一個或多個不同的層區(qū)域中的一些或全部在其中存在的一種或多種物質(zhì)的傳導(dǎo)層的深度的變化等等。例如，可以在一個傳導(dǎo)層區(qū)域中以一個特定濃度存在給定化學(xué)物質(zhì)，同時相同的化學(xué)物質(zhì)可以以分離的濃度存在于另一個傳導(dǎo)層區(qū)域中。給定區(qū)域中的物質(zhì)的給定分布可以變化。例如，給定物質(zhì)在一個層區(qū)域中的分布可以包括層區(qū)域的相對邊界之間的物質(zhì)濃度的變化，其對應(yīng)于相對邊界之間的正態(tài)分布。物質(zhì)在區(qū)域中的不同的分布可以包括物質(zhì)在一個或多個分布中存在于一個區(qū)域中，并且物質(zhì)不存在于不同的區(qū)域中。例如，在所示實施例中，區(qū)域417A-B可以由至少金屬化學(xué)物質(zhì)組成，包括金，同時區(qū)域412可以由至少一種分離的化學(xué)物質(zhì)組成，包括氧化銦錫(ITO)。不同的物質(zhì)可以具有不同的電導(dǎo)率、電阻等等：例如，金可以是比ITO更有傳導(dǎo)性的物質(zhì)，使得包括ITO的傳導(dǎo)層區(qū)域比包括金的分離的傳導(dǎo)層區(qū)域具有更大的薄層電阻。在另一個實施例中，區(qū)域412、417A-B可以由ITO組成，區(qū)域412可以由ITO組成并且進一步由一個或多個不同分布的一種或多種氧化化學(xué)物質(zhì)組成，包括氧，這形成區(qū)域412的相對于區(qū)域417A-B更大的薄層電阻。

化學(xué)物質(zhì)可以包括一種或多種氧化物質(zhì)，氧化物質(zhì)相對于另一個區(qū)域提高傳導(dǎo)層區(qū)域的氧化水平，以調(diào)整傳導(dǎo)層區(qū)域的薄層電阻?？杀灰氲难趸镔|(zhì)的非限制性示例可以包括氧、氮等等。在另一個示例中，不同的金屬物質(zhì)中的一種或多種可被引入以改變傳導(dǎo)層區(qū)域中的載流子密度、載流子分布等等。這些金屬物質(zhì)的非限制性示例可以包括銦、錫、金、其一些組合等等。簡而言之，在化學(xué)物質(zhì)可以改變傳導(dǎo)層區(qū)域中的載流子密度、載流子分布等等的情況下，傳導(dǎo)層區(qū)域中的一種或多種化學(xué)物質(zhì)可以引起傳導(dǎo)層區(qū)域的薄層電阻的調(diào)整。傳導(dǎo)層區(qū)域中的化學(xué)物質(zhì)可以包括一種或多種化學(xué)物質(zhì)，一種或多種化學(xué)物質(zhì)可以經(jīng)由眾所周知的離子植入過程實施。

傳導(dǎo)層區(qū)域中的化學(xué)物質(zhì)引入可以包括離子植入、掩模離子束、聚焦離子束等等?；瘜W(xué)物質(zhì)分布可以在各種區(qū)域上改變以不同地調(diào)整各個傳導(dǎo)層區(qū)域中的薄層電阻。例如，在離子植入系統(tǒng)被用于在各個區(qū)域中植入各種離子的情況下，離子劑量、離子能級、離子植入程序的數(shù)目等等中的一種或多種對于每個區(qū)域可被調(diào)整以在各個區(qū)域中建立不同的化學(xué)物質(zhì)分布、載流子分布、載流子密度等等，由此在各個區(qū)域中建立不同的薄層電阻。在一些實施例中，離子植入、掩模離子束、聚焦離子束(FIB)等等中的一種或多種可被用于將特定薄層電阻模式“抽吸”到一個或多個傳導(dǎo)層區(qū)域內(nèi)。在一些實施例中，化學(xué)物質(zhì)“分布”可以包括在傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域上的化學(xué)物質(zhì)密度、濃度、通過傳導(dǎo)層的厚度引入的深度等等的一個或多個變化。例如，化學(xué)物質(zhì)在傳導(dǎo)層中被引入的深度可以在傳導(dǎo)層上改變，并且傳導(dǎo)層的薄層電阻由此隨著物質(zhì)深度的改變而改變。在另一個示例中，所引入的化學(xué)物質(zhì)的濃度、密度等等可以在傳導(dǎo)層上改變，并且傳導(dǎo)層的薄層電阻由此隨著物質(zhì)濃度、密度等等的改變而改變。

在一些實施例中，各個傳導(dǎo)層區(qū)域的薄層電阻可以至少部分地基于將各個傳導(dǎo)層區(qū)域在空氣或含氧氣體中加熱至高溫來調(diào)整。該過程可以包括在加熱期間將各個傳導(dǎo)層區(qū)域選擇性地暴露于大氣，利用比如為激光器或氙閃光燈等等的方法以特定模式加熱傳導(dǎo)層。將傳導(dǎo)層區(qū)域加熱至高溫使得能夠引起等等氧化傳導(dǎo)層區(qū)域的一個或多個化學(xué)反應(yīng)。在一些實施例中，加熱被設(shè)置成使得獨立于可被并非完全不同地加熱的其他傳導(dǎo)層區(qū)域來氧化某些傳導(dǎo)層區(qū)域。因此，可以形成一種或多種不同的氧化模式，由此在傳導(dǎo)層中建立薄層電阻的一個或多個模式，這使得將EC裝置結(jié)構(gòu)化成選擇性地切換至對應(yīng)于薄層電阻模式的透射模式。在一些實施例中，傳導(dǎo)層的另外的氧化引起更高的薄層電阻。在一些實施例中，激光退火可被用于加熱特定傳導(dǎo)層區(qū)域以一種或多種特定“模式”改變薄層電阻。在一些實施例中，各個傳導(dǎo)層區(qū)域的薄層電阻可以至少部分地基于將各個傳導(dǎo)層區(qū)域在一個或多個不同的氣氛中加熱至高溫來進行調(diào)整，所述一個或多個不同的氣氛包括在一個或多個大氣壓力下的一種或多種不同氣體的一種或多種混合物等等。在一些實施例中，各個傳導(dǎo)層區(qū)域的薄層電阻可以至少部分地基于將各個傳導(dǎo)層區(qū)域在真空中加熱至高溫來調(diào)整。

在一些實施例中，各個傳導(dǎo)層區(qū)域的薄層電阻可以至少部分地基于對各個傳導(dǎo)層區(qū)域的相對厚度的調(diào)整而進行調(diào)整。例如，額外數(shù)量的傳導(dǎo)層材料可以沉積在各個傳導(dǎo)層區(qū)域中，以調(diào)整各個傳導(dǎo)層區(qū)域的薄層電阻。在另一個示例中，一個或多個去除過程可被實施以選擇性地去除特定傳導(dǎo)層區(qū)域中的傳導(dǎo)層的厚度的至少一部分，從而調(diào)整各個傳導(dǎo)層區(qū)域中的薄層電阻。去除過程可以包括激光消融過程、激光切割過程、刻蝕過程等等中的一個或多個。對給定傳導(dǎo)層區(qū)域增加或去除厚度可以包括根據(jù)特定模式增加或去除傳導(dǎo)層區(qū)域中的傳導(dǎo)層材料，使得形成傳導(dǎo)層區(qū)域中的薄層電阻分布。這種形成可以將EC裝置結(jié)構(gòu)化成選擇性地切換至相應(yīng)的透射模式。

在一些實施例中，對給定傳導(dǎo)層區(qū)域增加或去除厚度可以包括增加另外的緩沖材料以建立包括傳導(dǎo)層材料和緩沖材料的傳導(dǎo)層的均勻的總厚度。

在一些實施例中，在電極416A-B之間感應(yīng)電位差導(dǎo)致傳導(dǎo)層410的至少特定有限區(qū)域412中的熱產(chǎn)生。這種熱可以傳遞430至EC膜疊層420的聯(lián)接至傳導(dǎo)層410的一個或多個部分。在傳導(dǎo)層410經(jīng)由一個或多個另外的EC裝置層聯(lián)接至EC膜疊層的情況下，從層410傳遞430至EC膜疊層420的熱可以通過一個或多個中間EC裝置層傳遞。

在一些實施例中，從傳導(dǎo)層410的一個或多個區(qū)域傳遞430至EC膜疊層的熱被傳遞至EC膜疊層的對應(yīng)于傳導(dǎo)層410的一個或多個區(qū)域的一個或多個特定區(qū)域，使得EC膜疊層的這些特定區(qū)域相對于EC膜疊層的其他區(qū)域被加熱。例如，在所示實施例中，在傳導(dǎo)層的區(qū)域412處產(chǎn)生的熱從傳導(dǎo)層410的區(qū)域412傳遞430至EC膜疊層420的相應(yīng)的區(qū)域422。相應(yīng)的區(qū)域422可以包括EC膜疊層的與EC裝置400中的區(qū)域412至少部分地重疊的區(qū)域。例如，在所示實施例中，區(qū)域412和422在EC裝置400中至少部分地豎直重疊，使得區(qū)域422包括EC膜疊層420的最靠近層410的區(qū)域412的區(qū)域，從層410的區(qū)域412向下傳遞至EC裝置400的其他層的熱相對于區(qū)域424主要接收在EC膜疊層420的區(qū)域422處。在一些實施例中，傳遞至EC膜疊層的一個或多個區(qū)域的熱貫穿EC膜疊層傳導(dǎo)，使得至少部分地基于傳遞至EC膜疊層的一個或多個特定區(qū)域的熱加熱EC膜疊層中的一些或全部。

圖5示出根據(jù)一些實施例的EC膜疊層和傳導(dǎo)層的透視圖，傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于傳導(dǎo)層的幾何結(jié)構(gòu)在特定有限區(qū)域中被選擇性加熱。EC裝置500包括傳導(dǎo)層510，傳導(dǎo)層510聯(lián)接至EC膜疊層520并且被結(jié)構(gòu)化成向EC膜疊層520的一個或多個區(qū)域522、524至少產(chǎn)生和分配熱530。在一些實施例中，EC裝置500包括在本文其他地方示出和公開的EC裝置的一個或多個部分中，包括圖2中示出的EC裝置200。在一些實施例中，傳導(dǎo)層510經(jīng)由一個或多個中間層聯(lián)接至EC膜疊層520，一個或多個中間層包括一個或多個絕緣層、粘合層、封裝層、防反射層、紅外截止濾光層、遮蔽層、其一些組合等等。

在一些實施例中，EC裝置被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于傳導(dǎo)層的幾何結(jié)構(gòu)選擇性地加熱傳導(dǎo)層的特定有限區(qū)域，傳導(dǎo)層的幾何結(jié)構(gòu)使傳導(dǎo)層的其余區(qū)域結(jié)構(gòu)化成相對于特定有限區(qū)域具有減小的薄層電阻。

平面電阻器的電阻可以相對于電流的方向隨著電阻器的長度增加并且隨著寬度減小。因此，給定量電流流過的更寬傳導(dǎo)層區(qū)域?qū)⑾鄬τ谙嗤o定量電流流過的更窄傳導(dǎo)層區(qū)域具有減小的電阻，并且因此減少加熱。此外，在傳導(dǎo)層設(shè)計包括聯(lián)接至遠離特定有限區(qū)域的布置中的傳導(dǎo)層的電極的情況下，將傳導(dǎo)層、電極等等結(jié)構(gòu)化成使得即使在每個區(qū)域的薄層電阻相似時特定有限區(qū)域與電極之間的中間其余區(qū)域比特定有限區(qū)域更寬，這樣可以導(dǎo)致中間其余區(qū)域在經(jīng)由中間其余區(qū)域感應(yīng)出流過特定有限區(qū)域的電流時比特定有限區(qū)域更少地加熱。

例如，在所示實施例中，在傳導(dǎo)層510包括特定有限區(qū)域512和聯(lián)接至遠離區(qū)域512的傳導(dǎo)層510的電極516A-B的情況下，電極516A-B大致延伸穿過層510的總寬度，使得電極與特定有限區(qū)域512之間的其余區(qū)域517A-B相對于電極516A-B之間的電流流動方向比區(qū)域512具有更大的寬度。因此，區(qū)域517A-B的對于電極516A-B之間的電流的電阻小于區(qū)域512的電阻，這可以使得當(dāng)在電極516A-B之間感應(yīng)出給定電位差時導(dǎo)致區(qū)域512比區(qū)域517A-B更多地被加熱。

在一些實施例中，層510被結(jié)構(gòu)化成包括區(qū)域512、517A-B，不包括區(qū)域514A-B。在一些實施例中，層510包括由不具有電導(dǎo)率的化學(xué)物質(zhì)組成，使得電極516A-B之間的電流被限制流過區(qū)域512、517A-B。在一些實施例中，層510包括由至少部分地傳導(dǎo)的化學(xué)物質(zhì)組成的區(qū)域514A-B。

在一些實施例中，在電極516A-B之間感應(yīng)電位差導(dǎo)致傳導(dǎo)層510的至少特定有限區(qū)域512中的熱產(chǎn)生。這種熱可以傳遞530至EC膜疊層520的聯(lián)接至傳導(dǎo)層510的一個或多個部分。在傳導(dǎo)層510經(jīng)由一個或多個另外的EC裝置層聯(lián)接至EC膜疊層的情況下，從層510傳遞530至EC膜疊層520的熱可以通過一個或多個中間EC裝置層傳遞。

在一些實施例中，從傳導(dǎo)層510的一個或多個區(qū)域傳遞530至EC膜疊層的熱被傳遞至EC膜疊層的對應(yīng)于傳導(dǎo)層510的一個或多個區(qū)域的一個或多個特定區(qū)域，使得EC膜疊層的這些特定區(qū)域相對于EC膜疊層的其他區(qū)域被加熱。例如，在所示實施例中，在傳導(dǎo)層的區(qū)域512處產(chǎn)生的熱從傳導(dǎo)層510的區(qū)域512傳遞530至EC膜疊層520的相應(yīng)的區(qū)域522。相應(yīng)的區(qū)域522可以包括EC膜疊層的與EC裝置500中的區(qū)域512至少部分地重疊的區(qū)域。例如，在所示實施例中，區(qū)域512和522在EC裝置500中至少部分地豎直重疊，使得區(qū)域522包括EC膜疊層520的最靠近層510的區(qū)域512的區(qū)域，從層510的區(qū)域512向下傳遞至EC裝置500的其他層的熱相對于區(qū)域524主要接收在EC膜疊層520的區(qū)域522處。在一些實施例中，傳遞至EC膜疊層的一個或多個區(qū)域的熱貫穿EC膜疊層傳導(dǎo)，使得至少部分地基于傳遞至EC膜疊層的一個或多個特定區(qū)域的熱加熱EC膜疊層中的一些或全部。

圖6示出根據(jù)一些實施例的卵狀EC裝置的透視圖，卵狀EC裝置被結(jié)構(gòu)化成在EC膜疊層的不同的區(qū)域中在分離的透射模式之間切換并且被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱傳導(dǎo)層的對應(yīng)于EC膜疊層區(qū)域中的一個或多個的一個或多個區(qū)域。EC裝置600包括至少EC膜疊層602、位于EC膜疊層602的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層604、606以及聯(lián)接至傳導(dǎo)層中的分離的傳導(dǎo)層的電極608A-B、609A-B。在一些實施例中，EC裝置600包括在本文其他地方示出和公開的EC裝置的一個或多個部分中，包括圖2中示出的EC裝置200。

在一些實施例中，EC裝置包括在攝像機裝置的一個或多個部分中。EC裝置可以被結(jié)構(gòu)化成在分離的透射模式之間切換以增加攝像機裝置操作。例如，EC裝置可以包括在攝像機光圈裝置中，在此EC裝置可被結(jié)構(gòu)化成在分離的透射模式之間切換以選擇性地使攝像機光圈變跡。這種EC裝置可被結(jié)構(gòu)化成使EC裝置的特定區(qū)域切換至與EC裝置的其他區(qū)域不同的透射水平。在一些實施例中，這種特定區(qū)域可以是EC裝置的環(huán)形區(qū)域。在一些實施例中，在需要特定區(qū)域的快速和均勻切換的情況下，EC裝置被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱EC裝置的至少特定區(qū)域。

在一些實施例中，EC裝置600包括在攝像機裝置中并且被構(gòu)造成使穿過攝像機裝置的光變跡，使得相對于鏡頭的中心更少的光穿過攝像機的鏡頭的外周。變跡法可以包括使EC裝置600變跡，在此EC裝置包括在攝像機裝置的光圈中。這種變跡法導(dǎo)致在捕獲在圖像中的未對焦元素的邊緣處散射。這種散射導(dǎo)致未對焦元素的平順，并且使得對象能夠相對于未對焦元素更加鮮明地引人注意。

在一些實施例中，由于圍繞攝像機傳感器上的對象的圖像的衍射圖案可被減小，因此使攝像機光圈變跡能夠通過攝像機實現(xiàn)圖像的增大的分辨率。例如，減少穿過鏡頭的外周的光的量的變跡光圈能夠產(chǎn)生對象的圖像，在此如果不完全去除，則對象的圖像周圍的愛里圖案的強度將降低。另外，光傳感器對鏡頭的色差的靈敏性可被減輕。

在一些實施例中，EC裝置600被結(jié)構(gòu)化成在分離的透射水平之間選擇性地切換分離的EC區(qū)域，使得EC裝置可以對攝像機裝置的光圈、鏡頭等等中的一個或多個進行選擇性地變跡。

在所示實施例中，例如，EC裝置600具有可以包括圓形形狀的卵形形狀，并且被結(jié)構(gòu)化成在至少兩個透射水平之間切換EC膜疊層602，使得EC裝置600的特定環(huán)形區(qū)域614比其余區(qū)域612、616切換至更低的透射水平。這種結(jié)構(gòu)化可以包括對應(yīng)于區(qū)域614的傳導(dǎo)層之一中的電阻的變化，以將EC膜疊層的相應(yīng)區(qū)域上的電位差結(jié)構(gòu)化成大于對應(yīng)于區(qū)域612、616的EC區(qū)域上的電位差。這種結(jié)構(gòu)化可以包括對應(yīng)于區(qū)域612、614、616的區(qū)域中的EC膜疊層中的一個或多個層中的離子遷移率的變化。如圖所示，電極608A-B、609A-B可被結(jié)構(gòu)化成遵循EC裝置600的曲率，以相對于電極直線延伸的一些實施例、相對于層602、604、606的曲率在整個EC裝置600上促進增大的電荷分布均勻性。如圖所示，傳導(dǎo)層604、606中的一個或多個可被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱相應(yīng)的傳導(dǎo)層的對應(yīng)于至少EC區(qū)域614的特定有限區(qū)域。該特定有限區(qū)域可以是環(huán)形形狀，類似于區(qū)域614。該區(qū)域可以對應(yīng)于區(qū)域614和616的組合。

在一些實施例中，各種數(shù)量的電極組聯(lián)接至EC裝置中的傳導(dǎo)層中的一個或多個。分離的傳導(dǎo)層可以包括聯(lián)接至相應(yīng)傳導(dǎo)層的不同數(shù)量的電極組。例如，傳導(dǎo)層606可以包括單組兩個電極609A-B，而對于聯(lián)接至層604總共四個電極，傳導(dǎo)層604可以包括兩組每組兩個的電極。給定組的電極可以包括聯(lián)接至傳導(dǎo)層的不同區(qū)域的兩個或更多個電極。在一個例子中，包括如圖6所示的例子，一組電極中的分離的電極609A-B可以聯(lián)接至傳導(dǎo)層的相對邊緣。將理解的是，如圖3所示，一組電極可以聯(lián)接至層的不同區(qū)域，在此不同的區(qū)域不是傳導(dǎo)層的相對邊緣。在一些實施例中，在多組傳導(dǎo)層聯(lián)接至傳導(dǎo)層的情況下，一組或多組電極可被結(jié)構(gòu)化成用于在分離的傳導(dǎo)層之間以及在EC膜疊層上感應(yīng)電位差，以使得EC膜疊層切換透射模式，同時分離的一組或多組電極可被結(jié)構(gòu)化成用于在傳導(dǎo)層上感應(yīng)電流、電位差等等，以引起傳導(dǎo)層的一個或多個特定有限區(qū)域的選擇性加熱。在一些實施例中，聯(lián)接至傳導(dǎo)層的分離的電極圍繞傳導(dǎo)層的一個或多個邊緣均勻地間隔開，使得在分離的電極之間感應(yīng)出的電流比電極不均勻間隔時實質(zhì)上更加均勻。穿過層的電流分布的這種增大的均勻性可以增大相應(yīng)的EC膜疊層區(qū)域的切換的均勻性、各個傳導(dǎo)層區(qū)域的加熱的均勻性等等。如圖6所示，聯(lián)接至卵形或圓形傳導(dǎo)層的電極可以聯(lián)接至層的不同區(qū)域，使得電極組接近傳導(dǎo)層的邊緣周圍的圓形電極。在另外的電極組聯(lián)接至傳導(dǎo)層的情況下，例如兩組每組兩個電極，該組中的電極可以圍繞傳導(dǎo)層的圓周等間距地間隔開，其中電極以交錯電極組圍繞圓周聯(lián)接。將理解的是，所公開的傳導(dǎo)層和聯(lián)接至傳導(dǎo)層的電極包括聯(lián)接至層的任意數(shù)量的電極組、聯(lián)接至層的任意每組電極數(shù)、聯(lián)接層的任意電極布置、任意數(shù)量的電極、其組合等等，聯(lián)接至EC裝置中的EC膜疊層的相對側(cè)上的不同的傳導(dǎo)層，等等。例如，EC裝置600可以包括聯(lián)接至傳導(dǎo)層604、606的八個電極，在此對于總共四個電極的兩組每組兩個電極聯(lián)接至層604并且圍繞層604的圓周等間距地間隔開，同時對于總共四個電極的兩組每組兩個電極聯(lián)接至層606并且圍繞層606的圓周等間距地間隔開。

在一些實施例中，EC裝置中的傳導(dǎo)層中的一個或多個具有與包括在EC裝置中的EC膜疊層不同的形狀。因此，在一些實施例中，在傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成加熱相同的特定有限區(qū)域的情況下，EC裝置的傳導(dǎo)層可以大于EC裝置的EC膜疊層，使得傳導(dǎo)層延伸超過EC膜疊層的邊界，并且EC膜疊層聯(lián)接至傳導(dǎo)層的有限部分。在一些實施例中，聯(lián)接至EC膜疊層的傳導(dǎo)層的有限部分可以包括傳導(dǎo)層的特定有限區(qū)域中的一些或全部。因此，至少部分地基于對傳導(dǎo)層的一個或多個特定有限區(qū)域的加熱而加熱EC膜疊層的一個或多個區(qū)域可以包括至少部分地基于對傳導(dǎo)層的一個或多個特定區(qū)域的加熱來加熱EC膜疊層的整體。例如，EC裝置600可以包括被結(jié)構(gòu)化成相對于傳導(dǎo)層604的其余區(qū)域選擇性地加熱傳導(dǎo)層604的特定有限區(qū)域的傳導(dǎo)層604，在此傳導(dǎo)層604延伸超過EC膜疊層602的邊界，類似于圖1中的延伸超過EC膜疊層102的層120。因此，傳導(dǎo)層604的特定有限區(qū)域可以與EC膜疊層602的整體對應(yīng)(即，“重疊”)，使得至少部分地基于選擇性地加熱層604的特定有限區(qū)域而加熱EC膜疊層的整體。

圖7A-B示出根據(jù)一些實施例的卵狀EC裝置的分解透視圖，卵狀EC裝置被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于一個傳導(dǎo)層的薄層電阻模式在EC膜疊層的不同區(qū)域中在分離的透射模式之間切換，并且被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱另一個傳導(dǎo)層的對應(yīng)于EC膜疊層區(qū)域中的一個或多個的一個或多個區(qū)域。EC裝置700包括至少EC膜疊層702、位于EC膜疊層702的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層704、706以及被結(jié)構(gòu)化成切換透射水平的分離的EC區(qū)域712-716，使得區(qū)域714與區(qū)域712、716處于不同的透射水平。在一些實施例中，EC裝置700包括在本文其他地方示出和公開的EC裝置的一個或多個部分，包括圖6中示出的EC裝置600。

在一些實施例中，EC裝置被結(jié)構(gòu)化成將EC膜疊層(“EC區(qū)域”)的各個不同的區(qū)域切換至不同的透射水平。某些區(qū)域以至少一定的速度切換透射水平的能力可能比其他區(qū)域的相似能力更重要。因此，EC裝置可被結(jié)構(gòu)化成優(yōu)先加熱某些區(qū)域，這可以導(dǎo)致重要區(qū)域的提高的切換速度和切換均勻性，同時至少部分地減少加熱其他區(qū)域的電能的消耗。在一個傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成實現(xiàn)各個EC區(qū)域的選擇性切換的情況下，另一個傳導(dǎo)層可被結(jié)構(gòu)化成經(jīng)由對各個相應(yīng)的傳導(dǎo)層區(qū)域的選擇性加熱實現(xiàn)各個EC區(qū)域的選擇性加熱。

在至少圖7A的所示實施例中，例如，EC裝置700包括被結(jié)構(gòu)化成在EC區(qū)域的不同的區(qū)域中切換至不同的透射水平的EC膜疊層702。例如，當(dāng)在傳導(dǎo)層704、706之間的疊層702上感應(yīng)出電位差時，EC裝置700可被結(jié)構(gòu)化成將區(qū)域714切換至更低透射水平。在一些實施例中，在各個EC區(qū)域上切換的透射水平的這種變化至少部分地基于傳導(dǎo)層的聯(lián)接至EC膜疊層的一個或多個區(qū)域中的薄層電阻的變化。例如，如圖所示，頂部傳導(dǎo)層706可以包括區(qū)域732-736，區(qū)域732-736各自對應(yīng)于與相應(yīng)的區(qū)域732-736重疊的疊層的區(qū)域712-716中的相應(yīng)的一個。在所示實施例中，區(qū)域734可以比區(qū)域732、736具有更大的薄層電阻，使得當(dāng)分離的凈電壓應(yīng)用于分離的傳導(dǎo)層704、706中的每一個時，區(qū)域714上的電位差大于區(qū)域712、716上的電位差。在一些實施例中，如圖所示，另一個傳導(dǎo)層，底部傳導(dǎo)層704可以包括相應(yīng)的區(qū)域722-726，區(qū)域722-726可以各自對應(yīng)于區(qū)域712-716中的相應(yīng)的重疊組。傳導(dǎo)層704可被結(jié)構(gòu)化成相對于區(qū)域722、726加熱至少特定有限區(qū)域724，以提高至少相應(yīng)的區(qū)域714中的切換速度和均勻性。在一些實施例中，傳導(dǎo)層704中的特定有限區(qū)域涵蓋包括區(qū)域714、716的多個區(qū)域。在一些實施例中，傳導(dǎo)層704被結(jié)構(gòu)化成貫穿層的各個區(qū)域722-726具有共同薄層電阻，使得層704被結(jié)構(gòu)化成在整個區(qū)域722-726上被均勻地加熱以執(zhí)行層702的各個區(qū)域的加熱。

在上述例子中，頂部傳導(dǎo)層706被表征為被結(jié)構(gòu)化成使得各個EC膜疊層區(qū)域在不同組的透射水平之間切換，以使得EC膜疊層在分離的透射模式之間切換的傳導(dǎo)層，同時底部傳導(dǎo)層704被表征為被結(jié)構(gòu)化成在一個或多個特定有限區(qū)域中選擇性地加熱以加熱EC膜疊層的一個或多個區(qū)域的傳導(dǎo)層。將理解的是，頂部傳導(dǎo)層可被結(jié)構(gòu)化成在特定有限區(qū)域中被選擇性地加熱，底部傳導(dǎo)層可被結(jié)構(gòu)化成使得EC膜疊層在分離的透射模式之間切換，其一些組合等等。

在一些實施例中，EC裝置700被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于EC膜疊層702的特性的變化使區(qū)域712-716切換至不同的透射水平，而非基于傳導(dǎo)層704、706的特性的變化。例如，區(qū)域714中的離子遷移率可以大于區(qū)域712、716的離子遷移率，由此將區(qū)域714結(jié)構(gòu)化成切換至比在層702上感應(yīng)出電位差的區(qū)域712、716更低的透射水平。在這些實施例中，傳導(dǎo)層704、706中的一個或多個可被結(jié)構(gòu)化成加熱一個或多個區(qū)域，包括對應(yīng)于EC區(qū)域712-716中的一個或多個的一個或多個區(qū)域。

在一些實施例中，區(qū)域724是特定環(huán)形EC區(qū)域，特定環(huán)形EC區(qū)域包括具有大于至少傳導(dǎo)層區(qū)域722的薄層電阻的薄層電阻的傳導(dǎo)層區(qū)域。另外，內(nèi)部環(huán)形區(qū)域726可以包括具有比區(qū)域724更低的薄層電阻的傳導(dǎo)層區(qū)域。因此，至少部分地由于電極可被聯(lián)接區(qū)域722，電流在通過區(qū)域724分配之前至少部分地基于區(qū)域724中相對于區(qū)域722的傳導(dǎo)層的增大的薄層電阻通過區(qū)域722分配。因此，相對于如果區(qū)域724包括具有小于區(qū)域722的薄層電阻的薄層電阻的傳導(dǎo)層區(qū)域，從區(qū)域722至區(qū)域724以及從區(qū)域724至內(nèi)部區(qū)域726中的一個或多個的電流分布的均勻性增大。

在一個例子中，區(qū)域724包括具有大約500歐/mm²的薄層電阻的傳導(dǎo)層區(qū)域，區(qū)域722包括具有大約50歐/mm²的薄層電阻的傳導(dǎo)層區(qū)域。圍繞區(qū)域724的外部邊界的較低的薄層電阻使得低薄層電阻區(qū)域722能夠更加均勻地分配來自電極的電流，這是由于高電阻區(qū)域724提供對于EC裝置700的電流限制。因此，可以包括一個或多個總線的電極可以在不影響切換速度或均勻性的情況下遠離區(qū)域724定位。另外，EC裝置700中的位差將跨過高薄層電阻環(huán)形區(qū)域724，因此施加至短路的電壓曲線的寬度可以通過改變環(huán)形區(qū)域724的尺寸來進行調(diào)整。

在一些實施例中，EC裝置中的傳導(dǎo)層中的一個或多個具有與包括在EC裝置中的EC膜疊層不同的形狀。因此，在一些實施例中，在傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成加熱相同的特定有限區(qū)域的情況下，EC裝置的傳導(dǎo)層可以大于EC裝置的EC膜疊層，使得傳導(dǎo)層延伸超過EC膜疊層的邊界，并且EC膜疊層聯(lián)接至傳導(dǎo)層的有限部分。在一些實施例中，聯(lián)接至EC膜疊層的傳導(dǎo)層的有限部分可以包括傳導(dǎo)層的特定有限區(qū)域中的一些或全部。因此，至少部分地基于對傳導(dǎo)層的一個或多個特定有限區(qū)域的加熱而加熱EC膜疊層的一個或多個區(qū)域可以包括至少部分地基于對傳導(dǎo)層的一個或多個特定有限區(qū)域的加熱來加熱EC膜疊層的整體。例如，在圖7B的所示實施例中，EC裝置750包括被結(jié)構(gòu)化成包括傳導(dǎo)層760的特定有限區(qū)域764的傳導(dǎo)層760，特定有限區(qū)域764被結(jié)構(gòu)化成相對于傳導(dǎo)層760的其余區(qū)域762選擇性地加熱，在此傳導(dǎo)層760延伸超過EC膜疊層702的邊界，類似于圖1中的延伸超過EC膜疊層102的層120。因此，傳導(dǎo)層760的特定有限區(qū)域764可以與EC膜疊層702的整體對應(yīng)(即，“重疊”)，同時區(qū)域762可以延伸超過EC膜疊層702的邊緣，使得區(qū)域762不與疊層702的任何部分重疊，使得至少部分地基于選擇性地加熱層760的特定有限區(qū)域764加熱EC膜疊層702的整體。如本文所述，在一些實施例中，層760是包括在EC裝置700中并且通過一個或多個層與EC裝置700中的EC膜疊層702分離的層，在此一個或多個層可以包括層704以及一個或多個中間層。

圖8A-D示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層的位于兩個傳導(dǎo)層之間的電氣短路的EC裝置。EC裝置800包括至少EC膜疊層802、位于EC膜疊層802的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層804、806、EC膜疊層802的電氣短路808以及聯(lián)接至分離的傳導(dǎo)層的分離的電極組810A-B、812A-B。在一些實施例中，EC裝置800包括在本文其他地方示出和公開的EC裝置的一個或多個部分中，包括圖6中示出的EC裝置600、圖7A中示出的裝置700、圖7B中示出的裝置750等等。

在一些實施例中，EC裝置包括至少EC膜疊層的電氣短路。這種電氣短路可以出于一個或多個不同的理由包括在EC裝置中，包括當(dāng)在EC膜疊層上感應(yīng)出電位差時使EC裝置能夠切換至一個或多個透射模式。在一些實施例中，本文中也簡單稱為“短路”的電氣短路可被用于實現(xiàn)對EC膜疊層的一個或多個區(qū)域的加熱。特別地，短路可被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于流過短路的電流將一個或多個EC區(qū)域的溫度保持在升高的溫度下，使得一個或多個EC區(qū)域被結(jié)構(gòu)化成比在不保持升高的溫度時更加快速地切換透射水平。在一些實施例中，通過流過短路的電流，所述短路被結(jié)構(gòu)化成最小化功率耗損，能夠經(jīng)由對包括在EC裝置中的一個或多個傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域的加熱而加熱EC膜疊層。

在所示實施例中，EC裝置800包括EC膜疊層802、位于EC膜疊層802的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層804、806以及通過EC膜疊層802的電氣短路808。如圖所示，EC裝置800的一些實施例可以包括通過EC膜疊層802的中心的短路808。分離的電極組810A-B、812A-B聯(lián)接至分離的傳導(dǎo)層?？梢栽贓C膜疊層802上感應(yīng)出電位差，由此至少部分地基于與不同的傳導(dǎo)層804、806的不同的凈電壓經(jīng)由與傳導(dǎo)層聯(lián)接的分離的電極組使得EC膜疊層802的各個區(qū)域814-816切換透射水平。如上所述，可以至少部分地基于通過聯(lián)接至相同傳導(dǎo)層的兩個或更多個電極之間的給定一個或多個傳導(dǎo)層感應(yīng)出的電流，加熱傳導(dǎo)層中的一個或多個的一個或多個區(qū)域。這種電流可以是交流電流、直流電流等等。

在一些實施例中，電氣短路在EC膜疊層中的存在導(dǎo)致當(dāng)在兩個傳導(dǎo)層之間感應(yīng)出電位差時EC膜疊層切換至一個或多個特定透射模式。例如，在傳導(dǎo)層804、806之間感應(yīng)出電位差的情況下，傳導(dǎo)層804、806可以包括通過短路808的電流，EC膜疊層802可被從均勻透射水平切換至透射水平作為從短路808至EC膜疊層802的外緣的距離的函數(shù)指數(shù)地改變的透射模式。在一些實施例中，傳導(dǎo)層中的一個或多個包括具有不同薄層電阻的不同區(qū)域，以使EC膜疊層結(jié)構(gòu)化成相對于短路從均勻透射狀態(tài)切換至特定模式。例如，在圖示實施例中，傳導(dǎo)層804包括區(qū)域817A-B以及819A-B，在此區(qū)域817A-B包括比區(qū)域819A-B更大的薄層電阻。因此，當(dāng)不同的電壓施加至各個電極810A-B、812A-B時，至少部分地基于相應(yīng)的傳導(dǎo)層區(qū)域817A-B相對于區(qū)域819A-B的更大的薄層電阻，相應(yīng)的EC膜疊層區(qū)域814A-B上的電位差可以大于區(qū)域816A-B上的電位差。

在一些實施例中，EC膜疊層的電氣短路可被結(jié)構(gòu)化成實現(xiàn)對EC膜疊層的至少一部分的加熱。這種加熱可以至少部分地基于EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層之間的短路上的電流。例如，在所示實施例中，短路808可被結(jié)構(gòu)化成當(dāng)在傳導(dǎo)層804、806之間感應(yīng)出電位差時使得足夠的電流流過短路808，以產(chǎn)生可被傳遞至EC膜疊層802的至少一部分的熱。該部分可以包括EC膜疊層802的鄰近短路808的區(qū)域814A-B，而疊層802的其余區(qū)域816A-B可能不接收來自短路808的熱。

在一些實施例中，包括EC膜疊層的短路的EC裝置被結(jié)構(gòu)化成實現(xiàn)EC裝置的一個或多個部分的兩種或更多種加熱模式。在一種加熱模式中，在包括在EC裝置中的一個或多個傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域上感應(yīng)出電位差，以至少部分地基于在電位差基礎(chǔ)上對傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域的加熱，執(zhí)行對EC膜疊層的一個或多個區(qū)域的加熱。這種傳導(dǎo)層可以與包括短路的EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層分離。在另一個加熱模式中，短路至少部分地基于由通過短路的電流消耗的功率加熱EC膜疊層的一個或多個區(qū)域。兩種加熱模式可以提供不同量和類型的加熱。例如，傳導(dǎo)層可被加熱以將EC膜疊層的一個或多個區(qū)域從初始溫度加熱至目標溫度。這種加熱可以在本文中稱為“初始加熱”。在另一個例子中，短路可被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于由通過短路的電流消耗的功率將熱傳遞至EC膜疊層的一個或多個區(qū)域，以在一定時間段內(nèi)保持一個或多個EC膜疊層區(qū)域的目標溫度。這種加熱在此可稱為“保持加熱”。

在一些實施例中，通過其感應(yīng)出電位差以執(zhí)行初始加熱的傳導(dǎo)層通過可以包括絕緣層的一個或多個中間層與EC膜疊層分離，使得層上的電位差不被EC膜疊層的電氣短路所短路。

在一些實施例中，EC裝置包括被結(jié)構(gòu)化成用于經(jīng)由由電氣短路消耗的功率加熱一個或多個特定區(qū)域的傳導(dǎo)層和被結(jié)構(gòu)化成使得EC膜疊層在分離的透射模式之間切換的另一個傳導(dǎo)層。在一些實施例中，傳導(dǎo)層中的一個或多個被結(jié)構(gòu)化成限制通過電氣短路的電流以保持在一個或多個閾值極限內(nèi)。這種傳導(dǎo)層可以包括具有與第二傳導(dǎo)層的相應(yīng)的(即“重疊”)區(qū)域不同的薄層電阻的區(qū)域。例如，在所示實施例中，傳導(dǎo)層806可以具有大約100歐/mm²的薄層電阻；當(dāng)在層802上以及通過短路808感應(yīng)出大約3.6伏的電位差時，大約35毫安(mA)的電流可以平行于(“跨過”)層806流動，這可以引起對層806的一個或多個區(qū)域的加熱以及可以進一步導(dǎo)致在大約0.5秒的經(jīng)過時間內(nèi)將EC膜疊層區(qū)域814-816加熱大約20開氏度。另外，傳導(dǎo)層804可以包括具有大約1200歐/mm²的薄層電阻的至少一個區(qū)域817A-B；使得當(dāng)層802上的位差為大約3.6伏時，通過短路808的電流被限制為大約4mA，這可以足以通過由4mA電流消耗的功率產(chǎn)生熱，4mA電流可以從短路808通過EC膜疊層802徑向地傳遞。這種加熱可以在中止初始加熱時保持EC膜疊層802的一個或多個區(qū)域的升高的溫度。在一些實施例中，比層806的一個或多個區(qū)域具有更大薄層電阻的區(qū)域817A-B也具有比區(qū)域819A-B更大的薄層電阻，區(qū)域817A-B可被結(jié)構(gòu)化成對應(yīng)于EC膜疊層可被切換至的特定透射模式。因此，傳導(dǎo)層806可被結(jié)構(gòu)化成在一個或多個特定有限區(qū)域中被加熱，傳導(dǎo)層804可以經(jīng)由改變各個傳導(dǎo)層區(qū)域817、819中的薄層電阻被結(jié)構(gòu)化成管理通過電氣短路808的電流，以經(jīng)由由通過短路的電流消耗的功率保持在與保持加熱有關(guān)的一個或多個閾值內(nèi)。另外，層806可被結(jié)構(gòu)化成管理當(dāng)在EC膜疊層802上感應(yīng)出位差時EC膜疊層在其之間切換的分離的透射模式，使得不同的EC膜疊層區(qū)域816、814切換至不同的透射水平。在一些實施例中，一個傳導(dǎo)層被結(jié)構(gòu)化成獨立于對另一個傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域的加熱管理通過EC膜疊層的電氣短路的電流。

在一些實施例中，短路808被結(jié)構(gòu)化成最小化由通過短路的電流消耗的功率，這可以通過最小化能量損失以及保持EC膜疊層的透射模式來優(yōu)化切換性能。在一些實施例中，短路808被結(jié)構(gòu)化成使得消耗的功率提供足夠的熱以保持EC膜疊層的至少一部分的目標溫度，同時在層802上感應(yīng)出電位差以保持EC膜疊層802的切換狀態(tài)。因此，在短路808被結(jié)構(gòu)化成在切換期間保持EC膜疊層的目標溫度的情況下，通過一個或多個傳導(dǎo)層、熱源等等的初始加熱可以在切換操作期間中止，在切換操作期間通過短路的電流損耗可以保持經(jīng)由初始加熱實現(xiàn)的目標溫度，由此通過利用由通過短路的電流消耗的功率保存對于EC裝置消耗的電能，以保持EC膜疊層溫度以及放棄在切換操作期間繼續(xù)加熱傳導(dǎo)層區(qū)域的需求。

在一些實施例中，EC裝置中的分離的傳導(dǎo)層基于切換性能或加熱性能被獨立地結(jié)構(gòu)化。例如，層804可被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于具有不同的薄層電阻的層804的各個相應(yīng)區(qū)域817A-B、819A-B選擇性地切換EC膜疊層802的各個區(qū)域，以使得EC膜疊層的相應(yīng)區(qū)域上的電位差可以至少部分地基于對傳導(dǎo)層的薄層電阻的改變而變化。層804的這些區(qū)域之一可以包括具有比其他區(qū)域更大的薄層電阻的環(huán)形區(qū)域。這種環(huán)形高電阻區(qū)域可以至少部分地減輕由傳導(dǎo)層804、806的各個區(qū)域之間的薄層電阻失配所引起的切換均勻性問題。另外，層806可被結(jié)構(gòu)化成包括不同的區(qū)域組，一些區(qū)域具有與其他區(qū)域不同的薄層電阻，以使層806結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱傳導(dǎo)層的特定有限部分。在一些實施例中，層806包括貫穿該層的均勻薄層電阻。

在一些實施例中，EC裝置限制為兩個電極。分離的電極可以聯(lián)接至分離的傳導(dǎo)層。例如，裝置800可以限制至電極810B和812B，在此分離的單個電極聯(lián)接至分離的層804、806。

在一些實施例中，聯(lián)接至裝置800的分離的層的電極聯(lián)接至一組一個或多個電源，一個或多個電源可以引導(dǎo)裝置的短路808上的AC信號以感應(yīng)加熱裝置的一個或多個部分。在一些實施例中，電極聯(lián)接至一組一個或多個電源，一個或多個電源可以引導(dǎo)DC信號通過裝置以感應(yīng)裝置800的一個或多個部分的透射狀態(tài)切換。在一些實施例中，電極聯(lián)接至一組一個或多個電源，一個或多個電源可以同時引導(dǎo)DC信號和AC信號通過裝置800的一個或多個部分，使得可以經(jīng)由AC信號加熱裝置，同時經(jīng)由DC信號切換裝置800的一個或多個部分的透射狀態(tài)。

電源中的至少一個可以包括DC分量和AC分量兩者。因此，電源中的至少一個可以在一組電極的每個電極中感應(yīng)特定電壓，特定電壓以足夠高的頻率切換極性以基于在電極之間以及在短路808上感應(yīng)出的AC電位差阻止EC膜疊層802切換透射狀態(tài)。短路808上的這種交變電位差能夠至少部分地基于層的一個或多個特性引起對層802的一個或多個區(qū)域的加熱，層的一個或多個特性包括包含在層中的一種或多種材料物質(zhì)的電阻率、層的幾何結(jié)構(gòu)、電極在層中的布置等等。另外，傳導(dǎo)層處的至少部分地基于高頻率交流電流的凈電壓可以是恒定電壓，以及層上的凈電流可被忽略。

聯(lián)接至裝置800的一個或多個電源組可以感應(yīng)聯(lián)接至一個或多個電源的分離的電極之間的恒定凈壓差，引起每個分離的電極組聯(lián)接其上的分離的傳導(dǎo)層之間的電位差，這可以使得EC膜疊層的一個或多個區(qū)域在分離的透射模式之間切換。

在向電極以及如此向傳導(dǎo)層804、806中的一個或多個施加的凈電壓是凈恒定電壓時，至少一個電源可以進一步經(jīng)由切換施加至聯(lián)接到層的電極組的電壓的極性感應(yīng)通過一個或多個層的交流電流。如上所述，切換頻率可以足夠大以阻止EC膜疊層802對層上的瞬時電位差做出響應(yīng)。因此，盡管根據(jù)交流電流信號改變瞬時電位差，EC膜疊層802對作為恒定凈電壓的一個或多個層的凈電壓做出響應(yīng)。

在一些實施例中，可以在包括在裝置800中的短路808上施加AC信號，AC信號的頻率可以足夠大以阻止透射狀態(tài)由于AC信號而在層802中切換。在一些實施例中，AC信號的足夠大的頻率可以包括超過100Hz的頻率。因此，裝置800的一個或多個部分可以由于在短路808上具有足夠大的頻率以減輕透射狀態(tài)切換的AC信號而被加熱，同時由于DC信號而在層804、806之間的凈電壓差由于DC信號與AC信號同時穿過短路808而可以導(dǎo)致透射狀態(tài)被控制，包括被切換、保持等等。

在一些實施例中，EC裝置包括諧振電路，在此也稱為LC電路，諧振電路通過被構(gòu)造成加熱裝置的至少一部分的EC裝置電氣地聯(lián)接至AC電路?？梢园姎獾芈?lián)接至電路中的電容器的電感器的LC電路可以包括在AC電路中，AC信號可以經(jīng)由AC電路穿過EC裝置的至少一部分。LC電路可以將AC電路頻率“調(diào)諧”至共振頻率，共振頻率導(dǎo)致瞬時電壓的增大并且因此導(dǎo)致由通過EC裝置的至少一部分的AC電流(在此也稱為AC信號)感應(yīng)出的電流的增大。由于AC信號的瞬時電壓的增大，LC電路可以導(dǎo)致對EC裝置的加熱增強。

在一些實施例中，短路808被結(jié)構(gòu)化成用于各種加熱模式之一。例如，在EC裝置808被結(jié)構(gòu)化成偶爾切換時，EC裝置可被結(jié)構(gòu)化成僅執(zhí)行初始加熱。因此，短路可被結(jié)構(gòu)化成優(yōu)化切換性能以及最小化由通過短路的電流的功率耗損。在另一個例子中，在EC裝置808被結(jié)構(gòu)化成經(jīng)常切換或即刻切換時，EC裝置可被結(jié)構(gòu)化成執(zhí)行至少保持加熱。因此，短路808可被結(jié)構(gòu)化成提供由通過短路808的電流消耗的至少一定預(yù)定量的功率，以在分離的透射模式之間的EC膜疊層的切換之間加熱EC膜疊層802的一個或多個區(qū)域，包括鄰近短路808的區(qū)域814A-B。

在一些實施例中，不包括短路的EC裝置包括各自被結(jié)構(gòu)化成執(zhí)行初始加熱或保持加熱中的分離的一個的分離的傳導(dǎo)層。例如，在不存在短路808的情況下的EC裝置800可以包括傳導(dǎo)層804，傳導(dǎo)層804被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于電極810A-B之間的電勢提供初始加熱以將EC膜疊層802的至少一些加熱至目標溫度，同時層806可被結(jié)構(gòu)化成提供保持加熱以至少部分地基于電極812A-B之間的電位差保持EC膜疊層802的目標溫度。在一些實施例中，初始加熱可以利用不同的電極設(shè)計實施。例如，用于加熱的電流可以是DC或AC。

在一些實施例中，EC裝置800包括被構(gòu)造成加熱EC裝置的一個或多個部分的層。層在本文中可以稱為加熱層。在一些實施例中，加熱層包括EC裝置的可以與傳導(dǎo)層分離的傳導(dǎo)層，傳導(dǎo)層被構(gòu)造成便于透射狀態(tài)切換。

加熱層可以經(jīng)由至少一個電容器電氣地聯(lián)接至電源。如圖8C所示，包括在EC裝置800中的電極811A可以經(jīng)由包括電容器875的電路872電氣地聯(lián)接至電源870。電容器可以阻止來源于電源870的DC信號通過電路872到達電極811A，同時通過電源870產(chǎn)生的AC信號可以穿過電路872到達EC裝置800聯(lián)接至電極811A的一部分，EC裝置800的一部分可以包括加熱層。因此，在電源870處產(chǎn)生的AC信號，包括足夠大以便于加熱EC裝置800的一個或多個部分的頻率，可以穿過電路872和電極，同時能夠通過電容器875阻止DC信號穿過電路872和電極811A，同時DC信號可以經(jīng)由并聯(lián)電路874和電極811B進入裝置800的至少一個部分內(nèi)，裝置800的至少一個部分可以與裝置的AC信號經(jīng)由電路872和電極811A穿過的部分分離。因此，可以阻止DC信號影響AC信號所穿過的加熱層。

DC信號所穿過的電路可以包括裝置800中的電氣短路808。因此，EC裝置800可以包括基于通過短路808的電阻的高電阻電路，DC信號可以經(jīng)由電極811B、811D穿過高電阻電路。AC信號在裝置800中穿過的電路相對于DC信號穿過的電路可以是相對低電阻電路，使得當(dāng)由電源870產(chǎn)生AC信號時電容器消耗功率。通過短路808的電阻可以增大，使得能夠減小用于產(chǎn)生切換透射模式的DC信號的電能。

在一些實施例中，電容器875、電路872、874以及EC裝置800包括在經(jīng)由電路876、878和電極811C-D聯(lián)接至電源870的共用裝置801中，使得電源870經(jīng)由兩個電極811C、811D聯(lián)接至裝置801，電路874、872可以經(jīng)由電路878和電極811D與電源870并聯(lián)聯(lián)接，電容器875可以阻止經(jīng)由電路878和電極811D從電源870傳遞的DC信號穿過電路872和電極811A流入EC裝置800的特定部分內(nèi)。

在一些實施例中，EC裝置800聯(lián)接至被構(gòu)造成加熱EC裝置800的一個或多個部分的分離的部件880。部件880可以稱為加熱元件并且可以與EC裝置800并聯(lián)地電氣聯(lián)接，如圖8D所示。EC裝置800可被構(gòu)造成最小化通過裝置中的電氣短路808的電流。加熱元件880可以包括能夠沿著EC裝置800的一個或多個側(cè)面延伸的另外的傳導(dǎo)層，EC裝置800的一個或多個側(cè)面包括基板的聯(lián)接至EC裝置800的一個或多個側(cè)面。如圖8D所示，加熱元件880可以經(jīng)由電極881A和電路872聯(lián)接至電容器875，元件880可以經(jīng)由電極881A-B和電路876、878、872、874與EC裝置800并聯(lián)地聯(lián)接至電源870?？梢栽贏C信號由電源870產(chǎn)生并且穿過元件880時實現(xiàn)經(jīng)由通過加熱元件880的AC信號對EC裝置800的一個或多個部分的加熱?？梢栽谂cAC信號同時產(chǎn)生DC信號時獨立于AC信號等等在EC裝置中出現(xiàn)透射狀態(tài)切換，DC信號穿過裝置800并且被電容器875阻止穿過元件880。

在至少圖6的所示實施例中，電極示出為每個傳導(dǎo)層上的對稱總線組，在此電極與至少一個特定EC區(qū)域614均勻間隔開。將理解的是，在一些實施例中，電極的結(jié)構(gòu)和布置是不對稱的，電極可以相對于一個或多個EC區(qū)域不均勻地布置。例如，聯(lián)接至傳導(dǎo)層的一組電極的數(shù)目可以為奇數(shù)(例如三個電極)。在奇數(shù)個電極(例如總線)聯(lián)接至傳導(dǎo)層的情況下，可以至少部分地基于被結(jié)構(gòu)化成在不同極性之間切換以使流過層的電流均勻的組中的電極實現(xiàn)對傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域的均勻加熱。在另一個示例中，一些電極為不對稱形狀。

圖9A-C示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層、位于EC膜疊層的相對側(cè)上的相鄰傳導(dǎo)層和經(jīng)由絕緣層聯(lián)接至相鄰傳導(dǎo)層之一的分離的傳導(dǎo)層的EC裝置。EC裝置900包括EC疊層910，EC疊層910具有EC膜疊層914和位于EC膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層912、916，EC疊層經(jīng)由至少一個中間層920聯(lián)接至一個或多個基板640、950和分離的傳導(dǎo)層930。在一些實施例中，EC裝置900包括在本文其他地方示出和公開的EC裝置的一個或多個部分中，包括圖2中示出的EC裝置200、圖6中示出的EC裝置600等等。在一些實施例中，中間層920包括一個或多個絕緣層、粘合層、封裝層、防反射層、紅外截止濾光層、遮蔽層、其一些組合等等。在一些實施例中，EC裝置900包括位于加熱層、基板、EC疊層、其一些組合等等中的兩者或更多者之間的多個中間層920。

在一些實施例中，EC裝置被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于對傳導(dǎo)層的通過一個或多個中間層與EC疊層分離的一個或多個特定有限區(qū)域的選擇性加熱來加熱EC膜疊層的一個或多個區(qū)域。這種在此還稱為“分離的”傳導(dǎo)層、“加熱層”等等的傳導(dǎo)層可被結(jié)構(gòu)化成在一個或多個區(qū)域中產(chǎn)生熱，熱經(jīng)由一個或多個中間層傳遞至EC疊層以加熱EC膜疊層的一個或多個區(qū)域。

如所示實施例中所示，EC裝置可以包括不同布置的層，包括EC疊層、加熱層、中間層、基板等等。例如，在圖9A中，加熱層930聯(lián)接至基板940，中間層920聯(lián)接至基板940的相對側(cè)上的加熱層930，EC疊層910聯(lián)接至中間層920。將理解的是，在加熱層930定位在EC疊層910與基板之間的一些實施例中，比如圖9A所示，一個或多個中間層可以定位在加熱層930與基板940之間。在一些實施例中，加熱層930定位在基板940的與EC疊層910的相對側(cè)上。在一些實施例中，如本文中所述，基板是加熱層，使得在EC裝置中不具有與基板分離的加熱層。相反地，在圖9B中，EC疊層910聯(lián)接至基板940，中間層920聯(lián)接至EC疊層910，加熱層930聯(lián)接至中間層920。如本文中所述，層的聯(lián)接可以包括在另一層的頂部上沉積一層。如圖9C所示，各個層910-930可以定位在兩個或更多個基板之間。特別地，圖9C示出聯(lián)接至基板940的EC疊層910、聯(lián)接至EC疊層910的中間層920、聯(lián)接至中間層920的加熱層930以及聯(lián)接至加熱層930的基板950。

在一些實施例中，包括被結(jié)構(gòu)化成相對于傳導(dǎo)層的其余區(qū)域被加熱的特定有限區(qū)域的傳導(dǎo)層可以包括EC裝置的基板層。例如，在圖9B中，加熱層930可以包括基板，基板包括被結(jié)構(gòu)化成相對于基板的其余區(qū)域被加熱的特定有限區(qū)域。在另一個例子中，圖9A，EC裝置900的加熱層可以是基板940，在此基板940被結(jié)構(gòu)化成包括特定有限區(qū)域，特定有限區(qū)域被結(jié)構(gòu)化成相對于基板的其余區(qū)域被加熱，以及在此EC裝置900中不具有分離的加熱層930。如本文所述，基板可以包括不同的材料中的一種或多種。在一些實施例中，基板包括透明或反射材料中的一種或多種，包括能夠反射至少一個波長的電磁光譜的材料。基板可以包括一種或多種不同的透明材料，包括一種或多種玻璃、晶體材料、聚合物材料等等。晶體材料可以包括藍寶石、鍺、硅等等。聚合物材料可以包括PC、PMMA、PET等等。包括在EC裝置中的基板，包括被結(jié)構(gòu)化成在相對于其一個或多個其余區(qū)域的一個或多個特定有限區(qū)域中被選擇性地加熱的基板，可以包括在其不同的區(qū)域中具有不同的電導(dǎo)率的不同的玻璃。例如，基板可以包括硼硅玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、其一些組合等等中的一個或多個?；蹇梢跃哂幸粋€或多個不同的厚度。例如，基板可以具有1微米至數(shù)百微米厚(包括端點)之間的一個或多個厚度。EC裝置層的一部分的厚度，包括基板層，可以與和該部分相關(guān)的電導(dǎo)率、電阻等等中的一者或多者有關(guān)。層的厚度可以在層上變化以使該層結(jié)構(gòu)化成具有在層上與改變的厚度一致地變化的電導(dǎo)率、電阻等等?；蹇梢园ㄒ环N或多種熱回火材料、化學(xué)回火材料等等。例如，基板可以包括GORILLA GLASS^TM?；蹇梢园ň哂幸环N或多種不同的熱膨脹系數(shù)的材料?；蹇梢园↖GU、TGU、層板、整體基板等等中的一者或多者?；蹇梢猿虼上竦膶ο蟊诚蚱渲邪‥C裝置的攝像機裝置。在一些實施例中，基板的與其上包括EC裝置的表面相對的表面暴露于攝像機裝置外部的周圍環(huán)境。EC裝置可以包括各種層，包括一個或多個傳導(dǎo)層、EC堆疊層等等，如本公開的其它地方所討論的。

II.利用基板的受控電致變色加熱

圖10示出根據(jù)一些實施例包括EC膜疊層、位于EC膜疊層的相對側(cè)上的相鄰傳導(dǎo)層和聯(lián)接至熱源并且被結(jié)構(gòu)化成加熱EC膜疊層中的一些或全部的基板的EC裝置。EC裝置1000包括EC疊層1010、被結(jié)構(gòu)化成在EC疊層1010的相鄰表面上均勻地分配所接收的熱的熱傳導(dǎo)層1020以及被結(jié)構(gòu)化成將熱1050釋放到待均勻分配的熱傳導(dǎo)層1030內(nèi)的熱源1030。EC裝置1000可以包括在本文中其他地方示出的一個或多個不同的EC裝置中，包括EC裝置900，圖9所示。

在一些實施例中，EC裝置包括與EC疊層分離的加熱層，加熱層包括被結(jié)構(gòu)化成在EC疊層的相鄰表面上均勻地分配熱的熱傳導(dǎo)層，EC疊層的相鄰表面包括在EC疊層中包括的傳導(dǎo)層的相鄰表面?？梢园ɑ宓臒醾鲗?dǎo)層可以從一個或多個不同的熱源接收熱并且均勻地分配所接收的熱。在一些實施例中，在EC裝置1000包括在具有熱源的裝置中的情況下，EC裝置可以經(jīng)由一個或多個粘合層、熱傳導(dǎo)層等等熱聯(lián)接至熱源，以將裝置結(jié)構(gòu)化成將來自熱源的熱傳遞至層1020。在一些實施例中，專用熱源聯(lián)接至層1020，在此熱源被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于供給至熱源的電能向?qū)?020內(nèi)釋放熱。這種熱源可以包括熱電熱傳遞裝置、熱泵裝置等等。

在所示實施例中，例如，EC裝置1000包括被結(jié)構(gòu)化成經(jīng)由電源1040接收電流的熱電熱傳遞裝置1030，在此裝置1030被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于由電源1040供給的電流釋放熱。在所示實施例中，裝置1030聯(lián)接至層1020并且被結(jié)構(gòu)化成向?qū)?020內(nèi)釋放熱，在此層1020可以貫穿層1020均勻地分配1050所述熱，以將熱1050均勻地傳遞至EC疊層1010。

在一些實施例中，EC裝置1000包括位于熱傳導(dǎo)層與EC疊層之間的一個或多個中間層。如上所述，這些中間層可以包括絕緣層、粘合層、防反射層、紅外截止濾光層、遮蔽層、其一些組合等等。

III.電致變色裝置加熱控制系統(tǒng)

圖11A-C示出根據(jù)一些實施例包括EC裝置和控制系統(tǒng)的終端用戶裝置，控制系統(tǒng)被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于與和終端用戶裝置的終端用戶交互相關(guān)的觸發(fā)事件控制EC裝置的加熱。

在一些實施例中，對EC裝置的一個或多個區(qū)域的加熱經(jīng)由各種方法和系統(tǒng)進行控制。這些方法和系統(tǒng)可以包括向EC裝置的各個電極手動控制地施加電壓，在此操作人員手動地調(diào)整一個或多個部件以手動地調(diào)整施加至電極的電壓。這些方法和系統(tǒng)可以包括自動地控制向EC裝置的各個電極施加的電壓。這種自動控制可以包括可以通過一個或多個計算機系統(tǒng)實施的控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)控制電壓的判定以施加至EC裝置電極，確定是否向EC裝置電極施加電壓，生成指令信號以施加電壓或停止向各個電極施加電壓，其一些組合等等。

在一些實施例中，EC裝置包括在終端用戶裝置中并且被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于與終端用戶裝置相關(guān)的一個或多個觸發(fā)事件選擇性地切換透射模式。終端用戶裝置可以包括控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)可以通過一個或多個計算機系統(tǒng)實施并且可以選擇性地控制供給到EC裝置的一個或多個部分的功率，從而至少部分地基于一個或多個觸發(fā)事件控制透射模式切換。觸發(fā)事件可以包括與終端用戶裝置的一些用戶觸發(fā)交互、關(guān)于終端用戶裝置的一個或多個部分的狀態(tài)做出的一個或多個判定等等。

在一些實施例中，終端用戶裝置包括控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于一個或多個觸發(fā)事件選擇性地控制對終端用戶裝置中的EC裝置的一個或多個區(qū)域的加熱。例如，在EC裝置包括在終端用戶裝置中的攝像機裝置的攝像機光圈中的情況下，控制系統(tǒng)可以至少部分地基于表明迫切使用攝像機裝置、圖像通過攝像機裝置捕獲等等的觸發(fā)事件選擇性地控制對EC裝置的加熱。

圖11A-B示出終端用戶裝置1100的外部透視圖，終端用戶裝置1100包括用戶接口1104和位于裝置殼體1102中的EC裝置1106。在一些實施例中，終端用戶裝置1100包括一個或多個計算機系統(tǒng)，計算機系統(tǒng)包括智能電話裝置、攝像機裝置、平板電腦裝置、膝上計算機等等。用戶接口1104可以包括圖形用戶界面顯示器，包括觸屏顯示器。

在一些實施例中，終端用戶裝置1100包括終端用戶可以經(jīng)由與接口1106的交互控制的攝像機裝置，在此EC裝置1106包括在攝像機裝置的攝像機光圈中并且可以在透射狀態(tài)之間切換以控制攝像機裝置操作和捕獲的圖像質(zhì)量。另外，EC裝置1106可以基于與攝像機裝置有關(guān)的各個觸發(fā)事件被選擇性地加熱。觸發(fā)事件可以包括某些閾值溫度以上或以下的環(huán)境溫度、與接口1104交互以激活攝像機裝置(例如激活攝像機模式)的用戶、與接口1104交互以經(jīng)由攝像機裝置捕獲圖像的用戶等等。

圖11C示出包括接口裝置1104和包含在攝像機裝置1110中的EC裝置1106的終端用戶裝置1100的示意圖。終端用戶裝置1100還包括控制系統(tǒng)1112，控制系統(tǒng)1112可以至少部分地通過一個或多個計算機系統(tǒng)實施。終端用戶裝置1100還包括可以包含電池的電源1108、來自外部電源的電力饋電、其一些組合等等，在此電源1108被結(jié)構(gòu)化成向攝像機裝置1110中的至少EC裝置1104分配電能。如圖所示，控制系統(tǒng)112可以與接口1104、電源1114和攝像機裝置1110中的一個或多個部分交互。例如，控制系統(tǒng)112可以從攝像機裝置1110接收表明EC裝置1106中的EC膜疊層的至少一部分的溫度的EC裝置溫度數(shù)據(jù)。另外，控制裝置1112可以命令攝像機裝置1110捕獲圖像，并且可以捕獲攝像機裝置或電源中的一者或多者以切換EC裝置1106的透射模式、加熱EC裝置1106中的一個或多個區(qū)域等等。在一些實施例中，控制系統(tǒng)1112可以經(jīng)由接口1104接收來自用戶的指令，包括激活攝像機裝置1110、經(jīng)由攝像機裝置1110捕獲圖像的指令等等。基于此類指令、來自攝像機裝置1110的數(shù)據(jù)等等，控制系統(tǒng)1112可以確定觸發(fā)事件已經(jīng)發(fā)生，在此控制系統(tǒng)1112通過命令攝像機裝置1110、電源1114等等中的一個或多個響應(yīng)于這種判定以選擇性地加熱EC裝置的一個或多個區(qū)域。這種指令可以包括向聯(lián)接至EC裝置1106的一個或多個電極施加電壓以在傳導(dǎo)層上感應(yīng)電位差、向熱源的一個或多個部分施加電壓以向EC裝置1106的一個或多個層供熱等等的指令。

圖12示出根據(jù)一些實施例被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于對一個或多個觸發(fā)事件的判定控制EC裝置的選擇性加熱的控制系統(tǒng)?？刂葡到y(tǒng)1200可以包括在本文中公開的控制系統(tǒng)中的一個或多個中，包括圖12所示的控制系統(tǒng)1112?？刂葡到y(tǒng)1200可以通過包括圖13中示出的計算機系統(tǒng)的一個或多個計算機系統(tǒng)來實施?？刂葡到y(tǒng)1200包括被結(jié)構(gòu)化成執(zhí)行控制系統(tǒng)1200的各個方面的不同的模塊。

控制系統(tǒng)1200包括EC疊層溫度監(jiān)視器模塊1204。監(jiān)視器模塊1204可以監(jiān)控EC裝置的EC疊層的一個或多個部分的溫度，包括EC膜疊層的一個或多個區(qū)域的溫度。這種溫度監(jiān)控可以至少部分地基于從聯(lián)接至EC裝置的一個或多個部件接收的溫度數(shù)據(jù)。例如，EC膜疊層的溫度可以至少部分地基于電流數(shù)據(jù)確定，電流數(shù)據(jù)包括電流損耗、計算的電阻率等等。在另一個例子中，EC膜疊層的溫度可以至少部分地基于從聯(lián)接至EC裝置的熱電偶裝置接收的溫度數(shù)據(jù)確定。

控制系統(tǒng)1200包括觸發(fā)控制監(jiān)視器1205。觸發(fā)控制模塊1205可以確定相對于EC裝置、EC裝置包括其中的裝置等等是否已經(jīng)出現(xiàn)一個或多個特定預(yù)定觸發(fā)事件。在一個例子中，觸發(fā)事件發(fā)生包括EC裝置的一個或多個區(qū)域的溫度小于閾值溫度值的判定。在另一個例子中，觸發(fā)事件發(fā)生包括至少部分地基于與接口的用戶觸發(fā)交互的從用戶接口接收特定用戶指令的判定，所述特定用戶指令包括用于包括執(zhí)行一個或多個特定操作的EC裝置的裝置的指令。例如，在EC裝置包括在攝像機裝置中的實施例中，觸發(fā)事件發(fā)生可以包括用戶已經(jīng)指令經(jīng)由與用戶接口的交互激活攝像機裝置的判定。

控制系統(tǒng)1200包括EC疊層加熱控制模塊1206。模塊1206可以確定以一個或多個給定時間施加至聯(lián)接到EC裝置的各個電極的特定組的電壓，以加熱EC裝置的一個或多個區(qū)域，使得EC裝置的一個或多個區(qū)域被加熱至一個或多個特定目標溫度、保持在一個或多個目標溫度等等。控制模塊1206可以確定是否經(jīng)由一個或多個不同的加熱模式加熱EC裝置，包括初始加熱、保持加熱等等?？刂颇K1206可以至少部分地基于在觸發(fā)控制模塊1205處的觸發(fā)事件判定向包括EC裝置、電氣地聯(lián)接至EC裝置的電源等等產(chǎn)生指令信號。

控制系統(tǒng)1200包括EC疊層切換控制模塊1207。模塊1207可以確定在一個或多個給定時間施加至聯(lián)接到EC裝置的各個電極的特定組的電壓，以使EC裝置的一個或多個區(qū)域在分離的透射模式之間切換?？刂颇K1207可以至少部分地基于在觸發(fā)控制模塊1205處的觸發(fā)事件判定向包括EC裝置、電氣地聯(lián)接至EC裝置的電源等等產(chǎn)生指令信號。

圖13是示出可以用于一些實施例的示例計算機系統(tǒng)的框圖。

在一些實施例中，實施一項或多項技術(shù)中的部分或全部的系統(tǒng)，包括但不限于被結(jié)構(gòu)化成控制EC裝置的一些或全部的至少選擇性加熱的控制系統(tǒng)、被結(jié)構(gòu)化成控制EC裝置傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域的至少選擇性加熱的控制系統(tǒng)、包括被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱EC裝置的一個或多個層的一個或多個區(qū)域的EC裝置的終端用戶裝置的部分或全部以及本文中描述的各種方法、系統(tǒng)、部件、裝置以及設(shè)備，可以包括包含或被構(gòu)造成訪問比如為圖13中示出的計算機系統(tǒng)1300的一個或多個計算機可存取介質(zhì)的通用計算機系統(tǒng)。在所示實施例中，計算機系統(tǒng)1300包括經(jīng)由輸入/輸出(I/O)接口1330聯(lián)接至系統(tǒng)存儲器1320的一個或多個處理器1310。計算機系統(tǒng)1300還包括聯(lián)接至I/O接口1330的網(wǎng)絡(luò)接口1340。

在各個實施例中，計算機系統(tǒng)1300可以是包括一個處理器1310的單處理器系統(tǒng)或者包括幾個處理器1310(例如兩個、四個、八個或另一適當(dāng)?shù)臄?shù)目)的多處理器系統(tǒng)。處理器1310可以是能夠執(zhí)行指令的任何適當(dāng)?shù)奶幚砥?。例如，在各個實施例中，處理器1310可以是執(zhí)行各種指令集合系統(tǒng)結(jié)構(gòu)(ISA)的通用或嵌入式處理器，比如x86、PowerPC、SPARC或MIPS ISA或者任何其他適當(dāng)?shù)腎SA。在多處理器系統(tǒng)中，處理器1310中的每一個通?？梢缘潜厝坏貙嵤┩籌SA。

系統(tǒng)存儲器1320可被構(gòu)造成存儲能夠由處理器1310存取的指令和數(shù)據(jù)。在各個實施例中，系統(tǒng)存儲器1320可以利用任何適當(dāng)?shù)拇鎯夹g(shù)實施，比如靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、同步動態(tài)隨機存儲器(SDRAM)、非易失性/快閃型存儲器或任何其他類型的存儲器。在所示實施例中，執(zhí)行一個或多個所需功能的程序指令和數(shù)據(jù)，比如被結(jié)構(gòu)化成控制EC裝置的一些或全部的至少選擇性加熱的控制系統(tǒng)、被結(jié)構(gòu)化成控制EC裝置傳導(dǎo)層的一個或多個區(qū)域的至少選擇性加熱的控制系統(tǒng)、包括被結(jié)構(gòu)化成選擇性地加熱EC裝置的一個或多個層的一個或多個區(qū)域的EC裝置的終端用戶裝置的部分或全部、以及本文中描述的各個方法、系統(tǒng)、部件、裝置和設(shè)備，示出為作為代碼1325和數(shù)據(jù)1326存儲在系統(tǒng)存儲器1320內(nèi)。

在一個實施例中，I/O接口1330可被構(gòu)造成配位處理器1310、系統(tǒng)存儲器1320和裝置中的包括網(wǎng)絡(luò)接口1340或其他外圍接口的任何外圍設(shè)備之間的I/O通信量。在一些實施例中，I/O接口1330可以執(zhí)行任何必要的協(xié)議、定時或其他數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，以將來自一個部件(例如系統(tǒng)存儲器1320)數(shù)據(jù)信號轉(zhuǎn)換成適用于由另一個部件(例如處理器1310)使用的格式。在一些實施例中，I/O接口1330可以包括用于通過各種類型的外圍總線附連的裝置的支承件，比如外圍設(shè)備互連(PCI)總線標準或通用串行總線(USB)標準的變型。在一些實施例中，I/O接口1330的功能可被分成兩個或更多個分離的部件，比如北橋接器和南橋接器。此外，在一些實施例中，I/O接口1330的功能的一些或全部，比如連接至系統(tǒng)存儲器1320的接口，可以直接結(jié)合到處理器1310內(nèi)。

網(wǎng)絡(luò)接口1340可被構(gòu)造成允許數(shù)據(jù)在計算機系統(tǒng)1300與附連至網(wǎng)絡(luò)1350的其他裝置1360之間交換，其他裝置比如為附圖1至12中所示的其他計算機系統(tǒng)或裝置。在各個實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口1340可以經(jīng)由任何適當(dāng)?shù)挠芯€或無線一般數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)支持通信，比如以太網(wǎng)類型。另外，網(wǎng)絡(luò)接口1340可以經(jīng)由比如為模擬語音網(wǎng)絡(luò)或數(shù)字光纖通信網(wǎng)絡(luò)的通訊/電話網(wǎng)絡(luò)、經(jīng)由比如為纖維信道SAN的存儲區(qū)網(wǎng)絡(luò)或經(jīng)由任何其他適當(dāng)類型的網(wǎng)絡(luò)和/或協(xié)議支持通信。

在一些實施例中，系統(tǒng)存儲器1320可以是被構(gòu)造成存儲用于執(zhí)行如上關(guān)于圖1-12所述的方法的實施例的程序指令和數(shù)據(jù)的計算機可存取介質(zhì)的一個實施例。在其他實施例中，程序指令和/或數(shù)據(jù)可被接收、發(fā)送或存儲在不同類型的計算機可存取介質(zhì)上。一般而言，計算機可存取介質(zhì)可以包括非暫時存儲介質(zhì)或存儲器介質(zhì)，比如磁或光介質(zhì)，例如，經(jīng)由I/O接口1330聯(lián)接至計算機系統(tǒng)1300的圓盤或DVD/CD。非暫時計算機可存取存儲介質(zhì)還可以包括比如RAM(例如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、SRAM等等)、ROM等等的任何易失性或非易失性介質(zhì)，其可以作為系統(tǒng)存儲器1320或另一類型的存儲器包括在計算機系統(tǒng)1300的一些實施例中。此外，計算機可存取介質(zhì)可以包括經(jīng)由比如為網(wǎng)絡(luò)和/或無線電線路的通信介質(zhì)傳送的傳輸介質(zhì)或信號，比如電氣、電磁或數(shù)字信號，比如可以經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)接口1340實施。

各個實施例還可以包括接收、發(fā)送或存儲根據(jù)上述說明在計算機可存取介質(zhì)上實施的指令和/或數(shù)據(jù)。一般而言，計算機可存取介質(zhì)可以包括存儲介質(zhì)或存儲器介質(zhì)(比如磁或光介質(zhì)，例如圓盤或DVD/CD-ROM)、比如為RAM的易失或非易失介質(zhì)(例如SDRAM、DDR、RDRAM、SRAM等等)、ROM等等，以及經(jīng)由比如為網(wǎng)絡(luò)和/或無線電線路的通信介質(zhì)傳送的傳輸介質(zhì)或信號(比如電氣、電磁或數(shù)字信號)。

如本文中所使用的，“計算機系統(tǒng)”包括各種計算機系統(tǒng)或其部件中的任一者。計算機系統(tǒng)的一個例子是機架式服務(wù)器。如本文中所使用的，術(shù)語計算機不限于在本領(lǐng)域參照為計算機的僅那些集成電路，而廣泛地指代處理器、服務(wù)器、微控制器、微型計算機、可編程邏輯控制器(PLC)、專用集成電路以及其他可編程電路，這些術(shù)語在本文中可互換地使用。在各個實施例中，存儲器可以包括但不限于計算機可讀介質(zhì)，比如隨機存貯器(RAM)。可替代地，還可以采用光盤只讀存儲器(CD-ROM)、磁光盤(MOD)和/或數(shù)碼影音光盤(DVD)。此外，另外的輸入電路可以包括與操作人員接口有關(guān)的計算機外圍設(shè)備，比如鼠標和鍵盤?？商娲兀€可以采用可以包括例如掃描器的其他計算機外圍設(shè)備。此外，在一些實施例中，另外的輸出通道可以包括操作人員接口監(jiān)視器和/或打印機。

如本文中所使用的，“模塊”是部件或部件的組合。模塊可以包括功能元件和系統(tǒng)，比如計算機系統(tǒng)、電路板、機架、風(fēng)扇、管道和配電單元，以及結(jié)構(gòu)元件，比如基體、框架、殼體或容器。

附圖中示出和本文中描述的各種方法代表方法的示例實施例。該方法可以在軟件、硬件或其組合中實施。方法的順序可以改變，各個元素可以增加、重新排序、組合、省略、修改等等。

盡管以上實施例已相當(dāng)詳細地進行了描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員一旦完全理解上述公開將容易想到許多變型和修改。旨在以下權(quán)利要求被理解為包括所有這些變型和修改。

在一些實施例中，EC裝置包括基板，基板包括薄玻璃層板，包括紙玻璃薄片和粘合劑層。薄玻璃層板可以包括厚度為大約25微米的玻璃薄片。在一些實施例中，薄玻璃層板可以包括一個或多個不同的厚度。例如，薄玻璃層板可以為大約50微米厚。

在一些實施例中，光致變色或熱變色材料可被用于設(shè)置本文中描述的電致變色(EC)材料或除所述電致變色(EC)材料之外。例如，裝置的一些區(qū)域可以包括包含EC疊層的電致變色材料，而其他區(qū)域可以包括電致變色、光致變色或熱變色材料中的至少一種。適當(dāng)?shù)墓庵伦兩牧习ǖ幌抻谌蓟淄椤⒍揭蚁?、氮雜茋、硝酮、俘精酸酐、螺吡喃、萘并吡喃、螺惡嗪和苯醌。適當(dāng)?shù)臒嶙兩牧习ǖ幌抻谝壕w和無色染料。光致變色和熱變色材料兩者可以以眾所周知的方式形成在基板上。由于光和熱分別調(diào)節(jié)材料的特性，因此不需要用于光致變色或熱變色動態(tài)區(qū)域的總線、電極等等。利用光致變色和/或熱變色動態(tài)區(qū)域的一個示例性實施例可以是窗口，該窗口具有朝向被主動地控制用于提供日光的窗口的頂部以選擇性地在一個或多個特定透射模式等等之間切換的至少一個電致變色動態(tài)區(qū)域、當(dāng)在直射光下朝向窗口的底部自我加深的至少一個光致變色動態(tài)區(qū)域、以及安置在裝置的另一個區(qū)域中的至少第二電致變色區(qū)域。

在一些實施例中，一個或多個EC裝置可被用作用于攝像機裝置的光圈濾光片、虹膜等等，并且可被結(jié)構(gòu)化成選擇性地變跡，如以上進一步討論的。在一些實施例中，一個或多個EC裝置可以包括在于進一步處理之前可被運輸跨過延長距離的建筑‘母板’中。在一些實施例中，一個或多個EC裝置可以包括在用于運輸應(yīng)用和重量非常重要的其他用途的一個或多個單方格窗口中。在一些實施例中，一個或多個EC裝置，包括包含單個基板的一個或多個EC裝置，還可被用于在用于手持式裝置、計算機等等的顯示器上隱藏或展示信息。在一些實施例中，一個或多個EC裝置可被用于動態(tài)護眼。

此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，本文中公開的主題的一個實施例可以包括窗口或利特(lite)，窗口包括建筑窗口并且具有單個窗格，利特包括多個獨立地控制的動態(tài)區(qū)域。本文中公開的主題的另一個實施例包括中空玻璃單元(“IGU”)，中空玻璃單元包括位于一個窗格上的多個電致變色窗口區(qū)域和位于另一個窗格上的透明玻璃。本文中公開的主題的又一個實施例包括IGU，IGU包括一個窗格上的多個電致變色窗口區(qū)域和位于另一個窗格上的低E、淺色或反射玻璃。本文中公開的主題的仍然另一個實施例包括IGU，IGU包括位于IGU的一個窗格上的多個電致變色窗口區(qū)域和位于另一個窗格上的成型或特制玻璃，其中成型或特征可以匹配、互補和/或?qū)φ盏谝淮案裆系膭討B(tài)區(qū)域的面積。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例可被構(gòu)造、結(jié)構(gòu)化等等，使得包括多個動態(tài)區(qū)域的利特是清晰利特、低E利特、反射和/或部分反射利特。

在一些實施例中，包括參照附圖1-14中的一個或多個所示和所述的EC裝置、終端用戶裝置、控制系統(tǒng)等等中的一個或多個的一個或多個EC裝置可以包括在各種應(yīng)用中，包括EC顯示器、輸送窗口、建筑玻璃應(yīng)用等等。

在一些實施例中，一個或多個EC裝置包括分離的EC區(qū)域，在此EC裝置被結(jié)構(gòu)化成至少部分地基于改變對EC裝置的各個區(qū)域的加熱，使得EC區(qū)域中的一個或多個比一個或多個其他EC區(qū)域更快地切換透射水平。各個區(qū)域的加熱的這種改變可以包括改變包括在EC裝置中的一個或多個傳導(dǎo)層的各個區(qū)域的加熱。

在一些實施例中，一個或多個熱電熱傳遞裝置可以聯(lián)接至EC裝置，以將EC裝置結(jié)構(gòu)化成在不同的透射水平之間切換一個或多個EC區(qū)域的同時加熱一個或多個EC區(qū)域，一個或多個EC區(qū)域可以包括被加熱的一個或多個EC區(qū)域中的至少一些。

在一些實施例中，EC裝置包括可被用于控制將EC裝置的一個或多個部分加熱至一個或多個特定溫度的一個或多個熱電偶。這種控制可以實現(xiàn)節(jié)省能量消耗，例如當(dāng)EC裝置的溫度在某個閾值溫度以上時阻止加熱，并且當(dāng)EC裝置的溫度在可以是不同的閾值溫度的某個閾值溫度以下時啟動加熱。來自這種熱電偶的溫度數(shù)據(jù)可被控制系統(tǒng)使用，以控制EC裝置的一個或多個部分的加熱，從而在EC裝置的一個或多個部分中保持特定恒定的切換溫度。這種溫度數(shù)據(jù)可被控制系統(tǒng)使用以至少部分地基于EC裝置的一個或多個部分的當(dāng)前溫度確定切換EC裝置的時間。

在一些實施例中，EC裝置包括在具有終端用戶裝置并且包括一個或多個熱源的裝置中。在一些實施例中，這些熱源可被用于加熱EC裝置的一個或多個部分。例如，用于支持終端用戶裝置的一個或多個其他部件的操作的電流，比如由智能電話裝置的電源供給以支持裝置的圖形用戶界面的電流，可被結(jié)構(gòu)化成流過用于EC裝置的安裝元件，例如加熱EC裝置，或者將EC裝置安裝在用于電池的散熱器上，等等。