1.一種液晶，所述液晶包括：
磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)的懸浮液/分散液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)包括從由鐵磁材料、鐵磁材料、以及超順磁材料組成的組中選擇的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)包括從由金屬鐵、金屬鈷、金屬鎳、金屬釓、金屬鏑、含鐵的合金、含鈷的合金、含鎳的合金、含釓的合金、含鏑的合金、鐵的氧化物、鈷的氧化物、鎳的氧化物、鎂的氧化物、銪的氧化物和鉻的氧化物組成的組中選擇的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)包括Fe3O4。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括從由納米棒、納米片、納米管和納米盤組成的組中選擇的各向異性納米結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括納米棒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的長軸的平均長度的范圍為從大約20nm直到大約10μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述長軸的所述平均長度的范圍為從大約50nm直到大約10μm、或從大約100nm直到大約5μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述長軸的所述平均長度的范圍為從大約20nm、或從大約50nm、或從大約100nm、或從大約200nm、或從大約300nm、或從大約400nm、或從大約500nm直到大約10μm、直到大約5μm、或直到大約4μm、或直到大約3μm、或直到大約2μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶，其中，所述結(jié)構(gòu)的所述長軸的所述平均長度是大約1.5μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述短軸的所述平均長度的范圍為從大約2nm直到大約1μm、或從大約100nm直到大約500nm、或從大約100nm直到大約300nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述短軸的所述平均長度的范圍為從大約2nm或從大約5nm、或從大約10nm、或從大約20nm、或從大約30nm、或從大約40nm、或從大約50nm、或從大約60nm、或從大約70nm、或從大約80nm、或從大約90nm、或從大約100nm直到大約1μm、或直到大約800nm、或直到大約500nm、或直到大約400nm、或直到大約300nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述短軸的所述平均長度是大約200nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述長軸的所述長度與所述短軸的所述長度的比率是至少大約1.1或至少大約1.2、或至少大約1.3、或至少大約1.5、或至少大約2、或至少大約3、或至少大約4、或至少大約5、或至少大約6、或至少大約7、或至少大約8、或至少大約9、或至少大約10、或至少大約11、或至少大約12、或至少大約13、或至少大約14、或至少大約15、或至少大約16、或至少大約17、或至少大約18、或至少大約19、或至少大約20。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中的任一項所述的液晶，其中，對所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面進(jìn)行改性，以確保在溶劑中的分散/懸浮。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶，其中，所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面用親水基團(tuán)被官能化。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶，其中，所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面用從由羥基、羧基、巰基、羰基、氨基和磷酸鹽組成的組中選擇的基團(tuán)被官能化。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶，其中，所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面上具有聚合物層或二氧化硅層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶，其中，所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面上具有二氧化硅層。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮/分散在極性溶劑、非極性溶劑、或極性溶劑和非極性溶劑的混合物中。
21.根據(jù)權(quán)利要求26所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮/分散在極性溶劑中。
22.根據(jù)權(quán)利要求26所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮/分散在包括水的溶液中。
23.根據(jù)權(quán)利要求26所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮/分散在包括醇的溶液中。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮/分散在包括醇的溶液中，所述醇選自由甲醇、乙醇、丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1丙醇、2-甲基-2-丙醇、乙二醇、甲二醇、丙二醇、甘油、苯甲醇、肉桂醇、二乙二醇、誘殺烯醇、環(huán)己醇和辛醇組成的組。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮/分散在包括乙二醇的溶液中。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的液晶，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮/分散在非極性溶劑中。
27.根據(jù)權(quán)利要求1至26中的任一項所述的液晶，其中，所述懸浮液/分散液中的各向異性納米結(jié)構(gòu)的體積分率大于大約0.1％。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的液晶，其中，所述懸浮液/分散液中的各向異性納米結(jié)構(gòu)的所述體積分率的范圍為從大約0.1％直到大約70％。
29.根據(jù)權(quán)利要求27至28中的任一項所述的液晶，其中，所述懸浮液/分散液中的各向異性納米結(jié)構(gòu)的所述體積分率大于大約0.5％、或大于大約1％、或大于大約3％、或大于大約4％、或大于大約3％、或大于大約5％、或大于大約6％、或大于大約7％、或大于大約8％、或大于大約9％、或大于大約10％、或大于大約11％、或大于大約12％、或大于大約13％、或大于大約14％、或大于大約15％、或大于大約16％、或大于大約17％、或大于大約18％、或大于大約19％、或大于大約20％。
30.根據(jù)權(quán)利要求1至26中的任一項所述的液晶，其中，所述懸浮液/分散液中的各向異性納米結(jié)構(gòu)的所述體積分率是大約10％。
31.根據(jù)權(quán)利要求27至30中的任一項所述的液晶，其中，所述懸浮液中的各向異性結(jié)構(gòu)的所述體積分率足以提供有序液晶相。
32.根據(jù)權(quán)利要求1至31中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)在具有小于大約1T的強(qiáng)度的磁場中重新取向。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)在具有一強(qiáng)度的磁場中重新取向，該強(qiáng)度小于大約800mT、或小于大約500mT、或小于大約400mT、或小于大約300mT、或小于大約200mT、或小于大約100mT、或小于大約50mT、或小于大約25mT、或小于大約10mT、或小于大約5mT、或小于大約1mT。
34.根據(jù)權(quán)利要求1至33中的任一項所述的液晶，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)懸浮/分散在包含聚合物分子或預(yù)聚物分子的溶液中。
35.一種裝置，所述裝置包括：
第一偏振層或膜，所述第一偏振層或膜被構(gòu)造為充當(dāng)偏振器；
第二偏振層或膜；以及
根據(jù)權(quán)利要求1至34中的任一項所述的液晶，所述液晶設(shè)置在所述第一偏振層或膜與所述第二偏振層或膜之間。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的裝置，其中，所述第一偏振層或膜被構(gòu)造為充當(dāng)偏振器。
37.根據(jù)權(quán)利要求35至36中的任一項所述的裝置，其中，所述第二偏振層或膜被構(gòu)造為充當(dāng)檢偏器。
38.根據(jù)權(quán)利要求35至37中的任一項所述的裝置，其中，所述第一偏振層或膜的偏振角與所述第二偏振層或膜的所述偏振角不同。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的裝置，其中，所述第一偏振層或膜的所述偏振角和所述第二偏振層或膜的所述角相差從大約0度至大約180度范圍內(nèi)的量。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的裝置，其中，所述第一偏振層或膜的所述偏振角和所述第二偏振層或膜的所述角相差大約45度。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的裝置，其中，所述第一偏振層或膜的所述偏振角和所述第二偏振層或膜的所述角相差大約90度。
42.根據(jù)權(quán)利要求35至41中的任一項所述的裝置，其中，所述裝置還包括反射層，所述反射層設(shè)置在所述第一偏振層或膜和所述第二偏振層或膜后面。
43.根據(jù)權(quán)利要求35至42中的任一項所述的裝置，其中，所述裝置是從由顯示器、波導(dǎo)、致動器和光學(xué)調(diào)制器組成的組中選擇的設(shè)備的組件。
44.一種光學(xué)切換方法，所述方法包括：
使偏振后的光學(xué)信號穿過根據(jù)權(quán)利要求1至34中的任一項所述的液晶；以及
將磁場施加至所述液晶，以改變所述液晶對所述光學(xué)信號的透射。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中，所述磁場以至少1Hz的頻率被切換。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中，所述磁場以至少5Hz、或至少10Hz、或至少20Hz、或至少50Hz、或至少80Hz、或至少100Hz、或至少150Hz、或至少200Hz的頻率被切換。
47.根據(jù)權(quán)利要求44至46中的任一項所述的方法，其中，所述方法使用根據(jù)權(quán)利要求35至43中的任一項所述的裝置執(zhí)行。
48.一種制造用作磁性液晶的磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：
制備非磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)；
如果必須確保溶劑分散性，則對所述納米結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行改性；以及
將所述納米結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榇判愿飨虍愋约{米結(jié)構(gòu)。
49.一種制造用作磁性液晶的磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：
制備磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)；以及
如果必須確保溶劑分散性，則對所述納米結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行改性。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括從由金屬鐵、金屬鈷、金屬鎳、金屬釓、金屬鏑、含鐵的合金、含鈷的合金、含鎳的合金、含釓的合金、含鏑的合金、鐵的氧化物、鈷的氧化物、鎳的氧化物、鎂的氧化物、銪的氧化物、以及鉻的氧化物組成的組中選擇的材料。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括從由Fe、Co、Ni、Mn、Gd、Dy、Eu、Cr、Zn、Cu、Mg、O、Si、Bi、Y、Sb組成的組中選擇的材料。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括從由Fe、Co、Ni、Mn、Gd、Dy、Eu、Cr、Zn、Cu、Mg、O、Si、Bi、Y、Sb的化合物組成的組中選擇的材料。
53.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括從由Fe、Co、Ni、Mn、Gd、Dy、Eu、Cr、Zn、Cu、Mg、O、Si、Bi、Y、Sb的合金組成的組中選擇的材料。
54.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括Fe3O4。
55.根據(jù)權(quán)利要求49至54中的任一項所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括從由納米棒、納米片、納米管和納米盤組成的組中選擇的各向異性納米結(jié)構(gòu)。
56.根據(jù)權(quán)利要求49至54中的任一項所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)包括納米棒。
57.根據(jù)權(quán)利要求49至56中的任一項所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的長軸的平均長度的范圍為從大約20nm直到大約10μm。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述長軸的所述平均長度的范圍為從大約50nm直到大約10μm、或從大約100nm直到大約5μm。
59.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述長軸的所述平均長度的范圍為從大約20nm、或從大約50nm、或從大約100nm、或從大約200nm、或從大約300nm、或從大約400nm、或從大約500nm直到大約10μm、直到大約5μm、或直到大約4μm、或直到大約3μm、或直到大約2μm。
60.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中，所述結(jié)構(gòu)的所述長軸的所述平均長度是大約1.5μm。
61.根據(jù)權(quán)利要求49至60中的任一項所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的短軸的平均長度的范圍為從大約2nm直到大約1μm、或從大約100nm直到大約500nm、或從大約100nm直到大約300nm。
62.根據(jù)權(quán)利要求49至60中的任一項所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述短軸的所述平均長度的范圍為從大約2nm或從大約5nm、或從大約10nm、或從大約20nm、或從大約30nm、或從大約40nm、或從大約50nm、或從大約60nm、或從大約70nm、或從大約80nm、或從大約90nm、或從大約100nm直到大約1μm、或直到大約800nm、或直到大約500nm、或直到大約400nm、或直到大約300nm。
63.根據(jù)權(quán)利要求49至60中的任一項所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述短軸的所述平均長度是大約200nm。
64.根據(jù)權(quán)利要求49至63中的任一項所述的方法，其中，所述各向異性結(jié)構(gòu)的所述長軸的所述長度與所述短軸的所述長度的比率是至少大約1.1或至少大約1.2、或至少大約1.3、或至少大約1.5、或至少大約2、或至少大約3、或至少大約4、或至少大約5、或至少大約6、或至少大約7、或至少大約8、或至少大約9、或至少大約10、或至少大約11、或至少大約12、或至少大約13、或至少大約14、或至少大約15、或至少大約16、或至少大約17、或至少大約18、或至少大約19、或大約至少20。
65.根據(jù)權(quán)利要求49至64中的任一項所述的方法，其中，所述制備包括：制備包括FeOOH納米結(jié)構(gòu)的納米結(jié)構(gòu)，所述FeOOH納米結(jié)構(gòu)包括FeCl3前體。
66.根據(jù)權(quán)利要求49至65中的任一項所述的方法，其中，對所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面進(jìn)行所述改性包括：用表面活性劑對所述表面進(jìn)行改性。
67.根據(jù)權(quán)利要求49至65中的任一項所述的方法，其中，對所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面進(jìn)行所述改性包括：用親水基團(tuán)來官能化所述表面。
68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中，對所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面進(jìn)行所述改性包括：用從由羥基、羧基、巰基、羰基、氨基和磷酸鹽組成的所述組中選擇的基團(tuán)官能化所述表面。
69.根據(jù)權(quán)利要求49至65中的任一項所述的方法，其中，對所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面進(jìn)行所述改性包括：用氧化物涂層來涂布所述表面。
70.根據(jù)權(quán)利要求69所述的方法，其中，所述氧化物涂層包括二氧化硅。
71.根據(jù)權(quán)利要求70所述的方法，其中，對所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面進(jìn)行所述改性包括：使所述納米結(jié)構(gòu)與硅醇鹽反應(yīng)。
72.根據(jù)權(quán)利要求71所述的方法，其中，對所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面進(jìn)行所述改性包括：使所述納米結(jié)構(gòu)與硅醇鹽反應(yīng)，該硅醇鹽選自由正硅酸乙酯(TEOS)和正硅酸甲酯(TMOS)組成的組。
73.根據(jù)權(quán)利要求49至65中的任一項所述的方法，其中，對所述納米結(jié)構(gòu)的所述表面進(jìn)行所述改性包括：用聚合物涂層來涂布所述表面。
74.根據(jù)權(quán)利要求48和50至73中的任一項所述的方法，其中，所述將改性后的所述納米結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榇判愿飨虍愋约{米結(jié)構(gòu)包括：還原所述非磁性納米結(jié)構(gòu)。
75.根據(jù)權(quán)利要求48和50至73中的任一項所述的方法，其中，所述將改性后的所述納米結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榇判愿飨虍愋约{米結(jié)構(gòu)包括：將所述納米結(jié)構(gòu)中的FeOOH還原成Fe3O4。
76.根據(jù)權(quán)利要求74至75中的任一項所述的方法，其中，所述還原使用從由二乙二醇、乙二醇、甘油、氫硼化物、聯(lián)氨和氫組成的組中選擇的材料來執(zhí)行。
77.根據(jù)權(quán)利要求48至76中的任一項所述的方法，其中，所述方法還包括：純化和/或濃縮所述磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)。
78.根據(jù)權(quán)利要求77所述的方法，其中，所述純化和/或濃縮包括一個或更多個磁性分離步驟。
79.根據(jù)權(quán)利要求48至78中的任一項所述的方法，其中，所述磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)被濃縮或重新懸浮到大于大約0.1％的體積分率。
80.根據(jù)權(quán)利要求48至78中的任一項所述的方法，其中，所述磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)被濃縮或重新懸浮到范圍為0.1％直到大約70％的體積分率。
81.根據(jù)權(quán)利要求48至78中的任一項所述的方法，其中，所述磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)被濃縮或重新懸浮到一體積分率，該體積分率大于大約0.5％、或大于大約1％、或大于大約3％、或大于大約4％、或大于大約3％、或大于大約5％、或大于大約6％、或大于大約7％、或大于大約8％、或大于大約9％、或大于大約10％、或大于大約11％、或大于大約12％、或大于大約13％、或大于大約14％、或大于大約15％、或大于大約16％、或大于大約17％、或大于大約18％、或大于大約19％、或大于大約20％。
82.根據(jù)權(quán)利要求48至78中的任一項所述的方法，其中，所述磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)被濃縮或重新懸浮到足以提供有序液晶相的體積分率。
83.根據(jù)權(quán)利要求48至82中的任一項所述的方法，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮在極性溶劑、非極性溶劑、或極性溶劑和非極性溶劑的混合物中。
84.根據(jù)權(quán)利要求83所述的方法，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮在極性溶劑中。
85.根據(jù)權(quán)利要求83所述的方法，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮在包括水的溶液中。
86.根據(jù)權(quán)利要求83所述的方法，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮在包括醇的溶液中。
87.根據(jù)權(quán)利要求86所述的方法，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮在包括醇的溶液中，該醇選自由甲醇、乙醇、丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1丙醇、2-甲基-2-丙醇、乙二醇、甲二醇、丙二醇、甘油、苯甲醇、肉桂醇、二乙二醇、誘殺烯醇、環(huán)己醇和辛醇組成的組。
88.根據(jù)權(quán)利要求86所述的方法，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮在包括乙二醇的溶液中。
89.根據(jù)權(quán)利要求83所述的方法，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮在非極性溶劑中。
90.根據(jù)權(quán)利要求83所述的方法，其中，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)懸浮在包含聚合物分子或預(yù)聚物分子的溶液中。
91.一種液晶，所述液晶包括根據(jù)權(quán)利要求48至90中的任一項所述的方法制造的、涂布有二氧化硅的磁性各向異性納米結(jié)構(gòu)。
92.一種制作用一個或更多個光學(xué)偏振圖案化的薄膜的方法，所述方法包括：
提供基底，在所述基底上沉積包含根據(jù)權(quán)利要求1至34中的任一項中所述的各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)的樹脂；
將磁場施加至所述樹脂，以使在涂布有所述樹脂的所述基底的所有或一個或更多個區(qū)域中的所述各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)配向；以及
固化/交聯(lián)在涂布有所述樹脂的所述基底的所有或一個或更多個區(qū)域中的所述樹脂，以將所述各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)固定在第一配向上，從而提供第一光學(xué)偏振。
93.根據(jù)權(quán)利要求92所述的方法，所述方法還包括：
將磁場施加至所述基底的第二區(qū)域，以使所述第二區(qū)域中的各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)配向在與所述第一配向不同的取向上；以及
固化/交聯(lián)在所述第二區(qū)域中的所述樹脂，以將在所述第二區(qū)域中配向的所述各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)固定在第二配向上，以提供第二光學(xué)偏振。
94.根據(jù)權(quán)利要求92至93中的任一項所述的方法，所述方法還包括：
將磁場施加至所述基底的第三區(qū)域，以使所述第三區(qū)域中的所述各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)配向在與所述第一配向和/或所述第二配向不同的取向上；以及
固化/交聯(lián)在所述第三區(qū)域中的所述樹脂，以將在所述第三區(qū)域中配向的所述納米棒固定在第三配向上，以提供第三光學(xué)偏振。
95.根據(jù)權(quán)利要求92至94中的任一項所述的方法，其中，所述方法包括：使一個或更多個區(qū)域中的所述樹脂不固化/不交聯(lián)，使得當(dāng)將磁場施加至所述膜時，所述區(qū)域中的所述各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)重新取向。
96.根據(jù)權(quán)利要求92至95中的任一項所述的方法，其中，所述樹脂是UV固化樹脂，并且通過將UV光施加到將被固化/交聯(lián)的所述區(qū)域來進(jìn)行所述固化/交聯(lián)。
97.根據(jù)權(quán)利要求96所述的方法，其中，所述樹脂選自由雙酚A-二縮水甘油醚二丙烯酸酯(BGEDA)、聚乙二醇二丙烯酸酯(PEGDA)、以及聚(二乙二醇碳酸酯)二丙烯酸酯(PGCDA)組成的組。
98.根據(jù)權(quán)利要求92至95中的任一項所述的方法，其中，所述樹脂是化學(xué)固化樹脂，并且通過將所述固化催化劑施加至將被固化/交聯(lián)的所述區(qū)域來進(jìn)行所述固化/交聯(lián)。
99.根據(jù)權(quán)利要求98所述的方法，其中，所述催化劑被噴墨納米打印在將被固化的所述區(qū)域上。
100.一種用一個或更多個光學(xué)偏振圖案化的薄膜，所述薄膜包括：
根據(jù)權(quán)利要求1至34中的任一項所述的各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)，其中，所述各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)在所述薄膜中的不同位置處被設(shè)置在一個或更多個預(yù)定取向上。
101.根據(jù)權(quán)利要求100所述的薄膜，其中，所述膜包括一個或更多個第一區(qū)域，所述一個或更多個第一區(qū)域包括配向在提供第一偏振的第一配向上的各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)。
102.根據(jù)權(quán)利要求101所述的薄膜，其中，所述膜包括一個或更多個第二區(qū)域，所述一個或更多個第二區(qū)域包括配向在與所述第一配向不同的第二配向上的各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)，所述第二配向提供與所述第一偏振不同的第二偏振。
103.根據(jù)權(quán)利要求102所述的薄膜，其中，所述膜包括一個或更多個第三區(qū)域，所述一個或更多個第三區(qū)域包括配向在與所述第一和/或所述第二配向不同的第三配向上的各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)，所述第三配向提供與所述第一和/或所述第二偏振不同的第三偏振。
104.根據(jù)權(quán)利要求100至103中的任一項所述的薄膜，其中，所述膜包括一個或更多個區(qū)域，其中，當(dāng)磁場被施加至所述膜時，所述區(qū)域中的所述各向異性磁性納米結(jié)構(gòu)自由地重新取向。
105.根據(jù)權(quán)利要求100至104中的任一項所述的薄膜，其中，根據(jù)權(quán)利要求92至99中的任一項所述的方法來制作所述膜。