硅基光調制器的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種硅基光調制器，至少包括：脊型波導，包括平板部和位于所述平板部中間，且高于所述平板部的凸條；所述脊型波導中包括第一輕摻雜區(qū)和第二輕摻雜區(qū)，第一輕摻雜區(qū)包括形成在凸條中間，且沿著所述凸條的延伸方向的縱向第一輕摻雜區(qū)和至少一個形成在所述凸條和所述平板部上，且與所述凸條相交的橫向第一輕摻雜區(qū)；第二輕摻雜區(qū)和第一輕摻雜區(qū)的摻雜類型相反，且形成于第一輕摻雜區(qū)外側的凸條和平板部中，以與第一輕摻雜區(qū)構成橫向和縱向的PN結。本實用新型的技術方案中提供的硅基光調制器利用多個橫向第一輕摻雜區(qū)與第二輕摻雜區(qū)、縱向第一輕摻雜區(qū)與第二輕摻雜區(qū)形成PN結，可以增加模場中耗盡區(qū)的面積，從而提高硅基光調制器的調制效率。
【專利說明】
硅基光調制器

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體【技術領域】，特別是涉及一種硅基光調制器。

【背景技術】
[0002]硅基光調制器是片上光邏輯、光互聯(lián)和光處理器的核心器件之一，用于將射頻電信號轉化為高速光信號。它可以與激光器、探測器和其他波分復用器件構成一個完整的功能性網(wǎng)絡。近年來，通過大量的技術手段，硅基調制器已經(jīng)在多種硅基、混合硅基、兼容硅基材料上面實現(xiàn)，包括絕緣體上硅(SOI)材料、SOI與三五族化合物混合材料、應變硅材料等。其中，由于在SOI材料上制作的基于等離子體色散效應的硅基調制器其制造工藝與現(xiàn)有電子工業(yè)中使用的CMOS工藝可完全兼容，為低成本，大批量的生產(chǎn)提供了可能性，受到業(yè)界的廣泛關注。
[0003]基于等離子體色散效應的硅基調制器分為三種，分別利用了經(jīng)過離子注入后的SOI脊型波導中載流子的積聚、注入和耗盡效應。在這三種之中，工作于反偏電壓下的耗盡型調制器被公認為是能夠提供最快調制速率的解決方案之一。所述耗盡型調制器的工作原理為:在SOI脊型波導中形成PN結，所述PN結被施加反偏電壓后，載流子會向兩邊移動，在PN結交界面上面形成一個耗盡區(qū)。由于硅材料的折射率與載流子濃度有關，所以在上述過程中，脊型波導的折射率會發(fā)生變化。如果將這樣的SOI脊型波導做成馬赫曾德爾干涉儀或者微環(huán)諧振器結構，那么折射率的變化會導致光譜發(fā)生變化。如果在所述PN結兩端施加的是一個高速變化的電信號，那么光譜也會快速變化，特別是在工作波長處的光功率也發(fā)生了快速變化，實際上就發(fā)生了電信號到光信號的轉變，完成了調制。
[0004]而現(xiàn)有技術中的硅基調制器的光電調制效率仍然不是很高，需要相應的技術來進行改進。
實用新型內容
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種硅基調制器，用于解決現(xiàn)有技術中提聞娃基調制器的光電調制效率的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種硅基光調制器，所述硅基調制器至少包括:
[0007]脊型波導，所述脊型波導包括平板部和位于所述平板部中間，且高于所述平板部的凸條；
[0008]所述脊型波導中包括第一輕摻雜區(qū)和第二輕摻雜區(qū)，所述第一輕摻雜區(qū)包括縱向第一輕摻雜區(qū)和至少一個橫向第一輕摻雜區(qū)，所述縱向第一輕摻雜區(qū)形成在凸條中間，且沿著所述凸條的延伸方向，所述橫向第一輕摻雜區(qū)形成在所述凸條和所述平板部上，且與所述凸條相交；所述第二輕摻雜區(qū)和所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜類型相反，且形成于所述第一輕摻雜區(qū)外側的凸條和平板部中，以與所述第一輕摻雜區(qū)構成橫向和縱向的PN結。優(yōu)選地，所述縱向第一輕摻雜區(qū)的寬度為10nm?250nm。
[0009]優(yōu)選地，所述橫向第一輕摻雜區(qū)的寬度為300nm?lOOOnm。
[0010]優(yōu)選地，所述脊型波導中，所述平板區(qū)的高度為50nm?200nm，所述凸條的高度為220nm?340nm,所述凸條的寬度為300nm?700nm。
[0011]優(yōu)選地，所述平板部中還包括第一重摻雜區(qū)和第二重摻雜區(qū)，所述第一重摻雜區(qū)形成于所述第二輕摻雜區(qū)的兩外側，所述第二重摻雜區(qū)形成于其中第一重摻雜區(qū)的外側；所述橫向第一輕摻雜區(qū)為多個并排的長條型區(qū)域，每一所述橫向第一輕摻雜區(qū)穿過所述第一重摻雜區(qū)連接至所述第二重摻雜區(qū)；所述第一重摻雜區(qū)與所述第二輕摻雜區(qū)的摻雜類型相同；所述第二重摻雜區(qū)和所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜類型相同；所述第一重摻雜區(qū)和第二重摻雜區(qū)中形成有金屬電極，所述處于第一重摻雜區(qū)中的金屬電極連接在一起，所述處于第二重摻雜區(qū)的金屬電極連接在一起。
[0012]優(yōu)選地，相鄰兩所述橫向第一輕摻雜區(qū)的間距為300nm?700nm。
[0013]優(yōu)選地，每兩相鄰的所述橫向第一輕摻雜區(qū)之間的第一重摻雜區(qū)中形成有一金屬電極。
[0014]優(yōu)選地，所述橫向第一輕摻雜區(qū)和所述第一重摻雜區(qū)、所述第一重摻雜區(qū)和第二重摻雜區(qū)之間還具有無摻雜區(qū)。
[0015]優(yōu)選地，所述無摻雜區(qū)的寬度為I μ m。
[0016]優(yōu)選地，所述第一重摻雜區(qū)與所述凸條的距離為Iym?2μπι。
[0017]優(yōu)選地,與第二重摻雜區(qū)緊鄰的所述第一重摻雜區(qū)的寬度為Ιμπι?10 μ m,另一所述第一重摻雜區(qū)和所述第二重摻雜區(qū)的寬度為I μ m?50 μ m。
[0018]優(yōu)選地，所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜類型為P型。
[0019]優(yōu)選地，所述第一輕摻雜區(qū)中摻雜濃度為IX 117CnT3至5 X 1018cm_3，所述第二輕摻雜區(qū)中摻雜濃度為I X 1017cm_3至5X 1018cm_3,所述第一重摻雜區(qū)中摻雜濃度為lX1019cm_3至5X 102°cnT3,所述第二重摻雜區(qū)中摻雜濃度為IX 119CnT3至5X 102°cnT3。
[0020]如上所述，本實用新型的硅基光調制器，具有以下有益效果:
[0021]本實用新型的技術方案中提供的硅基光調制器利用多個橫向第一輕摻雜區(qū)與第二輕摻雜區(qū)在脊型波導的模場傳播方向同時形成多個PN結結構，利用縱向第一輕摻雜區(qū)與第二輕摻雜區(qū)在脊型波導的凸條中形成兩個背靠背的PN結結構，工作時候可以形成兩個耗盡區(qū)，增加了模場中耗盡區(qū)的面積，從而提高了硅基光調制器的調制效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1和圖2顯示為本實用新型提供的硅基光調制器的結構示意圖。
[0023]元件標號說明
[0024]400脊型波導
[0025]50平板部
[0026]70凸條
[0027]Hl高度
[0028]H2高度
[0029]LI寬度
[0030]L2寬度
[0031]Kl寬度
[0032]K2寬度
[0033]Κ3寬度
[0034]Wl寬度
[0035]W2間距
[0036]W3寬度
[0037]W4間距
[0038]W5寬度
[0039]W6寬度
[0040]100無摻雜區(qū)
[0041]111縱向第一輕摻雜區(qū)
[0042]112橫向第一輕摻雜區(qū)
[0043]211,212第二輕摻雜區(qū)
[0044]221、222第一重摻雜區(qū)
[0045]123第二重摻雜區(qū)
[0046]300金屬電極

【具體實施方式】
[0047]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，為了使一定電壓情況下，光譜發(fā)生較多的位移(即硅基調制器有著較高的調制效率)，PN結分界面的位置很重要，一方面是由于相同濃度的電子和空穴對折射率的改變不一致，另一方面是脊型波導中模場在不同的位置處的強度并不均勻。對于提高調制器的調制效率尤為重要，也是業(yè)內關注的重點。
[0048]而傳統(tǒng)的PN結設計包括三種，分別在水平、豎直和模場傳播方向形成PN結。對于水平PN結來說，制作工藝較為復雜；對于豎直PN結來說，需要很大的對準精度，雖然通過優(yōu)化可以使耗盡區(qū)位于模場最大處，但是耗盡區(qū)的寬度一般只有10nm左右，對于整體寬度一般為500nm的脊型波導來說，仍會有很多模場沒有與耗盡區(qū)重合；而對于在模場傳播方向的PN結雖然具有較大的工藝容差，但是周期性的排列使它忽略了周期內部單一摻雜濃度波導的模場。因此提高耗盡區(qū)與模場的接觸面，對于提高調制器的調制效率尤為重要。
[0049]以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。
[0050]請參閱圖1至圖2。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本實用新型所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本實用新型可實施的范疇。
[0051]如圖1所示，本實用新型提供了一種硅基調制器，所述硅基調制器至少包括:
[0052]脊型波導400，所述脊型波導400包括平板部50和位于所述平板部50中間，且高于所述平板部50的凸條70。
[0053]本實施例中，所述脊型波導400形成在SOI襯底的頂層硅中(未圖示)，所述脊型波導400周圍還被其它的低折射率材料包圍。具體可以為，所述脊型波導400的下面為SOI襯底的埋氧層，所述脊型波導400的上面為二氧化硅包層。
[0054]本實施例中的脊型波導400中，由于所述脊型波導400的材質為硅，下面或者上面包圍所述脊型波導400的材質為二氧化硅。硅折射率比二氧化硅的折射率大，所以，在工作的時候，需要傳輸?shù)碾姶挪?光)就沿著所述脊型波導400中凸條70的延伸方向傳播。確定了所述脊型波導中各部分的尺寸，根據(jù)麥克斯韋方程組、邊界條件還有光波導具體的尺寸，可以解出可以在所述脊型波導400中傳播的電磁波(光)電磁場的具體情況(包括電場和磁場強度，方向，速度，衰減等)。
[0055]具體的，本實施例中，平板部50的高度Hl為50nm?200nm，所述脊型波導400的高度(所述凸條70的高度)H2為220nm?340nm，所述凸條70的寬度LI為300nm?700nm，所述波導寬度L2為450nm?600nm。
[0056]另外，在所述脊型波導400中還形成多個摻雜區(qū)。所述摻雜區(qū)通過多次離子注入形成。具體的，所述脊型波導400中包括第一輕摻雜區(qū)111、112和第二輕摻雜區(qū)211、212，所述第一輕摻雜區(qū)包括縱向第一輕摻雜區(qū)111和至少一個橫向第一輕摻雜區(qū)112，所述縱向第一輕摻雜區(qū)111形成在凸條70中間，且沿著所述凸條70的延伸方向，所述橫向第一輕摻雜區(qū)112形成在所述凸條70和所述平板部50上，且與所述凸條70相交；所述第二輕摻雜區(qū)211和所述第一輕摻雜區(qū)111、112的摻雜類型相反，且形成于所述第一輕摻雜區(qū)111、112外側的凸條70和平板部50中，以與所述第一輕摻雜區(qū)111、112構成橫向和縱向的PN結。
[0057]本實施例中，所述硅基調制器的原理為:PN結兩端的電壓改變會引起PN結的耗盡區(qū)寬度的改變，而PN結的耗盡區(qū)寬度的改變可以引起波導的折射率分布改變，波導的折射率分布改變可以引起其中電磁波的模場改變，進而導致傳播的電磁波發(fā)生改變，從而實現(xiàn)了調制器的電光調制的功能。
[0058]其中，電磁波的模場是指在所述脊型波導400中，傳播的電磁波(光)電磁場強度的空間分布。
[0059]本實施例中，多個橫向第一輕摻雜區(qū)112與第二輕摻雜區(qū)211、212在脊型波導400的模場傳播方向同時形成多個PN結結構，提高了硅基光調制器的調制效率。
[0060]本實施例中，縱向第一輕摻雜區(qū)111與第二輕摻雜區(qū)211、212在脊型波導400中形成兩個背靠背的PN結結構，工作時候可以形成兩個耗盡區(qū)。工作中，兩個PN結結構的耗盡區(qū)的面積將大于普通PN結設計的耗盡區(qū)面積，提高了調制效率。
[0061]另外，縱向第一輕摻雜區(qū)111與第二輕摻雜區(qū)211、212形成的兩個PN結來達到解決離子注入對準誤差的問題，提高了硅基光調制器的調制效率。具體的，本實施例中，所述第一輕摻雜區(qū)111、112的摻雜類型為P型，即所述縱向第一輕摻雜區(qū)111與所述第二輕摻雜區(qū)211、212在凸條70中形成了摻雜形式為NPN的結構，包括了兩個PN結，在工作時可以形成兩個耗盡區(qū)。這樣的話，如果離子注入對準偏左的話，右側的PN結比較靠近最優(yōu)值的地方；如果離子注入偏右的話，左側的PN結會彌補。所以利用兩個PN結來達到解決離子注入對準誤差的問題。
[0062]所述平板部50中還包括第一重摻雜區(qū)221、222和第二重摻雜區(qū)123，其中，所述第一重摻雜區(qū)221、222分別形成于所述第二輕摻雜區(qū)211、212的兩外側，其中一第一重摻雜區(qū)222的外側形成有第二重摻雜區(qū)123 ;所述橫向第一輕摻雜區(qū)112為至少一個并排的長條型區(qū)域，每一所述橫向第一輕摻雜區(qū)112穿過所述第一重摻雜區(qū)222連接至所述第二重摻雜區(qū)123 ;所述第一重摻雜區(qū)221、222與所述第二輕摻雜區(qū)211、212的摻雜類型相同，即為N型。所述第二重摻雜區(qū)123的摻雜類型、第三輕摻雜區(qū)112和所述第一輕摻雜區(qū)111的摻雜類型相同，即為P型。
[0063]所述平板部50中還包括無摻雜區(qū)100，形成于所述橫向第一輕摻雜區(qū)和所述第一重摻雜區(qū)、所述第一重摻雜區(qū)和第二重摻雜區(qū)之間，作用為用于隔離橫向第一輕摻雜區(qū)112和第一重摻雜區(qū)221、222，以及隔離第一重摻雜區(qū)222和第二重摻雜區(qū)123。
[0064]另外,如圖2所示,所述第一重摻雜區(qū)221、222和第二重摻雜區(qū)123中還形成有通孔(未標示)，所述通孔中填充有金屬電極300，所述處于第一重摻雜區(qū)221、222中的金屬電極300連接在一起，所述處于第二重摻雜區(qū)123的金屬電極300連接在一起。
[0065]所述第一重摻雜區(qū)221、222和第二重摻雜區(qū)123中的重摻雜，以與其中的所述金屬電極300形成歐姆接觸。所述橫向第一輕摻雜區(qū)112與所述第二重摻雜區(qū)123連接的作用為連接中間的縱向第一輕摻雜區(qū)111和摻雜類型相同的第二重摻雜區(qū)123，使得電流能夠從第二重摻雜區(qū)123的金屬電極300沿著橫向第一輕摻雜區(qū)112流入縱向第一輕摻雜區(qū)111。
[0066]即如圖1至2中所述各個摻雜區(qū)從左到右的情況具體為:
[0067]第一重摻雜區(qū)221為N重摻雜區(qū),摻雜濃度I X 119CnT3至5X 102°cnT3,該區(qū)域放置通孔，用于連接金屬電極300，本區(qū)域的金屬電極300與第一重摻雜區(qū)222的金屬電極300相連。第二輕摻雜區(qū)211為N輕摻雜區(qū)，摻雜濃度1父1017(^_3至5\1018(^_3，該區(qū)域無通孔。
[0068]第一輕摻雜區(qū)111為P輕摻雜區(qū),摻雜濃度為I X 117CnT3至5X 118CnT3,該區(qū)域無通孔。
[0069]第二輕摻雜區(qū)212為N輕摻雜區(qū),摻雜濃度I X 117CnT3至5X 118CnT3,該區(qū)域無通孔。
[0070]第一重摻雜區(qū)222為N重摻雜區(qū),摻雜濃度為I X 119CnT3至5X 102°cnT3,該區(qū)域有通孔，用于連接金屬電極300,本區(qū)域的金屬電極300與第一重摻雜區(qū)221的金屬電極300相連。
[0071]無摻雜區(qū)100,作用為用于隔離橫向第一輕摻雜區(qū)112和第一重摻雜區(qū)221、222，以及隔離第一重摻雜區(qū)222和第二重摻雜區(qū)123。
[0072]第二重摻雜區(qū)123為P重摻雜區(qū),摻雜濃度為I X 119CnT3至5X 102°cnT3,該區(qū)域有通孔，用于連接金屬電極300。
[0073]具體的，本實施例中，所述縱向第一輕摻雜區(qū)111和所述第二輕摻雜區(qū)211、212以與所述凸條70的延伸方向平行的所述凸條的中線成軸對稱。所述第一輕摻雜區(qū)111在中間，需要比較寬，原因是所述第一輕摻雜區(qū)111和所述第二輕摻雜區(qū)211、212的兩個分界面都要形成耗盡區(qū)，太近的話，兩個耗盡區(qū)會重疊。另外由于現(xiàn)有技術工藝的局限，縱向300nm?700nm。第一輕摻雜區(qū)111的寬度W3會大于150nm。所述橫向第一輕摻雜區(qū)111的寬度Kl為300nm?100nm0
[0074]相鄰兩所述橫向第一輕摻雜區(qū)的間距K2為300nm?700nm。所述無摻雜區(qū)的寬度K3 (或者 W6)為 I μ m。
[0075]本實施例中，所述第一重摻雜區(qū)221、222與所述凸條70相對的兩邊界的間距W2、W4為I μ m?2 μ m。這是由于金屬電極300形成在第一重摻雜區(qū)221、222和第二重摻雜區(qū)123中，所以第一重摻雜區(qū)221、222要離脊型波導中間遠一些，不然金屬電極300的電場會破壞光波導中的光場。
[0076]本實施例中，與所述第二重摻雜區(qū)123緊鄰的所述第一重摻雜區(qū)222的寬度W5為I μ m?10 μ m,另一所述第一重摻雜區(qū)221的寬度Wl為I μ m?50 μ m,所述第二重摻雜區(qū)123的寬度W7為Ιμπι?50μπι。這是由于第一重摻雜區(qū)221和第二重摻雜區(qū)123都有電極，所以第一重摻雜區(qū)221和第二重摻雜區(qū)123需要比較寬，以優(yōu)化金屬電極300，保證電信號的低損耗傳輸。
[0077]另外，當驅動調制器工作的電信號是低頻時，波長遠比調制器尺寸要大，因此可以使用集總電極。但是當電信號頻率超過1GHz時，即為微波信號，因為微波信號波長接近于電極長度，所以必須需要使用行波電極。本實施例中，設置所述金屬電極300的厚度為0.5 μ m?3 μ m，兩個金屬電極300之間的間距為2 μ m?20 μ m,金屬電極300的寬度為5 μ m ?500 μ m。
[0078]綜上所述，本實用新型的技術方案中提供的硅基光調制器利用多個橫向第一輕摻雜區(qū)與第二輕摻雜區(qū)在脊型波導的模場傳播方向同時形成多個PN結結構，利用縱向第一輕摻雜區(qū)與第二輕摻雜區(qū)在脊型波導的凸條中形成兩個背靠背的PN結結構，工作時候可以形成兩個耗盡區(qū)，增加了模場中耗盡區(qū)的面積，從而提高了硅基光調制器的調制效率。
[0079]所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0080]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術領域】中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本實用新型的權利要求所涵蓋。
【權利要求】
1.一種硅基光調制器，其特征在于，所述硅基調制器至少包括: 脊型波導，所述脊型波導包括平板部和位于所述平板部中間，且高于所述平板部的凸條; 所述脊型波導中包括第一輕摻雜區(qū)和第二輕摻雜區(qū)，所述第一輕摻雜區(qū)包括縱向第一輕摻雜區(qū)和至少一個橫向第一輕摻雜區(qū)，所述縱向第一輕摻雜區(qū)形成在凸條中間，且沿著所述凸條的延伸方向，所述橫向第一輕摻雜區(qū)形成在所述凸條和所述平板部上，且與所述凸條相交；所述第二輕摻雜區(qū)和所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜類型相反，且形成于所述第一輕摻雜區(qū)外側的凸條和平板部中，以與所述第一輕摻雜區(qū)構成橫向和縱向的PN結。
2.根據(jù)權利要求1所述的硅基光調制器，其特征在于:所述縱向第一輕摻雜區(qū)的寬度為 10nm ?250nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的硅基光調制器，其特征在于:所述橫向第一輕摻雜區(qū)的寬度為 300nm ?lOOOnm。
4.根據(jù)權利要求1所述的硅基光調制器，其特征在于:所述脊型波導中，所述平板區(qū)的高度為50nm?200nm,所述凸條的高度為220nm?340nm,所述凸條的寬度為300nm?700nm。
5.根據(jù)權利要求1所述的硅基光調制器，其特征在于:所述平板部中還包括第一重摻雜區(qū)和第二重摻雜區(qū)，所述第一重摻雜區(qū)形成于所述第二輕摻雜區(qū)的兩外側，所述第二重摻雜區(qū)形成于其中一重摻雜區(qū)的外側；所述橫向第一輕摻雜區(qū)為多個并排的長條型區(qū)域，每一所述橫向第一輕摻雜區(qū)穿過所述第一重摻雜區(qū)連接至所述第二重摻雜區(qū)；所述第一重摻雜區(qū)與所述第二輕摻雜區(qū)的摻雜類型相同；所述第二重摻雜區(qū)和所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜類型相同；所述第一重摻雜區(qū)和第二重摻雜區(qū)中形成有金屬電極，所述處于第一重摻雜區(qū)中的金屬電極連接在一起，所述處于第二重摻雜區(qū)的金屬電極連接在一起。
6.根據(jù)權利要求5所述的硅基光調制器，其特征在于:相鄰兩所述橫向第一輕摻雜區(qū)的間距為300nm?700nm。
7.根據(jù)權利要求5所述的硅基光調制器，其特征在于:每兩相鄰的所述橫向第一輕摻雜區(qū)之間的第一重摻雜區(qū)中形成有一金屬電極。
8.根據(jù)權利要求5所述的硅基光調制器，其特征在于:所述橫向第一輕摻雜區(qū)和所述第一重摻雜區(qū)、所述第一重摻雜區(qū)和第二重摻雜區(qū)之間還具有無摻雜區(qū)。
9.根據(jù)權利要求8所述的硅基光調制器，其特征在于:所述無摻雜區(qū)的寬度為Iμ m。
10.根據(jù)權利要求5所述的硅基光調制器，其特征在于:所述第一重摻雜區(qū)與所述凸條的距離為I μ m?2 μ m。
11.根據(jù)權利要求5所述的硅基光調制器，其特征在于:與第二重摻雜區(qū)緊鄰的所述第一重摻雜區(qū)的寬度為I μ m?10 μ m,另一所述第一重摻雜區(qū)和所述第二重摻雜區(qū)的寬度為I μ m ?50 μ m0
12.根據(jù)權利要求5所述的硅基光調制器，其特征在于:所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜類型為P型。
13.根據(jù)權利要求12所述的硅基光調制器，其特征在于:所述第一輕摻雜區(qū)中摻雜濃度為I X 117CnT3至5X 118CnT3,所述第二輕摻雜區(qū)中摻雜濃度為I X 117CnT3至5X 118CnT3,所述第一重摻雜區(qū)中摻雜濃度為I X 119CnT3至5 X 120Cm-3,所述第二重摻雜區(qū)中摻雜濃度
為 I X 1019cm 3 至 5 X 1020cm 3。
【文檔編號】G02F1/025GK204155033SQ201420660354
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年11月6日 優(yōu)先權日:2014年11月6日
【發(fā)明者】汪敬, 甘甫烷, 盛振, 武愛民, 仇超, 王曦, 鄒世昌 申請人:江蘇尚飛光電科技有限公司, 中科院南通光電工程中心, 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所