一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置，其中像素結(jié)構(gòu)中包括同層不相連的第一信號電極和第二信號電極以及位于第一信號電極和第二信號電極圖層上方的絕緣層，且絕緣層上方還設(shè)置有保護(hù)層。通過與像素電極同層的保護(hù)層遮住絕緣層，以便進(jìn)行像素電極構(gòu)圖的刻蝕過程對第一信號電極與第二信號電極之間第一過孔位置處的絕緣層進(jìn)行保護(hù)，防止對鈍化層刻蝕過程中由于過刻蝕造成本該保留的絕緣層被刻蝕掉，從而避免位于同層的不同金屬電極之間被鈍化層上方的第二公共電極導(dǎo)通而發(fā)生短路的問題。
【專利說明】一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯不屏領(lǐng)域的ADS (Advanced-super Dimens1n Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換)顯示技術(shù)中，最常見的5Mask和4Mask工藝制程，其第一公共電極(即COM電極)都是單層的IT0(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)COM電極結(jié)構(gòu)，電阻比較大。以5Mask工藝產(chǎn)品為例，得到的像素結(jié)構(gòu)平面圖如圖1所示，對構(gòu)成TFT的源極、漏極和柵極的放大圖如圖2所示，像素結(jié)構(gòu)的截面圖如圖3所示。其中第二公共電極09為狹縫狀，參見圖2，圖2中還有與圖3中柵極02連接的柵線14，以及與圖3中源極07連接的數(shù)據(jù)線15。
[0003]在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示)領(lǐng)域中，In-Cell技術(shù)和High-Resolut1n(高分辨率)技術(shù)會經(jīng)常采用Mo層公共電極和ITO層公共電極相結(jié)合的方式做COM電極，現(xiàn)有技術(shù)中為了減小單層的ITO層公共電極的電阻，在進(jìn)行像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，一般在柵線(Gate)層除了設(shè)計(jì)柵極之外，還設(shè)計(jì)有第一公共電極(Mo層公共電極)，如圖1所示。Mo層公共電極通過PVX(鈍化層)上的過孔與ITO層公共電極導(dǎo)通，雙層結(jié)構(gòu)可以減小COM電極層的電阻。
[0004]但是由于Mo層公共電極和Mo層?xùn)艠O相隔較近，間距較小，導(dǎo)通ITO層公共電極和Mo層公共電極的PVX孔關(guān)鍵尺寸偏差(即CD Bias)較大，刻蝕時(shí)容易刻蝕到Mo層的柵極，從而導(dǎo)致Mo層公共電極與Mo層?xùn)艠O之間很容易通過ITO層COM公共電極導(dǎo)通，從而引發(fā)短路問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005](一 )要解決的技術(shù)問題
[0006]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是如何避免同層的不同電極被短路的問題。
[0007]( 二 )技術(shù)方案
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括同層不相連的第一信號電極和第二信號電極以及位于第一信號電極和第二信號電極圖層上方的絕緣層，且絕緣層上方對應(yīng)第一信號電極與第二信號電極之間還設(shè)置有保護(hù)層。
[0009]進(jìn)一步地,所述第一信號電極和第二信號電極均為導(dǎo)電金屬。
[0010]進(jìn)一步地，所述第一信號電極為柵極，第二信號電極為第一公共電極，所述絕緣層為柵絕緣層。
[0011]進(jìn)一步地，所述柵極與第一公共電極之間具有第一過孔，柵絕緣層覆蓋在柵極、第一公共電極以及第一過孔的上方，柵絕緣層上還設(shè)置有半導(dǎo)體層以及像素電極。
[0012]進(jìn)一步地，所述保護(hù)層設(shè)置在所述柵絕緣層上對應(yīng)第一過孔的位置，所述保護(hù)層與像素電極同層不相連。
[0013]進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體層上方還設(shè)置有源極和漏極，源極和漏極之間的半導(dǎo)體層形成溝道。
[0014]進(jìn)一步地，所述源極、漏極、保護(hù)層、像素電極以及裸露的柵絕緣層上方還設(shè)置有鈍化層。
[0015]進(jìn)一步地，所述鈍化層上方還設(shè)置有第二公共電極，所述第二公共電極通過第二過孔與第一公共電極連接。
[0016]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型還提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及襯底基板上的像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)為權(quán)利要求以上所述的像素結(jié)構(gòu)。
[0017]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括以上所述的陣列基板。
[0018](三)有益效果
[0019]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)，其中像素結(jié)構(gòu)中包括同層不相連的第一信號電極和第二信號電極以及位于第一信號電極和第二信號電極圖層上方的絕緣層，且絕緣層上方還設(shè)置有保護(hù)層。通過與像素電極同層的保護(hù)層遮住絕緣層，以便進(jìn)行像素電極構(gòu)圖的刻蝕過程對第一信號電極與第二信號電極之間第一過孔位置處的絕緣層進(jìn)行保護(hù)，防止對鈍化層刻蝕過程中由于過刻蝕造成本該保留的絕緣層被刻蝕掉，從而避免位于同層的不同金屬電極之間被鈍化層上方的第二公共電極導(dǎo)通而發(fā)生短路的問題。同時(shí)，本實(shí)用新型還提供了基于上述像素結(jié)構(gòu)的陣列基板和顯示裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中5Mask工藝制作得到的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0021]圖2是對圖1中構(gòu)成TFT的源極、漏極和柵極的放大圖；
[0022]圖3是圖1中像素結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0023]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0024]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例中對圖4中構(gòu)成TFT的源極、漏極和柵極的放大圖；
[0025]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0026]附圖標(biāo)記:
[0027]01、襯底基板；02、柵極；03、柵絕緣層；04、半導(dǎo)體層；05、像素電極；06、漏極；07、源極；08、鈍化層；09、第二公共電極(ΙΤ0層公共電極)；10、第二過孔；11、第一過孔；12、第一公共電極(Mo層公共電極)；13、保護(hù)層；14、柵線；15、數(shù)據(jù)線。

【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括同層不相連的第一信號電極和第二信號電極以及位于第一信號電極和第二信號電極圖層上方的絕緣層，且絕緣層上方對應(yīng)第一信號電極與第二信號電極之間還設(shè)置有保護(hù)層。其中第一信號電極和第二信號電極均為導(dǎo)電金屬。
[0030]上述像素結(jié)構(gòu)中的第一信號電極和第二信號電極屬于同層設(shè)置的不同信號電極，且不相連，兩者為同一材料經(jīng)過一次沉積過程形成，還需要在絕緣層上設(shè)置保護(hù)層，通過保護(hù)層保護(hù)刻蝕過程中對絕緣層的破壞，從而可以避免這兩個(gè)信號電極之間導(dǎo)通造成的短路。
[0031]優(yōu)選地，本實(shí)施例中以同層的不同金屬電極:柵極和第一公共電極為例，其中第一信號電極為柵極，第二信號電極為第一公共電極，其中的絕緣層為柵絕緣層。本實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的平面圖如圖4所示，對構(gòu)成TFT的源極、漏極和柵極的放大圖如圖5所示，圖5中在第一公共電極12于柵線14之間塊狀的結(jié)構(gòu)為保護(hù)層13，相對應(yīng)的截面圖如圖6所示。
[0032]具體的，柵極為Mo金屬沉積形成,第一公共電極12為Mo層公共電極。本實(shí)施例中的柵極02與第一公共電極12同層設(shè)置，即都是Mo金屬層經(jīng)過刻蝕而成，且柵極02與第一公共電極12之間具有第一過孔11，柵絕緣層03覆蓋在柵極02、第一公共電極12以及第一過孔11的上方。柵絕緣層03上還設(shè)置有半導(dǎo)體層04以及像素電極05。
[0033]進(jìn)一步地，本實(shí)施例中保護(hù)層13設(shè)置在柵絕緣層03上對應(yīng)第一過孔的位置，且保護(hù)層13與像素電極05同層不相連。
[0034]進(jìn)一步地，本實(shí)施例中半導(dǎo)體層04上方還設(shè)置有源極07和漏極06，源極07和漏極06之間的半導(dǎo)體層04形成溝道。
[0035]進(jìn)一步地，在源極07、漏極06、保護(hù)層13、像素電極05以及裸露的柵絕緣層03上方還設(shè)置有鈍化層08。
[0036]進(jìn)一步地，本實(shí)施例中位于第一公共電極12上方的柵絕緣層03還設(shè)置有第二過孔10。需要說明的是，本實(shí)施例中的公共電極采用第一公共電極12(即Mo層公共電極)作為輔助公共電極，與第二公共電極09 (即鈍化層08上方的ITO層公共電極)相結(jié)合，由于第二公共電極09與第一公共電極12通過第二過孔10相接觸，可以減小單層ITO層公共電極的電阻。
[0037]最后本實(shí)施例中鈍化層08上方還設(shè)置有第二公共電極09，第二公共電極09通過第二過孔10與第一公共電極12連接。
[0038]與傳統(tǒng)的TFT-1XD的ADS型工藝制程相比，本實(shí)施例中的彩膜基板的工藝制程沒有改變，依次制作黑矩陣(BM)、紅綠藍(lán)(RGB)彩色濾光片和柱狀隔墊物(PS)，即:BM — R — G — B — PS。陣列基板的制程工藝依次為:第一 Mo層一GI層一半導(dǎo)體層一第一ITO層一第二 Mo層一PVX —第二 ITO層。其中第一 Mo層是在襯底基板上形成柵極和Mo層公共電極，第一 ITO層是保護(hù)層和像素電極，第二 Mo層是形成源極和漏極，第二 ITO是形成ITO公共電極。
[0039]在具體加工藝過程中，在襯底基板01上涂覆一層Mo金屬層，經(jīng)過柵極掩膜板在襯底基板上形成柵極02，同時(shí)還在襯底基板上形成Mo層公共電極，即第一公共電極12的圖形。
[0040]之后一次制作柵絕緣層、半導(dǎo)體層以及像素電極，需要注意的是，在像素電極制作過程中是在柵絕緣層上形成一層氧化銦錫(ITO)，為與后續(xù)工藝制作的ITO進(jìn)行區(qū)分，稱之為一次ΙΤ0。對一次ITO進(jìn)行刻蝕過程中，在第一過孔的位置保留一塊ΙΤ0。柵極上方的被保留下來的ITO遮住柵極上方的柵絕緣層，對其起到保護(hù)的作用，可以保護(hù)這部分柵絕緣層在制作第二過孔10時(shí)不被刻蝕，避免了與柵極同層的Mo層公共電極與柵極導(dǎo)通，從而解決了公共電極與柵極之間的短路問題。同時(shí)ITO層公共電極09經(jīng)第二過孔10與Mo層公共電極12導(dǎo)通后可以減小電阻。
[0041]然后繼續(xù)沉積一層金屬層，經(jīng)過刻蝕形成源極和漏極，繼續(xù)形成鈍化層，并且在對鈍化層進(jìn)行刻蝕的過程中，將第一過孔和第二過孔所在位置對應(yīng)的鈍化層刻蝕掉。
[0042]最后在鈍化層上形成一層ΙΤ0，即二次ITO作為ITO層公共電極，就是本實(shí)施中的第二公共電極。僅溝道區(qū)域?qū)?yīng)的二次ITO被刻蝕掉，其他區(qū)域的二次ITO都保留。
[0043]綜上所述，本實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)通過與像素電極同層的ITO作為保護(hù)層，覆蓋在第一過孔對應(yīng)位置柵絕緣層的上方，對柵極、Mo層公共電極第一過孔位置的柵絕緣層進(jìn)行保護(hù)，防止進(jìn)行鈍化層過孔刻蝕過程中由于過刻蝕造成成本該保留的絕緣層被刻蝕掉，從而避免位于同層的柵極、Mo層公共電極之間被鈍化層上方的ITO公共電極導(dǎo)通而發(fā)生短路的問題。同時(shí)，本實(shí)施例中采用Mo層公共電極作為輔助公共電極，與ITO層公共電極相結(jié)合，ITO層公共電極經(jīng)第二過孔與Mo層公共電極導(dǎo)通可以減小單層ITO層公共電極的電阻。
[0044]基于上述，本實(shí)施例中還提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及襯底基板上的像素結(jié)構(gòu)，其中的像素結(jié)構(gòu)就是上述像素結(jié)構(gòu)。
[0045]還需要說明的是，本實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)還適用于其它同層金屬不同信號之間的短路問題，對于柵絕緣層和像素電極相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)需要根據(jù)具體圖層結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，此處不再贅述。
[0046]基于上述，本實(shí)施例中還提供了一種顯示裝置，包括上述陣列基板，其中所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0047]以上實(shí)施方式僅用于說明本實(shí)用新型，而并非對本實(shí)用新型的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu),其特征在于,包括同層不相連的第一信號電極和第二信號電極以及位于第一信號電極和第二信號電極圖層上方的絕緣層，且絕緣層上方對應(yīng)第一信號電極與第二信號電極之間還設(shè)置有保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一信號電極和第二信號電極均為導(dǎo)電金屬。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一信號電極為柵極，第二信號電極為第一公共電極，所述絕緣層為柵絕緣層。
4.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極與第一公共電極之間具有第一過孔，柵絕緣層覆蓋在柵極、第一公共電極以及第一過孔的上方，柵絕緣層上還設(shè)置有半導(dǎo)體層以及像素電極。
5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)層設(shè)置在所述柵絕緣層上對應(yīng)第一過孔的位置，所述保護(hù)層與像素電極同層不相連。
6.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層上方還設(shè)置有源極和漏極，源極和漏極之間的半導(dǎo)體層形成溝道。
7.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源極、漏極、保護(hù)層、像素電極以及裸露的柵絕緣層上方還設(shè)置有鈍化層。
8.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層上方還設(shè)置有第二公共電極，所述第二公共電極通過第二過孔與第一公共電極連接。
9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板以及襯底基板上的像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)為權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1343GK203941901SQ201420221857
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月30日
【發(fā)明者】李少英, 黃煒赟, 董向丹 申請人:成都京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司