一種陣列基板和液晶顯示屏的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種陣列基板、液晶顯示屏。所述陣列基板包括：柵線、與所述柵線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線、公共電極信號(hào)線以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線劃分出的多個(gè)像素，每個(gè)像素內(nèi)包括驅(qū)動(dòng)晶體管、與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之一相連的像素電極以及與所述公共電極信號(hào)線電連接的公共電極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之另一個(gè)與所述數(shù)據(jù)線相連，所述公共電極信號(hào)線與所述柵線同層形成并與所述柵線同向延伸，其中，每個(gè)像素內(nèi)還包括：與所述公共電極信號(hào)線同層形成并沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸的公共電極連通線，所述公共電極連通線與所述公共電極信號(hào)線以及所述公共電極電連接。本實(shí)用新型使得像素電阻值變小，減少了液晶顯示屏整體畫面偏綠的現(xiàn)象。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及液晶顯示屏【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù) (AD-SDS)模式的陣列基板和液晶顯示屏。 一種陣列基板和液晶顯示屏
【背景技術(shù)】
[0002] 高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)（Advanced-Super Dimensional Switing，AD-SDS)是平面 電場寬視角核心技術(shù)，其通過統(tǒng)一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層 與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有 取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效 率。高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD (薄膜晶體管-液晶顯示屏）畫面品質(zhì)，具有高 透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應(yīng)時(shí)間、無擠壓水波紋等優(yōu)點(diǎn)。
[0003] AD-SDS顯示模式的TFT液晶顯示屏的工作方式均需要一個(gè)公共電極。對(duì)公共電極 電平為直流的TFT液晶顯示屏，理想狀態(tài)下公共電極電壓為穩(wěn)定的電平。但是實(shí)際顯示過 程中，由于柵線和數(shù)據(jù)線上信號(hào)的變化，時(shí)常會(huì)通過公共電極與柵線和數(shù)據(jù)線間的耦合電 容而影響公共電極的電壓，使其不能保持穩(wěn)定的電平。在顯示屏尺寸較小的情況下，公共電 極的尺寸較小且與柵線和數(shù)據(jù)信號(hào)線的交疊面積較小，所以公共電極的電阻值及其寄生電 容值較小，公共電極電位受到的影響也較小，因此公共電極電壓可以維持的較好且在整個(gè) 面板的均一性比較好。
[0004] 圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中TFT液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2(a)?圖2(e)示出了現(xiàn) 有技術(shù)中TFT液晶顯示屏的制作工藝流程圖。如圖1及2所示，所述TFT液晶顯示屏包括： 基板101、公共電極102、柵極層103、有源層及源漏極104、鈍化層105、像素電極106。從圖 2(b)可以看出，柵極層103上刻蝕形成有柵線1031、公共電極上方的公共電極信號(hào)線1032 和公共電極下方的過孔區(qū)域1033。公共電極信號(hào)從外部輸入點(diǎn)輸入后，在水平方向的像素 單元之間通過水平方向上的公共電極信號(hào)線1032傳輸，而在堅(jiān)直方向即上下兩行像素單 元之間通過公共電極102上ΙΤ0材料傳輸至公共電極下方的過孔區(qū)域1033,然后通過連通 過孔區(qū)域1033和下一行公共電極信號(hào)線之間的跳線傳輸下一行像素單元。公共電極102 通常選用ΙΤ0材料，而一般ΙΤ0的方塊電阻是金屬層方塊電阻的好幾百倍，由于水平方向的 多個(gè)像素單元的公共電極之間的公共電極信號(hào)線1032由柵極層103形成，而柵極層通常是 金屬材料構(gòu)成，因此公共電極水平方向的電阻值即水平方向多個(gè)像素單元公共電極之間的 公共電極信號(hào)線上的電阻值遠(yuǎn)小于堅(jiān)直方向即公共電極信號(hào)線和過孔區(qū)域間的電阻值。由 于水平方向上公共電極電壓信號(hào)通過公共電極信號(hào)線傳輸，而堅(jiān)直方向上通過公共電極傳 輸至所述過孔區(qū)域，傳輸至所述過孔區(qū)域的公共電極信號(hào)通過跳線傳輸至下方像素單元的 公共電極信號(hào)線，所述跳線用于連接所述過孔區(qū)域和下方像素單元的公共電極信號(hào)線，且 由像素電極層即ΙΤ0層構(gòu)成。因此，當(dāng)液晶顯示屏尺寸較大時(shí)，公共電極的尺寸較大且與柵 線和數(shù)據(jù)信號(hào)線的交疊面積較大，因此公共電極受到的總體影響較大，且由于尺寸較大，距 離公共電極信號(hào)輸入點(diǎn)較遠(yuǎn)處的公共電極電壓受到的影響不容易恢復(fù)，如此就會(huì)引起像素 液晶偏轉(zhuǎn)電壓，導(dǎo)致顯示色彩的差異。且由于人眼對(duì)綠色比較敏感，因此所看到的某些顯示 圖案是顯示屏整體畫面偏綠。因此，為減小畫面偏綠的現(xiàn)象，需要降低公共電極的電阻值。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 本實(shí)用新型所要解決的問題是如何減少公共電極上的電阻，以避免液晶顯示屏整 體畫面偏綠的問題。
[0006] 根據(jù)本實(shí)用新型一方面，其提供了一種陣列基板，其包括：柵線、與所述柵線交叉 設(shè)置的數(shù)據(jù)線、公共電極信號(hào)線以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線劃分出的多個(gè)像素，每個(gè)像 素內(nèi)包括驅(qū)動(dòng)晶體管、與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之一相連的像素電極以及與所述公 共電極信號(hào)線電連接的公共電極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之另一個(gè)與所述數(shù)據(jù)線相 連，所述公共電極信號(hào)線與所述柵線同層形成并與所述柵線同向延伸，其中，每個(gè)像素內(nèi)還 包括：與所述公共電極信號(hào)線同層形成并沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸的公共電極連通線，所述 公共電極連通線與所述公共電極信號(hào)線以及所述公共電極電連接。
[0007] 其中，所述公共電極連通線經(jīng)由過孔和跳線連接下一行像素單元的公共電極信號(hào) 線。
[0008] 其中，所述跳線與像素電極以相同材料同層形成。
[0009] 其中，所述跳線由輔助導(dǎo)電層和所述像素電極所在的層層疊而成。
[0010] 其中，所述柵線采用金屬或金屬化合物材料制成。
[0011] 其中，所述柵線采用釹化鋁、鋁、銅、鑰、鎢化鑰、或鉻中的一種或多種的組合制成。 [0012] 其中，所述公共共電極和像素電極層采用銦鋅氧化物和銦錫氧化物中的一種或兩 種的組合制成。
[0013] 其中，所述導(dǎo)電層為金屬層或低電阻率導(dǎo)電層。
[0014] 根據(jù)本實(shí)用新型第二方面，其提供了一種液晶顯示屏，其包括如上所述的陣列基 板。
[0015] 本實(shí)用新型提出的液晶顯示屏的每個(gè)像素單元通過柵極層將上公共電極信號(hào)線 和與下公共電極信號(hào)線導(dǎo)電連接的過孔區(qū)域連通，進(jìn)而使得上下像素單元間的電阻值變 小。此外，本實(shí)用新型還提出在液晶顯示屏的每個(gè)像素單元中與下公共電極信號(hào)線導(dǎo)電連 接的過孔區(qū)域和下公共電極信號(hào)線之間的跳線區(qū)域處增加一層導(dǎo)電層，以進(jìn)一步降低上下 公共電極信號(hào)線之間的電阻值。對(duì)于任何尺寸的液晶顯示屏而言，由于上下像素單元間的 電阻值變小，在受到柵線和數(shù)據(jù)線影響后，距離外部公共電極信號(hào)較遠(yuǎn)處的公共電極電壓 能夠及時(shí)得到補(bǔ)充，進(jìn)而能夠快速恢復(fù)正常的公共電極電壓，不容易引起像素液晶的偏轉(zhuǎn) 電壓偏離目標(biāo)值，減少了液晶顯示屏整體畫面偏綠的現(xiàn)象。本實(shí)用新型第一實(shí)施例中提出 的液晶顯示屏尤其適合中小尺寸液晶顯示屏，而第二實(shí)施例中提出的液晶顯示屏尤其適合 中大尺寸液晶顯示屏。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016] 圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中TFT液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖2(a)?圖2(e)示出了現(xiàn)有技術(shù)中TFT液晶顯示屏的制作工藝流程圖；
[0018] 圖3(a)?圖3(e)示出了本實(shí)用新型第一實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視圖以及工 藝制作流程圖；
[0019] 圖4示出了本實(shí)用新型第二實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0020] 圖5是本實(shí)用新型第一實(shí)施例提出的陣列基板的制作方法流程圖；
[0021] 圖6是本實(shí)用新型第二實(shí)施例提出的陣列基板的制作方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并 參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0023] 圖3(a)?圖3(e)示出了本實(shí)用新型第一實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視圖以及 工藝制作流程圖。如圖3(a)?圖3(e)所示，所述陣列基板從其剖面結(jié)構(gòu)上來說，包括：基 板201、公共電極202、柵極層203、有源層及源漏極204、鈍化層205、像素電極層206。如圖 3(a)所示，所述公共電極202以陣列形式分布在基板201上。如圖3(b)所示，所述柵極層 203覆蓋形成有公共電極202的基板201上，且從圖3 (b)可以看出，柵極層203上刻蝕形成 有柵線2031、公共電極202上方的公共電極信號(hào)線2032和公共電極下方的第一過孔區(qū)域 2033,所述公共電極信號(hào)線2032用于連通同一行像素單元的公共電極。其中，每個(gè)像素單 元的公共電極202上方的公共電極信號(hào)線2032和下方的第一過孔區(qū)域2033之間具有由柵 極層203形成的公共電極連通線2034。
[0024] 其中，有源層及源漏極204上形成有驅(qū)動(dòng)晶體管的U型有源溝道2041、源極2042、 漏極2043和數(shù)據(jù)線2044,所述數(shù)據(jù)線2044與所述柵線2031交叉設(shè)置，且所述柵線2031 和所述數(shù)據(jù)線2044劃分出所述多個(gè)像素單元。每個(gè)像素單元內(nèi)包括驅(qū)動(dòng)晶體管、像素電極 2061以及與所述公共電極信號(hào)線2032電連接的公共電極202。所述像素電極2061由像素 電極層206刻蝕形成，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極2042和漏極2043之一與所述數(shù)據(jù)線2044連 接，另一個(gè)與所述像素電極2061連接。所述公共電極連通線2034沿所述數(shù)據(jù)線2044方向 延伸。
[0025] 可選地，所述基板201由玻璃、石英或透明樹脂等材料構(gòu)成。
[0026] 可選地，所述公共電極202由銦錫氧化物（ΙΤ0)或銦鋅氧化物（ΙΖ0)材料制成，其 是通過在基板201上沉積一層ΙΤ0或ΙΖ0形成公共電極層，并通過刻蝕所述公共電極層形 成陣列分布的多個(gè)條狀公共電極202,如圖3(a)所示?？蛇x地，所述公共電極202還可以是 由ΙΤ0和ΙΖ0形成的復(fù)合材料制成。
[0027] 可選地，所述柵極層203由金屬材料構(gòu)成，可以是一種金屬材料制成或者多種金 屬材料復(fù)合制成?？蛇x地，所述柵極層203可以由釹化鋁Alnd、鋁A1、銅Cu、鑰Mo、鎢化鑰 MoW、或鉻Cr制成或者其中多種材料復(fù)合制成。
[0028] 所述柵極層203沉積在形成有公共電極202的基板201上，沉積完成后對(duì)其進(jìn) 行刻蝕，在上下兩行像素單元的公共電極202之間刻蝕形成柵線2031，在同一行像素單元 的公共電極202上方刻蝕形成水平方向連通同一行像素單元公共電極的公共電極信號(hào)線 2032,在每個(gè)公共電極202的左下方刻蝕形成第一過孔區(qū)域2033,且在同一個(gè)公共電極202 上方的公共電極信號(hào)線2032和左下方的第一過孔區(qū)域2033之間刻蝕形成一條公共電極連 通線2034,如圖3(b)所示。其中，所述公共電極信號(hào)線2032與所述柵線2031同向延伸。
[0029] 可選地，所述公共電極連通線2034可以是層疊在公共電極202左邊緣的窄線條， 為減小或不影響像素開口率大小，該線寬可以是工藝上允許的最小線寬，其具體線寬與工 藝能力相關(guān)。
[0030] 由于所述公共電極202和柵極層203之間沒有絕緣層，因此公共電極202和柵極 層203形成的公共電極信號(hào)線2032、第一過孔區(qū)域2033和公共電極連通線2034電性連接。
[0031] 本實(shí)用新型中通過柵極層203將公共電極信號(hào)線2032和公共電極202下方的第 一過孔區(qū)域2033連通，而第一過孔區(qū)域2033最終會(huì)通過跳線連接至下一行像素單元的公 共電極信號(hào)線。由于柵極層203采用金屬材料制成，因此本實(shí)用新型通過這種方式能夠減 小公共電極202在堅(jiān)直方向上的電阻值，進(jìn)而使得公共電極水平方向和堅(jiān)直方向上的電阻 值趨于平衡，能夠避免產(chǎn)生整屏偏綠現(xiàn)象。此外，由于本實(shí)用新型通過柵極層203將公共 電極信號(hào)線2032和公共電極202下方的第一過孔區(qū)域2033連通，其在制作工藝上并未增 加工序，因此對(duì)顯示屏的生產(chǎn)周期和成本影響甚微。
[0032] 可選地，所述有源層和源漏極層204形成在柵極層203之上。具體地，先在柵極層 203之上形成一層絕緣層，然后在絕緣層之上沉積一層活性材料，再沉積一層源漏極材料形 成有源層和源漏極層204,所述有源層和源漏極層為有源層和源漏電極的復(fù)合層。所述有源 層可以由a-Si、多晶Si或IGZ0等制成，所述源漏極層可以由Mo/Al/Mo、Mo/Cu/Mo、Mo等單 層或多層金屬制成。
[0033] 所述有源層和源漏極層204形成后，對(duì)其進(jìn)行刻蝕形成薄膜晶體管TFT的U型溝 道2041、源極2042、漏極2043和數(shù)據(jù)線2044,其中，所述數(shù)據(jù)線2044與所述柵線2031交叉 設(shè)置，其與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極2042和漏極2043之一相連。具體過程如下：
[0034] 在所述有源層和源漏極層204上涂布光阻膠，然后經(jīng)由掩模板對(duì)光阻膠進(jìn)行曝 光，該掩膜板在薄膜晶體管TFT的U型溝道區(qū)域?yàn)椴糠滞高^光，源漏極圖形區(qū)域不透光，其 余無源漏極圖形的部分全部透過，U型溝道區(qū)域上的光阻膠部分曝光，而其余無源漏極圖形 的區(qū)域全部曝光。光阻膠顯影后，所有源漏極圖形上方光阻膠全部存在，而U型溝道圖形 上方光阻膠部分存在，其余部分光阻膠完全不存在，下一步刻蝕工序中除了源漏極圖形和U 型溝道外的區(qū)域的有源層和源漏極層材料全部刻蝕掉，然后通過灰化工藝將U型溝道上的 部分光阻膠灰化，再通過刻蝕把U型溝道上方的源漏極層和重?fù)诫s有源層刻蝕掉，形成U型 溝道204UTFT源極2042、漏極2043和數(shù)據(jù)線2044。可選地，所述有源溝道2041層疊于柵 線2031上，所述源極2041位于公共電極202的右下方，與公共電極202沒有交疊，且所述 源極2041與所述U型溝道2041連通。所述漏極2043位于數(shù)據(jù)線2044與柵線2031重疊 的部分。所述數(shù)據(jù)線2044位于兩列像素單元公共電極202之間，且每個(gè)像素單元的TFT漏 極2043鏈接至所述數(shù)據(jù)線2044,如圖3(c)所示。
[0035] 可選地，所述鈍化層205由絕緣材料制成，具體為在刻蝕完有源層和源漏極層204 后，在其上沉積一層絕緣材料而形成鈍化層205。之后，對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕形成三種不 同的過孔，分別為第一過孔2051、第二過孔2052和第三過孔2053,如圖3 (d)所示。所述第 一過孔2051位于所述第一過孔區(qū)域2033上方，其是通過將鈍化層205刻蝕成的小孔形狀， 使得所述第一過孔區(qū)域2033能夠從所述小孔露出。所述第二過孔2052和第三過孔2053 分別位于公共電極信號(hào)線2032和TFT源極2042上，其形成過程與第一過孔2051相同。
[0036] 所述第一過孔2051和第二過孔2052通過像素電極層206連通后，用于連通上一 行像素單元的公共電極和下一行的像素電極的公共電極；所述第三過孔2053用于連通所 述TFT源極和像素電極。
[0037] 可選地，所述像素電極層206的材料與公共電極202的材料相同，由銦錫氧化物 (ΙΤ0)或銦鋅氧化物（ΙΖ0)材料制成，或者由ΙΤ0和ΙΖ0形成的復(fù)合材料制成。
[0038] 可選地，在鈍化層205表面沉積像素電極層206后，對(duì)其刻蝕形成像素電極2061 和跳線2062。所述像素電極2061位于公共電極202之上，且僅位于公共電極202上除公共 電極信號(hào)線2032、第一過孔區(qū)域2033和公共電極連通線2034所在位置的區(qū)域內(nèi)。所述跳 線2062位于第一過孔2051和第二過孔2052之間，且通過所述第一過孔2051和第二過孔 2052連通所述第一過孔區(qū)域2033和公共電極信號(hào)線2032,如圖3(e)所示。所述像素電極 2061與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極2042和漏極2043之另一個(gè)相連。
[0039] 其中，所述每個(gè)像素單元包括驅(qū)動(dòng)晶體管、多個(gè)所述像素電極2061以及多個(gè)所述 公共電極202構(gòu)成多個(gè)像素，所述公共電極連通線2034沿所述數(shù)據(jù)線2044方向延伸。
[0040] 本實(shí)用新型第二實(shí)施例提出了另一種陣列基板，如圖4所示，與第一實(shí)施例中的 液晶顯示屏所不同的是，所述跳線為導(dǎo)電層和像素電極層206形成的雙層跳線301。本實(shí)施 例中，所述導(dǎo)電層位于像素電極層206的下方。
[0041] 其中，所述導(dǎo)電層可以是低電阻率導(dǎo)電層或金屬層，優(yōu)選為金屬層。
[0042] 具體地，在沉積完成鈍化層205并形成三種過孔后，沉積一層導(dǎo)電層，并對(duì)所述導(dǎo) 電層進(jìn)行刻蝕，形成第一層跳線。所述第一層跳線位于第一過孔2051和第二過孔2052之 間，且通過所述第一過孔2051和第二過孔2052連通所述第一過孔區(qū)域2033和公共電極信 號(hào)線2032。之后，再沉積像素電極層206,并刻蝕形成像素電極2051和第二層跳線。所述 第二層跳線與第一層跳線完全重合，共同構(gòu)成雙層跳線301。
[0043] 綜上所示，如圖3 (a)?（e)所示，所述陣列基板從其整體結(jié)構(gòu)上看，具體包括：柵 線2031、與所述柵線2031交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線2044、公共電極信號(hào)線2032以及由所述柵線 2031和所述數(shù)據(jù)線2044劃分出的多個(gè)像素，每個(gè)像素內(nèi)包括驅(qū)動(dòng)晶體管、與所述驅(qū)動(dòng)晶體 管的源極2042和漏極2043之一相連的像素電極2061以及與所述公共電極信號(hào)線2032 電連接的公共電極202,所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極2042和漏極2043之另一個(gè)與所述數(shù)據(jù)線 2044相連，所述公共電極信號(hào)線2032與所述柵線2031同層形成并與所述柵線2031同向延 伸，其中，每個(gè)像素內(nèi)還包括：與所述公共電極信號(hào)線2032同層形成并沿所述數(shù)據(jù)線2044 方向延伸的公共電極連通線2034,所述公共電極連通線2034與所述公共電極信號(hào)線2032 以及所述公共電極202電連接。
[0044] 圖5示出了本實(shí)用新型第一實(shí)施例提出的陣列基板的制作方法。如圖3和5所示， 該方法包括：
[0045] 在基板201上沉積一層公共電極層，并對(duì)其進(jìn)行刻蝕形成陣列分布的多個(gè)條狀公 共電極202 ;
[0046] 在形成有公共電極202的基板201上沉積柵極層203,并在上下兩行像素單元間刻 蝕形成柵線2031，在同一行像素單元的公共電極202上方刻蝕形成水平方向的公共電極信 號(hào)線2032,在每個(gè)公共電極202的左下方刻蝕形成第一過孔區(qū)域2033,且在同一個(gè)公共電 極202上方的公共電極信號(hào)線2032和左下方的第一過孔區(qū)域2033之間刻蝕形成一條公共 電極連通線2034 ;其中，所述公共電極信號(hào)線2032與所述柵線2031同向延伸，所述公共電 極連通線2034、所述公共電極信號(hào)線2032以及公共電極202分別電連接；
[0047] 在刻蝕完柵極層后，沉積一層絕緣層，并在絕緣層上依次沉積有源層和源漏電極 層204、鈍化層205和像素電極層206,并進(jìn)行相應(yīng)的刻蝕形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線 2044、第一過孔2051、第二過孔2052、第三過孔2053、像素電極2061和跳線2062 ;其中，所 述驅(qū)動(dòng)晶體管包括有源溝道2041、TFT源極2042、漏極2043,所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極 2042和漏極2043之一與像素電極2061相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極2042和漏極2043之 另一個(gè)與所述數(shù)據(jù)線2044相連，所述數(shù)據(jù)線2944與所述柵線2031交叉設(shè)置。
[0048] 其中，所述多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管、多個(gè)所述像素電極2061以及多個(gè)所述公共電極202 構(gòu)成多個(gè)像素，所述公共電極連通線2034沿所述數(shù)據(jù)線2044方向延伸。
[0049] 上述方法用于制備第一實(shí)施例提出的陣列基板，具體實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)與第一實(shí)施例對(duì)應(yīng) 一致，在此不再贅述。
[0050] 圖6示出了本實(shí)用新型第二實(shí)施例提出的陣列基板的制作方法。如圖4和圖6所 示，該方法包括：
[0051] 在基板201上沉積一層公共電極層，并對(duì)其進(jìn)行刻蝕形成陣列分布的多個(gè)條狀公 共電極202 ;
[0052] 在形成有公共電極202的基板201上沉積柵極層203,并在上下兩行像素單元間刻 蝕形成柵線2031，在同一行像素單元的公共電極202上方刻蝕形成水平方向的公共電極信 號(hào)線2032,在每個(gè)公共電極202的左下方刻蝕形成第一過孔區(qū)域2033,且在同一個(gè)公共電 極202上方的公共電極信號(hào)線2032和左下方的第一過孔區(qū)域2033之間刻蝕形成一條公共 電極連通線2034 ;其中，所述公共電極信號(hào)線2032與所述柵線2031同向延伸，所述公共電 極連通線2034、所述公共電極信號(hào)線2032以及公共電極202分別電連接；
[0053] 在刻蝕完柵極層后，沉積一層絕緣層，并在絕緣層上依次沉積有源層和源漏電極 層204、鈍化層205,并進(jìn)行相應(yīng)的刻蝕形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線2044、第一過孔 2051、第二過孔2052和第三過孔2053 ;其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括有源溝道2041、TFT源極 2042、漏極2043 ;所述數(shù)據(jù)線2044與所述柵線2031交叉設(shè)置，其與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極 2042和漏極2043之一相連。
[0054] 鈍化層205上沉積一層導(dǎo)電層，并對(duì)其進(jìn)行刻蝕形成第一層跳線，所述第一層跳 線位于第一過孔2051和第二過孔2052之間，且通過所述第一過孔2051和第二過孔2052 連通所述第一過孔區(qū)域2033和公共電極信號(hào)線2032。
[0055] 沉積像素電極層206,并刻蝕形成多個(gè)像素電極2051和第二層跳線。所述第二層 跳線與第一層跳線完全重合，共同構(gòu)成雙層跳線301。所述像素電極2061與所述驅(qū)動(dòng)薄膜 晶體管的源極2042和漏極2043之另一個(gè)相連。
[0056] 其中，所述多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管、多個(gè)所述像素電極2061以及多個(gè)所述公共電極202 構(gòu)成多個(gè)像素，所述公共電極連通線2034沿所述數(shù)據(jù)線2044方向延伸。
[0057] 上述方法用于制備第二實(shí)施例提出的液晶顯示屏，具體實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)與第一實(shí)施例對(duì) 應(yīng)一致，在此不再贅述。
[0058] 本實(shí)用新型提出的陣列基板的每個(gè)像素單元通過柵極層將上公共電極信號(hào)線和 與下公共電極信號(hào)線導(dǎo)電連接的過孔區(qū)域連通，進(jìn)而使得上下像素單元間的電阻值變小。 此外，本實(shí)用新型還提出將液晶顯示屏的每個(gè)像素單元中與下公共電極信號(hào)線導(dǎo)電連接的 過孔區(qū)域和下公共電極信號(hào)線之間的跳線區(qū)域處增加一層導(dǎo)電層，以進(jìn)一步降低上下公共 電極信號(hào)線之間的電阻值。對(duì)于任何尺寸的液晶顯示屏而言，由于上下像素單元間的電阻 值變小，在受到柵線和數(shù)據(jù)線影響后，距離外部公共電極信號(hào)較遠(yuǎn)處的公共電極電壓能夠 及時(shí)得到補(bǔ)充，進(jìn)而能夠快速恢復(fù)正常的公共電極電壓，不容易引起像素液晶的偏轉(zhuǎn)電壓， 減少了液晶顯示屏整體畫面偏綠的現(xiàn)象。本實(shí)用新型第一實(shí)施例中提出的陣列基板尤其適 合中小尺寸液晶顯示屏，而第二實(shí)施例中提出的陣列基板尤其適合中大尺寸液晶顯示屏。
[0059] 以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一 步詳細(xì)說明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí) 用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含 在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，其包括：柵線、與所述柵線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線、公共電極信號(hào)線以及 由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線劃分出的多個(gè)像素，每個(gè)像素內(nèi)包括驅(qū)動(dòng)晶體管、與所述驅(qū)動(dòng)晶 體管的源極和漏極之一相連的像素電極以及與所述公共電極信號(hào)線電連接的公共電極，所 述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之另一個(gè)與所述數(shù)據(jù)線相連，所述公共電極信號(hào)線與所述柵線 同層形成并與所述柵線同向延伸，其特征在于，每個(gè)像素內(nèi)還包括：與所述公共電極信號(hào)線 同層形成并沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸的公共電極連通線，所述公共電極連通線與所述公共電 極信號(hào)線以及所述公共電極電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述公共電極連通線經(jīng)由過孔和跳線連接下 一行像素單元的公共電極信號(hào)線。
3. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述跳線與像素電極以相同材料同層形成。
4. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述跳線由輔助導(dǎo)電層和所述像素電極所在 的層層疊而成。
5. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述柵線采用金屬或金屬化合物材料制成。
6. 如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中，所述柵線采用釹化鋁、鋁、銅、鑰、鎢化鑰、或鉻 中的一種制成。
7. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述公共電極和像素電極層采用銦鋅氧化物 和銦錫氧化物中的一種制成。
8. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述導(dǎo)電層為金屬層或低電阻率導(dǎo)電層。
9. 一種液晶顯示屏，其包括如權(quán)利要求1?8之任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK203909443SQ201420165447
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月4日
【發(fā)明者】楊通, 王國磊 申請(qǐng)人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司