陣列基板及其制造方法和全反射式液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括基板、位于基板上的多個(gè)像素區(qū)域、和形成在每個(gè)像素區(qū)域中的薄膜晶體管，每個(gè)像素區(qū)域包括像素電極區(qū)域，該薄膜晶體管包括層疊形成在基板上的柵極層和源/漏極層，該陣列基板還包括依次形成在基板上并至少覆蓋在像素電極區(qū)域和薄膜晶體管上的平坦化層和反射電極層，該反射電極層與薄膜晶體管的漏極電連接，并且柵極層和源/漏極層中的至少一個(gè)由單層金屬形成。本發(fā)明還提供了制造該陣列基板的方法和包括該陣列基板的全反射式液晶顯示器。
【專利說明】陣列基板及其制造方法和全反射式液晶顯示器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，并且具體地，涉及一種陣列基板及其 制造方法、和包括該陣列基板的全反射式液晶顯示器。

【背景技術(shù)】
[0002] 自20世紀(jì)90年代W來，人們?cè)噲D通過不用背照光的方法，尋找實(shí)現(xiàn)薄型化、重量 輕及低功耗的新型TFT(薄膜晶體管）LCD(液晶顯示器）。因此種方法是利用反射環(huán)境光來 顯示圖像，故將其稱為反射式巧eflectivetype)TFT-LCD。
[0003] 反射式液晶顯示器利用并調(diào)制環(huán)境光滿足顯示需求，省電、節(jié)能。反射式TFT-LCD 保持了液晶顯示原有的優(yōu)勢與特點(diǎn)，已成為當(dāng)今液晶顯示一大發(fā)展趨勢。但由于普通扭曲 向列型訂腳LCD、超扭曲向列型（STN)LCD必須采用偏光片，故其顯示底色灰暗，對(duì)比度低、 顯示質(zhì)量差。
[0004] 對(duì)于普通TFT-LCD而言，作為平坦化層的樹脂層的引入，改善了器件整體的功耗， 提高了開口率和透過率等方面。但對(duì)于全反射模式的LCD來說，樹脂層的平坦性對(duì)于反射 式LCD的反射率的影響至關(guān)重要。即是同樣的反射金屬，同樣的反射結(jié)構(gòu)，沉積在平坦性不 等的樹脂層上，反射器件的最終反射率會(huì)差別很大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述和其它問題和缺陷中的至少一種，提出了本發(fā)明。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提出了一種陣列基板，包括基板、位于基板上的多個(gè)像素 區(qū)域、和形成在每個(gè)像素區(qū)域中的薄膜晶體管，每個(gè)像素區(qū)域包括像素電極區(qū)域，該薄膜晶 體管包括層疊形成在基板上的柵極層、和源/漏極層，該陣列基板還包括依次形成在基板 上并至少覆蓋在像素電極區(qū)域和薄膜晶體管上的平坦化層和反射電極層，該反射電極層與 薄膜晶體管的漏極電連接，并且柵極層和源/漏極層中的至少一個(gè)由單層金屬形成。
[0007] 在上述陣列基板中，柵極層和源/漏極層可W均由單層金屬形成。
[0008] 在上述陣列基板中，柵極層和源/漏極層可W均由同一種金屬形成。
[0009] 在上述陣列基板中，柵極層和源/漏極層可W具有相同的厚度。
[0010] 在上述陣列基板中，所述金屬可W包括鋼、銅和鉛中的一種。
[0011] 在上述陣列基板中，柵極層和源/漏極層可W均由厚度為2200埃的鋼層形成。
[0012] 在上述陣列基板中，反射電極層覆蓋在像素電極區(qū)域上的部分可W是基本上平坦 的。
[001引在上述陣列基板中，反射電極層可W由Al、Ag和AlNd中的一種形成。
[0014] 在上述陣列基板中，平坦化層可W包括樹脂層。
[0015] 上述陣列基板還可W包括周邊引線區(qū)域，其中反射電極層還可W形成在周邊引線 區(qū)域中，并且在反射電極層位于周邊引線區(qū)域中的部分上可W覆蓋有氧化鋼錫層。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種全反射式液晶顯示器，包括上述陣列基板。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，提供了一種制造陣列基板的方法，包括；提供一基板， 該基板包括將形成多個(gè)像素的多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括將形成像素電極的像素電 極區(qū)域；在像素區(qū)域中形成薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括層疊形成在基板上的柵極層和 源/漏極層，柵極層和源/漏極層中的至少一個(gè)由單層金屬形成；W及在基板上依次形成至 少覆蓋在像素電極區(qū)域和薄膜晶體管上的平坦化層和反射電極層，使得反射電極層與薄膜 晶體管的漏極電連接。
[0018] 在上述方法中，可W由單層金屬形成柵極層和源/漏極層二者。
[0019] 在上述方法中，可W由同一種金屬形成柵極層和源/漏極層二者。
[0020] 在上述方法中，柵極層和源/漏極層可W具有相同的厚度。
[0021] 在上述方法中，所述金屬可W包括鋼、銅和鉛中的一種。
[0022] 在上述方法中，柵極層和源/漏極層可W均由厚度為2200埃的鋼層形成。
[0023] 在上述方法中，反射電極層覆蓋在像素電極區(qū)域上的部分可W是基本上平坦的。
[0024] 在上述方法中，反射電極層可W由Al、Ag和AlNd中的一種形成。
[00巧]在上述方法中，平坦化層可W包括樹脂層。
[0026] 上述方法所采用的基板還包括周邊引線區(qū)域，反射電極層還形成在周邊引線區(qū)域 中，該方法還可W包括在基板上形成覆蓋反射電極層位于周邊引線區(qū)域中的部分的氧化鋼 錫層。
[0027] 通過下文中參照附圖對(duì)本發(fā)明所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將顯而 易見，并可幫助對(duì)本發(fā)明有全面的瑚解。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028] 通過參考附圖能夠更加清楚地理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng) 理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中：
[0029] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于全反射式液晶顯示器的陣列基板的剖視圖；W 及
[0030] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于制造陣列基板的方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，W下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照 附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0032] 另外，在下面的詳細(xì)描述中，為便于說明，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)W提供對(duì)本發(fā)明 的實(shí)施例的全面理解。然而明顯地，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在沒有該些具體細(xì)節(jié)的情況下也可 W被實(shí)施。在其它情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置W圖示的方式體現(xiàn)W簡化附圖。
[0033] 圖1圖示了本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)。如圖所示，該陣列基 板主要包括基板10、位于基板上的由相互交叉的數(shù)據(jù)線和柵極線（未示出）限定的多個(gè)像 素區(qū)域、和形成在每個(gè)像素區(qū)域中的薄膜晶體管T，每個(gè)像素區(qū)域包括像素電極區(qū)域P。如 可W理解的那樣，該種陣列基板的周邊區(qū)域B可W用作引線鍵合區(qū)域。
[0034] 薄膜晶體管T包括依次層疊形成在基板10上的柵極層21、柵極絕緣層22、有源層 23、和源/漏極層，源/漏極層中形成薄膜晶體管T的源極24和漏極25。
[00巧]該陣列基板還包括依次形成在基板10上并至少覆蓋在像素電極區(qū)域P和薄膜晶 體管T上的純化層30、平坦化層40和反射電極層50。在一個(gè)示例中，平坦化層40可W由 樹脂形成。反射電極層50例如通過純化層30和平坦化層40中形成的過孔31與薄膜晶體 管T的漏極25電連接，從而還用作像素電極。
[0036] 下表1示出了一些金屬的反射率的測量數(shù)據(jù)。
[0037] 從表1中可W看出，Al、Ag和AlNd的反射率較高，能夠?qū)崿F(xiàn)近似鏡面反射，優(yōu)選用 作TFT陣列基板中的反射金屬。另一方面，雖然Ag反射率極高，但其成本及工藝制程較復(fù) 雜，不適于量產(chǎn)工藝；ALNd的反射率稍低于Ag，但價(jià)格低廉，制程簡單的AlNd可W替代Ag 來實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在本發(fā)明的一個(gè)示例中，選用AlNd來形成反射金屬層。
[0038]

【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，包括基板、位于基板上的多個(gè)像素區(qū)域、和形成在每個(gè)像素區(qū)域中的 薄膜晶體管，每個(gè)像素區(qū)域包括像素電極區(qū)域， 該薄膜晶體管包括層疊形成在基板上的柵極層和源/漏極層， 該陣列基板還包括依次形成在基板上并至少覆蓋在像素電極區(qū)域和薄膜晶體管上的 平坦化層和反射電極層， 該反射電極層與薄膜晶體管的漏極電連接，并且 柵極層和源/漏極層中的至少一個(gè)由單層金屬形成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中柵極層和源/漏極層均由單層金屬形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中柵極層和源/漏極層由同一種金屬形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中柵極層和源/漏極層具有相同的厚度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述金屬包括鑰、銅和鋁中的一種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中柵極層和源/漏極層均由厚度為2200埃的鑰 層形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中反射電極層覆蓋在像素電極區(qū)域 上的部分是基本上平坦的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中反射電極層由Al、Ag和AINd中的一種形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中平坦化層包括樹脂層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的陣列基板，還包括周邊引線區(qū)域，其中 反射電極層還形成在周邊引線區(qū)域中，并且 在反射電極層位于周邊引線區(qū)域中的部分上覆蓋有氧化銦錫層。
11. 一種全反射式液晶顯示器，包括權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
12. -種制造陣列基板的方法，包括： 提供一基板，該基板包括將形成多個(gè)像素的多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括將形成 像素電極的像素電極區(qū)域； 在像素區(qū)域中形成薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括層疊形成在基板上的柵極層和源/ 漏極層，柵極層和源/漏極層中的至少一個(gè)由單層金屬形成；以及 在基板上依次形成至少覆蓋在像素電極區(qū)域和薄膜晶體管上的平坦化層和反射電極 層，使得反射電極層與薄膜晶體管的漏極電連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中柵極層和源/漏極層均由單層金屬形成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中柵極層和源/漏極層由同一種金屬形成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中柵極層和源/漏極層具有相同的厚度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述金屬包括鑰、銅和鋁中的一種。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中柵極層和源/漏極層均由厚度為2200埃的鑰層 形成。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12-17中任一項(xiàng)所述的方法，其中反射電極層覆蓋在像素電極區(qū)域 上的部分是基本上平坦的。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中反射電極層由Al、Ag和AINd中的一種形成。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12-17中任一項(xiàng)所述的方法，其中平坦化層包括樹脂層。
21. 根據(jù)權(quán)利要求12-17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述基板還包括周邊引線區(qū)域，反 射電極層還形成在周邊引線區(qū)域中，該方法還包括： 在基板上形成覆蓋反射電極層位于周邊引線區(qū)域中的部分的氧化銦錫層。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK104375348SQ201410752941
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月10日
【發(fā)明者】呂志軍, 李太亮, 高濤, 寧策, 孫雙 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司