像素結構、像素陣列以及顯示面板的制作方法
【專利摘要】一種像素結構、畫素像素陣列以及顯示面板，該像素結構包括有源元件、第一像素電極、第二像素電極以及導線。第一像素電極與有源元件電性連接。第二像素電極與第一像素電極電性絕緣。導線位于第一像素電極以及第二像素電極的下方，其中有源元件通過導線以與第一像素電極電性連接，且導線與第二像素電極耦合以形成耦合電容(coupling?capacitance)。如此一來，同一個像素結構在驅動過程中可使得這兩塊像素電極具有不同的電壓，進而改善顯示面板的側視色偏現(xiàn)象。
【專利說明】像素結構、像素陣列以及顯示面板
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種像素結構、像素陣列以及顯示面板，且特別涉及一種能夠降低色 偏（color washout)現(xiàn)象的像素結構、像素陣列以及顯示面板。
【背景技術】
[0002] 液晶顯示面板由于具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等 優(yōu)越特性，因而成為市場的主流。隨著液晶顯示器的顯示規(guī)格逐漸朝向大尺寸發(fā)展，為了 克服大尺寸顯示規(guī)格下的視角問題，液晶顯示面板的廣視角技術也隨之發(fā)展，其包括多 域垂直配向（Multi-Domain Vertical Alignment，MVA)、多域水平配向（Multi-Domain Horizontal Alignment，MHA)、扭轉向列加視角擴大膜（Twisted Nematic plus wide viewing film)及橫向電場形式（In-Plane Switching, IPS)等。
[0003] 雖然通過上述技術的液晶顯示面板可以達到廣視角的目的，但是其色偏現(xiàn)象仍有 許多改善的空間。舉例而言，這些技術還是會遭遇到側視圖像比正視圖像低灰階偏藍、中灰 階偏紅或偏綠、高灰階偏綠或偏黃的現(xiàn)象，即側視色偏的問題，使得顯示面板的側視圖像顯 的不自然。因此，亟需一種可同時改善側視偏白以及當像素位于高灰階時側視偏黃綠的現(xiàn) 象的液晶顯示面板。
【發(fā)明內容】
[0004] 本發(fā)明提供一種像素結構，其可改善當像素位于高灰階時側視偏黃綠的現(xiàn)象。本 發(fā)明還提供一種由上述像素結構組成的像素陣列。
[0005] 本發(fā)明更提供一種顯示面板，其像素位于高灰階時具有改善偏黃綠現(xiàn)象的側視圖 像。
[0006] 本發(fā)明提出一種像素結構，其包括有源元件、第一像素電極、第二像素電極以及導 線。第一像素電極與有源元件電性連接。第二像素電極與第一像素電極電性絕緣。導線位 于第一像素電極以及第二像素電極的下方，其中有源元件通過導線以與第一像素電極電性 連接，且導線與第二像素電極稱合以形成稱合電容（coupling capacitance)。
[0007] 本發(fā)明提出一種像素結構，其包括有源元件、主像素電極以及至少一次像素電極。 主像素電極與有源元件電性連接，其中主像素電極包括多個第一分支圖案，其中相鄰的第 一分支圖案之間的狹縫寬度為ST1。至少一次像素電極與有源元件電性連接，其中至少一 次像素電極包括多個第二分支圖案，其中相鄰的第二分支圖案之間的狹縫寬度為ST2,其中 ST1 < ST2。
[0008] 本發(fā)明提出一種像素結構，其包括多個第一像素結構以及多個第二像素結構。每 一第一像素結構包括第一有源元件以及第一像素電極。第一像素電極與第一有源元件電性 連接。每一第二像素結構包括第二有源元件、第二像素電極、第三像素電極以及導線。第二 像素電極與第二有源元件電性連接。第三像素電極與第二像素電極電性絕緣。導線位于第 二像素電極以及第三像素電極的下方，其中第二有源元件通過導線以與第二像素電極電性 連接，且導線與第三像素電極耦合以形成耦合電容。
[0009] 本發(fā)明還提出一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板、彩色濾光層以及顯示介 質。第一基板上包括設置有上述像素陣列。第二基板位于第一基板的對向。彩色濾光層位 于第一基板或第二基板上。顯示介質位于第一基板與第二基板之間。
[0010] 基于上述，于本發(fā)明的像素結構中，其像素電極被分割成兩塊電極，且此兩塊像素 電極彼此電性絕緣。有源元件與其一像素電極電性連接，且導線與另一像素電極耦合以形 成耦合電容。如此一來，同一個像素結構在驅動過程中可使得這兩塊像素電極具有不同的 電壓，進而改善顯示面板的側視色偏現(xiàn)象。
[0011] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖 作詳細說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012] 圖1為依照本發(fā)明的一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
[0013] 圖2為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的一實施例的像素陣列的俯視示意圖。
[0014] 圖3為圖1的顯示面板的灰階與側視色偏的關系圖。
[0015] 圖4為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。
[0016] 圖5為依照圖4的實施例的顯示面板的灰階與側視色偏的關系圖。
[0017] 圖6為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的又另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。
[0018] 圖7為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的再另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。 [0019] 圖8為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。
[0020] 圖9為依照圖8的實施例的顯示面板的灰階與側視色偏的關系圖。
[0021] 圖10為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的又另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。
[0022] 上述附圖中的附圖標記說明如下：
[0023] 10 :第一基板
[0024] 20 :第二基板
[0025] 30 :顯示介質
[0026] 40 :彩色濾光層
[0027] 50 :電極層
[0028] 100 :顯示面板
[0029] 110、210、310、410、510、610 :像素陣列
[0030] 111、112、113、213、313、413、511、512、513、611、613 :像素結構
[0031] 650、651、652:分支圖案
[0032] B :藍色濾光圖案
[0033] BM:黑矩陣
[0034] Cl、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、CIO、Cll、C12、C13、C14、C15 :接觸窗
[0035] CHI、CH2、CH3、CH4、CH5、CH6、CH7、CH8、CH9、CH10、CH11、CH12、CH13 :溝道層
[0036] D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、D12、D13 :漏極
[0037] DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6、DL7、DL8、DL9、DL10、DL11、DL12、DL13 :數(shù)據(jù)線
[0038] G:綠色濾光圖案
[0039] GT1、GT2、GT3、GT4、GT5、GT6、GT7、GT8、GT9、GT10、GT11、GT12、GT13 :柵極
[0040] LI、L2、L3、L8、Lll、L13 :導線
[0041] L3a:主干部
[0042] L3b :分支部
[0043] P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9、P10、PM1、PM2、PM3、PS1、PS2、PS3、PE :像素電極
[0044] P4-1、P4-2、P6-1、P6_2 :子電極
[0045] Ρ8-1、Ρ8-2、Ρ10-1、Ρ10-2 :次像素電極
[0046] R:紅色濾光圖案
[0047] SI、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、Sll、S12、S13 :源極
[0048] ST、ST1、ST2 :狹縫寬度
[0049] SL、SL1、SL2 :掃描線
[0050] Tl、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、Til、T12、T13 :有源元件
【具體實施方式】
[0051] 圖1為依照本發(fā)明的一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參照圖1，顯示面板 100包括第一基板10、第二基板20、顯不介質30以及彩色濾光層40。顯不面板100例如是 液晶顯示面板或是其他形式的顯示面板。
[0052] 第一基板10的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是不透光或反射材料（例如金 屬）等等。第一基板10上包括設置有像素陣列110。像素陣列110包括多個第一像素結構 111、112以及多個第二像素結構113。
[0053] 第二基板20位于第一基板10的對向。第二基板20的材質可為玻璃、石英或有機 聚合物等等。顯示介質30位于第一基板10與第二基板20之間。當顯示面板100為液晶 顯示面板時，顯示介質30例如是液晶分子。
[0054] 彩色濾光層40位于第二基板20上，然本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，彩色濾 光層40也可位于第一基板10上。如圖1所不，彩色濾光層40包括多個紅色濾光圖案R、多 個藍色濾光圖案B以及多個綠色濾光圖案G。在本實施例中，多個紅色濾光圖案R以及綠色 濾光圖案G是對應第一基板10上的像素陣列110的像素結構111、112設置，且多個藍色濾 光圖案B是對應第一基板10上的像素陣列110的像素結構113設置，然本發(fā)明不限于此。 此外，第二基板20上更可配置有黑矩陣（black matrix) BM。黑矩陣BM具有多個開口，而紅 色濾光圖案R、藍色濾光圖案B以及綠色濾光圖案G分別配置于這些開口中。
[0055] 在本實施例中，顯不面板100可還包括電極層50。電極層50為透明導電層，其材 質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物或銦鋅氧化物等。電極層50設置于彩色濾光層40 與顯示介質30之間，且電極層50全面地覆蓋于彩色濾光層40,然本發(fā)明不限于此。電極層 50可與像素陣列110之間產(chǎn)生電場，以控制或驅動顯示介質30。
[0056] 圖2為圖1的顯示面板的像素陣列的俯視示意圖。圖2的像素陣列110可包括多 個像素結構111U12以及113。為了清楚說明，圖2僅分別示出一個像素結構111、一個像 素結構112以及一個像素結構113,然本領域普通技術人員應可理解，像素陣列110還可包 括更多個像素結構。在本實施例中，基于顯示面板的穿透率與亮度的觀點而言，像素結構 111U12以及113分別對應紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)以及藍色子像素區(qū)，然本發(fā)明不限 于此。
[0057] 像素結構111包括掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL1、有源元件T1與像素電極PI。
[0058] 掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL1的延伸方向不相同，優(yōu)選的是掃描線SL的延伸方向與數(shù) 據(jù)線DL1的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL1是位于不相同的膜層，且兩者之 間夾有絕緣層（未示出）。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL1主要用來傳遞驅動像素結構111的驅動 信號?；趯щ娦缘目紤]，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL1-般是使用金屬材料，然本發(fā)明不限于 此。根據(jù)其他實施例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL1也可以使用其他導電材料，其例如是包括合 金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
[0059] 有源元件T1對應地與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL1電性連接。在此，有源元件T1例 如是薄膜晶體管（thin film transistor，TFT)，其包括柵極GT1、溝道層CH1、漏極D1以及源 極S1。柵極GT1與掃描線SL電性連接。源極S1與數(shù)據(jù)線DL1電性連接。換言之，當有控 制信號輸入掃描線SL時，掃描線SL與柵極GT1之間會電性連接；當有控制信號輸入數(shù)據(jù)線 DL1時，數(shù)據(jù)線DL1會與源極S1電性連接。溝道層CH1位于柵極GT1的上方并且位于源極 S1與漏極D1的下方。本實施例的有源元件T1是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但 本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，有源元件T1也可以是頂部柵極型薄膜晶體管。
[0060] 如圖2所示，像素電極P1對應地與有源元件T1電性連接。更詳細來說，漏極D1 與導線L1彼此連接，在本實例中，漏極D1與導線L1位于同一膜層，然本發(fā)明不限于此。導 線L1位于像素電極P1的下方，且導線L1與像素電極P1之間設置有接觸窗C1，而有源元 件T1可通過此接觸窗C1與像素電極P1電性連接。像素電極P1例如是透明導電層，其包 括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、 或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0061] 在本實施例中，像素電極P1為塊狀圖案的電極，然本發(fā)明不限于此。在其他實施 例中，像素電極P1也可為其他特定圖案的電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形 圖案或其他圖案（未示出）的電極。舉例而言，在像素電極P1為具有米字形圖案的電極的 情況下，其可于像素結構111中形成4個配向區(qū)域（domain region)，使得顯示介質30中的 多個液晶分子可沿著此4個配向方向（未示出）傾倒。
[0062] 類似地，像素結構112包括掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL2、有源元件T2與像素電極P2。
[0063] 掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL2的延伸方向不相同，優(yōu)選的是掃描線SL的延伸方向與數(shù) 據(jù)線DL2的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL1是位于不相同的膜層，且兩者之 間夾有絕緣層（未示出）。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL2主要用來傳遞驅動像素結構112的驅動 信號?；趯щ娦缘目紤]，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL2 -般是使用金屬材料，然本發(fā)明不限于 此。根據(jù)其他實施例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL2也可以使用其他導電材料，其例如是包括合 金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
[0064] 有源元件T2對應地與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL2電性連接。在此，有源元件T2例 如是薄膜晶體管（thin film transistor，TFT)，其包括柵極GT2、溝道層CH2、漏極D2以及源 極S2。柵極GT2與掃描線SL電性連接。源極S2與數(shù)據(jù)線DL2電性連接。換言之，當有控 制信號輸入掃描線SL時，掃描線SL與柵極GT2之間會電性連接；當有控制信號輸入數(shù)據(jù)線 DL2時，數(shù)據(jù)線DL2會與源極S2電性連接。溝道層CH2位于柵極GT2的上方并且位于源極 S2與漏極D2的下方。本實施例的有源元件T2是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但 本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，有源元件T2也可以是頂部柵極型薄膜晶體管。
[0065] 如圖2所示，像素電極Ρ2對應地與有源元件Τ2電性連接。更詳細來說，漏極D2 與導線L2彼此連接，在本實例中，漏極D2與導線L2位于同一膜層，然本發(fā)明不限于此。導 線L2位于像素電極Ρ2的下方，且導線L2與像素電極Ρ2之間設置有接觸窗C2,而有源元 件Τ2可通過此接觸窗C2與像素電極Ρ2電性連接。像素電極Ρ2例如是透明導電層，其包 括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、 或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0066] 在本實施例中，像素電極Ρ2為塊狀圖案的電極，然本發(fā)明不限于此。在其他實施 例中，像素電極Ρ2也可為其他特定圖案的電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形 圖案或其他圖案（未示出）的電極。舉例而言，在像素電極Ρ2為具有米字形圖案的電極的 情況下，其可于像素結構112中形成4個配向區(qū)域（domain region)，使得顯示介質30中的 多個液晶分子可沿著此4個配向方向（未示出）傾倒。
[0067] 像素結構113包括掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL3、有源元件T3以及像素電極P3與像素電 極P4。值得一提的是，像素結構113的像素電極P3與像素電極P4彼此不直接接觸。
[0068] 掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL3的延伸方向不相同，優(yōu)選的是掃描線SL的延伸方向與數(shù) 據(jù)線DL3的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL3是位于不相同的膜層，且兩者之 間夾有絕緣層（未示出）。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL3主要用來傳遞驅動像素結構113的驅動 信號?；趯щ娦缘目紤]，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL3-般是使用金屬材料，然本發(fā)明不限于 此。根據(jù)其他實施例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL3也可以使用其他導電材料，其例如是包括合 金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
[0069] 有源元件T3對應地與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL3電性連接。在此，有源元件T3例 如是薄膜晶體管（thin film transistor，TFT)，其包括柵極GT3、溝道層CH3、漏極D3以及源 極S3。柵極GT3與掃描線SL電性連接。源極S3與數(shù)據(jù)線DL3電性連接。換言之，當有控 制信號輸入掃描線SL時，掃描線SL與柵極GT3之間會電性連接；當有控制信號輸入數(shù)據(jù)線 DL1時，數(shù)據(jù)線DL3會與源極S3電性連接。溝道層CH3位于柵極GT3的上方并且位于源極 S3與漏極D3的下方。本實施例的有源元件T3是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但 本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，有源元件T3也可以是頂部柵極型薄膜晶體管。
[0070] 如圖2所示，像素電極P3對應地與有源元件T3電性連接。更詳細來說，漏極D3 與導線L3彼此連接，在本實例中，漏極D3與導線L3位于同一膜層，然本發(fā)明不限于此。導 線L3位于像素電極P3的下方，且導線L3與像素電極P3之間設置有接觸窗C3,而有源元 件T3可通過此接觸窗C3與像素電極P3電性連接。像素電極P3例如是透明導電層，其包 括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、 或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0071] 在本實施例中，像素電極P3與像素電極P4為塊狀圖案的電極，然本發(fā)明不限于 此。在其他實施例中，像素電極P3與像素電極P4可分別為其他特定圖案的電極，其可包括 多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案（未示出）的電極。舉例而言，在像素電 極P3與像素電極P4為具有米字形圖案的電極的情況下，其可于像素結構113中形成8個 配向區(qū)域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此8個配向方向（未示出）傾倒。
[0072] 特別的是，像素電極P3與有源元件T3電性連接，而像素電極P4與像素電極P3電 性絕緣。詳細而言，有源元件T3的漏極D3與導線L3彼此連接，在本實例中，漏極D3與導 線L3位于同一膜層，然本發(fā)明不限于此。導線L3位于像素電極Ρ3與像素電極Ρ4下方，且 導線L3與像素電極Ρ3之間設置有接觸窗C3。有源元件Τ3可通過此接觸窗C3與像素電 極Ρ3電性連接。此外，導線L3與像素電極Ρ4耦合而形成耦合電容。像素電極Ρ3與像素 電極Ρ4可分別具有電壓V P3與VP4。
[0073] 值得一提的是，在本實施例中，通過將對應于藍色子像素區(qū)的像素結構113的像 素電極分割成面積較大的像素電極P3與面積較小的像素電極P4,并通過上述耦合的驅動 設計，可使藍色子像素區(qū)具有兩種不同的像素電壓V P3與VP4進而形成不同的亮度。如此一 來，可縮小像素于高灰階的側視色偏現(xiàn)象。此外，藍色子像素區(qū)本身過飽和，因此，即使切出 具有較低電壓V P4的像素電極P4,其所造成的亮度下降很少，且藍色貢獻亮度的比例很低， 故上述像素結構113的設計對顯示面板100的穿透率的影響很小。基于計算結果，像素電 極P3與像素電極P4的面積比優(yōu)選為4 :1，且像素電極P3與像素電極P4的電壓比VP3/VP4 優(yōu)選為2. 85 :2. 3。
[0074] 圖3為圖1的顯示面板的灰階與側視色偏的關系圖。請參照圖3,橫軸為灰階，縱 軸為側視色偏程度。實線表示圖1的顯示面板的結果，虛線表示公知的顯示面板的結果。 具體而言，實線所示為具有圖2的像素陣列110的顯示面板的結果，特別的是，其對應于藍 色子像素區(qū)的像素結構113的像素電極分割成面積較大的像素電極P3與面積較小的像素 電極P4。相反地，虛線所示的公知的顯示面板具有由例如圖2的像素結構111重復排列的 像素陣列。如圖3所示，在高灰階時，相較于公知的顯示面板，依照本發(fā)明的一實施例的圖 1的顯示面板的側視色偏程度較小。
[0075] 圖4為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。請 同時參照圖1與圖4,圖4的像素陣列210可包括多個像素結構111U12以及213。為了清 楚說明，圖4僅分別示出一個像素結構111、一個像素結構112以及一個像素結構213,然本 領域普通技術人員應可理解，像素陣列210還可包括更多個像素結構。在本實施例中，像素 結構111U12以及213例如是對應紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)以及藍色子像素區(qū)，其中基 于顯示面板100的穿透率與亮度的觀點而言，像素結構213優(yōu)選對應藍色子像素區(qū)，然本發(fā) 明不限于此。
[0076] 圖4的像素陣列210與圖2的像素陣列110相似，因此相同或相似的構件以相同 或相似的符號表示，且不再重復說明。像素陣列210與像素陣列110的差異在于像素陣列 210的像素結構213。像素結構213包括掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL3、有源元件T3、像素電極P3 以及像素電極P4。像素結構213與圖2的像素結構113相似，因此相同或相似的構件以相 同或相似的符號表示，且不再重復說明。值得一提的是，本實施例的像素電極P4具有彼此 分離的子電極P4-1以及子電極P4-2,然本發(fā)明不限于此，像素電極P4還可具有彼此分離的 更多個子電極。如圖4所示，子電極P4-1與子電極P4-2位于像素電極P3的同一側，然在 其他實施例中，子電極P4-1與子電極P4-2也可位于像素電極P3的相對兩側。
[0077] 如圖4所示，像素電極P3對應地與有源元件T3電性連接。更詳細來說，漏極D3與 導線L3彼此連接，在本實例中，漏極D3與導線L3位于同一膜層，然本發(fā)明不限于此。導線 L3位于像素電極P3與像素電極P4下方，且導線L3與像素電極P3之間設置有接觸窗C3。 有源元件T3可通過此接觸窗C3與像素電極P3電性連接。
[0078] 請同時參照圖1與圖4,在本實施例中，像素電極P3與像素電極P4為塊狀圖案的 電極，然本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，像素電極P3與像素電極P4可分別為其他特定 圖案的電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案（未示出）的像素 電極。舉例而言，在像素電極P3與像素電極P4為具有米字形圖案的像素電極的情況下，其 可于像素結構213中分別形成12個配向區(qū)域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著 此12個配向方向（未示出）傾倒。
[0079] 特別的是，像素電極P3與有源元件T3電性連接，而像素電極P4的子電極P4-1以 及子電極P4-2與像素電極P3電性絕緣。詳細而言，有源元件T3的漏極D3與導線L3彼此 連接，在本實例中，漏極D3與導線L3位于同一膜層，然本發(fā)明不限于此。導線L3位于像素 電極P3、子電極P4-1以及子電極P4-2的下方，且導線L3與像素電極P3之間形成接觸窗 C3。有源元件T3可通過此接觸窗C3與像素電極P3電性連接。此外，導線L3與像素電極 P4的子電極P4-1耦合而形成第一子外加電容，且導線L3與像素電極P4的子電極P4-2耦 合而形成第二子外加電容。像素電極P3與像素電極P4的子電極P4-1以及子電極P4-2可 分別具有電壓V P3,、VP4_i與VP4_2。
[0080] 值得一提的是,在本實施例中，通過將對應于藍色子像素區(qū)的像素結構213的像 素電極分割成面積較大的像素電極P3與面積較小的子電極P4-1以及子電極P4-2,并通過 上述耦合的驅動設計，可使藍色子像素區(qū)具有三種不同的像素電壓Vp^Vpu與V P4_2進而形 成不同的亮度。如此一來，可縮小像素于高灰階的側視色偏現(xiàn)象。此外，藍色子像素區(qū)本身 過飽和，因此，即使切出具有較低電壓Vph與V P4_2的子電極P4-1以及子電極P4-2,其所造 成的亮度下降很少，且藍色貢獻亮度的比例很低，故上述像素結構213的設計對顯示面板 的穿透率的影響很小?；谟嬎愕慕Y果，像素電極P3、子電極P4-1與子電極P4-2的面積比 優(yōu)選為3 :1 :1，且像素電極P3、子電極P4-1與子電極P4-2的電壓比VP3, /Vpu/Vpu優(yōu)選為 2. 85 :2· 5 :2· 1。
[0081] 圖5為依照圖4的實施例的顯示面板的灰階與側視色偏的關系圖。橫軸為灰階， 縱軸為側視色偏程度。實線表示圖1的顯示面板的結果，虛線表示公知的顯示面板的結果。 具體而言，實線所示為具有圖4的像素陣列210的顯示面板的結果，特別的是，其對應于藍 色子像素區(qū)的像素結構213的像素電極分割成面積較大的像素電極Ρ3與面積較小的兩個 子電極P4-UP4-2。相反地，虛線所示的公知的顯示面板具有由例如圖4的像素結構111重 復排列的像素陣列。如圖5所示，在高灰階時，相較于公知的顯示面板，依照圖4的實施例 的顯示面板的側視色偏程度較小。
[0082] 圖6為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的又另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。 請同時參照圖1與圖6,圖6的像素陣列310可包括多個像素結構111U12以及313。為了 清楚說明，圖6僅分別示出一個像素結構111、一個像素結構112以及一個像素結構313,然 本領域普通技術人員應可理解，像素陣列310還可包括更多個像素結構。在本實施例中，像 素結構111U12以及313例如是對應紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)以及藍色子像素區(qū)，其中 基于顯示面板100的穿透率與亮度的觀點而言，像素結構313優(yōu)選對應藍色子像素區(qū)，然本 發(fā)明不限于此。
[0083] 圖6的像素陣列310與圖2的像素陣列110相似，因此相同或相似的構件以相同 或相似的符號表示，且不再重復說明。像素陣列310與像素陣列110的差異在于像素陣列 310的像素結構313。像素結構313包括掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL3、有源元件T3、像素電極P5 以及像素電極P6。像素結構313與圖2的像素結構113相似，因此相同或相似的構件以相 同或相似的符號表示，且不再重復說明。值得一提的是，本實施例的像素電極P6具有彼此 分離的子電極P6-1以及子電極P6-2,然本發(fā)明不限于此，像素電極P6還可具有彼此分離的 更多個子電極。
[0084] 特別的是，像素電極P5與有源元件T3電性連接，而像素電極P6的子電極P6-1以 及子電極P6-2與像素電極P5電性絕緣。詳細而言，有源元件T3的漏極D3與導線L3彼此 連接，在本實例中，漏極D3與導線L3位于同一膜層，然本發(fā)明不限于此。導線L3位于像素 電極P5、子電極P6-1以及子電極P6-2的下方，且導線L3與像素電極P5之間形成接觸窗 C3。有源元件T3可通過此接觸窗C3與像素電極P5電性連接。此外，導線L3與像素電極 P6的子電極P6-1耦合而形成第一子外加電容，且導線L3與像素電極P6的子電極P6-2耦 合而形成第二子外加電容。
[0085] 請同時參照圖4與圖6,圖4與圖6的實施例的差異在于，圖4的兩個子電極P4-1、 P4-2是位于像素電極P3的同一側；相反地，圖6的兩個子電極P6-UP6-2則是位于像素電 極P5的相對兩側。此外，如圖6所示，兩個子電極P6-UP6-2為三角形圖案的電極，而像素 電極P5為多邊形圖案的電極，此可增加導線L3分別與子電極P6-1、P6-2耦合而形成的第 一子外加電容與第二子外加電容，進而可改善顯示面板的側視色偏現(xiàn)象，然在其他實施例 中，子電極P6-UP6-2與像素電極P5也可為其他圖案的電極。
[0086] 圖7為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的再另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。 請同時參照圖1與圖7,圖7的像素陣列410可包括多個像素結構111U12以及413。為了 清楚說明，圖7僅分別示出一個像素結構111、一個像素結構112以及一個像素結構413,然 本領域普通技術人員應可理解，像素陣列410還可包括更多個像素結構。在本實施例中，像 素結構111U12以及413例如是對應紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)以及藍色子像素區(qū)，其中 基于顯示面板100的穿透率與亮度的觀點而言，像素結構413優(yōu)選對應藍色子像素區(qū)，然本 發(fā)明不限于此。
[0087] 圖7的像素陣列410與圖2的像素陣列110相似，因此相同或相似的構件以相同 或相似的符號表示，且不再重復說明。像素陣列410與像素陣列110的差異在于像素陣列 410的像素結構413。像素結構413包括掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL3、有源元件T3、像素電極P5 以及像素電極P6。圖7的像素結構413與圖2的像素結構113相似，因此相同或相似的構 件以相同或相似的符號表示，且不再重復說明。值得一提的是，本實施例的像素電極P6具 有彼此分離的子電極P6-1以及子電極P6-2,然本發(fā)明不限于此，像素電極P6還可具有彼此 分尚的更多個子電極。如圖7所不，子電極P6-1與子電極P6-2位于像素電極P5的相對兩 偵!|，然在其他實施例中，子電極P6-1與子電極P6-2也可位于像素電極P5的同一側。
[0088] 特別的是，像素電極P5與有源元件T3電性連接，而像素電極P6的子電極P6-1以 及子電極P6-2與像素電極P5電性絕緣。詳細而言，有源元件T3的漏極D3與導線L3彼此 連接，在本實例中，漏極D3與導線L3位于同一膜層，然本發(fā)明不限于此。導線L3位于像素 電極P5、子電極P6-1以及子電極P6-2的下方，且導線L3與像素電極P5之間形成接觸窗 C3。有源元件T3可通過此接觸窗C3與像素電極P5電性連接。此外，導線L3與像素電極 P6的子電極P6-1耦合而形成第一子外加電容，且導線L3與像素電極P6的子電極P6-2耦 合而形成第二子外加電容。
[0089] 請同時參照圖4與圖7,圖4與圖7的實施例的差異在于，圖4的兩個子電極P4-1、 P4-2是位于像素電極P3的同一側；相反地，圖7的兩個子電極P6-UP6-2則是位于像素電 極P5的相對兩側。特別的是，如圖7所不，導線L3包括主干部L3a與分支部L3b。主干部 L3a與像素電極P5重疊設置。分支部L3b自主干部L3a延伸出，在本實施例中，導線L3具 有兩個分支部L3b且分別與像素電極P6的子電極P6-1、P6-2重疊設置，然本發(fā)明不限于 此。如圖7所示，導線L3呈雙十字形，通過將雙十字形的導線L3與像素電極P5以及子電 極P6-UP6-2重疊設置，可大幅增加導線L3分別與子電極P6-UP6-2耦合而形成的第一子 外加電容與第二子外加電容，進而可改善顯示面板的側視色偏現(xiàn)象。
[0090] 圖8為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。圖 8的像素陣列510可包括多個像素結構511、512以及513。為了清楚說明，圖8僅分別示出 一個像素結構511、一個像素結構512以及一個像素結構513,然本領域普通技術人員應可 理解，像素陣列510還可包括更多個像素結構。在本實施例中，像素結構511、512以及513 例如是對應紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)以及藍色子像素區(qū)，其中基于顯示面板100的穿 透率與亮度的觀點而言，像素結構513優(yōu)選對應藍色子像素區(qū)，然本發(fā)明不限于此。
[0091] 像素結構511包括掃描線SL1、數(shù)據(jù)線DL4、DL5、有源元件T4、T5、像素電極PM1與 像素電極PS1。
[0092] 掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL4、DL5的延伸方向不相同，優(yōu)選的是掃描線SL1的延伸方 向與數(shù)據(jù)線DL4、DL5的延伸方向垂直。此外，掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL4、DL5是位于不相同 的膜層，且兩者之間夾有絕緣層（未示出）。掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL4、DL5主要用來傳遞 驅動像素結構511的驅動信號?；趯щ娦缘目紤]，掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL4、DL5 -般是 使用金屬材料，然本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL4、DL5也可以 使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬 材料與其它導電材料的堆疊層。
[0093] 在像素結構511中，有源元件T4與掃描線SL1以及數(shù)據(jù)線DL4電性連接，而有源 元件T5與掃描線SL1以及數(shù)據(jù)線DL5電性連接。在此，有源元件T4例如是薄膜晶體管，其 包括柵極GT4、溝道層CH4、漏極D4以及源極S4,類似地，有源元件T5例如包括柵極GT5、溝 道層CH5、漏極D5以及源極S5。柵極GT4、GT5分別與掃描線SL1電性連接。在像素結構 511中，源極S4與數(shù)據(jù)線DL4電性連接，而源極S5與數(shù)據(jù)線DL5電性連接。溝道層CH4位 于柵極GT4的上方并且位于源極S4與漏極D4的下方，而溝道層CH5位于柵極GT5的上方 并且位于源極S5與漏極D5的下方。本實施例的有源元件T4、T5是以底部柵極型薄膜晶體 管為例來說明，然本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，有源元件Τ4、Τ5也可以是頂部柵極型 薄膜晶體管。
[0094] 如圖8所示，在像素結構511中，像素電極ΡΜ1與有源元件Τ5電性連接，而像素 電極PS1與有源元件Τ4電性連接。更詳細來說，漏極D4與像素電極PS1之間設置有接觸 窗C4。漏極D5與像素電極ΡΜ1之間設置有接觸窗C5。有源元件Τ4可通過接觸窗C4與像 素電極PS1電性連接，有源元件Τ5可通過接觸窗C5與像素電極ΡΜ1電性連接。像素電極 PM1、PS1例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化 物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0095] 請同時參照圖1與圖8,在本實施例中，像素電極PM1、PS1為塊狀圖案的電極，然 本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，像素電極PM1、PS1也可為其他特定圖案的電極，其可包 括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案（未示出）的像素電極。舉例而言，在 像素電極PM1、PS1為具有米字形圖案的像素電極的情況下，其可于像素結構511中形成8 個配向區(qū)域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此8個配向方向（未示出）傾倒。
[0096] 類似地，像素結構512包括掃描線SL1、數(shù)據(jù)線DL6、DL7、有源元件T6、T7、像素電 極PM2與像素電極PS2。
[0097] 掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL6、DL7的延伸方向不相同，優(yōu)選的是掃描線SL1的延伸方 向與數(shù)據(jù)線DL6、DL7的延伸方向垂直。此外，掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL6、DL7是位于不相同 的膜層，且兩者之間夾有絕緣層（未示出）。掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL6、DL7主要用來傳遞 驅動像素結構512的驅動信號?；趯щ娦缘目紤]，掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL6、DL7 -般是 使用金屬材料，然本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，掃描線SL1與數(shù)據(jù)線DL6、DL7也可以 使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬 材料與其它導電材料的堆疊層。
[0098] 在像素結構512中，有源元件T6與掃描線SL1以及數(shù)據(jù)線DL6電性連接，而有源 元件T7與掃描線SL1以及數(shù)據(jù)線DL7電性連接。在此，有源元件T6例如是薄膜晶體管，其 包括柵極GT6、溝道層CH6、漏極D6以及源極S6,類似地，有源元件T7例如包括柵極GT7、溝 道層CH7、漏極D7以及源極S7。柵極GT6、GT7分別與掃描線SL1電性連接。在像素結構 512中，源極S6與數(shù)據(jù)線DL6電性連接，而源極S7與數(shù)據(jù)線DL7電性連接。溝道層CH6位 于柵極GT6的上方并且位于源極S6與漏極D6的下方，而溝道層CH7位于柵極GT7的上方 并且位于源極S7與漏極D7的下方。本實施例的有源元件T6、T7是以底部柵極型薄膜晶體 管為例來說明，然本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，有源元件Τ6、Τ7也可以是頂部柵極型 薄膜晶體管。
[0099] 如圖8所示，在像素結構512中，像素電極ΡΜ2與有源元件Τ6電性連接，而像素 電極PS2與有源元件Τ7電性連接。更詳細來說，漏極D6與像素電極PS2之間設置有接觸 窗C6。漏極D7與像素電極ΡΜ2之間設置有接觸窗C7。有源元件Τ6可通過接觸窗C6與像 素電極PS2電性連接，有源元件Τ7可通過接觸窗C7與像素電極ΡΜ2電性連接。像素電極 PM2、PS2例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化 物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0100] 請同時參照圖1與圖8,在本實施例中，像素電極PM2、PS2為塊狀圖案的電極，然 本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，像素電極PM2、PS2也可為其他特定圖案的電極，其可包 括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案（未示出）的像素電極。舉例而言，在 像素電極PM2、PS2為具有米字形圖案的像素電極的情況下，其可于像素結構512中分別形 成8個配向區(qū)域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此8個配向方向（未示出）傾 倒。
[0101] 值得一提的是，在本實施例中，像素結構511、512各自具有面積較小的像素電極 PM1、PM2(也可稱作主像素電極）以及面積較大的像素電極PS1、PS2(也可稱作次像素電 極）。在像素結構511中，像素電極PM1與像素電極PS1可分別具有電壓￥" 1與￥1^1?；?計算的結果，像素電極PM1與像素電極PS1的面積比優(yōu)選為1 :2,且像素電極PM1與像素電 極PS1的電壓比VPM1/VPS1優(yōu)選為2· 85 :2. 1。同樣地，在像素結構512中，像素電極PM2與像 素電極PS2可分別具有電壓?；谟嬎愕慕Y果，像素電極PM2與像素電極PS2的 面積比優(yōu)選為1 :2,且像素電極PM2與像素電極PS2的電壓比VPM2/VPS2優(yōu)選為2. 85 :2. 1。
[0102] 像素結構513包括掃描線SL1、數(shù)據(jù)線DL8、DL9、有源元件T8、T9以及像素電極 PM3、PS3、PE，其中像素電極PM3又稱作主像素電極，像素電極PS3又稱作次像素電極。像素 結構513與像素結構511、512的相同或相似的構件以相同或相似的符號表示，且不再重復 說明。值得一提的是，像素結構513的像素電極PM3、PS3、PE彼此不直接接觸。
[0103] 在本實施例中，像素電極PM3、PS3、PE為塊狀圖案的電極，然本發(fā)明不限于此。在 其他實施例中，像素電極PM3、PS3、PE也可為其他特定圖案的電極，其可包括多個V形分支 部或是具有米字形圖案或其他圖案（未示出）的像素電極。舉例而言，在像素電極PM3、PS3、 PE為具有米字形圖案的像素電極的情況下，其可于像素結構513中形成12個配向區(qū)域，使 得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此12個配向方向（未示出）傾倒。
[0104] 特別的是，像素電極PS3與有源元件T8電性連接，像素電極PM3與有源元件T9電 性連接。像素電極PM3、PS3、PE彼此電性絕緣。詳細而言，有源元件T8的漏極D8與導線 L8彼此連接，且導線L8與像素電極PS3之間設置有接觸窗C8。有源元件T8可通過此接觸 窗C8與像素電極PS3電性連接。此外，導線L8可與像素電極PE耦合而形成耦合電容。有 源元件T9的漏極D9與像素電極PM3之間設置有接觸窗C9。有源元件T9可通過此接觸窗 C9與像素電極PM3電性連接。像素電極PM3、PS3、PE可分別具有電壓VPM3、VPS3與V PE。
[0105] 值得一提的是，在本實施例中，通過將對應于藍色子像素區(qū)的像素結構513的像 素電極分割成像素電極PM3、PS3、PE，并通過上述耦合的驅動設計，可使藍色子像素區(qū)具有 三種不同的像素電壓V PM3、VPS3與VPE進而形成不同的亮度。如此一來，可縮小像素于高灰階 的側視色偏現(xiàn)象。此外，藍色子像素區(qū)本身過飽和，因此，即使切出具有較低電壓V PS3的像素 電極PS3與較低電壓VPE的次像素電極PE，其所造成的亮度下降很少，且藍色貢獻亮度的比 例很低，故上述像素結構513的設計對顯示面板的穿透率的影響很小?；谟嬎憬Y果，像素 電極PM3的面積：（像素電極PS3以及像素電極PE的總面積）優(yōu)選為1 :2,且像素電極PS3 與像素電極P13的面積比優(yōu)選為4 :1。此外，像素電極PM3與像素電極PS3的電壓比VPM3/ VPS3優(yōu)選為2. 85 :2. 2，且像素電極PS3與像素電極PE的電壓比VPS3/VPE優(yōu)選為2. 85 :2. 3。
[0106] 圖9為依照圖8的實施例的顯示面板的灰階與側視色偏的關系圖。橫軸為灰階， 縱軸為側視色偏程度。實線表示圖8的顯示面板的結果，虛線表示公知的顯示面板的結果。 具體而言，實線所示為具有圖8的像素陣列510的顯示面板的結果，特別的是，其對應于藍 色子像素區(qū)的像素結構513的像素電極分割成像素電極PM3、PS3、PE。相反地，虛線所示的 公知的顯示面板具有由例如圖4的像素結構111重復排列的像素陣列。如圖9所示，在高 灰階時，相較于公知的顯示面板，依照圖8的實施例的顯示面板的側視色偏程度較小。
[0107] 在上述圖8的實施例中，像素陣列510中的像素結構511、512、513為具有主像素 電極以及次像素電極的像素結構，其中每一像素結構是由兩條數(shù)據(jù)線以及一條掃描線所驅 動，借以使主像素電極以及次像素電極具有不相同的電壓，以改善顯示面板的側視色偏問 題。上述圖8的像素陣列510中的像素結構511、512、513又可稱為2D1G形式的像素結構。 實際上，在一個像素結構中設計主像素電極以及次像素電極，并且主像素電極以及次像素 電極具有不相同的電壓還可以是其他種像素結構，例如通過設置分享開關元件以及分享電 容器，以使得主像素電極以及次像素電極具有不相同的電壓。由于上述在像素結構中設置 分享開關元件以及分享電容器為已知既有解決色偏的像素結構，因此本文不再贅述說明。
[0108] 圖10為圖1的顯示面板的依照本發(fā)明的又另一實施例的像素陣列的俯視示意圖。 請同時參照圖1與圖10,圖10的像素陣列610可包括多個像素結構611、613。為了清楚說 明，圖10僅分別示出一個像素結構611與一個像素結構613,然本領域普通技術人員應可理 解，像素陣列610還可包括更多個像素結構。在本實施例中，像素結構611、613例如是對應 紅色子像素區(qū)以及藍色子像素區(qū)，其中基于顯示面板100的穿透率與亮度的觀點而言，像 素結構613優(yōu)選對應藍色子像素區(qū)，然本發(fā)明不限于此。
[0109] 像素結構611包括掃描線SL2、數(shù)據(jù)線DL10、DL11、有源元件TKKT11以及像素電 極P7 (又稱作主像素電極）與像素電極P8,其中像素電極P8包括兩個次像素電極P8-1、 P8-2。應注意，本實施例的次像素電極P8-1、P8-2位于像素電極P7的相對兩側，然本發(fā)明 不限于此。
[0110] 掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL10、DL11的延伸方向不相同，優(yōu)選的是掃描線SL2的延伸 方向與數(shù)據(jù)線DL10、DL11的延伸方向垂直。此外，掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL10、DL11是位于 不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層（未示出）。掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL10、DL11主要用 來傳遞驅動像素結構611的驅動信號?；趯щ娦缘目紤]，掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL10、DL11 一般是使用金屬材料，然本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL10、 DL11也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化 物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
[0111] 在像素結構611中，有源元件T10與掃描線SL2以及數(shù)據(jù)線DL10電性連接，而有 源元件T11與掃描線SL2以及數(shù)據(jù)線DL11電性連接。在此，有源元件T10例如是薄膜晶體 管，其包括柵極GT10、溝道層CH10、漏極D10以及源極S10,類似地，有源元件T11例如包括 柵極GT11、溝道層CH11、漏極D11以及源極S11。柵極GT10、GT11分別與掃描線SL2電性 連接。在像素結構611中，源極S10與數(shù)據(jù)線DL10電性連接，而源極S11與數(shù)據(jù)線DL11電 性連接。溝道層CH10位于柵極GT10的上方并且位于源極S10與漏極D10的下方，而溝道 層CH11位于柵極GT11的上方并且位于源極S11與漏極D11的下方。本實施例的有源元件 TKKT11是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，然本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，有 源元件T10、T11也可以是頂部柵極型薄膜晶體管。
[0112] 如圖10所示，在像素結構611中，像素電極P7與有源元件T10電性連接，而像素電 極P8與有源元件T11電性連接。像素電極P7、P8例如是透明導電層，其包括金屬氧化物， 例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧 化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0113] 如圖10所示，有源元件T10的漏極D10與像素電極P7之間設置有接觸窗C10。有 源元件T10可通過此接觸窗C10與主像素電極P7電性連接。此外，次像素電極P8-UP8-2 亦對應地與有源元件T11電性連接。更詳細來說，漏極D11與導線L11彼此連接，且導線 L11分別與次像素電極P8-1、P8-2之間設置有接觸窗Cll、C12。有源元件T11可通過此接 觸窗C11、C12分別與次像素電極P8-UP8-2電性連接。
[0114] 在本實施例中，如圖10所示，像素電極P7、P8皆為米字形圖案的電極。詳細而言， 像素電極P7、P8包括多個分支圖案650,且相鄰的分支圖案650之間的狹縫寬度為ST。應 注意，像素電極P7、P8具有相同寬度的分支圖案650。
[0115] 類似地，像素結構613包括掃描線SL2、數(shù)據(jù)線DL12、DL13、有源元件T12、T13以及 像素電極Ρ9 (又稱作主像素電極）與像素電極Ρ10,其中像素電極Ρ10包括兩個次像素電極 Ρ10-1、Ρ10-2。然本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，像素結構611、613也可包括更多個次 像素電極。應注意，本實施例的次像素電極Ρ10-1、Ρ10-2位于像素電極Ρ9的相對兩側，然 本發(fā)明不限于此。
[0116] 掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL12、DL13的延伸方向不相同，優(yōu)選的是掃描線SL2的延伸 方向與數(shù)據(jù)線DL12、DL13的延伸方向垂直。此外，掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL12、DL13是位于 不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層（未示出）。掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL12、DL13主要用 來傳遞驅動像素結構611的驅動信號。基于導電性的考慮，掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL12、DL13 一般是使用金屬材料，然本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL12、 DL13也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化 物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
[0117] 在像素結構613中，有源元件T12與掃描線SL2以及數(shù)據(jù)線DL12電性連接，而有 源元件T13與掃描線SL2以及數(shù)據(jù)線DL13電性連接。在此，有源元件T12例如是薄膜晶體 管，其包括柵極GT12、溝道層CH12、漏極D12以及源極S12,類似地，有源元件T13例如包括 柵極GT13、溝道層CH13、漏極D13以及源極S13。柵極GT12、GT13分別與掃描線SL2電性 連接。在像素結構613中，源極S12與數(shù)據(jù)線DL12電性連接，而源極S13與數(shù)據(jù)線DL13電 性連接。溝道層CH12位于柵極GT12的上方并且位于源極S12與漏極D12的下方，而溝道 層CH13位于柵極GT13的上方并且位于源極S13與漏極D13的下方。本實施例的有源元件 T12、T13是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，然本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，有 源元件Τ12、Τ13也可以是頂部柵極型薄膜晶體管。
[0118] 如圖10所示，在像素結構613中，像素電極Ρ9與有源元件Τ12電性連接，而像素 電極Ρ10與有源元件Τ13電性連接。像素電極Ρ9、Ρ10例如是透明導電層，其包括金屬氧化 物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適 的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0119] 在本實施例中，如圖10所示，像素電極Ρ9包括多個第一分支圖案651，且相鄰的 第一分支圖案651之間的狹縫寬度為ST1。次像素電極P10-UP10-2各包括多個第二分支 圖案652,且相鄰的第二分支圖案652之間的狹縫寬度為ST2。應注意，像素電極Ρ9的第一 分支圖案651與像素電極Ρ10的第二分支圖案652具有不同寬度，具體而言，第一分支圖案 651之間的狹縫寬度ST1小于第二分支圖案652之間的狹縫寬度ST2。
[0120] 如圖10所示，像素電極Ρ9與有源元件Τ12電性連接。更詳細來說，有源元件Τ12 的漏極D12與像素電極Ρ9之間設置有接觸窗C13。有源元件Τ12可通過此接觸窗C13與 主像素電極Ρ9電性連接。此外，次像素電極Ρ10-1、Ρ10-2亦對應地與有源元件Τ13電性 連接。更詳細來說，漏極D13與導線L13彼此連接，且導線L13分別與次像素電極Ρ10-1、 Ρ10-2之間設置有接觸窗C14、C15。有源元件Τ13可通過此接觸窗C14、C15分別與次像素 電極Ρ10-1、Ρ10-2電性連接。像素電極Ρ9與像素電極Ρ10可分別具有電壓V P9與VP1Q。
[0121] 值得一提的是，在本實施例中，通過將對應于藍色子像素區(qū)的像素結構613的像 素電極分割成面積較大的像素電極P9與面積較小的多個次像素電極P10-1、P10-2,并通 過上述驅動設計，可使藍色子像素區(qū)具有多種不同的像素電壓VP9與VP1(I進而形成不同的 亮度。如此一來，可縮小像素于高灰階的側視色偏現(xiàn)象。此外，藍色子像素區(qū)本身過飽和， 因此，即使切出多個具有較低電壓VP1(I的次像素電極P10-UP10-2,其所造成的亮度下降很 少，且藍色貢獻亮度的比例很低，故上述像素結構613的設計對顯示面板的穿透率的影響 很小?；谟嬎憬Y果，像素電極P9與像素電極P10的面積（即次像素電極P10-1、P10-2 的面積總和）比優(yōu)選為4:1。此外，像素電極P9與像素電極P10的電壓比V P9/VP1(I優(yōu)選為 2. 85 :2· 3。
[0122] 綜上所述，于本發(fā)明的像素結構中，其像素電極被分割成兩塊電極，且此兩塊像素 電極彼此電性絕緣。有源元件與其一像素電極電性連接，且導線與另一像素電極耦合以形 成耦合電容。如此一來，同一個像素結構在驅動過程中可使得這兩塊像素電極具有不同的 電壓，進而改善顯示面板的側視色偏現(xiàn)象。
[0123] 雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域普通技 術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍 當視所附的權利要求所界定的范圍為準。
【權利要求】
1. 一種像素結構，包括： 一有源元件； 一第一像素電極，與該有源元件電性連接； 一第二像素電極，與該第一像素電極電性絕緣；以及 一導線，位于該第一像素電極以及該第二像素電極的下方，其中該有源元件通過該導 線以與該第一像素電極電性連接，且該導線與該第二像素電極耦合以形成一耦合電容。
2. 如權利要求1所述的像素結構，其中該第一像素電極與該第二像素電極的面積比為 4 ： 1 〇
3. 如權利要求1所述的像素結構，其中該第一像素電極與該第二像素電極的電壓比為 2. 85 :2· 3。
4. 如權利要求1所述的像素結構，其中該第二像素電極具有彼此分離的多個子電極， 且該導線與所述子電極耦合以形成多個耦合電容。
5. 如權利要求4所述的像素結構，其中所述子電極位于該第一像素電極的兩側。
6. 如權利要求1所述的像素結構，其中該第二像素電極具有彼此分離的一第一子電極 以及一第二子電極，且該導線與該第一子電極耦合以形成一第一子外加電容，該導線與該 第二子電極耦合以形成一第二子外加電容，其中第一像素電極、第一子電極以及該第二子 電極的面積比為3 :1 :1。
7. 如權利要求6所述的像素結構，其中該第一像素電極、該第一子電極以及該第二子 電極的電壓比為2. 85 :2. 5 :2. 1。
8. 如權利要求1所述的像素結構，其中該第一像素電極包括一主像素電極以及一次 像素電極，該主像素電極的面積與該次像素電極及該第二像素電極的面積加總的比例為1 : 2,該次像素電極與該第二像素電極的面積比為4 :1。
9. 如權利要求8所述的像素結構，其中該主像素電極與該次像素電極的電壓比為 2. 85 :2. 2,該次像素電極與該第二像素電極的電壓比為2. 85 :2. 3。
10. 如權利要求1所述的像素結構，其中該導線包括： 一主干部，與該第一像素電極重疊設置；以及 一分支部，自該主干部延伸出，且與該第二像素電極重疊設置。
11. 一種像素結構，包括： 一有源元件； 一主像素電極，與該有源元件電性連接，其中該主像素電極包括多個第一分支圖案，其 中相鄰的第一分支圖案之間的狹縫寬度為ST1 ;以及 至少一次像素電極，與該有源元件電性連接，其中該至少一次像素電極包括多個第二 分支圖案，其中相鄰的第二分支圖案之間的狹縫寬度為ST2,其中ST1 < ST2。
12. 如權利要求11所述的像素結構，其中該主像素電極與該至少一次像素電極的面積 比為4 :1。
13. 如權利要求11所述的像素結構，其中該主像素電極與該至少一次像素電極的電壓 比為 2. 85 :2· 3。
14. 如權利要求11所述的像素結構，其中該至少一次像素電極位于該主像素電極的兩 側。
15. -種像素陣列，包括： 多個第一像素結構，每一第一像素結構包括： 一第一有源兀件； 一第一像素電極，與該第一有源兀件電性連接；以及 多個第二像素結構，每一第二像素結構包括： 一第二有源兀件； 一第二像素電極，與該第二有源元件電性連接； 一第三像素電極，與該第二像素電極電性絕緣；以及 一導線，位于該第二像素電極以及該第三像素電極的下方，其中該第二有源元件通過 該導線以與該第二像素電極電性連接，且該導線與該第三像素電極耦合以形成一耦合電 容。
16. -種顯不面板，包括： 一第一基板，該第一基板上包括設置有一像素陣列，該像素陣列如權利要求15所述； 一第二基板，位于該第一基板的對向； 一彩色濾光層，位于該第一基板或該第二基板上；以及 一顯不介質，位于該第一基板與該第二基板之間。
17. 如權利要求16所述的顯示面板，其中： 該彩色濾光層包括多個紅色濾光圖案、多個藍色濾光圖案以及多個綠色濾光圖案， 所述紅色濾光圖案以及綠色濾光圖案是對應該第一基板上的該像素陣列的所述第一 像素結構設置，且 所述藍色濾光圖案是對應該第一基板上的該像素陣列的所述第二像素結構設置。
【文檔編號】G02F1/1335GK104155813SQ201410414293
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月21日 優(yōu)先權日:2014年5月13日
【發(fā)明者】田堃正, 龔欣玫, 施志昌, 廖乾煌 申請人:友達光電股份有限公司