曝光裝置、曝光方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種曝光裝置、曝光方法以及器件制造方法。在晶片載臺(WST)在Y軸方向上直線移動的期間，由多點AF系統(tǒng)(90)檢測在X軸方向以既定間隔設(shè)定的多個檢測點的晶片(W)表面的面位置信息，由沿X軸方向排列成一列的多個對準系統(tǒng)(AL1、AL21～AL24)分別檢測晶片上彼此不同位置的標記，由周邊曝光系統(tǒng)(51)使晶片的缺照射的一部分曝光。據(jù)此，與無關(guān)系地進行標記檢測動作、面位置信息(焦點信息)的檢測動作、以及周邊曝光動作的場合相比較，能提升生產(chǎn)率。
【專利說明】曝光裝置、曝光方法
[0001]本發(fā)明是申請?zhí)枮?00880019589.2，申請日為2008年12月29日，發(fā)明名稱為“曝光裝置、移動體驅(qū)動系統(tǒng)、圖案形成裝置、以及曝光方法”的分案申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明關(guān)于曝光裝置、移動體驅(qū)動系統(tǒng)、圖案形成裝置及曝光方法、以及器件制造方法，詳言之，關(guān)于制造半導(dǎo)體元件、液晶顯示元件等電子器件時在光刻工序中所使用的曝光裝置，適合用于該曝光裝置、使用編碼器系統(tǒng)測量移動體位置的移動體驅(qū)動系統(tǒng)，具備該移動體驅(qū)動系統(tǒng)的圖案形成裝置，及在光刻工序中所使用的曝光方法，以及使用前述曝光裝置或曝光方法的器件制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]以往，在制造半導(dǎo)體元件(集成電路等)、液晶顯示元件等電子器件(微型器件)的光刻工序中，主要使用步進重復(fù)方式的投影曝光裝置(所謂步進機)、步進掃描方式的投影曝光裝置(所謂掃描步進機(也稱掃描機))等。
[0004]以此種曝光裝置進行晶片的曝光時，會在晶片周邊部產(chǎn)生不會被曝光的部分(即，無法用作為產(chǎn)品(芯片)的區(qū)域)。但該不被曝光的部分(區(qū)域)的存在，在用以將形成有圖案的晶片表面進行平坦化而所使用的化學(xué)機械研磨(CMP)工序中是一問題。因此，先前也在晶片周邊部中進行一種使從有效曝光區(qū)域突出一部分的照射(shot)區(qū)域(以下，稱「周邊照射」)中、無法用作為器件的部分曝光的周邊曝光(例如，參照專利文獻I)。
[0005]然而，在進行此種不同于使標線片圖案轉(zhuǎn)印形成至晶片上的曝光的周邊曝光時，生產(chǎn)率會降低該周邊曝光所需時間相當?shù)牧俊?br> [0006]另一方面，作為提升生產(chǎn)率的手法，提出了各種雙晶片載臺型的曝光裝置，在雙晶片載臺型的曝光裝置中，設(shè)置多臺用以保持晶片的晶片載臺，例如設(shè)置2臺，采用使用該2個晶片載臺同時并行處理不同動作的處理手法。最近，也提出了采用了液浸曝光法的雙晶片載臺型的曝光裝置(例如，參照專利文獻2)。
[0007]可是，器件規(guī)則(實用最小線寬)日漸微細化，隨此，曝光裝置被要求更高精度的重迭性能。因此，預(yù)計晶片對準的主流的增強型全晶片對準(EGA)的取樣照射數(shù)也將進一步增加，即使是雙晶片載臺型的曝光裝置也有生產(chǎn)率降低的擔心。
[0008]又，步進機、掃描機等的曝光裝置中，例如保持晶片的載臺的位置測量，一般是使用激光干涉儀來進行的。然而，隨著半導(dǎo)體元件的高集成化而使圖案微細化，由此所要求的性能也日漸嚴格，時至今日，因激光干涉儀的光束路上的環(huán)境氣氛的溫度變化及/或溫度梯度的影響所產(chǎn)生的空氣波動造成的測量值短期變動漸漸無法忽視。
[0009]因此，最近受到注目的是比干涉儀不易受空氣波動影響的高分辨率的編碼器，而發(fā)明人等也提出了一種將該編碼器用于晶片載臺等的位置測量的曝光裝置(例如，參照專利文獻3等)。
[0010]然而，與上述專利文獻3的實施形態(tài)中所記載的曝光裝置同樣地，在晶片載臺上面設(shè)置標尺(光柵)的情形，由于編碼器讀頭的數(shù)量多，因此其配置幾乎無自由度、且布局(layout)非常困難。
[0011][專利文獻I]日本特開2006- 278820號公報
[0012][專利文獻2]美國專利第7，161，659號說明書
[0013][專利文獻3]國際公開第2007/097379號小冊子


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明第I觀點的第I曝光裝置，用曝光光束使物體曝光，其具備:移動體，保持該物體并沿著包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面移動；測量系統(tǒng)，從進行該曝光的曝光位置在與該第I軸平行的方向離開而配置，進行對該物體的既定測量；以及周邊曝光系統(tǒng)，在與該第I軸平行的方向與該測量系統(tǒng)分離而配置，使該物體周邊的照射區(qū)域的至少一部分曝光。
[0015]據(jù)此，在保持物體的移動體沿與既定平面內(nèi)的第I軸平行的方向移動期間，物體的周邊照射區(qū)域的至少一部分被周邊曝光系統(tǒng)曝光。如此，能與物體(移動體)從測量系統(tǒng)朝向曝光位置的移動、或物體(移動體)往其相反方向的移動(例如，移動體從曝光位置往物體更換位置的移動)并行地進行周邊曝光，不同于獨立進行周邊曝光的情形，幾乎不會使生產(chǎn)率降低。
[0016]本發(fā)明第2觀點的第2曝光裝置，用曝光光束使物體曝光，其具備:移動體，能保持物體并在包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動；以及周邊曝光系統(tǒng)，設(shè)在進行該曝光的曝光位置、與在平行于該第I軸的方向與該曝光位置分離而配置的該物體的更換位置之間，使該物體上與進行該曝光的區(qū)域不同的周邊區(qū)域的至少一部分曝光；與從該曝光位置及該更換位置的一方至另一方的該移動體的移動動作并行地，進行該周邊區(qū)域的曝光動作的至少一部分。
[0017]根據(jù)此曝光裝置，與前述移動體從曝光位置、及前述更換位置的一方往另一方的移動動作并行地，進行使用周邊曝光系統(tǒng)的周邊區(qū)域的曝光動作的至少一部分。因此，不同于獨立進行周邊曝光的情形，幾乎不會使生產(chǎn)率降低。
[0018]本發(fā)明第3觀點的第3曝光裝置，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案，其具備:第I移動體，保持物體并在包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動；第2移動體，保持物體并在該平面內(nèi)與該第I移動體獨立地移動；標記檢測系統(tǒng)，其具有關(guān)于與該第2軸平行的方向位置不同的多個檢測區(qū)域，檢測該第I及第2移動體上分別裝載的該物體上的標記；以及控制裝置，與對保持于該第I及第2移動體的一方的物體的曝光并行地，一邊使該第I及第2移動體的另一方移動于與該第I軸平行的方向、一邊由該標記檢測系統(tǒng)檢測該另一方移動體所保持的物體上的不同的多個標記并測量其位置信息。
[0019]據(jù)此，通過控制裝置，與對第I及第2移動體的一方所保持的物體進行曝光并行地，一邊將第I及第2移動體的另一方移動于與第I軸平行的方向、一邊對該另一方的移動體所保持的物體上的不同的多個標記由標記檢測系統(tǒng)加以檢測并測量其位置信息。因此，能與一方移動體所保持的物體的曝光并行地，在另一方的移動體從標記檢測系統(tǒng)的多個檢測區(qū)域的附近位置(例如進行移動體所保持的物體的更換的位置附近)朝向曝光位置在第I軸方向上移動的期間，檢測另一方移動體所保持的物體上的多個標記、例如所有標記的位置信息。其結(jié)果，能實現(xiàn)生產(chǎn)率的提升與重迭精度的提升。
[0020]本發(fā)明第4觀點的第4曝光裝置，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案，其具備:第I移動體，保持物體并在包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動；第2移動體，保持物體并在該平面內(nèi)與該第I移動體獨立地移動；平面馬達，在該平面內(nèi)驅(qū)動該第I及第2移動體；以及控制裝置，控制該平面馬達，并在該第I移動體所保持的物體的曝光結(jié)束時，使該第I移動體沿著位于進行該曝光的曝光位置的與該第2軸平行方向的一側(cè)的第I返回路徑，移動至進行該第I移動體上物體的更換的第I更換位置，且在該第2移動體所保持的物體的曝光結(jié)束時，使該第2移動體沿著位于該曝光位置的與該第2軸平行方向的另一側(cè)的第2返回路徑，移動至進行該第2移動體上物體的更換的第2更換位置。
[0021]此場合，第I更換位置與第2更換位置可以相同、也可以不同。
[0022]據(jù)此，根據(jù)控制裝置，對在平面內(nèi)驅(qū)動第1、第2移動體的平面馬達進行控制，且在第I移動體所保持的物體的曝光結(jié)束時，第I移動體沿著位于曝光位置的平行于第2軸的方向的一側(cè)的第I返回路徑移動至進行第I移動體上物體的更換的第I更換位置，且在第2移動體所保持的物體的曝光結(jié)束時，第2移動體沿著位于曝光位置的平行于第2軸的方向的另一側(cè)的第2返回路徑移動至進行第2移動體上物體的更換的第2更換位置。因此，對于第I移動體從與第2軸平行的方向的一側(cè)、對于第2移動體則從與第2軸平行的方向的另一側(cè)，分別安裝配線、配管用的纜線，由此能防止這些纜線的纏繞、且極力縮短其長度。
[0023]本發(fā)明第5觀點的第5曝光裝置，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案，其具備:第I移動體，保持物體并在包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動；第2移動體，保持物體并在該平面內(nèi)與該第I移動體獨立地移動；平面馬達，用以在該平面內(nèi)驅(qū)動該第I及第2移動體；光學(xué)構(gòu)件，射出該能量束；液浸裝置，對該光學(xué)構(gòu)件與該第1、第2移動體的一方之間供應(yīng)液體以形成液浸區(qū)域；以及控制裝置，控制該平面馬達，以為了在該一方的移動體所保持的物體的曝光結(jié)束后，使該液浸區(qū)域從該一方的移動體轉(zhuǎn)移至另一方的移動體，而進行在使該第I移動體與該第2移動體在與該第I軸平行的方向接近至既定距離以下的接近狀態(tài)、與使兩移動體分離的分離狀態(tài)之間的切換，并使從該另一方的移動體分離的該一方的移動體，沿著在與該第2軸平行的方向位于曝光位置的一側(cè)的返回路徑，移動至進行該第1、第2移動體上物體的更換的更換位置。
[0024]此處，接近至既定距離以下的接近狀態(tài)中，包含使第I移動體與第2移動體在與第I軸平行的方向接觸的狀態(tài)、即包含第I移動體與第2移動體的分離距離為零的狀態(tài)。本說明書中，在明示為接觸狀態(tài)時當然如此，但在未特別明示的情形時，也使用接近狀態(tài)這樣的用語，作為包含上述分離距離為零的狀態(tài)、即包含接觸狀態(tài)的概念。
[0025]據(jù)此，由控制裝置控制平面馬達，以在一方移動體所保持的物體的曝光結(jié)束后，為了將液浸區(qū)域從一方的移動體移動至另一方的移動體，而進行在使兩移動體在與第I軸平行的方向接近至既定距離以下的接近狀態(tài)、與使兩移動體分離的分離狀態(tài)之間的切換，并使與另一方的移動體分離的一方的移動體，沿在與第2軸平行的方向位于曝光位置的一側(cè)的返回路徑，移動至進行第1、第2移動體上物體的更換的更換位置。因此，與使一方的移動體沿著在與第2軸平行的方向位于曝光位置的一側(cè)的返回路徑移動至更換位置、使另一方的移動體沿在與第2軸平行的方向位于曝光位置的另一側(cè)的返回路徑移動至更換位置的情形等相比較，能將兩移動體在與第2軸平行的方向的移動范圍設(shè)定得較窄。
[0026]本發(fā)明第6觀點的移動體驅(qū)動系統(tǒng)，實質(zhì)沿既定平面驅(qū)動移動體，其具備:編碼器系統(tǒng)，具有讀頭，此讀頭對具有在與該既定平面平行的面內(nèi)以彼此正交的第1、第2方向為周期方向的2維光柵的標尺照射檢測光，并接收來自該標尺的光，該編碼器系統(tǒng)根據(jù)該讀頭的測量值，測量在包含該第1、第2方向的該既定平面內(nèi)的至少2自由度方向的該移動體的位置信息；以及驅(qū)動裝置，根據(jù)該編碼器系統(tǒng)的測量信息，沿該既定平面驅(qū)動該移動體。
[0027]根據(jù)此系統(tǒng)，根據(jù)如下編碼器系統(tǒng)的測量信息，由驅(qū)動裝置沿既定平面驅(qū)動移動體，該編碼器系統(tǒng)具有對具備2維光柵的標尺照射檢測光、并接收來自標尺的反射光的讀頭，根據(jù)讀頭的測量值測量移動體在包含第1、第2方向的前述既定平面內(nèi)的至少2自由度方向的位置信息。因此，與使用包含多個分別測量移動體在第1、第2方向的位置信息的一維讀頭的編碼器系統(tǒng)的情形相比較，能大幅提升讀頭配置的自由度，使布局更為容易。例如，僅使用I個標尺，就能測量移動體在與既定平面平行的面內(nèi)的2自由度方向的位置。
[0028]本發(fā)明第7觀點的圖案形成裝置，其具備:裝載物體并保持該物體能實質(zhì)沿移動面移動的移動體；用以在該物體上生成圖案的圖案化裝置；以及為了對該物體形成圖案而驅(qū)動該移動體的本發(fā)明的移動體驅(qū)動系統(tǒng)。
[0029]據(jù)此，通過對利用本發(fā)明移動體驅(qū)動系統(tǒng)以良好精度驅(qū)動的移動體上的物體由圖案化裝置生成圖案，由此能以良好精度在物體上形成圖案。
[0030]本發(fā)明第8觀點的第6曝光裝置，由能量束的照射來對物體形成圖案，其具備:對該物體照射該能量束的圖案化裝置；以及本發(fā)明的移動體驅(qū)動系統(tǒng)；為使該能量束與該物體相對移動，使用該移動體驅(qū)動系統(tǒng)進行裝載該物體的移動體的驅(qū)動。
[0031]據(jù)此，為了從圖案化裝置對物體照射的能量束與前述物體的相對移動，利用本發(fā)明移動體驅(qū)動系統(tǒng)以良好精度對裝載前述物體的移動體進行驅(qū)動。因此，可通過掃描曝光以良好精度在物體上形成圖案。
[0032]本發(fā)明第9觀點的第7曝光裝置，用能量束使物體曝光，其具備:移動體，可保持該物體且實質(zhì)沿既定平面可動；測量裝置，在該既定平面內(nèi)關(guān)于第I方向、與該能量束所照射的曝光位置分離而配置照射測量光束的測量位置，測量該物體的位置信息；編碼器系統(tǒng)，在該既定平面內(nèi)在關(guān)于與該第I方向正交的第2方向的該移動體兩側(cè)分別配置以該第I方向為長邊方向且具有2維光柵的標尺，并將具有能與該2個標尺分別對向至少I個讀頭且關(guān)于該第2方向位置不同的多個讀頭的一對讀頭單元配置成能與該移動體對向，根據(jù)與該一對標尺同時對向的2個讀頭的輸出，測量在該既定平面內(nèi)的3自由度方向的該移動體的位置信息；以及驅(qū)動裝置，根據(jù)由該測量裝置測量的該物體的位置信息、以及由該編碼器系統(tǒng)測量的該移動體的位置信息，驅(qū)動該移動體。
[0033]根據(jù)此曝光裝置，由測量裝置，在既定平面內(nèi)在第I方向與曝光位置分離而配置的測量光束所照射的測量位置，測量移動體上物體的位置信息，由編碼器系統(tǒng)根據(jù)與2個(一對)標尺同時對向的2個讀頭的輸出，測量在前述既定平面內(nèi)的3自由度方向的前述移動體的位置信息，并使用驅(qū)動裝置，根據(jù)由測量裝置測量的物體的位置信息、與由編碼器系統(tǒng)測量的移動體的位置信息，以良好精度驅(qū)動移動體。因此，能以高精度使移動體所保持的物體曝光。此外，與使用包含分別測量移動體在第1、第2方向的位置信息的多個I維讀頭的編碼器系統(tǒng)的情形相比較，讀頭等的布局較容易。
[0034]本發(fā)明第10觀點的第8曝光裝置，用能量束使物體曝光，其具備:移動體，可保持該物體且實質(zhì)沿既定平面可動；測量裝置，在該既定平面內(nèi)關(guān)于第I方向、與該能量束所照射的曝光位置分離而配置照射測量光束的測量位置，測量該物體的位置信息；編碼器系統(tǒng)，在該既定平面內(nèi)、以和該第I方向正交的第2方向為長邊方向且具有2維光柵的一對標尺被配置成能與該移動體對向，且能與該一對標尺分別對向至少I個讀頭且關(guān)于該第I方向位置不同的多個讀頭被分別配置在該移動體兩側(cè)，根據(jù)與該一對標尺同時對向的2個讀頭的輸出，測量在該既定平面內(nèi)的3自由度方向的該移動體的位置信息；以及驅(qū)動裝置，根據(jù)由該測量裝置測量的該物體的位置信息、以及由該編碼器系統(tǒng)測量的該移動體的位置信息，驅(qū)動該移動體。
[0035]據(jù)此，由測量裝置，在既定平面內(nèi)關(guān)于第I方向與曝光位置分離而配置的測量光束所照射的測量位置，測量移動體上的物體的位置信息，由編碼器系統(tǒng)根據(jù)與一對標尺同時對向的2個讀頭的輸出，測量在前述既定平面內(nèi)的3自由度方向的前述移動體的位置信息，由驅(qū)動裝置，根據(jù)由測量裝置測量的物體的位置信息、與由編碼器系統(tǒng)測量的移動體的位置信息，以良好精度驅(qū)動移動體。因此，能以高精度使移動體所保持的物體曝光，與使用包含多個分別測量移動體在第1、第2方向的位置信息的I維讀頭的編碼器系統(tǒng)的情形相比較，移動體上讀頭的配置更為容易。
[0036]本發(fā)明第11觀點的第I器件制造方法，其包含:使用本發(fā)明第I至第8曝光裝置的任一曝光裝置使物體曝光的動作；以及使曝光后的物體顯影的動作。
[0037]本發(fā)明第12觀點的第I曝光方法，用曝光光束使物體曝光，其包含:在沿著包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面移動的移動體上裝載該物體的步驟；使用從進行該曝光的曝光位置在該既定平面內(nèi)與該第I軸平行的方向分離而配置且進行對該物體的既定測量的測量系統(tǒng)的、與該第I軸平行方向分離而配置的周邊曝光系統(tǒng)，在沿著與該第I軸平行的方向使裝載該物體的移動體移動期間，使該物體的周邊照射區(qū)域的至少一部分曝光的步驟。
[0038]據(jù)此，在裝載有物體的移動體沿與既定平面內(nèi)的第I軸平行的方向移動期間，物體的周邊照射區(qū)域的至少一部分被周邊曝光系統(tǒng)曝光。如此，能與物體(移動體)從測量系統(tǒng)朝向曝光位置的移動、或物體(移動體)往其相反方向的移動(例如，移動體從曝光位置往物體更換位置的移動)并行地進行周邊曝光，不同于獨立進行周邊曝光的情形，幾乎不會使生產(chǎn)率降低。
[0039]本發(fā)明第13觀點的第2曝光方法，用曝光光束使物體曝光，其包含:將物體保持于能在包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面內(nèi)移動的移動體的步驟；以及使用配置在進行該曝光的曝光位置、與在平行于該第I軸的方向從該曝光位置分離而配置的該物體的更換位置之間，使該物體上與進行該曝光的區(qū)域不同的周邊區(qū)域的至少一部分曝光的周邊曝光系統(tǒng)，與該移動體從該曝光位置、及該更換位置的一方往另一方的移動動作并行地，進行該周邊區(qū)域的曝光動作的至少一部分的步驟。
[0040]根據(jù)此曝光方法，與前述移動體從曝光位置、及前述更換位置的一方往另一方的移動動作并行地，進行使用周邊曝光系統(tǒng)的周邊區(qū)域的曝光動作的至少一部分。因此，不同于獨立進行周邊曝光的情形，幾乎不會使生產(chǎn)率降低。
[0041]本發(fā)明第14觀點的第3曝光方法，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案，其包含:與對分別保持物體、在包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面內(nèi)獨立移動的第I及第2移動體的一方所保持的該物體進行曝光的動作并行地，一邊使該第I及第2移動體的另一方移動于與該第I軸平行的方向、一邊由具有關(guān)于與該第2軸平行的方向位置不同的多個檢測區(qū)域的標記檢測系統(tǒng)，檢測該另一方移動體所保持的物體上的不同的多個標記，并測量其位置信息的步驟。
[0042]據(jù)此，在對第I及第2移動體的一方所保持的物體進行的曝光并行地，一邊將第I及第2移動體的另一方移動于與第I軸平行的方向、一邊對該另一方的移動體所保持的物體上不同的多個標記由標記檢測系統(tǒng)(具有在與第2軸平行的方向位置不同的多個檢測區(qū)域)加以檢測并測量其位置信息。因此，能與一方移動體所保持的被曝光物體的曝光并行地，在另一方的移動體從標記檢測系統(tǒng)的多個檢測區(qū)域的附近位置(例如進行移動體所保持的物體的更換的位置附近)朝向曝光位置在第I軸方向上移動的期間，檢測另一方移動體所保持的物體上的多個標記、例如所有標記的位置信息。其結(jié)果，能實現(xiàn)生產(chǎn)率的提升與重迭精度的提升。
[0043]本發(fā)明第15觀點的第4曝光方法，用能量束使物體曝光以在該物體上形成圖案，其包含:通過控制用以驅(qū)動分別保持物體并在包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定平面內(nèi)獨立移動的第I及第2移動體的平面馬達，在該第I移動體所保持的物體的曝光結(jié)束時，使該第I移動體沿著位于進行該曝光的曝光位置的與該第2軸平行方向的一側(cè)的第I返回路徑，移動至進行該第I移動體上的物體的更換的第I更換位置，且在該第2移動體所保持的物體的曝光結(jié)束時，使該第2移動體沿位于該曝光位置的與該第2軸平行方向的另一側(cè)的第2返回路徑，移動至進行該第2移動體上的物體的更換的第2更換位置的步驟。
[0044]據(jù)此，通過控制在平面內(nèi)驅(qū)動第1、第2移動體的平面馬達，在第I移動體所保持的物體的曝光結(jié)束時，第I移動體沿著位于曝光位置的平行于第2軸的方向的一側(cè)的第I返回路徑移動至進行第I移動體上物體的更換的第I更換位置，且在第2移動體所保持的物體的曝光結(jié)束時，第2移動體沿著位于曝光位置的平行于第2軸的方向的另一側(cè)的第2返回路徑移動至進行第2移動體上物體的更換的第2更換位置。因此，對于第I移動體從與第2軸平行的方向的一側(cè)、對于第2移動體則從與第2軸平行的方向的另一側(cè)，分別安裝配線、配管用的纜線，由此能防止這些纜線的纏繞、且極力縮短其長度。
[0045]本發(fā)明第16觀點的第5曝光方法，用能量束使物體曝光，其包含:用移動體保持該物體的動作；通過本發(fā)明的移動體驅(qū)動系統(tǒng)驅(qū)動該移動體，用該能量束使該物體曝光的動作。
[0046]據(jù)此，由本發(fā)明的移動體驅(qū)動系統(tǒng)以良好精度驅(qū)動保持物體的移動體，用能量束使物體曝光，因此能進行對物體的聞精度的曝光。
[0047]本發(fā)明第17觀點的第6曝光方法，用能量束使物體曝光，其包含:用能實質(zhì)沿既定平面移動的移動體保持物體的動作；在該既定平面內(nèi)、關(guān)于第I方向與該能量束照射的曝光位置分離而配置且測量光束照射的測量位置，測量該移動體上物體的位置信息的動作；由編碼器系統(tǒng)測量在該既定平面內(nèi)3自由度方向的該移動體的位置信息的動作，該編碼器系統(tǒng)在該既定平面內(nèi)與該第I方向正交的第2方向分離地、在該移動體上配置以該第I方向為長邊方向且具有2維光柵的一對標尺，且將具有能與該一對標尺中的各個標尺分別對向至少I個讀頭且關(guān)于該第2方向位置不同的多個讀頭的一對讀頭單元配置成能與該移動體對向；以及根據(jù)該測量的位置信息與該編碼器系統(tǒng)的測量信息驅(qū)動該移動體，用該能量束使該物體曝光的動作。
[0048]據(jù)此，在既定平面內(nèi)關(guān)于第I方向與曝光位置分離而配置的測量光束所照射的測量位置，測量移動體上物體的位置信息，由編碼器系統(tǒng)測量在既定平面內(nèi)的3自由度方向的移動體的位置信息。并根據(jù)所測量的位置信息、與編碼器系統(tǒng)的測量信息驅(qū)動移動體，用能量束使物體曝光。因此，能以高精度使物體曝光。
[0049]本發(fā)明第18觀點的第7曝光方法，用能量束使物體曝光，其包含:用能實質(zhì)沿既定平面移動的移動體保持物體的動作；在該既定平面內(nèi)，關(guān)于第I方向與該能量束照射的曝光位置分離而配置且測量光束照射的測量位置，測量該移動體上物體的位置信息的動作；由編碼器系統(tǒng)測量在該既定平面內(nèi)3自由度方向的該移動體的位置信息的動作，該編碼器系統(tǒng)在該既定平面內(nèi)以和該第I方向正交的第2方向為長邊方向且具有2維光柵的一對標尺配置成能與該移動體對向，且將能與該一對標尺分別對向至少I個讀頭且關(guān)于該第I方向位置不同的多個讀頭，分別配置在該移動體兩側(cè)；根據(jù)該測量的位置信息與該編碼器系統(tǒng)的測量信息驅(qū)動該移動體，用該能量束使該物體曝光。
[0050]據(jù)此，在既定平面內(nèi)關(guān)于第I方向與曝光位置分離而配置的測量光束所照射的測量位置，測量移動體上物體的位置信息，由編碼器系統(tǒng)測量在既定平面內(nèi)的3自由度方向的移動體的位置信息。并根據(jù)所測量的位置信息與編碼器系統(tǒng)的測量信息驅(qū)動移動體，用能量束使物體曝光。因此，能以高精度使物體曝光。
[0051]本發(fā)明第19觀點的第2器件制造方法，其包含:以本發(fā)明第I至第7曝光方法的任一曝光方法使物體曝光以形成圖案的動作；以及使形成有前述圖案的物體顯影的動作。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0052]圖1是概略顯示第I實施形態(tài)的曝光裝置構(gòu)成的圖。
[0053]圖2是顯示晶片載臺的俯視圖。
[0054]圖3是顯示測量載臺的俯視圖。
[0055]圖4是用以說明干涉儀系統(tǒng)的圖。
[0056]圖5是顯示載臺裝置及各種測量裝置的俯視圖。
[0057]圖6是用以說明編碼器系統(tǒng)的讀頭、對準系統(tǒng)及周邊曝光單元等的配置的圖。
[0058]圖7是用以說明多點AF系統(tǒng)及面位置測量系統(tǒng)的Z讀頭的配置的圖。
[0059]圖8是用以說明周邊曝光用主動掩模的圖。
[0060]圖9 (A)及圖9⑶是用以分別說明微反射鏡的ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)的圖。
[0061]圖10是顯示圖1的曝光裝置中控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。
[0062]圖11是用以說明晶片的照射圖的圖。
[0063]圖12是用以說明晶片的對準照射區(qū)域的圖。
[0064]圖13是用以說明作為周邊曝光的對象的區(qū)域的圖。
[0065]圖14是顯示對晶片載臺上的晶片進行步進掃描方式的曝光的狀態(tài)的晶片載臺及測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0066]圖15是顯示晶片的卸載時(測量載臺到達進行Sec-BCHK(間歇)位置時)的兩載臺的狀態(tài)的圖。
[0067]圖16是顯示晶片的裝載時的兩載臺的狀態(tài)的圖。
[0068]圖17是顯示從由干涉儀進行的載臺伺服控制切換至由編碼器進行的載臺伺服控制時(晶片載臺移動至進行Pr1-BCHK的前半處理的位置時)的兩載臺的狀態(tài)的圖。
[0069]圖18是顯示使用對準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23，同時檢測附設(shè)于3個第I對準照射區(qū)域的對準標記時的晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0070]圖19是顯示在進行焦點校準前半的處理時晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0071]圖20顯示使用對準系統(tǒng)AL1、AL2,?AL24，同時檢測附設(shè)于5個第2對準照射區(qū)域的對準標記時的晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0072]圖21是顯示在進行Pr1-BCHK后半的處理及焦點校準后半的處理的至少一方時的晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0073]圖22是顯示使用對準系統(tǒng)ALl、KL2,?AL24，同時檢測附設(shè)于5個第3對準照射區(qū)域的對準標記時的晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0074]圖23是顯示使用對準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23，同時檢測附設(shè)于3個第4對準照射區(qū)域的對準標記時的晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0075]圖24是顯示焦點映射結(jié)束時的晶片載臺與測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0076]圖25㈧?圖25(F)是分別用以說明周邊曝光的進行過程的圖。
[0077]圖26是顯示通過周邊曝光所曝光的所有區(qū)域的圖。
[0078]圖27是概略顯示第2實施形態(tài)的曝光裝置的構(gòu)成的圖。
[0079]圖28是顯不晶片載臺的俯視圖。
[0080]圖29是顯示圖27的曝光裝置所具備的載臺裝置及干涉儀的配置的俯視圖。
[0081]圖30是顯示圖27的曝光裝置所具備的載臺裝置及傳感器單元的配置的俯視圖。
[0082]圖31是顯示編碼器讀頭與對準系統(tǒng)的配置的俯視圖。
[0083]圖32是顯示第2實施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。
[0084]圖33是用以說明由分別包含多個讀頭的多個編碼器所進行的晶片臺的XY平面內(nèi)的位置測量及讀頭切換(連接)的圖。
[0085]圖34是顯示編碼器構(gòu)成的一例的圖。
[0086]圖35是顯示對晶片進行步進掃描方式的曝光時的晶片載臺及測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0087]圖36是顯示晶片卸載時晶片載臺及測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0088]圖37是顯示晶片裝載時晶片載臺及測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0089]圖38是顯示從由干涉儀進行的載臺伺服控制切換至由編碼器進行的載臺伺服控制時，晶片載臺及測量載臺的狀態(tài)以及編碼器讀頭的配置的圖。
[0090]圖39是用以說明晶片對準時的晶片載臺及測量載臺的狀態(tài)的圖。
[0091]圖40是顯示第3實施形態(tài)的曝光裝置所具備的載臺裝置及傳感器單元的配置的俯視圖。
[0092]圖41是顯示第3實施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。
[0093]圖42是概略顯示第4實施形態(tài)的曝光裝置的構(gòu)成的圖。
[0094]圖43(A)是顯示圖42的晶片載臺WSTl的側(cè)視圖、圖43(B)是顯示晶片載臺WSTl的俯視圖。
[0095]圖44(A)是顯示圖42的晶片載臺WST2的側(cè)視圖、圖44(B)是顯示晶片載臺WST2的俯視圖。
[0096]圖45是用以說明構(gòu)成圖42的晶片載臺裝置所具備的測量系統(tǒng)的、編碼器系統(tǒng)及面位置測量系統(tǒng)等讀頭的配置等的圖。
[0097]圖46是用以說明構(gòu)成測量系統(tǒng)的干涉儀系統(tǒng)的構(gòu)成的圖。
[0098]圖47是顯示第2實施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。
[0099]圖48是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其I)。
[0100]圖49是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其2)。
[0101]圖50是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其3)。
[0102]圖51是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其4)。
[0103]圖52是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其5)。
[0104]圖53是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其6)。
[0105]圖54是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其7)。
[0106]圖55是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其8)。
[0107]圖56是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其9)。
[0108]圖57是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其10)。
[0109]圖58是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其11)。
[0110]圖59是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其12)。
[0111]圖60是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其13)。
[0112]圖61是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其14)。
[0113]圖62是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其15)。
[0114]圖63是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其16)。
[0115]圖64是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其17)。
[0116]圖65是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其18)。
[0117]圖66是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其19)。
[0118]圖67是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其20)。
[0119]圖68是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其21)。
[0120]圖69是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其22)。
[0121]圖70是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其23)。
[0122]圖71是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其24)。
[0123]圖72是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其25)。
[0124]圖73是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其26)。
[0125]圖74是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其27)。
[0126]圖75是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其28)。
[0127]圖76是用以說明使用晶片載臺WST1、WST2的并行處理動作的圖(其29)。

【具體實施方式】
[0128]《第I實施形態(tài)》
[0129]以下，根據(jù)圖1?圖26說明本發(fā)明的第I實施形態(tài)。
[0130]圖1概略顯示第一實施形態(tài)的曝光裝置100的構(gòu)成。此曝光裝置100，是步進掃描方式的投影曝光裝置、也即是所謂的掃描機。如后述般，本實施形態(tài)中設(shè)有投影光學(xué)系統(tǒng)PL,以下，將與此投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設(shè)為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交的面內(nèi)標線片與晶片相對掃描的方向設(shè)為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交的方向設(shè)為X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為θχ、0y、及θζ方向來進行說明。
[0131]曝光裝置100，具備照明系統(tǒng)10、標線片載臺RST、投影單元PU、具有晶片載臺WST及測量載臺MST的載臺裝置50、以及它們的控制系統(tǒng)等。圖1中，在晶片載臺WST上載置有晶片W。
[0132]照明系統(tǒng)10，例如美國專利申請公開第2003/0025890號說明書等所揭示，包含光源和照明光學(xué)系統(tǒng)，該照明光學(xué)系統(tǒng)具有包含光學(xué)積分器等的照度均一化光學(xué)系統(tǒng)、以及標線片遮簾(均未圖標)。照明系統(tǒng)10，由照明光(曝光用光)IL，以大致均一的照度來照明被標線片遮簾(屏蔽系統(tǒng))規(guī)定的標線片R上的狹縫狀照明區(qū)域IAR。此處，作為照明光IL，例如使用ArF準分子激光光束(波長193nm)。
[0133]在標線片載臺RST上例如通過真空吸附固定有標線片R，該標線片R在其圖案面(圖1的下面)形成有電路圖案等。標線片載臺RST，能利用包含例如線性馬達等的標線片載臺驅(qū)動系統(tǒng)11 (在圖1中未圖示、參照圖10)而在XY平面內(nèi)微幅驅(qū)動，且能以既定的掃描速度驅(qū)動于既定掃描方向(圖1的圖面內(nèi)左右方向即Y軸方向)。
[0134]由標線片激光干涉儀(以下稱為「標線片干涉儀」)116，通過移動鏡15 (實際上，設(shè)有:具有與Y軸方向正交的反射面的Y移動鏡(或后向反射器)、以及具有與X軸方向正交的反射面的X移動鏡)，例如以0.25nm左右的分辨率，總是檢測標線片載臺RST在XY平面內(nèi)的位置信息(包含ΘΖ方向的位置(以下，也適當?shù)赜涊d為ΘΖ旋轉(zhuǎn)(或ΘΖ旋轉(zhuǎn)量)、或偏搖(或偏搖量))的信息)。標線片干涉儀116的測量值，被傳送至主控制裝置20 (在圖1中未圖示，參照圖10)。
[0135]投影單元PU，配置于標線片載臺RST的圖1下方。投影單元PU，包含鏡筒40、以及收納在鏡筒40內(nèi)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。作為投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如使用由沿與Z軸方向平行的光軸AX排列的多個光學(xué)元件(透鏡元件)所構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如是兩側(cè)遠心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍、或1/8倍等)。因此，當通過照明系統(tǒng)10照明標線片R上的照明區(qū)域IAR時，由通過圖案面大致配置成與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第I面(物體面)一致的標線片R的照明光IL，使該照明區(qū)域IAR內(nèi)的標線片R的電路圖案縮小像(電路圖案的一部分縮小像)通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL (投影單元PU)形成于一區(qū)域(以下還稱為曝光區(qū)域)ΙΑ，其中，該區(qū)域IA是與配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第2面(像面)側(cè)的、表面涂布有抗蝕劑(感應(yīng)劑)的晶片W上的前述照明區(qū)域IAR共軛的區(qū)域。于是，通過標線片載臺RST與晶片載臺WST的同步驅(qū)動，使標線片R相對于照明區(qū)域IAR(照明光IL)在掃描方向(Y軸方向)上進行相對移動，且使晶片W相對于曝光區(qū)域(照明用光IL)在掃描方向(Y軸方向)上進行相對移動，由此對晶片W上的一個照射區(qū)域(區(qū)劃區(qū)域)進行掃描曝光，以將標線片R的圖案轉(zhuǎn)印于該照射區(qū)域。即，本實施形態(tài)中，通過照明系統(tǒng)10、標線片R及投影光學(xué)系統(tǒng)PL將圖案生成于晶片W上，通過由照明光IL對晶片W上的感應(yīng)層(抗蝕劑層)的曝光將該圖案形成于晶片W上。
[0136]在本實施形態(tài)的曝光裝置100中，為了進行液浸方式的曝光，設(shè)有局部液浸裝置8。局部液浸裝置8，包含例如液體供應(yīng)裝置5、液體回收裝置6(圖1中皆未圖示，參照圖10)、液體供應(yīng)管31A、液體回收管31B、及嘴(nozzle)單元32等。嘴單元32，如圖1所示，以圍繞保持構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最接近像面?zhèn)?晶片W側(cè))的光學(xué)元件、此處是透鏡(以下，也稱「前端透鏡」)191的鏡筒40下端部周圍的方式，懸吊支承于保持投影單元PU的未圖標的主機架(main frame)。本實施形態(tài)中，如圖1所示，嘴單元32被設(shè)定為其下端面與前端透鏡191的下端面大致同一面。又，嘴單元32，具備液體Lq的供應(yīng)口及回收口、晶片W與此對向配置且設(shè)有回收口的下面、與液體供應(yīng)管31A及液體回收管31B分別連接的供應(yīng)流路及回收流路。液體供應(yīng)管31A與液體回收管31B,如圖5所示,在俯視時(從上方觀看)，相對X軸方向及Y軸方向大致傾斜45°，相對通過投影單元的中心(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX，本實施形態(tài)中也與前述曝光區(qū)域IA的中心一致)且與Y軸平行的直線(基準軸)LVtl成對稱配置。
[0137]液體供應(yīng)管31A連接于液體供應(yīng)裝置5 (圖1中未圖示,參照圖10)、液體回收管31B連接于液體回收裝置6(圖1中未圖示，參照圖10)。此處，在液體供應(yīng)裝置5中，具備儲存液體的液體槽(tank)、加壓泵、溫度控制裝置、以及用以控制液體流量的閥等。在液體回收裝置6中，具備儲存所回收液體的液體槽、吸引泵、用以控制液體流量的閥等。
[0138]主控制裝置20 (參照圖10)，控制液體供應(yīng)裝置5以通過液體供應(yīng)管31A將液體Lq供應(yīng)至前端透鏡191與晶片W之間，并控制液體回收裝置6以通過液體回收管31B從前端透鏡191與晶片W之間回收液體Lq。此時，主控制裝置20以供應(yīng)的液體Lq的量與回收的液體Lq的量總是相等的方式，控制液體供應(yīng)裝置5與液體回收裝置6。因此，前端透鏡191與晶片W之間，總是交替保持有一定量的液體Lq (參照圖1)，據(jù)此形成液浸區(qū)域14 (參照圖14等)。又，在后述測量載臺MST位于投影單元PU下方的情形時，也能同樣地在前端透鏡191與測量臺之間形成液浸區(qū)域14。
[0139]本實施形態(tài)中，作為上述液體，使用可使ArF準分子激光光束(波長193nm的光)透射的純水(以下，除特別需要的情況外，僅記載為「水」)。又，水對ArF準分子激光光束的折射率η大致為1.44，在水中，照明光IL的波長被短波長化成193nmX 1/n =約134nm。
[0140]載臺裝置50，如圖1所示，具備配置在底盤12上方的晶片載臺WST與測量載臺MST、測量這些載臺WST、MST的位置信息的測量系統(tǒng)200 (參照圖10)、及驅(qū)動載臺WST、MST的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124(參照圖10)等。測量系統(tǒng)200，如圖10所示，包含干涉儀系統(tǒng)118、編碼器系統(tǒng)150及面位置測量系統(tǒng)180等。
[0141]晶片載臺WST及測量載臺MST，以固定于各自底面的未圖示的非接觸軸承、例如以空氣軸承，隔著數(shù)μ m程度的間隙支承于底盤12上。又，載臺WST、MST，可通過例如包含線性馬達等的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124 (參照圖10)，在XY平面內(nèi)獨立驅(qū)動。
[0142]晶片載臺WST，包含載臺本體91、與搭載于該載臺本體91上的晶片臺WTB。晶片臺WTB及載臺本體91，可通過例如包含線性馬達及Z調(diào)平機構(gòu)機構(gòu)(包含音圈馬達等)(皆未圖標)的驅(qū)動系統(tǒng)，相對底盤12驅(qū)動于6自由度方向(Χ、Υ、Ζ、Θ X、Θ y、θ z)。
[0143]在晶片臺WTB上面中央，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。在晶片保持具(晶片的載置區(qū)域)外側(cè)，如圖2所示，設(shè)有其中央部形成有比晶片保持具大一圈的圓形開口、且具有矩形狀外形(輪廓)的板件(撥液板)28。此板件28的表面施有對液體Lq的撥液化處理。此外，板件28被設(shè)置成其表面全部(或一部分)與晶片W的表面同一面高。
[0144]板件28，具有:具有中央形成有前述開口的矩形外形(輪廓)的第I撥液區(qū)域28a、與設(shè)在該第I撥液區(qū)域28a周圍的矩形框狀的第2撥液區(qū)域28b。又，本實施形態(tài)，如前述所述，使用水作為液體Lq，因此，以下將第I及第2撥液區(qū)域28a、28b分別還稱為第I及第2撥水板28a、28b。
[0145]在第I撥水板28a的+Y側(cè)端部設(shè)有測量板件30。在此測量板件30上，在中央設(shè)有基準標記FM，并以夾著該基準標記FM的方式設(shè)有一對空間像測量狹縫(slit)圖案(狹縫狀的測量用圖案)SL。并對應(yīng)各空間像測量狹縫圖案SL，設(shè)有用以將透射這些空間像測量狹縫圖案SL的照明光IL，導(dǎo)向晶片載臺WST的外部(設(shè)于后述測量載臺MST的受光系統(tǒng))的送光系統(tǒng)(未圖標)。
[0146]第2撥水板28b，在其上面的X軸方向(圖2中紙面內(nèi)左右方向)的一側(cè)與另一側(cè)區(qū)域，分別形成有Y標尺39YP391。Y標尺39Υρ39Υ2，分別由例如以X軸方向為長邊方向的光柵線38以既定間距沿與Y軸平行的方向(Y軸方向)配置的、以Y軸方向為周期方向的反射型光柵(例如繞射光柵)所構(gòu)成。
[0147]同樣的，在第2撥水板28b上面的Y軸方向(圖2中的紙面內(nèi)上下方向)一側(cè)與另一側(cè)區(qū)域，分別形成有X標尺39X^391。X標尺39Χρ39Χ2，分別由例如以Y軸方向為長邊方向的光柵線37以既定間距沿與X軸平行的方向(X軸方向)配置的、以X軸方向為周期方向的反射型光柵(例如繞射光柵)所構(gòu)成。各標尺，是將上述繞射光柵的刻度，以例如138nm?4 μ m間的間距、例如I μ m的間距刻于例如薄板狀玻璃所制作而成。這些標尺被前述撥液膜(撥水膜)所覆蓋。又，圖2中，為便于圖示，光柵的間距被顯示成比實際間距大得多。其它圖中也同樣。此外，為保護繞射光柵，也可以用具備撥水性的低熱膨脹率的玻璃板，以其表面與晶片表面同高(面位置)的方式來覆蓋繞射光柵。此處，作為玻璃板，可使用厚度與晶片相同程度、例如厚度為Imm的玻璃板。
[0148]又，在各標尺的端部附近，分別設(shè)有用以決定后述編碼器讀頭(head)與標尺間的相對位置的定位圖案(未圖示)。此定位圖案由例如反射率不同的光柵線構(gòu)成，當編碼器讀頭在此定位圖案上進行掃描時，編碼器的輸出信號的強度會變化。因此，預(yù)先定一閾值，并檢測輸出信號的強度超過該閾值的位置。以該檢測出的位置為基準，設(shè)定編碼器讀頭與標尺間的相對位置。
[0149]在晶片臺WTB的一 Y端面、一 X端面，如圖2及圖4等所示，形成有后述干涉儀系統(tǒng)所使用的反射面17a、反射面17b。
[0150]測量載臺MST，如圖1所示，具有由未圖標的線性馬達等驅(qū)動于XY平面內(nèi)的載臺本體92、與搭載在載臺本體92上的測量臺MTB。測量載臺MST，其構(gòu)成為能通過未圖標的驅(qū)動系統(tǒng)相對底盤12驅(qū)動于至少3自由度方向(X、Y、Θ z)。
[0151]又，圖10中，包含晶片載臺WST的驅(qū)動系統(tǒng)與測量載臺MST的驅(qū)動系統(tǒng)，顯示為載臺驅(qū)動系統(tǒng)124。
[0152]在測量臺MTB(及載臺本體92)上設(shè)有各種測量用構(gòu)件。作為此測量用構(gòu)件，例如圖3所示，設(shè)有照度不均傳感器94、空間像測量器96、波面像差測量器98、照度監(jiān)測器(未圖示)等。又，在載臺本體92上，以對向于前述一對送光系統(tǒng)(未圖標)的配置，設(shè)有一對受光系統(tǒng)(未圖標)。本實施形態(tài)中，構(gòu)成如下空間像測量裝置45(參照圖10):在晶片載臺WST與測量載臺MST關(guān)于Y軸方向接近至既定距離以內(nèi)的狀態(tài)(含接觸狀態(tài))下，用各送光系統(tǒng)(未圖標)引導(dǎo)透射了晶片載臺WST上的測量板件30的各空間像測量狹縫圖案SL的照明光IL，并通過測量載臺MST內(nèi)的各受光系統(tǒng)(未圖標)的受光元件加以受光。
[0153]在測量臺MTB的一 Y側(cè)端面，如圖3所示，在X軸方向上延設(shè)有基準桿(以下，簡稱為「FD桿」)46。此FD桿46，由全動態(tài)裝配構(gòu)造以動態(tài)方式支承于測量載臺MST上。由于FD桿46為標準器(測量基準)，因此作為其材料采用低熱膨脹率的光學(xué)玻璃陶瓷、例如首德公司的Zerodur (商品名)等。在FD桿46的長邊方向一側(cè)與另一側(cè)端部附近，以相對中央線CL成對稱的配置，分別形成有以Y軸方向為周期方向的基準光柵(例如繞射光柵)52。又，在FD桿46的上面，形成有多個基準標記M。作為各基準標記M，例如使用可由后述一次對準系統(tǒng)、二次對準系統(tǒng)來檢測的尺寸的2維標記。此外，F(xiàn)D桿46的表面及測量臺MTB的表面也被撥液膜(撥水膜)所覆蓋。
[0154]在測量臺MTB的+Y側(cè)端面及一 X側(cè)端面，形成有與晶片臺WTB同樣的反射面19a及反射面19b (參照圖3)。
[0155]本實施形態(tài)的曝光裝置100，如圖6所示，在前述基準軸LVtlI，設(shè)有其檢測中心在從投影單元PU的中心(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX)往一 Y側(cè)相隔既定距離的位置的一次(primary)對準系統(tǒng)ALl。一次對準系統(tǒng)ALl固定在未圖示的主機架下面。夾著一次對準系統(tǒng)AL1，在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)，分別設(shè)有其檢測中心相對該基準軸LVtl配置成大致對稱的二次(secondary)對準系統(tǒng)與AL23、AL24。二次對準系統(tǒng)AI^1?AL24，通過未圖示的可動式支承構(gòu)件固定在主機架(未圖標)下面，可使用驅(qū)動機構(gòu)Go1Neo4(參照圖10)在X軸方向上調(diào)整這些檢測區(qū)域的相對位置。又，圖6等所示的通過一次對準系統(tǒng)ALl的檢測中心且與X軸平行的直線(基準軸)LA，與來自后述干涉儀127的測長光束B6的光軸一致。
[0156]本實施形態(tài)中，作為各對準系統(tǒng)(ALUAI^1 ?AL24)使用例如圖像處理方式的FIA (Field Image Alignment，場像對準)系統(tǒng)。來自各對準系統(tǒng)AL1、AI^1?AL24的攝影信號，經(jīng)由未圖標的信號處理系統(tǒng)供應(yīng)至主控制裝置20。
[0157]其次，說明用以測量晶片載臺WST及測量載臺MST的位置信息的干涉儀系統(tǒng)118 (參照圖10)的構(gòu)成等。
[0158]干涉儀系統(tǒng)118,如圖4所不,包含晶片載臺WST的位置測量用的Y干涉儀16、X干涉儀126、127、128、及Z干涉儀43A、43B、以及測量載臺MST的位置測量用的Y干涉儀18及X干涉儀130等。Y干涉儀16及3個X干涉儀126、127、128，對晶片臺WTB的反射面17a、17b分別照射干涉儀光束(測長光束)B4(B4p B42)、B5(B51、B52)、B6、B7。而后，Y干涉儀16、及3個X干涉儀126、127、128，接收各自的反射光，測量晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置信息，將此測量到的位置信息供應(yīng)至主控制裝置20。
[0159]此處，例如X干涉儀126將包含一對測長光束B51、B52 (關(guān)于通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX(本實施形態(tài)中也與前述曝光區(qū)域IA的中心一致)且與X軸平行的直線(基準軸LH(參照圖5等))成對稱)的至少3個與X軸平行的測長光束照射于反射面17b。又，Y干涉儀16將包含一對測長光束B4p B42 (關(guān)于前述基準軸LVtl成對稱)及B3 (參照圖1)的至少3個與Y軸平行的測長光束照射于反射面17a及后述移動鏡41。如前所述，在本實施形態(tài)中，作為上述各干涉儀，除一部分(例如干涉儀128)外，使用具有多個測長軸的多軸干涉儀。因此，主控制裝置20根據(jù)Y干涉儀16、與X干涉儀126或127的測量結(jié)果，除了計算晶片臺WTB(晶片載臺WST)的X、Y位置外，還計算ΘΧ方向的位置(以下，也適當記載為ΘΧ旋轉(zhuǎn)(或ΘΧ旋轉(zhuǎn)量)、或縱搖(或縱搖量))、0y方向的位置(以下，也適當記載為0 y旋轉(zhuǎn)(或θ y旋轉(zhuǎn)量)、或橫搖(或橫搖量))、及Qz旋轉(zhuǎn)(即偏搖量)。
[0160]此外,如圖1所示,在載臺本體91的一 Y側(cè)側(cè)面,安裝有具有凹形反射面的移動鏡41。移動鏡41，由圖2可知，其X軸方向的長度被設(shè)定為比晶片臺WTB的反射面17a長。
[0161]與移動鏡41對向地設(shè)有一對Z干涉儀43A、43B(參照圖1及圖4)。Z干涉儀43A、43B，經(jīng)由移動鏡41對固定在例如用以支承投影單元PU的主機架(未圖標)的固定鏡47A、47B分別照射2個測長光束B1、B2。并分別接收各自的反射光，測量測長光束B1、B2的光路長。根據(jù)其結(jié)果，主控制裝置20算出晶片載臺WST的4自由度(Y、Z、0y、θζ)方向的位置。
[0162]本實施形態(tài)中，晶片載臺WST (晶片臺WTB)在XY平面內(nèi)的位置(含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，主要是使用后述編碼器系統(tǒng)加以測量。干涉儀系統(tǒng)118是在晶片載臺WST位于編碼器系統(tǒng)的測量區(qū)域外(例如，在圖5等所示的卸載位置UP及裝載位置LP附近)時使用。此外，在編碼器系統(tǒng)測量結(jié)果的長期變動(例如因標尺的經(jīng)時變形等造成)的修正(較正)時、或編碼器系統(tǒng)的輸出異常時作為備用等而輔助性地使用。當然，也可以并用干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)，來控制晶片載臺WST (晶片臺WTB)的位置。
[0163]干涉儀系統(tǒng)118的Y干涉儀18、X干涉儀130，如圖4所示，通過對測量臺MTB的反射面19a、19b照射干涉儀光束(測長光束)并接收各自的反射光，測量測量載臺MST的位置信息(例如，至少包含X軸及Y軸方向的位置、與θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，將該測量結(jié)果供應(yīng)至主控制裝置20。
[0164]其次，說明測量晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置信息(含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)信息)的編碼器系統(tǒng)150 (參照圖10)的構(gòu)成等。編碼器系統(tǒng)150的主要構(gòu)成已揭示于例如美國專利申請公開第2008/0088843號說明書等。
[0165]在曝光裝置100中，如圖5所示，在嘴單元32的+X側(cè)、+Y側(cè)、一 X側(cè)及一次對準系統(tǒng)ALl的一 Y側(cè)，分別配置有4個讀頭單元62A、62B、62C及62D。又，在讀頭單元62C、62A各自的一 Y側(cè)、且與一次對準系統(tǒng)ALl大致相同的Y位置，分別設(shè)有讀頭單元62E、62F。讀頭單元62A?62F，通過支承構(gòu)件，以懸吊狀態(tài)固定于保持投影單元PU的主機架(未圖標)。
[0166]讀頭單元62A，如圖6所示，配置在嘴單元32的+X側(cè)，具備:沿X軸方向以間隔TO配置在前述基準軸LH上的多個(此處為4個)Y讀頭652?655、以及配置在從基準軸LH向一 Y方向相距既定距離的嘴單元32的一 Y側(cè)位置的Y讀頭65lt)此處，Y讀頭65ρ652的X軸方向的間隔也被設(shè)定為與WD大致相等。讀頭單元62C，如圖6所示，構(gòu)成為與讀頭單元62Α成左右對稱，且配置為關(guān)于前述基準軸LVtl成對稱。讀頭單元62C具備關(guān)于基準軸LVtl與Y讀頭655?SS1成對稱配置的5個Y讀頭6七?645。以下，適當?shù)貙讀頭SS1?655、64!?645分別還記載為Y讀頭65、64。
[0167]讀頭單元62Α構(gòu)成:使用前述Y標尺39Yi測量晶片載臺WST (晶片臺WTB)在Y軸方向的位置(Y位置)的多眼(此處為5眼)Y線性編碼器(以下，適當?shù)暮喎Q為「Y編碼器」或「編碼器」)70A(參照圖10)。同樣地，讀頭單元62C構(gòu)成:使用前述Y標尺39Y2測量晶片載臺WST (晶片臺WTB)的Y位置的多眼(此處為5眼)Y編碼器70C(參照圖10)。此處，讀頭單元62C、62A分別具備的5個Y讀頭64ρ65」α、」=I?5)中相鄰的Y讀頭(正確而言，是各Y讀頭所發(fā)出的測量光束在標尺上的照射點)在X軸方向的間隔WD，被設(shè)定為比Y標尺39￥2、39￥1在乂軸方向的寬度(正確而言，是光柵線38的長度)稍微窄。因此，在曝光時等，各5個Y讀頭65j、64i中，至少有各I個讀頭總是與對應(yīng)的Y標尺39Yp39Y2對向。
[0168]讀頭單元62B，如圖6所示，配置在嘴單元32 (投影單元PU)的+Y側(cè)，具備在前述基準軸LVtl上沿Y軸方向以間隔WD配置的多個、此處為4個X讀頭665?668。此外，讀頭單元62D配置在一次對準系統(tǒng)ALl的一 Y側(cè)，具備在基準軸LVtl上以間隔WD配置的多個、此處為4個X讀頭Sei?664。以下，適當?shù)貙讀頭Sei?668還記載為X讀頭66。
[0169]讀頭單元62B構(gòu)成:使用前述X標尺39XjiJ量晶片載臺WST(晶片臺WTB)在X軸方向的位置(X位置)的多眼(此處為4眼)X線性編碼器(以下，簡稱「X編碼器」或「編碼器」)70B(參照圖10)。又，讀頭單元62D構(gòu)成:使用前述X標尺39X2測量晶片載臺WST (晶片臺WTB)的X位置的多眼(此處為4眼)X線性編碼器70D(參照圖10)。
[0170]此處，讀頭單元62B、62D所分別具備的4個X讀頭Sei?664、665?668中、相鄰接的X讀頭66(正確而言，X讀頭所發(fā)出的測量光束在標尺上的照射點)在Y軸方向的間隔WD，被設(shè)定為比前述X標尺39Xp39X2的Y軸方向?qū)挾?正確而言，是光柵線37的長度)窄。因此，在曝光時或晶片對準時等，讀頭單元62B、62D分別具備的各4個X讀頭66、即8個X讀頭66中的至少I個讀頭，總是與對應(yīng)的X標尺39Xi*39X2對向。又，讀頭單元62B中的最靠近一 Y側(cè)的X讀頭665與讀頭單元62D中的最靠近+Y側(cè)的X讀頭664間的間隔，被設(shè)定為比晶片臺WTB的Y軸方向?qū)挾日?，以由于晶片載臺WST在Y軸方向的移動，而能在該2個X讀頭間進行切換(連接)。
[0171]讀頭單元62E，如圖6所示，配置在二次對準系統(tǒng)ΑΙΛ的一 X側(cè)，具備在前述基準軸LA上以和間隔WD大致相同間隔配置的3個Y讀頭67i?673、以及從基準軸LA向+Y方向相距既定距離配置于二次對準系統(tǒng)AIA的+Y側(cè)的Y讀頭674。此處，Y讀頭673、674間的X軸方向間隔也設(shè)定為WD。以下，將Y讀頭67i?674還適當?shù)赜涊d為Y讀頭67。
[0172]讀頭單元62F，關(guān)于前述基準軸LVtl,與讀頭單元62E為對稱，具備與上述4個Y讀頭674?67i關(guān)于基準軸LVtl成對稱配置的4個Y讀頭68i?684。以下，將Y讀頭68i?684還適當?shù)赜涊d為Y讀頭68。
[0173]在后述對準動作之際等，Y讀頭67p、68q(p、q= I?4)中的至少各I個會分別對向于Y標尺39Y2、39Y1。由該Y讀頭67p、68q(即，由這些Y讀頭67p、68q構(gòu)成的Y編碼器70E、70F)測量晶片載臺WST的Y位置(及θ ζ旋轉(zhuǎn))。
[0174]又，本實施形態(tài)中，在后述二次對準系統(tǒng)的基準線測量時等，與二次對準系統(tǒng)AL21,AL24在X軸方向上相鄰的Y讀頭673、682，分別與FD桿46的一對基準光柵52對向，通過與該一對基準光柵52對向的Y讀頭673、682，以各基準光柵52的位置測量出FD桿46的Y位置。以下，將由分別對向于一對基準光柵52的Y讀頭673、682構(gòu)成的編碼器稱為Y編碼器70E2、70F2，并為與此識別，而將由對向于前述Y標尺SgY2^gY1的Y讀頭67、68構(gòu)成的Y編碼器70E、70F，稱為Y編碼器7(^、7(^。
[0175]上述編碼器70A?70F的測量值被供應(yīng)至主制裝置20，主控制裝置20根據(jù)編碼器70A?70D中的3個、或TOBjODjOE1JOF1中的3個的測量值，控制晶片載臺WST的XY平面內(nèi)位置，并根據(jù)編碼器70E2、70F2的測量值，控制FD桿46 (測量載臺MST)的θ z方向旋轉(zhuǎn)(偏搖)。
[0176]又，圖5中，省略了測量載臺MST的圖示，且由保持在測量載臺MST與前端透鏡191之間的水Lq形成的液浸區(qū)域用符號14加以顯示。此外，圖5中，符號UP、LP分別表示關(guān)于基準軸LVtl設(shè)定成對稱的、進行從晶片臺WTB卸下晶片的卸載位置、以及進行往晶片臺WTB上裝載晶片的裝載位置。又，也可將卸載位置UP與裝載位置LP設(shè)定為同一位置。
[0177]本實施形態(tài)的曝光裝置100，如圖5及圖7所示，設(shè)有與例如美國專利第5，448，332號說明書等所揭示的相同構(gòu)成的、由照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b構(gòu)成的斜入射方式的多點焦點位置檢測系統(tǒng)(以下，簡稱為「多點AF系統(tǒng)」)90。本實施形態(tài)中，作為其一例，在前述讀頭單元62E的一 X端部的+Y側(cè)配置照射系統(tǒng)90a，并以與其相對的狀態(tài)在前述讀頭單元62F的+X端部的+Y側(cè)配置受光系統(tǒng)90b。又，多點AF系統(tǒng)90被固定在用以保持前述投影單元PU的主機架下面。
[0178]此多點AF系統(tǒng)90 (90a、90b)的多個檢測點，沿X軸方向以既定間隔配置在被檢測面上。本實施形態(tài)中，多個檢測點例如配置成一行M列(M為檢測點的總數(shù))或2行N列(N= M/2)的矩陣狀。圖5及圖7中，并未個別圖示檢測光束分別照射的多個檢測點，而顯示成在照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b之間延伸于X軸方向的細長檢測區(qū)域(光束區(qū)域)AF。由于此檢測區(qū)域AF在X軸方向的長度被設(shè)定成與晶片W的直徑同程度，因此通過僅在Y軸方向掃描晶片W —次，即能測量晶片W的大致全面的Z軸方向位置信息(面位置信息)。
[0179]如圖7所示，多點AF系統(tǒng)90 (90a、90b)的檢測區(qū)域AF兩端部附近，以關(guān)于基準軸LVtl成對稱的配置，設(shè)有各一對的Z位置測量用面位置傳感器的讀頭(以下，簡稱為「Z讀頭」)72a、72b及72c、72d。Z讀頭72a?72d固定在未圖標的主機架下面。
[0180]作為Z讀頭72a?72d，使用與例如在⑶驅(qū)動裝置等中所使用的光拾取器(pickup)相同的光學(xué)式變位傳感器的讀頭。Z讀頭72a?72d從上方對晶片臺WTB照射測量光束，接收其反射光來測量晶片臺WTB在照射點的面位置。又，本實施形態(tài)中，Z讀頭的測量光束采用可被構(gòu)成前述Y標尺39Yp39Y2的反射型繞射光柵反射的構(gòu)成。
[0181]進而，前述讀頭單元62A、62C，如圖6及圖7所示，在與各自具備的5個Y讀頭65」、64i(1、j = I?5)相同的X位置、但錯開Y位置處，分別具備5個Z讀頭76」、74α、j =
I?5)。此處，分別屬于讀頭單元62A、62C的外側(cè)的3個Z讀頭763?765、7七?743，從基準軸LH往+Y方向相隔既定距離配置成與基準軸LH平行。又，分別屬于讀頭單元62A、62C的最內(nèi)側(cè)的Z讀頭76p745配置在投影單元I3U的+Y側(cè)，其余Z讀頭762、744則分別配置在Y讀頭652、644的一 Y側(cè)。此外，分別屬于讀頭單元62A、62C的5個Z讀頭76」、7七，配置成彼此相對基準軸LVtl成對稱。再者，作為各Z讀頭76p74i，采用與前述Z讀頭72a?72d相同的光學(xué)式變位傳感器的讀頭。
[0182]讀頭單元62A、62C分別具備的5個Z讀頭76」、74i中、相鄰Z讀頭(正確而言，各Z讀頭發(fā)出的測量光束在標尺上的照射點)的X軸方向的間隔，被設(shè)定為與Y讀頭65、64的X軸方向的間隔WD相等。因此，在曝光時等，與Y讀頭65j、64i同樣地，各5個的Z讀頭76」、71中、至少各有I個總是與對應(yīng)的Y標尺39Yp39Y2對向。
[0183]上述Z讀頭72a?72(^7+-Ttje1-Te5，如圖10所示，通過信號處理選擇裝置160連接于主控制裝置20。主控制裝置20通過信號處理選擇裝置160，從Z讀頭72a?72(1,7^?745、76i?765中選擇任意的Z讀頭使其為工作狀態(tài)，并通過信號處理選擇裝置160接收該呈工作狀態(tài)的Z讀頭所檢測出的面位置信息。本實施形態(tài)中，包含Z讀頭72a?72(1,7^?745、76i?765、以及信號處理選擇裝置160構(gòu)成用以測量晶片載臺WST的Z軸方向及相對XY平面的傾斜方向的位置信息的面位置測量系統(tǒng)180。
[0184]再者，本實施形態(tài)的曝光裝置100，如圖5所示，在多點AF系統(tǒng)的檢測區(qū)域(光束區(qū)域)AF與讀頭單元62C、62A之間，配置有延伸于X軸方向的周邊曝光單元51。周邊曝光單元51，通過未圖示的支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)支承于未圖標的主機架下面。
[0185]周邊曝光單元51具有:射出與照明光IL大致同一波長的光的未圖示的光源、以及射入來自該光源的光的周邊曝光用主動掩模(以下，適宜地簡稱為主動掩模)51a(參照圖8)。又，取代來自光源的光，例如也可使用光纖將照明光IL導(dǎo)至主動掩模51a。
[0186]周邊曝光單元51 (主動掩模51a)，如圖5所示，其長度被設(shè)定為比晶片W的直徑長一些。主動掩模51a,舉一例而言,如圖8所不,在X軸方向兩端具有一對可變成形掩模VM1、VM2。
[0187]作為各可變成形掩模VM1、VM2，舉一例而言，使用包含在XY平面內(nèi)配置成矩陣狀的多個微反射鏡吣八參照圖9(A)、圖9(B))的微反射鏡陣列。此微反射鏡陣列是在以CMOS工藝制作的集成電路上以MEMS技術(shù)形成可動式的微反射鏡而成的。各微反射鏡Mu，可使鏡面(反射面)繞既定軸(例如與微反射鏡的對角線一致的軸)傾斜既定角度范圍土 Θ (Θ為例如3度(或12度))，并通過驅(qū)動設(shè)置在鏡面下部的電極而具有「0N」(一 Θ)與「OFF」(+Θ)的2個狀態(tài)。即，各可變成形掩模具備:作為基部的基板、形成在該基板上的可動式微反射鏡Mu、以及使各微反射鏡ON、OFF的電極。
[0188]各微反射鏡Mu，根據(jù)供應(yīng)至電極的驅(qū)動信號，舉一例而言，設(shè)定為如圖9(A)所示的將來自光源的光朝向晶片W反射的狀態(tài)(或姿勢)、與如圖9(B)所示的將來自光源的光朝向不射入晶片W的既定方向反射的狀態(tài)(或姿勢)的任一者。以下，將前者稱為微反射鏡Mij的ON狀態(tài)(或ON姿勢)、將后者稱為微反射鏡Mi,」的OFF狀態(tài)(或OFF姿勢)。
[0189]主控制裝置20，將各微反射鏡Mu單獨地控制成ON狀態(tài)(或ON姿勢)及OFF狀態(tài)(或OFF姿勢)的任一者。因此，根據(jù)本實施形態(tài)的周邊曝光單元51，在晶片W的X軸方向中心與周邊曝光單元51的長邊方向中心大致一致的狀態(tài)下，使晶片載臺WST移動于Y軸方向，由此能使晶片W的X軸方向兩端部附近的任意位置曝光而形成任意圖案。S卩，周邊曝光單元51，可形成用以使在X軸方向上分離的周邊曝光的2個照射區(qū)域，且至少能在X軸方向上變更其位置。
[0190]圖10中，顯示了曝光裝置100的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)是以由統(tǒng)籌控制裝置全體的微電腦(或工作站)組成的主控制裝置20為中心構(gòu)成。又，圖10中，前述照度不均傳感器94、空間像測量器96及波面像差測量器98等，設(shè)于測量載臺MST的各種傳感器集中顯示為傳感器群99。
[0191]其次，根據(jù)圖14?圖24說明本實施形態(tài)的曝光裝置100中、使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作。又，以下的動作中，由主控制裝置20以前述方式進行局部液浸裝置8的液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的各閥的開閉控制，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡191的射出面?zhèn)瓤偸潜凰錆M。然而，以下為使說明易于理解，省略了關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的控制的說明。此外，以下的動作說明是使用多個圖進行，但各圖的相同構(gòu)件上，有的附有符號、有的則未附有符號。即，各圖中，記載的符號雖有不同，但不論有無符號，這些圖都是相同構(gòu)成。以上說明所使用的各圖也同樣。
[0192]此處，在并行處理動作的說明之前，先說明成為曝光對象的晶片W上形成的照射區(qū)域的尺寸及排列，即說明晶片W的照射圖(shot map)等。圖11中顯示了晶片W的俯視圖。晶片W的涂有抗蝕劑的有效曝光區(qū)域(圖11中是對應(yīng)圓形外形的內(nèi)部區(qū)域)被區(qū)劃為多數(shù)個照射區(qū)域Sj (圖11中，j = I?76)。舉一例而言，照射區(qū)域Sj是將分別形成2個同一器件(芯片)的2個照射區(qū)域。
[0193]本實施形態(tài)中，假設(shè)在圖12中涂黑的16個照射區(qū)域(S2、S4、S6、S18、S20、S22、S24、S26、S51、S53、S55、S57、S59、S71、S73、S75)被操作員指定為晶片對準(EGA =EnhancedGlobal Alignment)的取樣照射區(qū)域(對準照射區(qū)域)。上述16個取樣照射區(qū)域之中、3個照射區(qū)域(S71、S73、S75)是第I (first)對準照射區(qū)域、5個照射區(qū)域(S51、S53、S55、S57、S59)是第2 (second)對準照射區(qū)域、5個照射區(qū)域(S18、S20、S22、S24、S26)是第3 (third)對準照射區(qū)域、3個照射區(qū)域(S2、S4、S6)是第4(fourth)對準照射區(qū)域。
[0194]又，本實施形態(tài)中，如圖13所示，晶片W的12個周邊照射區(qū)域(S1、S7、S8、S16、S17、S27、S50、S60、S61、S69、S70、S76)中的晶片 W 的邊緣側(cè)的一半?yún)^(qū)域(Sla, S7a、S8a、S16a、S17a、S27a、S50a、S60a、S61a、S69a、S70a、S76a)，分別為周邊曝光的對象區(qū)域(以下，稱周邊曝光區(qū)域)。
[0195]以下所說明的使用兩個載臺WST、MST的并行處理動作，除了關(guān)于周邊曝光的部分夕卜，全體都是以和例如國際公開第2007/097379號小冊子(及與此對應(yīng)的美國專利申請公開第2008/0088843號說明書)所揭示的并行處理動作相同的順序進行。
[0196]圖14中，顯示了對晶片載臺WST上所載置的晶片W進行步進掃描方式的曝光的狀態(tài)。此曝光，是根據(jù)開始前所進行的晶片對準(EGA:Enhanced Global Alignment)等的結(jié)果，反復(fù)進行如下動作來進行:將晶片載臺WST移動至為了進行晶片W上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動、以及以掃描曝光方式將形成于標線片R的圖案轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光。此外，曝光是以從位于晶片W上的一Y側(cè)的照射區(qū)域、至位于+Y側(cè)的照射區(qū)域的順序進行。又，是在投影單元PU與晶片W之間形成有液浸區(qū)域14的狀態(tài)下進行。
[0197]上述曝光中，晶片載臺WST的XY平面內(nèi)位置(含ΘΖ方向的位置(ΘΖ旋轉(zhuǎn)))，是由主控制裝置20根據(jù)2個Y編碼器70A、70C與2個X編碼器70B、70D中的一方的合計3個編碼器的測量結(jié)果加以控制。此處，2個X編碼器70B、70D是由分別對向于X標尺39Xp39X2的2個X讀頭66所構(gòu)成，2個Y編碼器70A、70C則由分別對向于Y標尺39Yp39Y2的Y讀頭65、64所構(gòu)成。此外，晶片載臺WST的Z位置與0y旋轉(zhuǎn)(橫搖)，是根據(jù)由分別對向于晶片臺WTB表面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的、分別屬于讀頭單元62C、62A的Z讀頭74,,76j的測量值加以控制。晶片載臺WST的θ X旋轉(zhuǎn)(縱搖)是根據(jù)Y干涉儀16的測量值加以控制。又，在包含Z讀頭741、76j的3個以上的Z讀頭對向于晶片臺WTB的第2撥水板28b表面的情形時，也可根據(jù)Z讀頭74、76]及其它I個Z讀頭的測量值，控制晶片載臺WST的Z軸方向位置、Θ y旋轉(zhuǎn)(橫搖)及θ X旋轉(zhuǎn)(縱搖)。無論如何，晶片載臺WST的Z軸方向位置、Θ y旋轉(zhuǎn)及θ X旋轉(zhuǎn)的控制(即晶片W的焦點調(diào)平控制)是根據(jù)事先進行的焦點映射的結(jié)果進行的。
[0198]在圖14所示的晶片載臺WST的位置處，雖有X讀頭665(圖14中以圓圈圍繞顯示)對向于X標尺Sgxi，卻無對向于X標尺39X2的X讀頭66。因此，主控制裝置20，使用I個X編碼器70B與2個Y編碼器70A、70C來實施晶片載臺WST的位置(X、Y、θ z)控制。此處，當晶片載臺WST從圖14所示位置往一 Y方向移動時，X讀頭665脫離X標尺39Xi (不再對向)，取而代之，X讀頭664(圖14中以虛線的圓圍繞顯示)對向于X標尺39X2。因此，主控制裝置20切換為使用I個X編碼器70D與2個Y編碼器70A、70C的晶片載臺WST的位置(及速度)控制(以下，適當?shù)胤Q載臺控制)。
[0199]此外，當晶片載臺WST位于如圖14所示的位置時，Z讀頭743、763(圖14中以圓圈圍繞顯示)分別對向于Y標尺39Y2、39Ylt)因此，主控制裝置20，使用Z讀頭743、763實施晶片載臺WST的位置(Ζ、Θ y)控制。此處，當晶片載臺WST從圖14所示位置往+X方向移動時，Z讀頭743、763脫離對應(yīng)的Y標尺，取而代之，Z讀頭744、764(圖中以虛線圓圈圍繞顯示)分別對向于Y標尺39Y2、39Ylt)于是，主控制裝置20切換為使用Z讀頭744、764的載臺控制。
[0200]如前所述，主控制裝置20，根據(jù)晶片載臺WST的位置坐標，不停地切換所使用的編碼器與Z讀頭，來進行載臺控制。
[0201]又，與使用上述測量器類的晶片載臺WST的位置測量分開獨立地，總是進行使用干涉儀系統(tǒng)118的晶片載臺WST的位置(X、Y、Ζ、Θ X、Θ y、θ ζ)測量。此處，使用構(gòu)成干涉儀系統(tǒng)118的X干涉儀126、127或128測量晶片載臺WST的X位置與θ ζ旋轉(zhuǎn)量(偏搖量)，使用Y干涉儀16測量Y位置、θ X旋轉(zhuǎn)量及θ ζ旋轉(zhuǎn)量，使用Z干涉儀43Α、43Β測量Y位置、Z位置、07旋轉(zhuǎn)量及θ ζ旋轉(zhuǎn)量。X干涉儀126、127及128，是根據(jù)晶片載臺WST的Y位置而使用任意I個。在曝光中，如圖14所示，使用X干涉儀126。干涉儀系統(tǒng)118的測量結(jié)果，除了縱搖量(9 1旋轉(zhuǎn)量)外，輔助性地、或在后述備用(back up)時、或者無法進行使用編碼器系統(tǒng)150及/或面位置測量系統(tǒng)180的測量時等，利用于晶片載臺WST的位置控制。
[0202]當晶片W的曝光結(jié)束時，主控制裝置20將晶片載臺WST朝向卸載位置UP驅(qū)動。此時，在曝光中原本彼此分離的晶片載臺WST與測量載臺MST，會接觸或隔著300 μ m程度的分離距離而接近，移至并列(scrum)狀態(tài)。此處，測量臺MTB上的FD桿46的一Y側(cè)面與晶片臺WTB的+Y側(cè)面接觸或接近。在保持此并列狀態(tài)的情形下，兩載臺WST、MST往一 Y方向移動，由此，形成在投影單元PU下的液浸區(qū)域14移動至測量載臺MST上。例如圖15、圖16中顯示了移動后的狀態(tài)。
[0203]當晶片載臺WST進一步往一 Y方向移動而脫離有效行程區(qū)域(晶片載臺WST在曝光時及晶片對準時移動的區(qū)域)時，構(gòu)成編碼器系統(tǒng)150的所有X讀頭、Y讀頭及面位置測量系統(tǒng)180的所有Z讀頭會脫離晶片臺WTB上的對應(yīng)的標尺。因此，無法進行根據(jù)編碼器系統(tǒng)150及面位置測量系統(tǒng)180的測量結(jié)果的載臺控制。因此，主控制裝置20在無法進行根據(jù)編碼器系統(tǒng)150及面位置測量系統(tǒng)180的測量結(jié)果的載臺控制之前一刻，從根據(jù)兩系統(tǒng)150、180的測量結(jié)果的載臺控制切換為根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測量結(jié)果的載臺控制。此處，使用3個X干涉儀126、127、128中的X干涉儀128。
[0204]之后，圖15所示，晶片載臺WST解除與測量載臺MST的并列狀態(tài)，移動至卸載位置UP。移動后，主控制裝置20將晶片臺WTB上的晶片W卸下。接著，主控制裝置20，如圖16所示，將晶片載臺WST驅(qū)動于+X方向使其移動至裝載位置LP，在晶片臺WTB上裝載下一晶片W。
[0205]與這些動作并行地，主控制裝置20實施進行如下動作的Sec-BCHK ( 二次基準線檢查):被測量載臺MST支承的FD桿46在XY平面內(nèi)的位置調(diào)整、與4個二次對準系統(tǒng)AI^1?AL24的基準線測量。Sec-BCHK是在每次晶片更換時間歇性地進行。此處，為測量FD桿46的θζ旋轉(zhuǎn)量，使用前述Y編碼器70E2、70F2。
[0206]其次，主控制裝置20，如圖17所示，驅(qū)動晶片載臺WST，將測量板件30上的基準標記FM定位于一次對準系統(tǒng)ALl的檢測視野內(nèi)，進行用以決定對準系統(tǒng)ALUAI^1?AL24的基準線測量的基準位置的Pr1-BCHK(—次基準線檢查)的前半處理。
[0207]此時，如圖17所示，2個Y讀頭682、673與I個X讀頭Sei(圖中以圓圈圍繞顯示)分別與Y標尺39Y1、39Y2與X標尺39X2對向。于是，主控制裝置20從干涉儀系統(tǒng)118切換為使用編碼器系統(tǒng)150 (編碼器70Ei JOF1JOD)的載臺控制。除晶片載臺WST的θ x旋轉(zhuǎn)量的測量外，再次輔助性地使用干涉儀系統(tǒng)118。又，使用3個X干涉儀126、127、128中的X干涉儀127。
[0208]其次，主控制裝置20根據(jù)上述3個編碼器的測量值，一邊管理晶片載臺WST的位置、一邊開始晶片載臺WST往+Y方向的移動，以移動至用以檢測3個第I對準照射區(qū)域中所附設(shè)的對準標記的位置。
[0209]于是，當晶片載臺WST到達圖18所示位置時，主控制裝置20使晶片載臺WST停止。在此之前，主控制裝置20在Z讀頭72a?72d的全部或一部分與晶片臺WTB對向的時間點或之前的時間點，使這些Z讀頭72a?72d工作(ON)，開始晶片載臺WST的Z位置及傾斜量(97旋轉(zhuǎn)量)的測量。
[0210]晶片載臺WST停止后，主控制裝置20使用一次對準系統(tǒng)AL1、二次對準系統(tǒng)AL22、AL23，大致同時且單獨地檢測附設(shè)于3個第I對準照射區(qū)域的對準標記(參照圖18中的星標記)，將上述3個對準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23的檢測結(jié)果與該檢測時上述3個編碼器的測量值關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存中。
[0211]如上所述，本實施形態(tài)中，在進行第I對準照射區(qū)域的對準標記檢測的位置處，完成向測量載臺MST與晶片載臺WST的接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))的移行，從該位置起，由主控制裝置20開始在該接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺WST、MST往+Y方向的移動(朝向用以檢測5個第2對準照射區(qū)域中所附設(shè)的對準標記的位置的步進移動)。在此兩載臺WST,MST往+Y方向的移動開始前，主控制裝置20，如圖18所示，開始多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束對晶片臺WTB的照射。據(jù)此，在晶片臺WTB上形成多點AF系統(tǒng)的檢測區(qū)域。
[0212]于是，在上述兩載臺WST、MST往+Y方向的移動中，當兩載臺WST、MST到達圖19所示位置時，主控制裝置20進行用以求出在晶片臺WTB的中央線與基準軸LVtl —致狀態(tài)下的Z讀頭72a、72b、72c、72d的測量值(晶片臺WTB在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息)、與由多點AF系統(tǒng)(90a、90b)所測得的測量板件30表面的檢測結(jié)果(面位置信息)的關(guān)系的、焦點校準(calibrat1n)的前半處理。此時，液浸區(qū)域14形成在FD桿46上面。
[0213]接著，當兩載臺WST、MST在保持接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))的情形下進一步往+Y方向移動，到達圖20所示位置時，使用5個對準系統(tǒng)AL1、AL2i?AL24，大致同時且單獨地檢測(參照圖20中的星標記)附設(shè)于5個第2對準照射區(qū)域的對準標記，將上述5個對準系統(tǒng)AL1、AI^1?AL24的檢測結(jié)果、與該檢測時正測量晶片載臺WST的XY平面內(nèi)位置的3個編碼器的測量值關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存中。此時，主控制裝置20，根據(jù)與X標尺39X2對向的X讀頭662 (X線性編碼器70D)及Y線性編碼器YOE1JOF1的測量值，控制晶片載臺WST的XY平面內(nèi)的位置。
[0214]又，主控制裝置20，在上述5個第2對準照射區(qū)域中所附設(shè)的對準標記的檢測結(jié)束后，再次開始接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺WST、MST往+Y方向的移動的同時，如圖20所示，使用Z讀頭72a?72d與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)，開始用以檢測晶片W表面在Z軸方向的位置信息(面位置信息)的焦點映像。
[0215]接著，在此焦點映射的開始后、至兩載臺WST、MST到達圖21所示位置的期間，主控制裝置20，依據(jù)由Y線性編碼器TOE1JOF1所測量的晶片載臺WST的Y位置，單獨地控制構(gòu)成周邊曝光單元51的2個可變成形掩模VM1、VM2的各微反射鏡Mij的ON、OFF,由此，如圖25 (A)、圖 25 (B)、圖 25 (C)所示，使周邊曝光區(qū)域 S70a 及 S76a、S61a 及 S69a、S50a 及 S60a依序曝光。此情況下，主控制裝置20使用周邊曝光單元51，可以使各周邊曝光區(qū)域全面曝光，也可以形成既定圖案。
[0216]其次，當兩載臺WST、MST到達圖21所示測量板件30被配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的位置時，主控制裝置20，在不將用于晶片載臺WST在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸方向的位置(Z位置)控制的Z讀頭切換為Z讀頭741、76j的情形下，在持續(xù)以由Z讀頭72a、72b、72c、72d所測量的面位置信息為基準的晶片載臺WST (測量板件30)的Z位置控制的狀態(tài)下，進行下述焦點校準的后半處理。即，主控制裝置20，一邊以使用Z讀頭72a?72d測量的面位置信息為基準控制測量板件30 (晶片載臺WST)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸方向的位置(Z位置)、一邊使用空間像測量裝置45，以例如國際公開第2005/124834號小冊子(及與此對應(yīng)的美國專利申請公開第2008/030715號說明書)等所揭示的Z方向掃描測量方式，測量標線片R或形成在標線片載臺RST上未圖標的標記板上的測量標記的空間像，根據(jù)該測量結(jié)果測定投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最佳焦點位置。主控制裝置20，在上述Z方向掃描測量中，與擷取來自空間像測量裝置45的輸出信號同步地，擷取用以測量晶片臺WTB在X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部的面位置信息的一對Z讀頭743、763的測量值。并將對應(yīng)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最佳焦點位置的Z讀頭743、763的值儲存于未圖標的內(nèi)存中。又，在焦點校準的后半處理中，之所以以使用Z讀頭72a?72d測量的面位置信息為基準，來控制測量板件30 (晶片載臺WST)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸方向的位置(Z位置)，是因為焦點校準的后半處理在前述焦點映像途中進行。
[0217]又，主控制裝置20相繼于上述焦點校準的后半處理，進行如下的Pr1-BCHK的后半處理。即，主控制裝置20，使用空間像測量裝置45，和例如美國專利申請公開第2002/0041377號說明書等所揭示的方法同樣地，通過使用一對空間像測量狹縫圖案SL的狹縫掃描方式的空間像測量動作，分別測量由投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影的標線片R上的一對測量標記的投影像(空間像)，并將該測量結(jié)果(與晶片臺WTB的XY位置對應(yīng)的空間像強度)儲存于內(nèi)存中。在此Pr1-BCHK的后半處理時，晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置是根據(jù)與X標尺39X2對向的X讀頭664 (編碼器70D)、以及與Y標尺39Y1、39Y2對向的2個Y讀頭673、682 (編碼器TOE1^OF1)(或Y讀頭65」、6七(編碼器70A、70C))加以控制。
[0218]又，主控制裝置20根據(jù)前述Pr1-BCHK的前半處理的結(jié)果與Pr1-BCHK的后半處理的結(jié)果，算出一次對準系統(tǒng)ALl的基準線。與此同時，主控制裝置20根據(jù)前述焦點校準的前半處理及后半處理的結(jié)果，求出在多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的代表性檢測點處的偏置(offset)，儲存于內(nèi)部內(nèi)存中。然后，主控制裝置20在曝光時，在讀出焦點映射的結(jié)果所得的映射信息時，在該映射信息上加上偏置量。
[0219]又，在圖21的狀態(tài)下，持續(xù)進行前述焦點映射。
[0220]通過上述接觸狀態(tài)(或接近狀態(tài))下的兩載臺WST、MST往+Y方向的移動，當晶片載臺WST到達圖22所示位置時，主控制裝置20使晶片載臺WST在該位置處停止，且關(guān)于測量載臺MST則持續(xù)使其往+Y方向移動。接著，主控制裝置20使用5個對準系統(tǒng)ALl、ΑΙΛ?AL24大致同時且單獨地檢測附設(shè)于5個第3對準照射區(qū)域的對準標記(參照圖22中的星標記)，并將上述5個對準系統(tǒng)ALUAIA?AL24的檢測結(jié)果與該檢測時上述3個編碼器的測量值關(guān)聯(lián)起來儲存于內(nèi)部內(nèi)存中。又，在此時間點，也持續(xù)進行焦點映射。
[0221]另一方面，在上述晶片載臺WST停止起經(jīng)過既定時間后，測量載臺MST與晶片載臺WST從接觸(或接近狀態(tài))移至分離狀態(tài)。移轉(zhuǎn)為該分離狀態(tài)后，主控制裝置20在測量載臺MST到達等待至曝光開始為止的曝光開始等待位置時，使其停止于該位置。
[0222]接著，主控制裝置20開始晶片載臺WST朝向用以檢測附設(shè)于3個第4對準照射區(qū)域的對準標記的位置的往+Y方向的移動。此時，持續(xù)進行焦點映射。另一方面，測量載臺MST在上述曝光開始等待位置處等待。
[0223]前述焦點校準結(jié)束后，兩載臺WST、MST開始往+Y方向移動，在到達圖23所示位置的期間，主控制裝置20依據(jù)由Y線性編碼器TOE1JOF1所測量的晶片載臺WST的Y位置，單獨地控制構(gòu)成周邊曝光單元51的2個可變成形掩模VM1、VM2的各微反射鏡Mij的0N、0FF，由此，如圖25(D)、圖25(E)所示，使周邊曝光區(qū)域S17a及S27a、S8a及S16a依序曝光。此情況下，主控制裝置20也可使用周邊曝光單元51，可以使各周邊曝光區(qū)域全面曝光，或可以形成既定圖案。
[0224]接著，當晶片載臺WST到達圖23所示位置時，主控制裝置20立即使晶片載臺WST停止，使用一次對準系統(tǒng)AL1、二次對準系統(tǒng)AL22、AL23，大致同時且單獨地檢測附設(shè)于晶片W上的3個第4對準照射區(qū)域的對準標記(參照圖23中的星標記)，將上述3個對準系統(tǒng)AL1、AL22、AL23的檢測結(jié)果與該檢測時4個編碼器(例如7(^、7(^2、7(?、700)中的3個編碼器的測量值關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存中。在此時間點，焦點映射也是持續(xù)進行的，測量載臺MST則在上述曝光開始等待位置處維持等待狀態(tài)。接著，主控制裝置20使用以此方式所得的合計16個對準標記的檢測結(jié)果和所對應(yīng)的編碼器的測量值，進行例如日本特開昭61 - 044429號公報等所揭示的統(tǒng)計運算，算出晶片W上所有照射區(qū)域在由編碼器系統(tǒng)的上述4個編碼器TOEijOEyTOBjOD的測量軸所規(guī)定的坐標系統(tǒng)上的排列信息(坐標值)。
[0225]其次，主控制裝置20，一邊使晶片載臺WST再次往+Y方向移動、一邊持續(xù)進行焦點映射。在此晶片載臺WST往+Y方向的移動中，主控制裝置20依據(jù)由Y線性編碼器70E1、TOF1所測量的晶片載臺WST的Y位置，單獨地控制構(gòu)成周邊曝光單元51的2個可變成形掩模VMl、VM2的各微反射鏡Mij的ON、OFF,由此，如圖25 (F)所示，使周邊曝光區(qū)域Sla及S7a依序曝光。此情況下，主控制裝置20也可使用周邊曝光單元51，可以使各周邊曝光區(qū)域全面曝光，也可形成既定圖案。據(jù)此，晶片W的周邊曝光結(jié)束，如圖26所示，周邊曝光區(qū)域 Sla, S7a、S8a、S16a、S17a、S27a、S50a、S60a、S61a、S69a、S70a、S76a 分別成為已曝光的區(qū)域。
[0226]接著，晶片載臺WST進一步往+Y方向移動，如圖24所示，當來自多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束脫離晶片W表面時，結(jié)束焦點映射。
[0227]之后，主控制裝置20使晶片載臺WST移動至晶片W上的為進行第I照射的曝光的掃描開始位置(曝光開始位置)，在該移動途中，在維持晶片載臺WST的Z位置、Θ y旋轉(zhuǎn)及Θ X旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，將用以控制晶片載臺WST的Z位置、Θ y旋轉(zhuǎn)的控制的Z讀頭，從Z讀頭72a?72d切換為Z讀頭7七、74」。該切換后，主控制裝置20立刻根據(jù)前述晶片對準(EGA)的結(jié)果及最新的5個對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24的基準線等，以液浸曝光方式進行步進掃描方式的曝光，將標線片圖案依序轉(zhuǎn)印至晶片W上的多個照射區(qū)域。之后，反復(fù)進行同樣動作。
[0228]如以上的詳細說明，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，在晶片載臺WST在Y軸方向上直線移動的期間，使用多個檢測點在X軸方向以既定間隔設(shè)定的多點AF系統(tǒng)(90a、90b)檢測晶片W表面的面位置信息，由檢測區(qū)域沿X軸方向排列成一列的多個對準系統(tǒng)AU、△1^?41^24檢測晶片W上彼此位置相異的對準標記，并進一步使用周邊曝光單元51進行晶片W的周邊曝光。即，晶片載臺WST(晶片W)僅僅以直線方式通過多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個檢測點(檢測區(qū)域AF)、多個對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24的檢測區(qū)域、以及周邊曝光單元51的下方，就結(jié)束晶片W的大致全面的面位置信息的檢測、晶片W上待檢測的所有對準標記(例如，EGA中的對準照射區(qū)域的對準標記)的檢測、以及晶片W的周邊曝光這樣的3個動作。因此，與對準標記的檢測動作、面位置信息(焦點信息)的檢測動作、以及周邊曝光動作無關(guān)系地(分別)進行的情形相較，能大幅提升生產(chǎn)率。即，能使周邊曝光動作所需時間大致重迭于晶片對準動作時間，因此周邊曝光動作幾乎不會使生產(chǎn)率降低。
[0229]又，根據(jù)本實施形態(tài)，能利用包含測量的短期穩(wěn)定性良好的編碼器70A?70F等的編碼器系統(tǒng)150，在不受空氣波動等的影響的情形下，以高精度測量晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置信息，且能利用包含Z讀頭72a?72CU74?745、及76i?765等的面位置測量系統(tǒng)180，在不受空氣波動等的影響的情形下，以高精度測量晶片臺WTB在與XY平面正交的Z軸方向的位置信息。此場合，編碼器系統(tǒng)150及上述面位置測量系統(tǒng)180這兩者，都直接測量晶片臺WTB上面，因此能簡單且直接地進行晶片臺WTB、以及晶片W的位置控制。
[0230]又，根據(jù)本實施形態(tài)，在前述焦點映射時，由主控制裝置20使面位置測量系統(tǒng)180與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)同時工作，將多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測結(jié)果，換算為以面位置測量系統(tǒng)180的測量結(jié)果為基準的數(shù)據(jù)。因此，通過預(yù)先取得此換算數(shù)據(jù)，之后，僅利用面位置測量系統(tǒng)180測量晶片臺WTB在Z軸方向的位置信息、及相對XY平面的傾斜方向的位置信息，就能在不需取得晶片W的面位置信息的情形下，進行晶片W的面位置控制。因此，本實施形態(tài)中，雖然前端透鏡191與晶片W表面間的工作距離窄，但是，尤其無障礙地，能以良好精度實施曝光時的晶片W的焦點調(diào)平控制。
[0231]又，根據(jù)本實施形態(tài)，如上所述，由于能以高精度控制晶片臺WTB、進而晶片W的面位置，因此能進行幾乎沒有因面位置控制誤差引起的曝光不良的高精度的曝光，據(jù)此，能將圖案的像在不伴隨因散焦造成的像模糊的情形下，形成于晶片W上。
[0232]又，根據(jù)本實施形態(tài)，以Y軸方向為測量方向的多個Y讀頭64、65的X軸方向配置間隔，比Y標尺39Y1、39Y2的X軸方向?qū)挾日?，以X軸方向為測量方向的多個X讀頭66的Y軸方向配置間隔則比X標尺39X1、39X2的Y軸方向?qū)挾日?。因此，在使晶片臺WTB(晶片載臺WST)移動時，能一邊依序切換多個Y讀頭64、65、一邊根據(jù)對Y標尺39Yi或39Y2照射檢測光(光束)的Y線性編碼器70Α或70C的測量值測量晶片臺WTB (晶片載臺WST)的Y位置，并與此并行地，一邊依序切換多個X讀頭66、一邊根據(jù)對X標尺39\或39X2照射檢測光(光束)的X線性編碼器70B或70D的測量值，測量晶片臺WTB (晶片載臺WST)的X位置。
[0233]又，上述實施形態(tài)，雖然例示了從進行晶片W的曝光的曝光位置(投影單元下方的形成有液浸區(qū)域14的位置)向Y軸方向分離配置對準系統(tǒng)(ALl、AL2i?AL4)及多點AF系統(tǒng)90、以及周邊曝光單元51的情形，但本發(fā)明不限定于此。例如，對準系統(tǒng)(ALl、AL2i?AL24)及多點AF系統(tǒng)90的一方可以不配置在上述位置。此場合，也能為了進行使用另一方的測量裝置的晶片測量，而與將晶片載臺WST朝向曝光位置在Y軸方向上移動并行地，進行晶片的周邊曝光。因此，能使周邊曝光所需時間重迭于其它處理時間，所以能提升生產(chǎn)率。
[0234]或者，也可不將對準系統(tǒng)(ALUAI^1?AL24)及多點AF系統(tǒng)(90a、90b)這雙方配置在上述位置。不過，在此場合，將對晶片進行某種測量的測量裝置，配置在與上述對準系統(tǒng)(ALUAI^1-AL4)及多點AF系統(tǒng)(90a、90b)相同的位置。
[0235]又，上述實施形態(tài)中，例示了如下情形:用于測量晶片載臺WST的Y軸方向位置的一對Y標尺39Y1、39Y2、與用于測量X軸方向位置的一對X標尺39X1、39X2被設(shè)在晶片臺WTB上，并與此對應(yīng)，一對讀頭單元62A、62C夾著投影光學(xué)系統(tǒng)PL被配置在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)，2個讀頭單元62B、62D夾著投影光學(xué)系統(tǒng)PL被配置在Y軸方向的一側(cè)與另一側(cè)。然而，不限于此，也可以將Y軸方向位置測量用的Y標尺39t、39Y2及X軸方向位置測量用的X標尺39Xp39X2中，至少一方以僅為I個而非為一對的方式，設(shè)在晶片臺WTB上，或者，也可以將一對讀頭單元62A、62C及2個讀頭單元62B、62D中，至少一方僅設(shè)置I個。又，標尺的延設(shè)方向及讀頭單元的延設(shè)方向并不限于上述實施形態(tài)的X軸方向、Y軸方向那樣的正交方向，只要是彼此交叉的方向即可。
[0236]又，上述實施形態(tài)中，讀頭單元62A?62D雖然具有以既定間隔配置的多個讀頭，但不限于此，也可采用單一讀頭，該單一讀頭具備對Y標尺或X標尺的在間距方向細長延伸的區(qū)域射出光束的光源、以及接收光束在Y標尺或X標尺(繞射光柵)的反射光(繞射光)的、在Y標尺或X標尺的間距方向上無間隙排列的多數(shù)個受光元件。
[0237]又，上述實施形態(tài)，雖然針對將本發(fā)明適用于具備晶片載臺WST、測量載臺MSTji準系統(tǒng)(AL1、AL2i?AL24)、多點AF系統(tǒng)(90a、90b)、Z傳感器、干涉儀系統(tǒng)118及編碼器系統(tǒng)(70A?70F)等的全部的曝光裝置的情形作了說明，但本發(fā)明不限定于此。例如，本發(fā)明也可適用于未設(shè)置有測量載臺MST等的曝光裝置。本發(fā)明，只要是在上述各構(gòu)成部分中具備晶片載臺(移動體)及其以外的一部分的構(gòu)成部分的話，即能適用。即，只要是在離開進行晶片W的曝光的曝光位置的、與上述對準系統(tǒng)(ALl、AL2i?AL4)及多點AF系統(tǒng)(90a、90b)相同位置處，設(shè)有對晶片進行某種測量的測量裝置的話，即能適用本發(fā)明。
[0238]又，上述實施形態(tài)中，雖然例示了周邊曝光單元51被配置在對準系統(tǒng)(AL1、AL2i?AL4)(及多點AF系統(tǒng)(90a、90b))的投影單元側(cè)的情形，但不限于此，周邊曝光單元也可配置在對準系統(tǒng)(ALl、AL2i?AL4)(及多點AF系統(tǒng)(90a、90b))的卸載位置UP及裝載位置LP側(cè)。
[0239]又，上述實施形態(tài)中，雖然例示了在晶片載臺WST從裝載位置LP朝向曝光位置(投影單元PU)前進的進路中進行晶片W的周邊曝光的情形，但不限于此，也可在從曝光位置(投影單元PU)朝向卸載位置UP的回路中進行周邊曝光，或者，也可在進路與回路的兩方進行一片晶片的周邊曝光。
[0240]又，上述實施形態(tài)中，雖然例示了使用能對在X軸方向分離的2個為進行周邊曝光的照射區(qū)域進行照射的周邊曝光單元51的情形，但周邊曝光單元的構(gòu)成不限定于此。不過，周邊曝光單元的多個照射區(qū)域，最好能與上述周邊曝光單元51同樣地，至少在X軸方向上其位置可變。
[0241]又，上述實施形態(tài)中，針對如下情形作了說明:晶片載臺WST(晶片W)僅僅以直線方式通過多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個檢測點(檢測區(qū)域AF)、多個對準系統(tǒng)ALUAI^1?AL24的檢測區(qū)域、以及周邊曝光單元51的下方，就結(jié)束晶片W大致全面的面位置信息的檢測、晶片W上待檢測的所有對準標記的檢測、以及晶片W的周邊曝光這3個動作。但不限于此，也可與晶片載臺WST (晶片W)從裝載位置至曝光位置的移動并行地，僅進行周邊曝光動作的至少一部分。此場合，在進一步并行進行測量動作(含標記檢測等)的至少一部分的情形時，能進一步謀求生產(chǎn)率的提升。即，只要在晶片載臺WST(晶片W)從裝載位置至曝光位置的移動中進行周邊曝光動作的至少一部分的話即足夠，其它事項并非必須。
[0242]又，上述實施形態(tài)中，測量系統(tǒng)200雖包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150這雙方，但不限于此，測量系統(tǒng)可以僅包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150中的一方。
[0243]《第2實施形態(tài)》
[0244]以下，根據(jù)圖27?圖39說明本發(fā)明的第2實施形態(tài)。
[0245]圖27中，概略顯示了第2實施形態(tài)的曝光裝置500的構(gòu)成。曝光裝置500是步進掃描方式的投影曝光裝置、即所謂的掃描機。
[0246]曝光裝置500，具備照明系統(tǒng)10、標線片載臺RST、投影單元PU、具有晶片載臺WST及測量載臺MST的載臺裝置50、以及它們的控制系統(tǒng)等。圖27中，晶片載臺WST上載置有晶片W。曝光裝置500，與前述第I實施形態(tài)的曝光裝置100相比較，除了取代前述晶片臺WTB使用晶片臺WTB’，且編碼器系統(tǒng)150的構(gòu)成不同之外，與第I實施形態(tài)的曝光裝置100同樣構(gòu)成。以下，以不同點為中心進行說明，且針對與前述第I實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分使用相同符號并簡化或省略其說明。此外，為簡化說明，與晶片W的周邊曝光及焦點調(diào)平控制相關(guān)聯(lián)的構(gòu)成等，省略其說明。
[0247]載臺裝置50，與前述第I實施形態(tài)同樣地，如圖27所示，具備配置在底盤12上的晶片載臺WST及測量載臺MST。載臺裝置50進一步具備:用以測量兩載臺WST、MST的位置信息的測量系統(tǒng)200、以及用以驅(qū)動兩載臺WST、MST的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124等(圖27中皆未圖示，參照圖32)。測量系統(tǒng)200，如圖32所示，包含干涉儀系統(tǒng)118及編碼器系統(tǒng)150等。
[0248]晶片載臺WST包含載臺本體91、與搭載在該載臺本體91上的晶片臺WTB’。晶片臺WTB’及載臺本體91，可通過包含例如線性馬達及Z調(diào)平機構(gòu)(含音圈馬達等)的驅(qū)動系統(tǒng)，相對底盤12被驅(qū)動于6自由度方向(Χ、Υ、Ζ、θχ、0y、θζ)。
[0249]在晶片臺WTB’的上面中央，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。在晶片保持具(晶片的載置區(qū)域)外側(cè)，如圖28所示，設(shè)有中央形成有比晶片保持具大一圈的圓形開口、且具有矩形狀外形(輪廓)的板件(撥液板)28’。板件28’的表面施有對液體Lq的撥液化處理。此外,板件28’被設(shè)置成其表面全部或一部分與晶片W的表面同一面高。
[0250]板件28’位于晶片臺WTB的X軸方向中央，具備:具有在其中央形成有上述圓形開口的矩形外形(輪廓)的第I撥液區(qū)域28a’、以及在X軸方向夾著該第I撥液區(qū)域28a’位于晶片臺WTB的+X側(cè)端部、一 X側(cè)端部的長方形的一對第2撥液區(qū)域28b’。又，本第2實施形態(tài)，由于使用水作為液浸用的液體Lq，因此，以下將第I及第2撥液區(qū)域28a’、28b’還分別稱為第I及第2撥水板28a’、28b’。
[0251]在第I撥水板28a’的+Y側(cè)端部附近設(shè)有測量板件30，在此測量板件30上形成有基準標記FM、以及夾著該基準標記FM的一對空間像測量狹縫圖案(狹縫狀的測量用圖案)SL0對應(yīng)各空間像測量狹縫圖案SL，設(shè)有用以將透射這些空間像測量狹縫圖案SL的照明光IL,導(dǎo)向晶片載臺WST外部，具體而言，導(dǎo)向設(shè)于測量臺MTB (及載臺本體92)的前述受光系統(tǒng)(未圖標)的送光系統(tǒng)(未圖標)。即，在本第2實施形態(tài)中，也構(gòu)成為在晶片載臺WST與測量載臺MST在Y軸方向接近至既定距離以內(nèi)的狀態(tài)(含接觸狀態(tài))下，將透射晶片載臺WST上的測量板件30的各空間像測量狹縫圖案SL的照明光IL用各送光系統(tǒng)(未圖標)加以導(dǎo)引，并由測量載臺MST內(nèi)的各受光系統(tǒng)(未圖標)的受光元件加以受光的空間像測量裝置45 (參照圖32)。
[0252]在一對第2撥水板28b’上形成有供后述編碼器系統(tǒng)用的移動標尺。詳言之，在一對第2撥水板28b’上分別形成有移動標尺39A、39B。移動標尺39A、39B分別由將例如以Y軸方向為周期方向的繞射光柵與以X軸方向為周期方向的繞射光柵組合而成的反射型二維繞射光柵所構(gòu)成。二維繞射光柵的光柵線的間距，在Y軸方向及X軸方向的任一方向，皆設(shè)定為例如lym。又，圖28中，為便于圖示，光柵的間距顯示得比實際間距大。關(guān)于其他圖中也同樣。
[0253]此場合，為保護繞射光柵，與前述同樣地，由具備撥水性的例如低熱膨漲率的玻璃板加以覆蓋也是有效的。
[0254]又，在各第2撥水板28b’的移動標尺端附近，分別設(shè)有用以決定后述編碼器讀頭與移動標尺間的相對位置的、與前述同樣構(gòu)成的未圖標的定位圖案。
[0255]如圖28所示，在晶片臺WTB’的一 Y端面、一 X端面形成有反射面17a、反射面17b。如圖29所示，干涉儀系統(tǒng)118 (參照圖32)的Y干涉儀16、以及3個X干涉儀126?128對這些反射面17a、17b分別照射干涉儀光束(測長光束)等。Y干涉儀16及3個X干涉儀126?128接收各反射光，測量晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置信息，并將所測量的位置信息供應(yīng)至主控制裝置20。本第2實施形態(tài)中，主控制裝置20也可根據(jù)Y干涉儀16及X干涉儀126或127的測量結(jié)果，除了算出晶片臺WTB’ (晶片載臺WST)的X、Y位置外，還可算出Θ X方向的旋轉(zhuǎn)信息(即縱搖)、Θ y方向的旋轉(zhuǎn)信息(即橫搖)及θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息(即偏搖)。
[0256]又，如圖27所示，在載臺本體91的一 Y側(cè)側(cè)面安裝有具有凹形狀反射面的移動鏡41。
[0257]構(gòu)成干涉儀系統(tǒng)118的一部分的一對Z干涉儀43A、43B，通過移動鏡41對固定鏡47A、47B分別照射2個測長光束B1、B2，并接收各自的反射光，測量測長光束B1、B2的光路長。根據(jù)該結(jié)果，主控制裝置20算出晶片載臺WST的4自由度(Y、Z、0y、ΘΖ)方向的位置。
[0258]本第2實施形態(tài)中，晶片載臺WST (晶片臺WTB’)的XY平面內(nèi)的位置信息(含θζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，主要是使用后述編碼器系統(tǒng)150 (參照圖32)加以測量。干涉儀系統(tǒng)118是在晶片載臺WST位于編碼器系統(tǒng)的測量區(qū)域外(例如，圖30所示的卸載位置UP或裝載位置LP附近)時使用。又，在修正(校正)編碼器系統(tǒng)的測量結(jié)果的長期變動(例如因標尺的經(jīng)時變形等造成)的情形時，或者在編碼器系統(tǒng)的輸出異常時作為備用等而輔助性地使用。當然，也可并用干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)來控制晶片載臺WST(晶片臺WTB’)的位置。
[0259]又，圖32中，也將晶片載臺WST的驅(qū)動系統(tǒng)與測量載臺MST的驅(qū)動系統(tǒng)顯示成載臺驅(qū)動系統(tǒng)124。
[0260]本第2實施形態(tài)的曝光裝置500，如圖30及圖31所示，配置有在基準軸LVtl上、在從光軸AX向一 Y側(cè)相隔既定距離的位置處具有檢測中心的一次對準系統(tǒng)AL1。夾著一次對準系統(tǒng)AU、在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)，分別設(shè)有檢測中心關(guān)于基準軸LVtl配置成大致對稱的二次對準系統(tǒng)AL2p AL22、與AL23、AL24。
[0261]其次，說明用以測量晶片載臺WST的XY平面內(nèi)的位置信息(含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)信息)的編碼器系統(tǒng)150 (參照圖32)的構(gòu)成等。
[0262]曝光裝置500中，如圖30所示，在嘴單元32的+X側(cè)、一 X側(cè)配置有一對讀頭單元62Α’、62Β’。這些讀頭單元62Α’、62Β’通過支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)被固定于保持投影單元的主機架(未圖標)。
[0263]讀頭單元62Α’及62Β’，如圖31所示，分別具備:在基準軸LH上以間隔WD配置的多個(此處為4個)2維讀頭(以下，簡稱為「讀頭」或「2D讀頭」)1652?1655及16七?1644、以及配置在從基準軸LH向一 Y方向相距既定距離的嘴單元32的一 Y側(cè)位置的讀頭165i& 1645。又，讀頭165^1652間、及讀頭1644、1645間的X軸方向間隔也設(shè)定為WD。以下，根據(jù)需要，將讀頭165i?1655及讀頭161?1645還分別記載為讀頭165及讀頭164。
[0264]讀頭單元62A’構(gòu)成:使用前述移動標尺39A測量晶片載臺WST(晶片臺WTB’)的X軸方向位置(X位置)及Y軸方向位置(Y位置)的多眼(此處為5眼)XY線性編碼器(以下，適當?shù)睾喎Q為「XY編碼器」或「編碼器」)170A(參照圖32)。同樣，讀頭單元62B’構(gòu)成:使用前述移動標尺39B測量晶片載臺WST(晶片臺WTB’)的X位置及Y位置的多眼(此處為5眼)XY編碼器170B (參照圖32)。此處，讀頭單元62A’、62B’所分別具備的5個讀頭165、164 (正確而言，是讀頭165、164所發(fā)出的測量光束(編碼器光束)在移動標尺上的照射點)的X軸方向間隔WD，被設(shè)定為比移動標尺39A、39B的X軸方向?qū)挾嚷哉４颂?，移動標尺的寬度，是指繞射光柵(或其形成區(qū)域)的寬度，更正確而言，是指利用讀頭可進行位置測量的范圍。
[0265]本第2實施形態(tài)，如圖30所示，進而在讀頭單元62B’、62A’的一 Y側(cè)相隔既定距離分別設(shè)有讀頭單元62C’、62D’。讀頭單元62C’及62D’，通過支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)被固定于保持投影單元PU的主機架(未圖標)。
[0266]讀頭單元62C’，如圖31所示，具備:在二次對準系統(tǒng)AI^1的一 X側(cè)在基準軸LA上以和間隔WD大致相同間隔配置的3個讀頭167i?1673、以及在+Y方向離基準軸LA既定距離的二次對準系統(tǒng)ΑΙΛ的+Y側(cè)配置的讀頭1674。又，讀頭1673、1674間的X軸方向間隔被設(shè)定成略窄于WD。
[0267]讀頭單元62D’關(guān)于前述基準軸LVtl與讀頭單元62C’為對稱，具備關(guān)于基準軸LVtl與上述4個讀頭1674?167i對稱配置的4個讀頭168i?1684。以下，視需要，將讀頭167工?1674及讀頭168i?1684還分別稱為讀頭167及讀頭168。
[0268]在對準動作之際等，讀頭167、168的至少各I個會分別對向于移動標尺39B、39A。SP，讀頭167、168所發(fā)出的測量光束(編碼器光束)中、至少各I個測量光束總是照射于移動標尺39B、39A。通過讀頭167、168 (即，由這些讀頭167、168構(gòu)成的XY編碼器170C、170D)測量晶片載臺WST的X位置、Y位置及ΘΖ旋轉(zhuǎn)。
[0269]又，本第2實施形態(tài)中，在二次對準系統(tǒng)的基準線測量時等，與二次對準系統(tǒng)AL2pAL24在X軸方向相鄰接的讀頭1673、1682分別對向于FD桿46的一對基準光柵52，利用與該一對基準光柵52對向的讀頭1673、1682，分別以基準光柵52的位置測量FD桿46的Y位置。以下，將由分別對向于一對基準光柵52的讀頭1673、1682構(gòu)成的編碼器稱為Y線性編碼器(也適當?shù)睾喎Q為「Y編碼器」或「編碼器」)170G、170H(參照圖32)。又，由于構(gòu)成編碼器170C、170D的一部分的讀頭1673、1682對向于一對基準光柵52，因此著眼于非為2D讀頭、而是具有Y讀頭的功能，而如上那樣稱呼為Y編碼器170G、170H。以下，為方便起見，假設(shè)除XY編碼器170CU70D之外有Y編碼器170G、170H的前提下進行說明。
[0270]上述各編碼器，將其測量值供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置20根據(jù)XY編碼器170AU70B或170C、170D的測量值，控制晶片臺WTB在XY平面內(nèi)的位置(含θζ方向的旋轉(zhuǎn)(偏搖))，并根據(jù)Y編碼器170G、170Η的測量值控制FD桿46 (測量載臺MST)的θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)。
[0271]在圖32中，顯示了曝光裝置500的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)是以由統(tǒng)籌控制裝置全體的微電腦(或工作站)組成的主控制裝置20為中心所構(gòu)成。
[0272]本第2實施形態(tài)的曝光裝置500，由于采用了前述晶片臺WTB’上的移動標尺的配置及前述讀頭的配置，因此如圖33等的例示，在晶片載臺WST的有效行程范圍(即，為進行對準及曝光動作而移動的范圍)內(nèi)，移動標尺39Α、39Β、與讀頭165、164(讀頭單元62Α’、62Β’ )或讀頭168、167(讀頭單元62D’、62C’ ) 一定會分別對向。又，圖33中，用實線圓圈圍繞顯示與對應(yīng)的移動標尺對向的、用于位置測量的讀頭。
[0273]將此進一步詳述，主控制裝置20在將標線片R的圖案轉(zhuǎn)印至晶片W上的步進掃描方式的曝光動作中，使用讀頭單元62A’、62B’的各5個讀頭165、164中與移動標尺39A、39B分別對向的各I個讀頭165、164的測量值，來控制晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置及旋轉(zhuǎn)(θ ζ方向的旋轉(zhuǎn))。
[0274]又，主控制裝置20在晶片對準時，使用分別與移動標尺39A、39B對向的讀頭單元62D’、62C’的讀頭168、167(編碼器1700、1700的測量值，控制晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置及旋轉(zhuǎn)(θ ζ方向的旋轉(zhuǎn))。
[0275]又，主控制裝置20在如圖33中以涂白箭頭所示將晶片載臺WST驅(qū)動于X軸方向時，將測量該晶片載臺WST的X位置及Y位置的讀頭165、164，如圖33中用箭頭θι所示，依序切換為相鄰的讀頭165、164。例如從用實線圓圈所圍的讀頭1642切換為用虛線圓圈所圍的讀頭1643(及從用實線圓圈所圍的讀頭1652切換為用虛線圓圈所圍的讀頭1653)。SP，本第2實施形態(tài)中，為順暢地進行此讀頭165、164的切換(接續(xù))，如前所述，將讀頭單元62A’、62C’所具備的相鄰讀頭165、164的間隔WD，設(shè)定為比移動標尺39A、39B的X軸方向?qū)挾日?br> [0276]其次，關(guān)于編碼器170A?170D的構(gòu)成等，代表性地以圖34中放大顯示的編碼器170B為例加以說明。圖34中，顯示了對移動標尺39B照射檢測光(測量光束)的讀頭單元62B’的I個2D讀頭164。
[0277]讀頭164，如圖34所示，包含:對設(shè)在晶片臺WTB’上面的一 X側(cè)端部的移動標尺(移動光柵)39B照射激光光束的光源164a ;與光源164a間的位置關(guān)系固定且使在移動標尺39B所產(chǎn)生的繞射光聚集的固定標尺164b1、164b2及164b3、164b4 ;使由固定標尺1641^、164b2及固定標尺164b3、164b4分別聚光的繞射光干涉的索引標尺(index scale) 164c ;以及檢測由索引標尺164c干涉的光的檢測器164d。又，光源164a的姿勢在設(shè)計上被設(shè)定成從光源164a射出的激光光束的光軸與XY平面垂直。
[0278]固定標尺164V164b2，是由形成有以Y軸方向為周期方向的繞射光柵的板件所構(gòu)成的透射型的相位光柵。另一方面，固定標尺16仙3、164134則是由形成有以X軸方向為周期方向的繞射光柵的板件所構(gòu)成的透射型的相位光柵。索引標尺164c，是由形成有以Y軸方向為周期方向的繞射光柵及以X軸方向為周期方向的繞射光柵的透射型二維光柵。此外，檢測器164d包含例如4分割檢測器或(XD。
[0279]固定標尺1641^,使移動標尺39B的以Y軸方向為周期方向的繞射光柵所產(chǎn)生的一I次繞射光繞射而生成+1次繞射光，此+1次繞射光朝向索引標尺164c。又，固定標尺164b2,則使移動標尺39B的以Y軸方向為周期方向的繞射光柵所產(chǎn)生的+1次繞射光繞射而生成一 I次繞射光，此一 I次繞射光朝向索引標尺164c。
[0280]此處，在固定標尺1641^164?生成的+1次繞射光、一 I次繞射光，在索引標尺164c上的同一位置處彼此重迭。即，+1次繞射光與一 I次繞射光在索引標尺164c上相干涉。
[0281]另一方面，固定標尺164b3,使移動標尺39B的以X軸方向為周期方向的繞射光柵所產(chǎn)生的一 I次繞射光繞射而生成+1次繞射光，此+1次繞射光朝向索引標尺164c。又，固定標尺164b4則使移動標尺39B的以X軸方向為周期方向的繞射光柵所產(chǎn)生的+1次繞射光繞射而生成一 I次繞射光，此一 I次繞射光朝向索引標尺164c。
[0282]此處，在固定標尺164b3、164b4生成的+1次繞射光、一 I次繞射光，在索引標尺164c上的同一位置處彼此重迭。即，+1次繞射光與一 I次繞射光在索引標尺164c上相干涉O
[0283]此場合,根據(jù)從光源164a射出的激光光束的波長與移動標尺(移動光柵)39B的間距，決定在移動標尺的各光柵產(chǎn)生的繞射光的繞射角度，另外，通過適當決定激光光束的波長與固定標尺164bi?164b4的間距，決定在移動標尺(移動光柵)39B所產(chǎn)生的±1次繞射光的外觀上彎折角度。
[0284]此處，在讀頭164(編碼器170B)中，在檢測器164d上出現(xiàn)二維花樣(方格花樣)。此二維花樣會隨晶片載臺WST的Y軸方向位置及X軸方向位置而變化，因此通過將此變化由構(gòu)成檢測器164d的至少一部分的4分割元件或CCD等加以測定，即能測量晶片載臺WST的Y軸方向及X軸方向位置。
[0285]又，也可使索引標尺164c以Z軸為中心微量旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生波紋(moire)，并將該波紋用于晶片載臺WST的測量。
[0286]由上述說明可知，由于在編碼器170B中，與干涉儀系統(tǒng)118的各干涉儀不同地，干涉的2個光束的光路長極短且大致相等，因此能幾乎忽視空氣波動的影響。其它的編碼器170A、170C、170D也與編碼器170B同樣構(gòu)成。作為各編碼器，使用分辨率為例如0.1nm程度的編碼器。
[0287]本第2實施形態(tài)的曝光裝置500，在后述曝光動作時等，晶片載臺WST(晶片臺WTB’)在XY平面內(nèi)的位置(含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn))是由主控制裝置20根據(jù)與移動標尺39Α、39Β分別對向的2個讀頭165、164構(gòu)成的2個編碼器170Α、170Β的測量值、及各種修正信息(此修正信息包含:由干涉儀系統(tǒng)118測量的編碼器在非測量方向上的晶片載臺WST的位置信息(含傾斜信息)所對應(yīng)的各編碼器的載臺位置起因誤差修正信息；移動標尺的特性信息(例如，光柵面的平面度、及/或光柵形成誤差等)；及移動標尺的阿貝(abbe)偏離量(阿貝誤差修正信息)等)加以控制。
[0288]此處，所謂載臺位置起因誤差修正信息，是表示對編碼器讀頭的、在該非測量方向(本第2實施形態(tài)中，指X軸方向及Y軸方向以外的方向，例如θχ方向、0y方向、θζ方向及Z軸方向等)的晶片載臺WST的位置(縱搖量、橫搖量、偏搖量及Z位置等)，對編碼器測量值產(chǎn)生的影響的程度的信息。又，載臺位置起因誤差修正信息，是通過大略以下述方式預(yù)先取得。
[0289]S卩，主控制裝置20，使晶片載臺WST變化為不同的多個姿勢，對于各姿勢，根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測量結(jié)果在維持晶片載臺WST的姿勢的狀態(tài)下，一邊從讀頭165、164對移動標尺39Α、39Β的特定區(qū)域照射檢測光、一邊使晶片載臺WST在Z軸方向以既定行程范圍移動，在該移動中對編碼器的測量結(jié)果進行取樣。據(jù)此，獲得針對各姿勢的、對應(yīng)晶片載臺WST在與移動面正交的方向(Ζ軸方向)上的位置的編碼器測量值的變化信息(誤差特性曲線)。接著，主控制裝置20根據(jù)此取樣結(jié)果、也即對于各姿勢的與晶片載臺WST在Z軸方向上的位置相應(yīng)的編碼器測量值的變化信息，進行既定運算，據(jù)以求出與晶片載臺WST的非測量方向的位置信息相應(yīng)的編碼器測量值的修正信息。因此，能以簡單的方法，決定用以修正關(guān)于非測量方向的讀頭與移動標尺的相對變化所引起的編碼器測量誤差的載臺位置起因誤差修正信息。
[0290]又，本第2實施形態(tài)，在針對構(gòu)成同一讀頭單元的多個讀頭，例如針對構(gòu)成讀頭單元62Β的多個讀頭164決定上述修正信息的場合，從各讀頭164對對應(yīng)標尺39Β的同一特定區(qū)域照射檢測光后，進行上述編碼器測量結(jié)果的取樣，根據(jù)該取樣結(jié)果，決定與移動標尺39Β對向的各讀頭164(各編碼器)的修正信息，因此，就結(jié)果而言，通過使用此修正信息還能夠修正因讀頭傾倒所產(chǎn)生的幾何學(xué)誤差。換言之，主控制裝置20，在以對應(yīng)同一移動標尺的多個編碼器為對象求出前述修正信息時，考慮使晶片載臺WST往Z軸方向移動時作為對象的編碼器讀頭的傾倒所產(chǎn)生的幾何學(xué)誤差，來求出作為前述對象的編碼器的修正信息。因此，本第2實施形態(tài)中，也不會產(chǎn)生因多個讀頭的傾倒角不同所引起的余弦誤差。又，SP使讀頭164不產(chǎn)生傾倒，在產(chǎn)生例如因讀頭光學(xué)特性(遠心聚焦等)等引起編碼器產(chǎn)生測量誤差的情形時，通過同樣地求出前述修正信息，也能防止測量誤差的發(fā)生、以及晶片載臺WST的位置控制精度降低。即，本第2實施形態(tài)中，以補償因讀頭單元而產(chǎn)生的編碼器系統(tǒng)測量誤差(以下，也稱讀頭起因誤差)的方式驅(qū)動晶片載臺WST。又，也可根據(jù)讀頭單元的特性信息(例如，含讀頭傾倒、及/或光學(xué)特性等)，算出例如編碼器系統(tǒng)測量值的修正信肩、O
[0291]又，移動標尺的特性信息，是標尺面(正確而言，繞射光柵表面、及在繞射光柵被玻璃護蓋覆蓋情形時，包含該玻璃護蓋的面)的凹凸(含傾斜)、及/或光柵形成誤差(光柵間距及/或光柵線的彎曲)等信息，是預(yù)先加以測量的。
[0292]又，阿貝偏離量是指晶片臺WTB’上各移動標尺的面(繞射光柵表面)的高度(Z位置)、與包含曝光中心(前述曝光區(qū)域IA的中心，在本第2實施形態(tài)中與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX —致)的基準面高度之差。當晶片載臺WST的基準面高度與各移動標尺的面(繞射光柵表面)高度有誤差(或間隙)時，在晶片載臺WST繞與XY平面平行的軸(X軸或Y軸)旋轉(zhuǎn)(縱搖或橫搖)時會在編碼器測量值上產(chǎn)生所謂的阿貝誤差。此處，所謂基準面，是指成為由干涉儀系統(tǒng)118測量的晶片載臺WST的Z軸方向位移的基準的面，且是成為關(guān)于Z軸方向的晶片W上各照射區(qū)域的位置對準(位置控制)的基準的面(本第2實施形態(tài)中，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面一致)。此外，大致以下述方式預(yù)先取得阿貝偏離量。
[0293]S卩，在進行晶片載臺WST的驅(qū)動的批處理的開始前，例如在裝置啟動時等，作為測量在XY平面內(nèi)的晶片載臺WST的位置信息的編碼器系統(tǒng)的一連串校準的I種，進行為取得前述各移動標尺(繞射光柵)表面的阿貝偏離量的校準處理。即，主控制裝置20，就每一編碼器系統(tǒng)的移動標尺，根據(jù)測量在繞射光柵周期方向的晶片載臺WST相對XY平面的傾斜角的干涉儀系統(tǒng)118的測量值，在繞射光柵周期方向上相對XY平面使晶片載臺WST傾斜角度α，根據(jù)該傾斜前后的編碼器系統(tǒng)測量值與使用干涉儀系統(tǒng)118測量的前述角度α的信息，算出繞射光柵表面的阿貝偏離量。接著，主控制裝置20將算出的信息儲存于內(nèi)存內(nèi)。
[0294]其次，根據(jù)圖35?圖39，說明說明本第2實施形態(tài)的曝光裝置500中，使用晶片載臺WST與測量載臺MST的平行處理動作。又，以下的動作中，由主控制裝置20以前述方式進行局部液浸裝置8的液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的各閥的開閉控制，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡191的正下方總是被水充滿。不過，以下為使說明易于理解，省略關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的控制的說明。此外，之后的動作說明將使用多個圖進行，但各圖中的同一構(gòu)件有的賦有符號、有的則未賦予符號。即，各圖中記載的符號雖不同，但各圖不論有無符號，皆為相同構(gòu)成。之前說明所使用過的各圖也同樣。
[0295]圖35中，顯示了正在對載置于晶片載臺WST上的晶片W進行步進掃描方式的曝光的狀態(tài)。此曝光是根據(jù)開始前進行的晶片對準(例如EGA)等的結(jié)果，反復(fù)進行如下動作來進行:將晶片載臺WST移動至為進行晶片W上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動、以及將形成于標線片R的圖案以掃描曝光方式轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光。又，曝光是以從位于晶片W上一 Y側(cè)的照射區(qū)域至位于+Y側(cè)的照射區(qū)域的順序進行。
[0296]上述曝光動作中，晶片載臺WST(晶片臺WTB’)在XY平面內(nèi)的位置(含θ z方向的旋轉(zhuǎn))，是由主控制裝置20，根據(jù)與移動標尺39A、39B分別對向的2個讀頭165、164所構(gòu)成的2個編碼器170A、170B的測量值、以及用以修正編碼器測量值的前述各種修正信息(載臺位置起因誤差修正信息、移動標尺的特性信息及阿貝誤差修正信息等)加以控制。此外，上述曝光動作中，晶片載臺WST的ey旋轉(zhuǎn)(橫搖)及ΘΧ旋轉(zhuǎn)(縱搖)，是由主控制裝置20，根據(jù)前述X干涉儀126(或Z干涉儀43Α、43Β)及Y干涉儀16的測量值加以管理。又，關(guān)于晶片載臺WST的Z軸方向位置(Ζ位置)、Θ y旋轉(zhuǎn)(橫搖)及Θ X旋轉(zhuǎn)(縱搖)的至少I個、例如Z位置及Θ y旋轉(zhuǎn)，也可使用其它傳感器、如檢測晶片臺WTB’上面的Z位置的傳感器、例如CD驅(qū)動裝置等中所使用的光拾取器相同的光學(xué)式變位傳感器的讀頭等加以測量。無論如何，此曝光中的晶片載臺WST(晶片臺WTB’ )的Z軸方向位置、Θ y旋轉(zhuǎn)及θ X旋轉(zhuǎn)的控制(晶片W的焦點調(diào)平控制)，是由主控制裝置20，根據(jù)事先測量的晶片面位置信息的測量結(jié)果、與編碼器系統(tǒng)150及/或干涉儀系統(tǒng)118的測量結(jié)果進行。
[0297]上述步進掃描方式的曝光動作中，當晶片載臺WST移動于X軸方向時，隨著該移動，進行前述讀頭的切換。如此，主控制裝置20根據(jù)晶片載臺WST的位置坐標，適當切換使用的編碼器來進行載臺控制。
[0298]又，與使用上述編碼器系統(tǒng)的晶片載臺WST的位置測量分開獨立地，總是進行使用干涉儀系統(tǒng)118的晶片載臺WST的位置(Χ、Υ、Ζ、Θ X、Θ y、θ ζ)測量。例如，對于X干涉儀126、127及128，根據(jù)晶片載臺WST的Y位置使用其中I個。例如曝光中，如圖35所示，輔助性地使用X干涉儀126。
[0299]當晶片W的曝光結(jié)束時，主控制裝置20將晶片載臺WST朝向卸載位置UP驅(qū)動。此時，在曝光中原本彼此分離的晶片載臺WST與測量載臺MST，接觸或例如隔著300 μ m程度的分離距離接近，移轉(zhuǎn)至并列狀態(tài)。此處，測量臺MTB上的FD桿46的一 Y側(cè)端面與晶片臺WTB的+Y側(cè)端面接觸或接近。通過在保持此并列狀態(tài)的情形下兩載臺WST、MST往一 Y方向移動，形成在投影單元PU下的液浸區(qū)域14移動至測量載臺MST上。
[0300]在移動至上述并列狀態(tài)后，晶片載臺WST進一步往一 Y方向移動而脫離效行程區(qū)域(晶片載臺WST在曝光及晶片對準時移動的區(qū)域)時，構(gòu)成編碼器系統(tǒng)150的所有讀頭脫離晶片臺WTB’上的對應(yīng)移動標尺。因此，無法進行根據(jù)編碼器系統(tǒng)150的測量結(jié)果的載臺控制。在其前一刻，主控制裝置20切換為根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118的測量結(jié)果的載臺控制。此處，使用3個X干涉儀126、127、128中的X干涉儀128。
[0301]之后，如圖36所示，晶片載臺WST解除與測量載臺MST的并列狀態(tài)，移動至卸載位置UP。移動后，主控制裝置20卸下晶片臺WTB’上的晶片W。接著，如圖37所示，將晶片載臺WST驅(qū)動于+X方向使其移動至裝載位置LP，將下一片晶片W裝載于晶片臺WTB’上。
[0302]與這些動作平行，主控制裝置20實施進行如下動作的Sec-BCHK( 二次基準線檢查):被測量載臺MST所支承的FD桿46在XY平面內(nèi)的位置調(diào)整、與4個二次對準系統(tǒng)AI^1 ?AL24的基準線測量。此處，為測量FD桿46在θ z方向的旋轉(zhuǎn)信息，使用前述Y編碼器 170G、170H。
[0303]其次，主控制裝置20驅(qū)動晶片載臺WST，如圖38所示，將測量板件30上的基準標記FM定位于一次對準系統(tǒng)ALl的檢測視野內(nèi)，進行用以決定對準系統(tǒng)AL1、ΑΙΛ?AL24的基準線測量的基準位置的Pr1-BCHK的前半處理。
[0304]此時，如圖38所示，2個讀頭1683、1672 (圖中以圓圈圍繞顯示)分別與移動標尺39A、39B對向。于是，主控制裝置20從干涉儀系統(tǒng)118切換為使用編碼器系統(tǒng)150 (編碼器170DU70C)的載臺控制。干涉儀系統(tǒng)118，再次被輔助性地使用。又，使用3個X干涉儀126、127、128 中的 X 干涉儀 127。
[0305]之后，主控制裝置20使用一次對準系統(tǒng)ALl與二次對準系統(tǒng)AI^1?AL24實施晶片對準(EGA)(參照圖39中的星標記)。
[0306]又，本第2實施形態(tài)，在開始如圖39所示的晶片對準之前，晶片載臺WST與測量載臺MST移至并列狀態(tài)。主控制裝置20，一邊保持并列狀態(tài)、一邊將兩載臺WST、MST驅(qū)動于+Y方向。之后，液浸區(qū)域14的水從測量臺MTB上移動至晶片臺WTB’上。
[0307]與晶片對準(EGA)并行地，主控制裝置20，實施使用空間像測量裝置45測量針對晶片臺WTB’的XY位置的標線片上標記的投影像強度分布的Pr1-BCHK的后半處理。
[0308]以上作業(yè)結(jié)束后，主控制裝置20解除兩載臺WST、MST的并列狀態(tài)。接著，如圖35所示，進行步進掃描方式的曝光，將標線片圖案轉(zhuǎn)印至新的晶片W上。之后，反復(fù)執(zhí)行相同動作。
[0309]如以上的說明，根據(jù)本第2實施形態(tài)的曝光裝置500，在晶片載臺WST的上面X軸方向兩端部設(shè)有具有2維光柵的一對移動標尺39A、39B，在投影單元PU(嘴單元32)的X軸方向兩側(cè)配置有當晶片載臺WST位于為進行曝光動作的移動范圍時，至少I個讀頭165、164能總是對向于移動標尺39A、39B的一對讀頭單元62A’、62B’。據(jù)此，主控制裝置20能使用這些讀頭165、164、即使用編碼器170AU70B高精度地測量步進掃描方式的曝光動作中的晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置信息(含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)信息)。因此，根據(jù)本第2實施形態(tài)，與國際公開第2007/097379號小冊子中作為一實施形態(tài)所揭示的曝光裝置相比較，編碼器讀頭的布局容易。
[0310]又，在本第2實施形態(tài)的晶片臺WTB’上面的+Y側(cè)端部的區(qū)域、即液浸區(qū)域14頻繁通過的區(qū)域，無需配置標尺即可，因此即使該區(qū)域發(fā)生液體殘存、或者雜質(zhì)附著等狀況，也不會有編碼器系統(tǒng)測量精度降低的擔心。
[0311]又，根據(jù)本第2實施形態(tài)的曝光裝置500，對于分別屬于在曝光時分別對向于移動標尺39Α、39Β而用于晶片載臺WST的X軸方向及Y軸方向、以及θ ζ方向位置測量的讀頭單元62Α’、62Β’中的各5個讀頭165i?1655、16七?1645，在X軸方向上，將相鄰讀頭的間隔WD設(shè)定為考慮了移動標尺39A、39B的X軸方向?qū)挾?例如76mm)的所期望的間隔例如70_，且根據(jù)空閑空間(本第2實施形態(tài)中，是指嘴單元32周圍的空閑空間)，將位于最靠近投影單元PU中心的讀頭165^164』^ Y位置，配置成與其它(其余4個)讀頭不同。據(jù)此，能進行依據(jù)空閑空間的讀頭單元62A’、62B’的各5個讀頭165、164的配置，且由于空間效率的提升而能使裝置全體小型化。除此之外，能無障礙地進行讀頭單元62A’、62B’的各5個讀頭165、164各自之間的接續(xù)(使用讀頭的切換)。因此利用包含分別具有讀頭單元62A’、62B’的XY編碼器170A、170B的編碼器系統(tǒng)150，曝光時，能在不受空氣波動影響的情形下高精度的測量晶片載臺WST在XY平面內(nèi)的位置。
[0312]又，根據(jù)本第2實施形態(tài)的曝光裝置500，主控制裝置20在曝光時等，在驅(qū)動晶片載臺WST時，根據(jù)編碼器系統(tǒng)150 (編碼器170A、170B)的測量值、與用以修正各編碼器測量值的修正信息(載臺位置起因誤差修正信息(含讀頭起因誤差的修正信息)、移動標尺的特性信息及阿貝誤差修正信息等的至少I個)，高精度地控制晶片載臺WST的XY平面內(nèi)的位置(含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn))。
[0313]又，根據(jù)本第2實施形態(tài)的曝光裝置500，根據(jù)通過在每次更換晶片時進行的前述對準系統(tǒng)的基準線測量所得的最新基準線、與晶片對準(EGA)的結(jié)果，反復(fù)進行將晶片載臺WST移動至為進行晶片W上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動動作、以及以掃描曝光方式將形成于標線片R的圖案轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光動作，由此，能將標線片R的圖案以良好精度(重迭精度)轉(zhuǎn)印至晶片W上的多個照射區(qū)域。再者，本第2實施形態(tài)中，由于能通過液浸曝光實現(xiàn)高析像度的曝光，因此就此點而言，也能將微細圖案以良好精度轉(zhuǎn)印至晶片W上。
[0314]進一步地，在本第2實施形態(tài)的曝光裝置500中，實際上，在與前述第I實施形態(tài)相同的位置，設(shè)有周邊曝光單元51、多點AF系統(tǒng)(90a、90b)等。因此，根據(jù)曝光裝置500，與第I實施形態(tài)的曝光裝置100同樣地，僅僅使晶片載臺WST (晶片W)以直線方式通過多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的多個檢測點(檢測區(qū)域AF)、多個對準系統(tǒng)AL1、AI^1?AL24的檢測區(qū)域、以及周邊曝光單元51的下方，就結(jié)束晶片W的大致全面的面位置信息的檢測、與晶片W上待檢測的所有對準標記(例如在EGA的對準照射區(qū)域的對準標記)的檢測、以及晶片W的周邊曝光這3個動作。因此，與無關(guān)系地(分別)進行對準標記的檢測動作、面位置信息(焦點信息)的檢測動作、以及周邊曝光動作的情形相比較，能大幅提升生產(chǎn)率。
[0315]又，在本第2實施形態(tài)的曝光裝置500中，可設(shè)置與前述第I實施形態(tài)同樣的面位置測量系統(tǒng)。因此，能進行與前述第I實施形態(tài)相同的焦點映射、及使用該焦點映射的結(jié)果的晶片W的面位置控制。因此，本實施形態(tài)中，雖然前端透鏡191與晶片W表面間的工作距離窄，但是，尤其能無障礙地，以良好精度實施曝光時的晶片W的焦點調(diào)平控制。
[0316]又，在上述第2實施形態(tài)中，針對曝光裝置500具備如下構(gòu)成的編碼器系統(tǒng)的情形作了說明:在晶片載臺WST上配置移動標尺39A、39B (標尺構(gòu)件)，并與此對向地，在晶片載臺WST外部、即在保持投影單元PU的主機架(未圖標)下方配置讀頭單元62A’?62D’。然而，不限于此，也可如其次的第3實施形態(tài)那樣，在晶片載臺WST上設(shè)置編碼器讀頭，在晶片載臺WST外部設(shè)置標尺構(gòu)件。
[0317]《第3實施形態(tài)》
[0318]圖40是顯示第3實施形態(tài)的曝光裝置所具備的載臺裝置及傳感器單元的配置的俯視圖。此第3實施形態(tài)的曝光裝置，與前述第2實施形態(tài)的曝光裝置相比較，僅編碼器系統(tǒng)的構(gòu)成相異，其它部分的構(gòu)成則相同。因此，以下以差異點的編碼器系統(tǒng)為中心進行說明。此外，針對與前述第2實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分使用相同符號并簡化或省略其說明。
[0319]如圖40所示，本第3實施形態(tài)中，在晶片臺WTB ’上面的一對第2撥水板28b ’上，取代移動標尺39A、39B，在與反射面17b平行的方向上以一定間隔WD分別設(shè)有2D讀頭172i?1726,17^ ?1746。各 2D 讀頭 172!?172^17+ ?1746 使用與前述 2D 讀頭 164、165、167、168相同構(gòu)成的讀頭。2D讀頭與2D讀頭17(-174，關(guān)于晶片臺WTB’的中央線成對稱配置。以下，適當?shù)貙?D讀頭172i?1726、2D讀頭17七?1746分別還簡稱為讀頭 172、174。
[0320]另一方面，在嘴單元32的+X側(cè)、一 X側(cè)，分別靠近地、并分別以X軸方向為長邊方向配置有一對固定標尺39A’、39B’。固定標尺39A’、39B’，如圖40所示，具有如下形狀:在長方形的長邊方向一端部一側(cè)的一部分形成有矩形狀缺口部，在一端部的另一側(cè)設(shè)有與該缺口部相同形狀的延設(shè)部。此場合，固定標尺39A’，具有如下形狀:以X軸方向為長邊方向、以大致接觸于嘴單元32的+X側(cè)面的狀態(tài)配置，在其一 X端部的+Y側(cè)的一部分形成有矩形狀缺口部，而在一 X端部的一 Y側(cè)設(shè)有與該缺口部相同形狀的延設(shè)部。延設(shè)部比嘴單元32略突出于一 Y側(cè)。固定標尺39B ’具有與固定標尺39A’左右對稱的形狀，關(guān)于基準線LVtl配置成對稱。固定標尺39A’、39B’在保持投影單元的主機架(未圖標)背面被固定成與XY平面平行。固定標尺39A’、39B’的長度，與前述移動標尺39A、39B相比略短，在其下面(-Z側(cè)的面)形成有前述反射型的二維繞射光柵。
[0321]本第3實施形態(tài)中，進一步地，如圖40所示，在固定標尺39A’、39B’的一Y側(cè)相隔既定距離(例如與固定標尺39A’的寬度大致相同尺寸)，以X軸方向為長邊方向分別配置有長方形的固定標尺39D’、39C’。固定標尺39D’、39C’關(guān)于前述基準線LVtl為對稱配置。又，固定標尺39D’、39C’分別靠近二次對準系統(tǒng)AL24、KL2,配置。固定標尺39D’、39C’與XY平面平行地被固定在保持投影單元的主機架(未圖標)背面。固定標尺39D’、39C’的長度與前述固定標尺39A’、39B’相比較略短，在其下面(一 Z側(cè)的面)形成有前述反射型的二維繞射光柵。
[0322]此外，在FD桿46上面，取代前述一對基準光柵52設(shè)有一對2D讀頭176。
[0323]2D讀頭172i?1726構(gòu)成:使用前述固定標尺39A’或39D’測量晶片載臺WST (晶片臺WTB’)的X位置及Y位置的多眼(此處為6眼)XY編碼器170A’(參照圖41)。同樣地，2D讀頭171?1746構(gòu)成:使用前述固定標尺39B’或39C’，測量晶片載臺WST (晶片臺WTB’ )的X位置及Y位置的多眼(此處為5眼)XY編碼器170B’(參照圖41)。
[0324]在曝光動作時等，讀頭172、174至少各I個分別對向于固定標尺39A’、39B’。即，讀頭172、174所發(fā)出的測量光束(編碼器光束)中、至少各I個測量光束總是會照射于固定標尺39A’、39B’。利用此讀頭172,174(即，由這些讀頭172、174構(gòu)成的編碼器170A，、170B’ )測量晶片載臺WST的X位置、Y位置及Θ z旋轉(zhuǎn)。
[0325]又，在對準動作時等，讀頭174、172至少各I個分別對向于固定標尺39C’、39D’。SP，讀頭174、172所發(fā)出的測量光束(編碼器光束)中，至少各I個測量光束總是會照射于固定標尺39C’、39D’。由此讀頭174、172( S卩，由這些讀頭174、172構(gòu)成的編碼器170B’、170A’ )測量晶片載臺WST的X位置、Y位置及ΘΖ旋轉(zhuǎn)。
[0326]又，本第3實施形態(tài)中，在二次對準系統(tǒng)的基準線測量時等，F(xiàn)D桿46上的一對2D讀頭176對向于固定標尺39C’、39D’，利用該一對2D讀頭176測量FD桿46的X、Y位置及θ ζ旋轉(zhuǎn)。以下，將由分別對向于固定標尺39C’、39D’的一對2D讀頭176所構(gòu)成的編碼器稱為編碼器170C’、170D’ (參照圖41)。
[0327]上述4個編碼器170A’?170D’將其測量值供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置20根據(jù)編碼器170A’、170B’的測量值，控制晶片臺WTB’在XY平面內(nèi)的位置(含θ z方向的旋轉(zhuǎn)(偏搖))，并根據(jù)編碼器170C’、170D’的測量值控制FD桿46的Χ、Υ、θ ζ方向的位置。
[0328]其它部分的構(gòu)成，與前述第2實施形態(tài)相同。
[0329]根據(jù)以此方式構(gòu)成的本第3實施形態(tài)的曝光裝置，與前述第2實施形態(tài)的曝光裝置500同樣的各部的控制動作，是由主控制裝置20進行，據(jù)此，即能獲得與第I實施形態(tài)同等的效果。
[0330]又，上述第2、第3實施形態(tài)中，作為編碼器讀頭，舉一例而言，針對使用如圖34所示構(gòu)成的2D讀頭的情形做了說明，但不限于此，也可組合2個I維讀頭來構(gòu)成2維讀頭。即，本說明書中所說的2維讀頭，包含將2個I維讀頭組合而成的讀頭。
[0331]上述第I?第3實施形態(tài)中，雖然針對將本發(fā)明適用于具備晶片載臺與測量載臺的曝光裝置的情形做了說明，但不限于此，本發(fā)明也能適用于僅具備單一晶片載臺的曝光裝置、或者例如美國專利第6，590，634號說明書、美國專利第5，969，441號說明書、美國專利第6，208，407號說明書等所揭示的具備多個晶片載臺的多載臺型、例如雙載臺型的曝光裝置等。此場合，曝光裝置的控制裝置，可設(shè)計成與對2個晶片載臺的一方所保持的晶片進行曝光的動作并行地，一邊使另一方的晶片載臺至少在Y軸方向上移動、一邊控制配置在進行對晶片的對準測量等測量的區(qū)域(測量站)與進行對晶片的曝光的區(qū)域(曝光站)間的移動路徑中的周邊曝光單元，進行在朝向曝光位置移動途中通過周邊曝光單元下方的另一方的晶片載臺所保持的晶片的周邊部照射區(qū)域的至少一部分的周邊曝光。
[0332]此外，也可在測量站上的測量動作中開始周邊曝光動作。此場合，周邊曝光動作是在測量動作結(jié)束后且曝光開始前結(jié)束。
[0333]又，也可將周邊曝光單元與對準系統(tǒng)(AL1、AI^1?AL25)等一起配置于測量站，而在測量動作中進行周邊曝光動作。
[0334]又，關(guān)于測量站與曝光站間的晶片載臺的位置控制(含進行周邊曝光動作的至少一部的期間中)，雖然可使用任何測量裝置進行，但較佳為使用上述編碼器系統(tǒng)或干涉儀系統(tǒng)進行。
[0335]又，雙載臺型的曝光裝置中，可在去路(即，從測量站往曝光站的晶片載臺的移動路徑)上進行周邊曝光動作，也可在回路(即，從曝光站往測量站(卸載位置)的晶片載臺的移動路徑)進行周邊曝光動作，也可將一片晶片的周邊曝光動作分開在去路與回路進行。
[0336]此外，將上述第2、第3實施形態(tài)適用于雙載臺型的曝光裝置的場合，也可不設(shè)置周邊曝光單元，而僅采用具有前述2D讀頭(2D編碼器)的編碼器系統(tǒng)作為至少一方的晶片載臺的位置測量裝置。即，上述第2、第3實施形態(tài)，只要是具有前述2D讀頭的編碼器系統(tǒng)的話即可，關(guān)于該編碼器系統(tǒng)以外的構(gòu)成、程序(sequence)(載臺移動與測量動作并行進行等)可任意組合而采用，但非必須。
[0337]又，上述第2、第3實施形態(tài)中，測量系統(tǒng)200雖包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150這雙方，但不限于此，測量系統(tǒng)可僅包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150的一方。
[0338]其次，說明關(guān)于雙載臺型曝光裝置的本發(fā)明的第4實施形態(tài)。
[0339]《第4實施形態(tài)》
[0340]以下，根據(jù)圖42?圖76說明本發(fā)明的第4實施形態(tài)。此處，與前述第I實施形態(tài)、及/或第2實施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分使用相同符號，并簡化或省略其說明。
[0341]圖42中，概略顯示了第4實施形態(tài)的曝光裝置1000的構(gòu)成。曝光裝置1000是步進掃描方式的投影曝光裝置，是所謂的掃描機。如后所述，本第4實施形態(tài)中，也設(shè)有投影光學(xué)系統(tǒng)PL,因此，以下將與此投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設(shè)為Z軸方向、將在與此正交的面內(nèi)標線片與晶片相對掃描的方向設(shè)為Y軸方向、并設(shè)與Z軸及Y軸正交的方向為X軸方向，將繞X軸、Y軸及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為ex、0y & θζ方向來進行說明。
[0342]曝光裝置1000，具備照明系統(tǒng)10、用以保持由來自照明系統(tǒng)10的照明光IL照明的標線片R的標線片載臺RST、包含將從標線片R射出的照明光IL照射于晶片上的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影單元TO、包含2個晶片載臺WST1、WST2的載臺裝置1050、局部液浸裝置8、以及它們的控制系統(tǒng)等。晶片載臺WST1、WST2上，分別保持有晶片Wl、W2。
[0343]載臺裝置1050，如圖42所示，具備配置在底盤12上的2個晶片載臺WSTl、WST2、用以測量兩晶片載臺WST1、WST2的位置信息的測量系統(tǒng)200 (參照圖47)、及驅(qū)動晶片載臺WSTl、WST2的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124 (參照圖47)等。測量系統(tǒng)200，如圖47所示，包含干涉儀系統(tǒng)118、編碼器系統(tǒng)150及面位置測量系統(tǒng)180等。
[0344]晶片載臺WST1、WST2，通過各自具備的例如空氣滑件(后述)隔著數(shù)μ m程度的間隙被懸浮支承在底盤12上。而且，可通過構(gòu)成載臺驅(qū)動系統(tǒng)124的后述平面馬達，獨立地沿底盤12上面(移動導(dǎo)引面)在XY平面內(nèi)驅(qū)動晶片載臺WST1、WST2。
[0345]晶片載臺WST1，如圖42及圖43(A)所示，包含載臺本體91A、與搭載于載臺本體91A上的晶片臺WTB1。載臺本體91A，如圖43 (A)所示，具備:與埋在底盤12內(nèi)部的定子152一起構(gòu)成平面馬達151的可動子56、與一體設(shè)在該可動子56下半部周圍的具有多個空氣軸承的空氣滑件(air slider) 54。
[0346]可動子56是由磁石單元構(gòu)成，該磁石單元包含由例如相鄰磁極面的極性彼此不同地排列成矩陣狀的多個平板磁石構(gòu)成的平板狀磁性體?？蓜幼?6具有厚度較薄的長方體的形狀。
[0347]另一方面，定子152是由具有在底盤12內(nèi)部排列成矩陣狀的多個電樞線圈(驅(qū)動線圈)57的電樞單元構(gòu)成。作為電樞線圈57，在本第4實施形態(tài)中，設(shè)有X驅(qū)動線圈及Y驅(qū)動線圈。并且，由包含多個X驅(qū)動線圈及Y驅(qū)動線圈的電樞單元構(gòu)成的定子152、與由前述磁石單元構(gòu)成的可動子56，構(gòu)成電磁力驅(qū)動方式(羅倫茲力驅(qū)動方式)的動磁型平面馬達151。
[0348]多個電樞線圈57，被由構(gòu)成底盤12上面的非磁性體所構(gòu)成的平板狀構(gòu)件58所覆蓋。平板狀構(gòu)件58的上面構(gòu)成晶片載臺WSTl及WST2的移動導(dǎo)引面、且構(gòu)成來自空氣滑件54所具備的空氣軸承的加壓空氣的受壓面。
[0349]晶片臺WTBl具有:由較厚的薄長方體(厚板狀)構(gòu)件構(gòu)成的臺本體34、安裝在該臺本體34的+Y側(cè)側(cè)面(正確而言，是通過全動態(tài)裝配構(gòu)造，以動態(tài)方式支承于臺本體34)的FD桿46、以及固定在臺本體34的一 Y側(cè)側(cè)面的測量部138這3部分。以下，除特別需要的情形外，將臺本體34與FD桿46與測量部138作為全體稱為晶片臺WTB1。此處，從上方觀察，臺本體34具有與可動子56相同形狀及大小的外形。
[0350]晶片臺WTBl是透過構(gòu)成載臺驅(qū)動系統(tǒng)124的一部分的未圖示的Z調(diào)平機構(gòu)(例如，包含音圈馬達等)搭載于載臺本體91A之上。利用Z調(diào)平機構(gòu)可將晶片臺WTBl相對載臺本體91A微驅(qū)動于Z軸方向、θχ方向及0y方向。因此，晶片WTBl可通過包含平面馬達151與Z調(diào)平機構(gòu)的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124(參照圖47)，相對底盤12驅(qū)動于6自由度方向(X、
Y、Ζ、Θ X、Θ y、θ ζ) O
[0351]在晶片臺WTBl上面的中央，設(shè)有以真空吸附等方式保持晶片的晶片保持具(未圖示)。在晶片保持具(晶片的載置區(qū)域)外側(cè)，如圖43(B)所示，設(shè)有板件28，該板件28在其中央形成有比晶片保持具大一圈的圓形開口、且具有矩形狀外形(輪廓)。板件28的表面施有對液體Lq的撥液化處理。又，板件28被設(shè)定成其表面大致全部與晶片Wl的表面大致同一面高。此外，H)桿46及測量部138是以各自的表面與板件28表面大致同一面高的方式安裝于臺本體34。
[0352]又，在板件28的+Y側(cè)端部附近的X軸方向大致中央形成有長方形開口，在此開口內(nèi)部埋有測量板件30。此外，在測量板件30的一對空間像測量狹縫圖案SL各自的下方的晶片臺WTBI內(nèi)部，對應(yīng)上述一對空間像測量狹縫圖案SL設(shè)有一對空間像測量裝置45A (參照圖47)，該空間像測量裝置45A包含:含物鏡等的光學(xué)系統(tǒng)、與受光元件(例如光電倍增管等)。作為空間像測量裝置45A，使用與例如美國專利申請公開第2002/0041377號說明書等所揭示的裝置相同構(gòu)成的裝置。測量板件30的表面與板件28大致同一面高。
[0353]進一步地，在板件28上面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)(圖43(B)中的左右兩側(cè))的區(qū)域，形成有移動標尺39A、39B。移動標尺39A、39B分別由例如以Y軸方向為周期方向的光柵與以X軸方向為周期方向的光柵組合而成的反射型二維光柵(例如繞射光柵)所構(gòu)成。二維光柵的光柵線的間距，在Y軸方向及X軸方向的任一方向皆為例如lym。此外，圖43(B)中，為便于圖示，光柵的間距顯示得比實際間距大。其它圖中也同樣。移動標尺39A、39B被撥液膜(撥水膜)所覆蓋。
[0354]又，為保護繞射光柵，由具備撥水性的低熱膨漲率的玻璃板加以覆蓋也是有效的。此處，作為玻璃板，可使用厚度與晶片同程度、例如厚度Imm的玻璃板，將該玻璃板以其表面與晶片面相同高度(面位置)的方式，設(shè)在臺本體34(晶片臺WTB1)上面。
[0355]此外，在板件28的各移動標尺的端附近，分別設(shè)有為決定后述編碼器讀頭與標尺間的相對位置的未圖標的定位圖案。此定位圖案是由例如反射率不同的光柵線構(gòu)成，當編碼器讀頭在此定位圖案上進行掃描時，編碼器輸出信號的強度會變化。因此，預(yù)先定一閾值，并檢測輸出信號的強度超過該閾值的位置。以此檢測出的位置為基準，設(shè)定編碼器讀頭與標尺間的相對位置。
[0356]如以上所述，本第4實施形態(tài)中，由于由板件28自身構(gòu)成標尺，因此使用低熱膨漲率的玻璃板作為板件28。然而，并不限于此，也可將由形成有光柵的例如低熱膨漲率的玻璃板等所構(gòu)成的標尺構(gòu)件，以不致產(chǎn)生局部伸縮的方式，利用例如板彈簧(或真空吸附)等固定在晶片臺WTBl的上面。或者，也可以由低熱膨漲率的材料形成晶片臺WTB1，此場合，可將移動標尺直接形成在該晶片臺WTBl的上面。
[0357]FD桿46，如圖43(B)所示，其構(gòu)成與前述第I實施形態(tài)相同。形成于FD桿46的一對基準光柵52的間隔為距離L。
[0358]測量部138是以X軸方向為長邊方向的長方體狀。在測量部138上設(shè)有后述各種測量用構(gòu)件。
[0359]晶片載臺WST2，如圖42、圖44 (A)及圖44(B)等所示，包含載臺本體91B與晶片臺WTB2,構(gòu)成為與上述晶片載臺WSTl相同。通過由可動子56與定子152構(gòu)成的平面馬達151驅(qū)動晶片載臺WST2。
[0360]晶片臺訂82，如圖44(么)及圖44⑶所示，與前述晶片臺WTBl同樣地，具有臺本體34、分別安裝在該臺本體34的+Y側(cè)側(cè)面、-Y側(cè)側(cè)面的FD桿46、以及測量部138這3部分。不過，晶片載臺WST2的測量部138所具備的各種測量用構(gòu)件，與晶片載臺WSTl的測量部138所具備的各種測量用構(gòu)件不同。即，本第4實施形態(tài)中，多種類的測量用構(gòu)件被分散配置在晶片載臺WST1、WST2分別具備的測量部138中。又，將包含晶片臺WTB2的測量板件30所構(gòu)成的一對空間像測量裝置，以下，記載為空間像測量裝置45B。
[0361]作為上述測量用構(gòu)件，如圖43(B)所示，可使用與前述相同的照度不均傳感器94、具有在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上接收照明光IL的既定面積的受光部的照度監(jiān)測器97、以及如圖44(B)所示的波面像差測量器98、以及空間像測量器等。
[0362]本第4實施形態(tài)中，作為測量用構(gòu)件，也可使用例如測量投影光學(xué)系統(tǒng)PL的透射率的透射率測量器、及/或觀察前述局部液浸裝置8、例如嘴單元32 (或者前端透鏡191)等的測量器等。再者，也可將與測量用構(gòu)件不同的構(gòu)件，例如用以清掃嘴單元32、前端透鏡191等的清掃構(gòu)件等搭載于任一晶片載臺。
[0363]此外，本第4實施形態(tài)中，與經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體(水)Lq利用曝光用光(照明光)IL來進行使晶片W曝光的液浸曝光相對應(yīng)地，在使用照明光IL的測量所使用的上述照度不均傳感器94、照度監(jiān)測器97及波面像差測量器98以及空間像測量器中，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL及水來接收照明光IL。又，各傳感器可僅將例如光學(xué)系統(tǒng)等的一部分搭載于晶片臺，也可將傳感器全體配置于晶片臺。前述空間像測量裝置45A、45B也同樣。
[0364]又，雖省略圖示，但從晶片載臺WSTl的一 X側(cè)端部、至設(shè)于底盤12的一 X側(cè)的可移動于Y軸方向的第I纜線梭(未圖標)，連接有未圖標的配線配管用纜線。同樣地，從晶片載臺WST2的+X側(cè)端部、至設(shè)在底盤12的+X側(cè)的可移動于Y軸方向的第2纜線梭(未圖標)，連接有未圖標的配線配管用纜線。通過這些纜線，進行對設(shè)于兩晶片載臺WST1、WST2的Z調(diào)平機構(gòu)及測量用構(gòu)件等的電力供應(yīng)，以及對空氣滑件的加壓空氣的供應(yīng)等。
[0365]本第4實施形態(tài)的曝光裝置1000中，雖然在圖42中考慮到避免圖面的錯綜復(fù)雜而省略了圖示，但實際上，如圖45所示，配置有在通過投影單元的中心(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX，本第4實施形態(tài)中也與前述曝光區(qū)域IA的中心一致)且與Y軸平行的直線、也即在基準軸LVtl上，在一 Y側(cè)與光軸AX相隔既定距離的位置處具有檢測中心的一次對準系統(tǒng)ALl。此外，夾著一次對準系統(tǒng)ALl，在X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)，分別設(shè)有檢測中心關(guān)于基準軸LVtl呈大致對稱配置的二次對準系統(tǒng)AL2p AL22、與AL23、AL24。即，5個對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24以其檢測中心在X軸方向上位于不同位置，即沿X軸方向所配置。
[0366]作為一次對準系統(tǒng)ALl及4個二次對準系統(tǒng)AI^1 ?AL24的每一個，使用例如圖像處理方式的FIA(Field Image Alignment)系統(tǒng)。分別來自一次對準系統(tǒng)ALl及4個二次對準系統(tǒng)AIA?AL24的攝影信號，經(jīng)由未圖標的對準信號處理系統(tǒng)被供應(yīng)至圖47的主控制裝置20。
[0367]接著，說明用以測量晶片載臺WSTl及WST2的位置信息的干涉儀系統(tǒng)118的構(gòu)成坐寸ο
[0368]在晶片臺WTBl的+X側(cè)的面(+X端面)及一X側(cè)的面(一X端面)分別施有鏡面加工，形成有如圖43(B)所示的反射面27a、27c。此外，在晶片臺WTBl的+Y側(cè)的面(+Y端面)、也即FD桿46的+Y端面，及晶片臺WTBl的一 Y側(cè)的面(一 Y端面)、也即測量部138的一 Y端面，分別形成有反射面27b、27d。
[0369]同樣地，在晶片臺WTB2的+X端面、一X端面、+Y端面(FD桿的+Y端面)及一Y端面(也即測量部的一 Y端面)，分別施有鏡面加工，形成有如圖44(B)所示的反射面27e、27g、27f、27h。
[0370]干涉儀系統(tǒng)118，如圖46所示，包含4個Y干涉儀206、207、208、209、與6個X干涉儀217、218、226、227、228、229。在底盤12的+Y側(cè)，在X軸方向的不同位置上配置有Y干涉儀206、207、208。在底盤12的一 Y側(cè)，與Y干涉儀207對向地配置有Y干涉儀209。在底盤12的一 X側(cè)，在Y軸方向上以既定間隔配置有X干涉儀217、218。又，在底盤12的+X偵牝在Y軸方向的不同位置上配置有X干涉儀226、227、228、229。其中，X干涉儀227、228是分別與X干涉儀217、218對向配置。
[0371]詳言之，Y干涉儀207，如圖46所示，是以前述基準軸LVtl為關(guān)于Y軸方向的實質(zhì)測長軸的多軸干涉儀。Y干涉儀207將與Y軸平行的至少3條測長光束照射于晶片臺WTBl的反射面27b (或晶片臺WTB2的反射面27f)，接收這些的反射光，測量在各測長光束照射點的反射面27b (或27f)的Y軸方向位置信息。這些位置信息被送至主控制裝置20 (參照圖47)。主控制裝置20根據(jù)由Y干涉儀207測量的位置信息，算出晶片臺WTBl (或WTB2)在Y軸方向的位置(Y位置)、θ ζ旋轉(zhuǎn)量(偏搖量)及Θ X旋轉(zhuǎn)量(縱搖量)。
[0372]Y干涉儀206、208、209與Y干涉儀207同樣地，被用于測量晶片臺WTBl (或WTB2)的Y位置、縱搖量及偏搖量。Y干涉儀206、208分別具有與基準軸LVtl平行的Y軸方向的實質(zhì)測長軸LVpLV2t5此外，Y干涉儀209以基準軸LVtl為實質(zhì)測長軸，將至少3條測長光束照射于晶片臺WTBl的反射面27d、或晶片臺WTB2的反射面27h。
[0373]X干涉儀217、227是以前述基準軸LH為關(guān)于X軸方向的實質(zhì)測長軸的多軸干涉儀。即，X干涉儀217將與X軸平行的多條測長光束照射于晶片臺WTBl的反射面27c，接收各自的反射光，測量在各測長光束照射點的反射面27c的X軸方向位置信息。同樣地，X干涉儀227將與X軸平行的多條測長光束照射于晶片臺WTB2的反射面27e，接收各自的反射光，測量在測長光束照射點的反射面27e的X軸方向位置信息。這些位置信息被送至主控制裝置20。主控制裝置20根據(jù)由X干涉儀217、227測量的位置信息，分別算出晶片臺WTB1、WTB2的X位置、以及Θ y旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。
[0374]X干涉儀218、228是由與X干涉儀217、227同樣的多軸干涉儀構(gòu)成，分別用于測量晶片臺WTB1、WTB2的X位置、及Θ y旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。
[0375]其余的X干涉儀226、229皆是由與X干涉儀217、227同樣的多軸干涉儀構(gòu)成，皆用于測量晶片臺WTBl及WTB2的X位置、及Θ y旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。又，X干涉儀229以前述基準軸LA為測長軸。
[0376]如以上所述，通過包含Y干涉儀206、207、208、209及X干涉儀217、218、226、227、228、229的干涉儀系統(tǒng)118的使用，能測量晶片臺WTB1、WTB2的5自由度(X、Y、θ χ、Θ y、θζ)方向的位置信息。此外，多軸干涉儀、例如各X干涉儀，可通過傾斜45°地設(shè)于晶片載臺WSTl、WST2的反射面，將激光光束照射于設(shè)在用以保持投影單元I3U的主機架的一部分的未圖示的反射面，來檢測晶片載臺WST1、WST2的Z位置。
[0377]接著，說明用以測量晶片載臺WSTl及WST2的XY平面內(nèi)的位置信息(含θ z旋轉(zhuǎn)的信息)的編碼器系統(tǒng)150的構(gòu)成等。
[0378]本第4實施形態(tài)的曝光裝置1000中，如圖45所示，在前述液浸區(qū)域14(嘴單元32)的+X側(cè)，一 X側(cè)，以X軸方向為長邊方向配置有編碼器系統(tǒng)150的2個讀頭單元162A、162B。這些讀頭單元162A、162B，在圖45等中考慮到避免圖面的錯綜復(fù)雜而省略了圖示，但實際上，通過支承構(gòu)件，以懸吊狀態(tài)固定于保持前述投影單元PU的主機架。
[0379]讀頭單元162B、162A，分別具備在X軸方向以間隔WD配置的多個(此處為5個)2維編碼器讀頭(以下，簡稱為2D讀頭)164ρ165」α、j = I?5)。詳言之，讀頭單元162B及162A，分別具備:除投影單元的周邊外、在前述基準軸LH上以間隔WD配置的多個(此處為4個)2D讀頭(16七?1644或1652?1655)，以及在投影單元PU周邊、配置于從基準軸LH在一 Y方向上相距既定距離的位置、即配置在嘴單元32的一 Y側(cè)位置的I個2D讀頭(164*165^。讀頭單元162AU62B也分別具備后述5個Z讀頭。此處，所謂2D讀頭，是在彼此正交的二軸方向、此處為X軸方向及Y軸方向上具有感度，即以正交二軸方向(X軸方向及Y軸方向)為測量方向的編碼器讀頭。作為2D讀頭，可使用與例如前述第2、第3實施形態(tài)中采用的2D讀頭相同構(gòu)成的2D讀頭(例如圖34所示讀頭)。
[0380]讀頭單元162A構(gòu)成:使用前述移動標尺39A，測量晶片載臺WST1、WST2的X軸方向位置(X位置)及Y軸方向位置(Y位置)的多眼(此處為5眼)2維編碼器(以下，適當?shù)睾喎Q為「編碼器」)170A(參照圖47)。同樣地，讀頭單元162B構(gòu)成:使用前述移動標尺39B，測量晶片載臺WST1、WST2的X位置及Y位置的多眼(此處為5眼)2維編碼器170B (參照圖47)。此處，讀頭單元162A及162B所分別具備的5個2D讀頭(16七或165」)(S卩，測量光束)在X軸方向的間隔WD，被設(shè)定為比移動標尺39A、39B(正確而言，是2維光柵)的X軸方向?qū)挾嚷哉?br> [0381]又，在一 Y方向上與2D讀頭1643、1653相距既定距離的位置，配置有2D讀頭166:、1662。2D讀頭166ρ1662是以關(guān)于基準軸LVtl彼此對稱的配置設(shè)置。2D讀頭166ρ1662，實際上，是通過支承構(gòu)件，以懸吊狀態(tài)固定于保持前述投影單元PU的主機架。
[0382]2D讀頭We2Ueei，分別使用前述移動標尺39Α、39Β構(gòu)成測量晶片載臺WST1、WST2的X位置及Y位置的2維編碼器170E、170F(參照圖47)。在后述周邊曝光動作時等，2D讀頭166ρ1662分別對向于移動標尺39Β、39Α,由此2D讀頭166^ 1662 (即，2維編碼器170Ε、170F)測量晶片載臺WSTl或WST2的X、Y位置及θ ζ旋轉(zhuǎn)量。
[0383]本第4實施形態(tài)中，進一步在一Y側(cè)與2D讀頭1662、Ieei相距既定距離處，分別設(shè)有讀頭單元162CU62D。讀頭單元162C及162D，在圖45等中考慮到避免圖面的錯綜復(fù)雜而省略了圖示，但實際上，是通過支承構(gòu)件，以懸吊狀態(tài)固定于主機架。
[0384]讀頭單元162D，具備在與屬于讀頭單元162Β的5個2D讀頭6七?645相同的X位置分別配置的5個2D讀頭167i?1675。詳言之，讀頭單元162D，具備:配置在二次對準系統(tǒng)AL2i的一X側(cè)、在前述基準軸LA上以間隔WD配置的4個2D讀頭167i?1674，以及在+X側(cè)與最內(nèi)側(cè)(+X側(cè))的2D讀頭1674相距距離WD、且在一 Y側(cè)相距基準軸LA既定距離的二次對準系統(tǒng)ΑΙΛ的一 Y側(cè)位置處所配置的I個2D讀頭1675。
[0385]讀頭單元162C，關(guān)于基準軸LVtl與讀頭單元162D為對稱，具備與上述5個2D讀頭1675?WT1關(guān)于基準軸LVtl對稱配置的5個2D讀頭1681?1685。在后述對準動作時等，2D讀頭167p、168>、q = I?5)至少各有I個分別對向于移動標尺39B、39A，利用此2D讀頭167、168 (即，由這些2D讀頭167、168構(gòu)成的2維編碼器170D、170C(參照圖47))測量晶片載臺WSTl或WST2的X、Y位置及θ ζ旋轉(zhuǎn)量。此處，與二次對準系統(tǒng)AL21、AL24在X軸方向相鄰的2D讀頭1674、1682的X軸方向間隔，被設(shè)定為與前述距離L大致相等。
[0386]又，本第4實施形態(tài)中，以和例如國際公開第2007/097379號小冊子等所揭示的See - BCHK(間隔)相同順序，定期地進行二次對準系統(tǒng)AIA?AL24的基準線測量。在此二次對準系統(tǒng)ΑΙΛ?AL24的基準線測量時，上述2個2D讀頭1674、1682分別與FD桿46的一對基準光柵52對向，利用與該一對基準光柵52對向的2D讀頭1674、1682，以各自的基準光柵52的位置測量出FD桿46的Y位置。以下，將由與一對基準光柵52分別對向的2D讀頭1674、1682所構(gòu)成的編碼器稱為Y線性編碼器(也適當?shù)睾喎Q為「Y編碼器」或「編碼器」)170G、170H(參照圖47)。
[0387]上述編碼器170A?170H以例如0.1nm程度的分辨率測量晶片載臺WSTl (或WST2)的位置坐標，將該測量值供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置20根據(jù)編碼器170A及170B、或170C及170D、或170E及170F的測量值，控制晶片載臺WSTl (或WST2)在XY平面內(nèi)的位置(含ΘΖ旋轉(zhuǎn))，并根據(jù)Y編碼器170G、170H的測量值控制FD桿46(晶片載臺)的θζ旋轉(zhuǎn)。
[0388]本第4實施形態(tài)中，作為上述2D讀頭164ρ 165」、166ρ 1662、167p、168q,使用例如具有配置于X軸方向及Y軸方向的2對固定標尺,用各對固定標尺將從2維光柵(移動標尺39A、39B)發(fā)出的正交2軸方向的同一次數(shù)的繞射光，分別聚光于共通的索引標尺的3光柵繞射干涉方式的編碼器。不過，并不限于此，若用單一讀頭能測量晶片臺的XY 2維方向的位置的話，可使用任何構(gòu)成的2D讀頭。
[0389]本第4實施形態(tài)的曝光裝置1000中，如圖45所示，設(shè)有由照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b構(gòu)成的多點AF系統(tǒng)。此處，舉一例而言，在前述讀頭單元162D的+Y側(cè)配置有照射系統(tǒng)90a，并以和此對峙的狀態(tài)，在前述讀頭單元162C的+Y側(cè)配置有受光系統(tǒng)90b。照射系統(tǒng)90a與受光系統(tǒng)90b關(guān)于基準軸LVtl成對稱的配置。
[0390]圖45中，并未單獨圖示檢測光束分別照射的多個檢測點，而顯示成在照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b之間延伸于X軸方向的細長檢測區(qū)域(光束區(qū)域)AF。由于此檢測區(qū)域AF的X軸方向的長度被設(shè)定成比晶片(W1、W2)的直徑略長，因此僅通過在Y軸方向上掃描晶片一次，即能測量晶片W的大致全面的Z軸方向位置信息(面位置信息)。此外，關(guān)于Y軸方向，檢測區(qū)域AF被配置在液浸區(qū)域14 (曝光區(qū)域IA)與對準系統(tǒng)(ALl、AL2^ AL22、AL23、AL24)的檢測區(qū)域之間，因此能用多點AF系統(tǒng)與對準系統(tǒng)并行進行其檢測動作。多點AF系統(tǒng)設(shè)在保持投影單元的主機架等。
[0391]關(guān)于通過多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測區(qū)域AF的Y軸方向中心的X軸方向直線LF,以和前述一對讀頭單元162C、162D大致對稱的配置，設(shè)有一對讀頭單元162E、162F。讀頭單元162EU62F固定在未圖標的主機架下面。讀頭單元162E、162F關(guān)于基準軸LVtl成對稱的配置。讀頭單元162F，具有與屬于前述讀頭單元162D的2D讀頭167i?1675關(guān)于直線LF對稱配置的5個Z讀頭Hl1?1715。又，讀頭單元162E，具有與屬于前述讀頭單元162C的2D讀頭168i?1685關(guān)于直線LF對稱配置的5個Z讀頭173i?1735。此場合，Z讀頭Hll?1715與Z讀頭1735?1731;關(guān)于基準線LVtl成對稱。
[0392]作為Z讀頭Hl1?1715及Z讀頭173i?1735，使用對晶片臺WTBl或WTB2、具體而言對移動標尺39A、39B從上方照射光，接收其反射光來測量在該光的照射點的晶片臺WTBl或WTB2表面的Z軸方向位置信息的傳感器讀頭，舉一例而言，例如使用在CD驅(qū)動裝置等中所使用的光拾取器那樣的構(gòu)成的光學(xué)式變位傳感器讀頭。
[0393]進一步地，前述讀頭單元162B、162A，在與各自具備的5個Y讀頭16七、165」(1、j =I?5)相同的X位置，不過錯開Y位置之處，分別具備5個Z讀頭74^76」α、j = I?5)。此處，分別屬于讀頭單元162A、162B的外側(cè)4個Z讀頭762?765、71?744，是在+Y方向相距基準軸LH既定距離，配置成與基準軸LH平行。又，分別屬于讀頭單元162AU62B的最內(nèi)側(cè)的Z讀頭76ρ745，則配置在投影單元I3U的+Y側(cè)。而且，分別屬于讀頭單元162B、162A的5個Z讀頭741、76j (1、j = I?5)，配置成彼此關(guān)于基準軸LVtl對稱。
[0394]上述Z讀頭Hl1?1715、Z讀頭173丨?1735、Z讀頭7七?745及Z讀頭76丨?765，如圖47所示，經(jīng)由信號處理選擇裝置160連接于主控制裝置20。主控制裝置20，經(jīng)由信號處理選擇裝置160從Z讀頭Hl1?1715、Z讀頭173i?1735、Z讀頭7七?745及Z讀頭76i?765中選擇任意的Z讀頭使其為工作狀態(tài)，經(jīng)由信號處理選擇裝置160接收用該設(shè)為工作狀態(tài)的Z讀頭檢測出的面位置信息。本第4實施形態(tài)中，包含Z讀頭Hl1?1715、Z讀頭173i?1735、Z讀頭71?745及Z讀頭76i?765、與信號處理選擇裝置160，構(gòu)成用于測量晶片臺WTBl (或WTB2)的Z軸方向及相對XY平面的傾斜方向位置信息的面位置測量系統(tǒng)180。
[0395]進一步地，本第4實施形態(tài)的曝光裝置1000中，如圖45所示，在前述2D讀頭166”1662彼此之間，配置了具有延伸于X軸方向的周邊曝光用主動掩模51a的周邊曝光單元51 (參照圖8)。周邊曝光單元51，通過未圖示的支承構(gòu)件以懸吊狀態(tài)被支承在未圖標的主機架下面。在此周邊曝光單元51中，通過對構(gòu)成周邊曝光用主動掩模的一對可變成形掩模VMl、VM2的各微反射鏡進行ON狀態(tài)與OFF狀態(tài)的切換，由此能使位于周邊曝光單元51下方的晶片Wl (或W2)上的周邊照射的任意區(qū)域曝光。又，也可由延伸于X方向的單一可變成形掩模構(gòu)成周邊曝光單元51的周邊曝光用主動掩模51a。此外，也可取代來自光源的光，例如使用光纖將照明光IL導(dǎo)至周邊曝光用主動掩模。
[0396]使用此周邊曝光單元51，可在晶片Wl或W2的X軸方向中心與周邊曝光單元51的長邊方向中心大致一致的狀態(tài)下，使晶片載臺WSTl或WST2移動于Y軸方向，由此能使晶片Wl或W2的任意周邊曝光區(qū)域(例如，參照圖13的區(qū)域Sla、S7a、S8a、S16a、S17a、S27a、S50a、S60a、S61a、S69a、S70A、S76a)曝光，形成任意圖案。
[0397]圖47中，顯示了曝光裝置1000的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)，是以由統(tǒng)籌控制裝置全體的微電腦(或工作站)組成的主控制裝置20為中心構(gòu)成。又，圖47中，前述照度不均傳感器94、照度監(jiān)測器97及波面像差測量器98等各種傳感器，集中顯示成傳感器群99。
[0398]接著，根據(jù)圖48?圖76說明使用晶片載臺WSTl、WST2的并行處理動作。又，以下的動作中，由主控制裝置20控制液體供應(yīng)裝置5與液體回收裝置6，將液體Lq供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡191正下方，并從前端透鏡191正下方加以回收，將一定量的液體Lq保持在前端透鏡191與晶片臺WTBl及/或WTB2之間，據(jù)以總是形成液浸區(qū)域14。不過，以下為使說明易于理解，省略關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的控制的說明。此夕卜，之后的動作說明將使用多個圖進行，但各圖中的同一構(gòu)件有的有賦予符號、有的則未賦予符號。即，各圖中記載的符號雖不同，但各圖不論有無符號，皆為相同構(gòu)成。之前說明中所使用的各圖也同樣。又，圖48?圖76中，為便于圖示,僅顯示液浸區(qū)域14而省略了投影單元PU (投影光學(xué)系統(tǒng)PL)及局部液浸裝置8 (嘴單元32)等的圖標。
[0399]圖48中，顯示了在液浸區(qū)域14 (投影單元PU)下方，對晶片載臺WST2上所保持的晶片W2進行步進掃描方式的曝光，與此并行地，在左側(cè)的裝載位置，完成在晶片搬送機構(gòu)(未圖示)與晶片載臺WSTl間的晶片更換、及晶片保持具的冷卻與其它為進行曝光的準備作業(yè)(以下，稱Pit作業(yè))時的狀態(tài)。此時，晶片臺WTBl的位置，是根據(jù)Y涉儀208與X干涉儀229的測量值由主控制裝置20加以管理。又，此時，晶片臺WTB2在XY平面內(nèi)的位置(含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)量)，是根據(jù)屬于與晶片臺WTB2的移動標尺39A、39B分別對向的讀頭單元162A、162B的2D讀頭165」、16七(即2維編碼器170A、170B)的測量值，由主控制裝置20加以控制。
[0400]又，曝光中的晶片臺WTB2在Z軸方向的位置、及Θ y方向的旋轉(zhuǎn)(橫搖)，是根據(jù)與晶片臺WTB2表面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部(移動標尺39B、39A)分別對向的一對Z讀頭741、76j的測量值，由主控制裝置20加以控制。又，曝光中的晶片臺WTB2在θχ方向的旋轉(zhuǎn)(縱搖)，是根據(jù)Y干涉儀207的測量值由主控制裝置20加以控制。此曝光中的晶片臺WTB2在Z軸方向的位置、Θ y旋轉(zhuǎn)及θ χ旋轉(zhuǎn)的控制(晶片W的焦點調(diào)平控制)，是根據(jù)事先進行的焦點映射的結(jié)果進行。再者，除晶片臺WTB2的Z軸方向之外的5自由度方向的位置，也由干涉儀207、227加以測量。
[0401]上述曝光動作，是由主控制裝置20根據(jù)事先進行的晶片對準(例如EGA)的結(jié)果及對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24的最新的基準線等，反復(fù)進行將晶片載臺WST2移動至為進行晶片W2上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動、以及以掃描曝光方式將形成于標線片R的圖案轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光動作，來進行。此外，晶片W2上的曝光對象照射區(qū)域的行數(shù)為偶數(shù)行，上述曝光是以所謂的完全交互掃描，以從位于圖48的左上的照射區(qū)域至位于左下的照射區(qū)域的順序進行。
[0402]如上所述，在對晶片臺WTB2上的晶片W2的步進掃描方式的曝光持續(xù)進行的期間，由主控制裝置20，如圖49所示地開始使晶片載臺WSTl往+X方向的驅(qū)動。接著，晶片載臺WST1，如圖50所示，移動至能將測量板件30上的基準標記FM定位于一次對準系統(tǒng)ALl的視野(檢測區(qū)域)內(nèi)的位置。此移動途中，主控制裝置20，將晶片臺WTBl在XY平面內(nèi)的位置控制，從根據(jù)前述干涉儀208、229的測量值的控制，切換為根據(jù)分別屬于與晶片臺WTBl的移動標尺39B、39A對向的讀頭單元162D、162C的2D讀頭167p、168q (p、q = I?5)、即2維編碼器170DU70C的測量值的控制。
[0403]接著，當晶片載臺WSTl移動至圖50所示位置時，主控制裝置20，在開始對新晶片Wl的晶片對準(及其它前處理測量)之前，先實施Y干涉儀209及X干涉儀229、以及2維編碼器170DU70C的重置(原點的再設(shè)定)。
[0404]干涉儀209、229及2維編碼器170D、170C的重置結(jié)束時，主控制裝置20，使用一次對準系統(tǒng)ALl檢測晶片載臺WSTl的測量板件30上的基準標記FM。之后，主控制裝置20，檢測以一次對準系統(tǒng)ALl的指針中心為基準的基準標記FM的位置，將該檢測結(jié)果、與在檢測時的編碼器170CU70D的測量值，對應(yīng)儲存于內(nèi)存。
[0405]接著，主控制裝置20開始晶片載臺WSTl往+Y方向的掃描，如圖51所示，使其移動至對準區(qū)域。之后，主控制裝置20使用編碼器170CU70D (及干涉儀209、229)，一邊測量晶片載臺WST2的位置坐標、一邊開始增強型全晶片對準(EGA)。詳言之，主控制裝置20使晶片載臺WSTl移動于X軸方向，并且一邊使其在Y軸方向上步進移動、一邊在每一步進位置上使用包含一次對準系統(tǒng)ALl的至少I個對準系統(tǒng)，檢測附設(shè)于晶片Wl上特定的多個照射區(qū)域(取樣照射區(qū)域)的多個對準標記的一部分，將其檢測結(jié)果與在檢測時的編碼器170CU70D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。
[0406]圖51中，顯示了使用一次對準系統(tǒng)AL1、二次對準系統(tǒng)AL22、AL23、AL24，大致同時且單獨地檢測附設(shè)于4個取樣照射區(qū)域的對準標記的狀態(tài)(參照圖51中的星標記)。此時，對晶片載臺WST2上所保持的晶片W2的步進掃描方式的曝光仍持續(xù)進行。
[0407]主控制裝置20，在對上述晶片載臺WSTl的+Y方向的掃描開始后，晶片載臺WSTl移動于+Y方向，在多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束開始照射到晶片Wl上為止的期間，使與移動標尺39B、39A分別對向的2個Z讀頭171p、173,(例如1713、1733)與多點AF系統(tǒng)(90a、90b) —起工作(ON)，開始焦點映射。
[0408]此處，本第4實施形態(tài)中的焦點映射是指如下處理:在Z讀頭171p、173q與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)同時工作的狀態(tài)下，在晶片載臺WSTl (或WST2)往+Y方向行進的期間(參照圖51?圖55)，以既定取樣間隔，擷取由Z讀頭171p、173q測量的晶片臺WTBl (或WTB2)表面(板件28表面,具體而言,是移動標尺39B、39A表面)在Z軸方向的位置信息(面位置信息)、以及由多點AF系統(tǒng)(90a、90b)檢測的在多個檢測點的晶片Wl (或W2)表面在Z軸方向的位置信息(面位置信息)，將該擷取的各面位置信息與各取樣時的編碼器170CU70D的測量值這三者，以彼此對應(yīng)的方式逐次儲存于未圖標的內(nèi)存。
[0409]焦點映射的開始后，主控制裝置20根據(jù)編碼器170CU70D的測量值使晶片載臺WSTl在+Y方向移動既定距離，且在一 X方向移動既定距離，如圖52所示，將其定位于5個對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24能大致同時且單獨地檢測附設(shè)于晶片W上的5個取樣照射區(qū)域的對準標記的位置。接著，主控制裝置20，使用5個對準系統(tǒng)ALl、AL2i?AL24大致同時且單獨地檢測5個對準標記(參照圖52中的星標記)，將上述5個對準系統(tǒng)ALl、ΑΙΛ?AL24的檢測結(jié)果與該檢測時的編碼器170CU70D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。此時，前述晶片載臺WSTl側(cè)的焦點映射、以及對晶片載臺WST2上的晶片W2的步進掃描方式的曝光仍持續(xù)進行。
[0410]其次，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測量值，使晶片載臺WSTl在+Y方向移動既定距離、且在+X方向移動既定距離，如圖53所示，將其定位于5個對準系統(tǒng)AL1、
大致同時且單獨地檢測附設(shè)于晶片W上的5個取樣照射區(qū)域的對準標記的位置。之后，主控制裝置20使用5個對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24大致同時且單獨地檢測5個對準標記(參照圖53中的星標記)，將上述5個對準系統(tǒng)ALl、AIA?AL24的檢測結(jié)果與該檢測時的編碼器170CU70D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。此時，前述晶片載臺WSTl側(cè)的焦點映射、及對晶片載臺WST2的晶片W2的步進掃描方式的曝光仍持續(xù)進行。
[0411]接著，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測量值，使晶片載臺WSTl在+Y方向移動既定距離、且在一 X方向移動既定距離，如圖54所示，將其定位于5個對準系統(tǒng)AL1、
大致同時且單獨地檢測附設(shè)于晶片W上的5個取樣照射區(qū)域的對準標記的位置。之后，主控制裝置20使用5個對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24大致同時且單獨地檢測5個對準標記(參照圖54中的星標記)，將上述5個對準系統(tǒng)ALl、AIA?AL24的檢測結(jié)果與該檢測時的編碼器170CU70D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。此時，來自X干涉儀218的測長光束將開始照到晶片臺WTBl的反射面27c，因此，主控制裝置20根據(jù)此時的X干涉儀229的測量值(或編碼器170C、170D的測量值)，預(yù)設(shè)X干涉儀218。據(jù)此，之后，也能使用X干涉儀218測量晶片臺WTBl的X位置及Θ y方向的旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。此時，前述晶片載臺WSTl側(cè)的焦點映射、及對晶片載臺WST2上的晶片W2的步進掃描方式的曝光仍持續(xù)進行。
[0412]接著，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測量值，使晶片載臺WST在+Y方向移動既定距離、且在+X方向移動既定距離，如圖55所示，將其定位于對準系統(tǒng)AL1、AL23能大致同時且單獨地檢測在晶片W上最后2個取樣照射區(qū)域上所附設(shè)的對準標記的位置。之后，主控制裝置20使用2個對準系統(tǒng)AL1、AL23，大致同時且單獨地檢測2個對準標記(參照圖55中的星標記)，將上述2個對準系統(tǒng)AL1、AL23的檢測結(jié)果與該檢測時的編碼器170C、170D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。此時，對晶片載臺WST2上的晶片W2的步進掃描方式的曝光結(jié)束。不過，在此時間點，前述晶片載臺WSTl側(cè)的焦點映射仍持續(xù)進行。在晶片載臺WST2到達對晶片W2的曝光結(jié)束位置之前，由于來自X干涉儀226的測長光束將開始照到晶片臺WTB2的反射面27e，因此，主控制裝置20根據(jù)X干涉儀227的測量值(或編碼器170A、170B的測量值)預(yù)設(shè)X干涉儀226。
[0413]在上述曝光結(jié)束之前，主控制裝置20使用周邊曝光單元51開始對晶片Wl的掃描曝光方式的周邊曝光(周邊掃描曝光)(參照圖55)。在開始此周邊曝光的時間點，由圖55可知，由于2D讀頭We2Ueei對向于移動標尺39A、39B，因此，之后，主控制裝置20根據(jù)2D讀頭1662、166ρΒ卩編碼器170E、170F的測量值，也開始晶片載臺WSTl在XY平面內(nèi)位置信息的測量。
[0414]接著，主控制裝置20，一邊持續(xù)進行周邊掃描曝光、一邊使晶片載臺WST2及晶片載臺WSTl移動至如圖56所示的第I并列開始位置。在此之前，用于晶片載臺WSTl在XY平面內(nèi)位置信息的測量的編碼器，已從編碼器170CU70D切換為編碼器170EU70F。
[0415]于是，當晶片載臺WST1、WST2到達第I并列開始位置時，主控制裝置20使多點AF系統(tǒng)(90a、90b)(及Z讀頭171p、173q)的工作停止(OFF)，結(jié)束焦點映射，將針對多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的各檢測點的面位置信息，換算為以同時擷取的由Z讀頭171p、173q測量的面位置信息為基準的數(shù)據(jù)。此時的換算，是以和例如國際公開第2007/097379號小冊子所揭示的方法相同的方法進行。
[0416]如上方式，預(yù)先取得上述換算數(shù)據(jù)，由此，例如在曝光時等，利用前述Z讀頭74p76j測量晶片臺WTBl表面(分別形成標尺39B、39A的區(qū)域上的點)，算出晶片臺WTBl的Z位置與相對XY平面的傾斜量(主要是Qy旋轉(zhuǎn)量)。通過使用此算出的晶片臺WTBl的Z位置與相對XY平面的傾斜與前述換算數(shù)據(jù)，就能在不實際取得晶片表面的面位置信息的情形下，進行晶片W上面的面位置控制。
[0417]在上述焦點映射結(jié)束的時間點，EGA也已結(jié)束，因此主控制裝置20，使用至此為止所得的與多個對準標記的檢測結(jié)果對應(yīng)的上述2個編碼器170C、170D的測量值、以及預(yù)先測量的二次對準系統(tǒng)AL2n的基準線，以例如美國專利第4，780, 617號說明書等所揭示的EGA方式進行統(tǒng)計運算，來算出在以上述2個編碼器170C、170D(2個讀頭單元162C、162D)的測量軸所規(guī)定的坐標系統(tǒng)(例如，以一次對準系統(tǒng)ALl的檢測中心為原點的XY坐標系統(tǒng)(對準坐標系統(tǒng)))上的晶片Wl上所有照射區(qū)域的排列(位置坐標)。
[0418]如以上所述，本第4實施形態(tài)中，主控制裝置20 —邊使晶片載臺WSTl移動于+Y方向、一邊在X軸方向以鋸齒狀來回移動，將晶片載臺WSTl定位于該移動路徑上的多處，且在每次定位時，同時使用5個對準系統(tǒng)ALl、AL2i?AL24中的至少2個來檢測對準標記。因此，根據(jù)本第4實施形態(tài)，與使用單一對準系統(tǒng)依序檢測對準標記的情形等相比較，能以極短時間獲得在晶片Wl上的多個取樣照射區(qū)域的對準標記的位置信息。因此，即使是在以晶片Wl上所有照射區(qū)域為取樣照射區(qū)域的情形時，也能以短時間進行測量。
[0419]而且，在兩晶片載臺WST1、WST2移動至第I并列開始位置的狀態(tài)下，成為在晶片臺WTBl的中央線與基準軸LVtl大致一致、且晶片臺WTB2的中央線從基準軸LVtl在+X側(cè)錯開既定距離(第I偏置量)的狀態(tài)下，晶片臺WTB2的一 Y端面(測量部138的一 Y端面)與晶片臺WTBl的+Y端面(FD桿46的+Y端面)接觸(或隔著例如300 μ m程度的間隙接近)的并列狀態(tài)。即，在此并列狀態(tài)下，由于構(gòu)成晶片臺WTB2的一部分的測量部138的一 Y側(cè)端與構(gòu)成晶片臺WTBl的一部分的FD桿46的+Y側(cè)端接觸(或接近)，因此，能以晶片載臺WSTl的+Y側(cè)的面與晶片載臺WST2的一 Y側(cè)的面一部分對向的狀態(tài)，晶片載臺WSTl與晶片載臺WST2通過FD桿46及測量部138關(guān)于Y軸方向接觸(或接近)。
[0420]晶片臺WTB2的測量部138的Y軸方向長度、與晶片臺WTBl的FD桿46的Y軸方向長度的合計，被設(shè)定為在測量部138與FD桿46接觸的狀態(tài)下，能阻止晶片載臺WSTl與晶片載臺WST2接觸(正確而言，是晶片載臺WSTl的空氣滑件54的+Y側(cè)端、與晶片載臺WST2的空氣滑件54的一 Y側(cè)端接觸)程度的長度。
[0421]主控制裝置20，在維持上述并列狀態(tài)的情形下，根據(jù)編碼器170EU70F的測量值將晶片載臺WSTl驅(qū)動于+Y方向的同時，根據(jù)干涉儀207、226的測量值，如圖57中的涂白粗箭頭所示，將晶片載臺WST2驅(qū)動于+Y方向且+X方向。在此兩晶片載臺WST1、WST2的移動中，周邊掃描曝光仍持續(xù)進行。
[0422]隨著晶片載臺WST1、WST2在維持并列狀態(tài)的情形下在上述的各自移動方向上移動，原本在前端透鏡191與晶片臺WTB2之間形成的液浸區(qū)域14，從晶片臺WTB2上移動至晶片臺WTBl上。圖57中，顯示了在此移動途中，液浸區(qū)域14從晶片臺WTB2上經(jīng)由該晶片臺WTB2的測量部138、及晶片臺WTBl的FD桿46，轉(zhuǎn)移至晶片臺WTBl的臺本體34上的前一刻的兩晶片載臺WST1、WST2的狀態(tài)。
[0423]當液浸區(qū)域14往晶片臺WTBl (臺本體34)上的移動完成，晶片載臺WSTl到達圖58所示位置(測量板件30位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的位置)時，主控制裝置20使兩晶片載臺WST1、WST2往+Y方向的驅(qū)動力成為零。據(jù)此，晶片載臺WSTl停止，晶片載臺WST2，如圖58中以涂白粗箭頭所示，開始被驅(qū)動于+X方向。
[0424]接著，主控制裝置20，使用包含晶片載臺WSTl的測量板件30的前述空間像測量裝置45A，測量利用投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影的標線片R上的一對測量標記的投影像(空間像)。例如，與前述美國專利申請公開第2002/0041377號說明書等所揭示的方法同樣地，以使用一對空間像測量狹縫圖案SL的狹縫掃描方式的空間像測量動作，分別測量一對測量標記的空間像，將該測量結(jié)果(對應(yīng)晶片臺WTBl的XY位置的空間像強度)儲存于內(nèi)存。在此標線片R上的一對測量標記的空間像測量處理時，晶片臺WTBl在XY平面內(nèi)的位置，是根據(jù)與X標尺39B、39A對向的2個2D讀頭16七、165」(編碼器170B、170A)加以控制。
[0425]又，在開始晶片載臺WST2往+X方向的驅(qū)動開始前，在來自Y干涉儀207的測長光束照到晶片臺WTB2的反射面27f的階段，來自Y干涉儀206的測長光束也開始照到反射面27f。因此，主控制裝置20，在緊接著來自Y干涉儀206的測長光束開始照到反射面27f之后，根據(jù)Y干涉儀207的測量值預(yù)設(shè)Y干涉儀206。在進行了此預(yù)設(shè)的時間點后，晶片臺WTB2的位置，如圖58所示，是根據(jù)干涉儀206、226的測量值由主控制裝置20加以控制。
[0426]另一方面，在晶片載臺WST1、WST2移動至圖58所示位置的階段，來自X干涉儀217的測長光束開始照到晶片臺WTBl的反射面27c，且來自Y干涉儀207的測長光束也開始照到晶片臺WTBl的反射面27b。于是，主控制裝置20根據(jù)X干涉儀218的測量值預(yù)設(shè)X干涉儀217，并根據(jù)Y干涉儀209的測量值預(yù)設(shè)Y干涉儀207。或者，主控制裝置20根據(jù)編碼器170BU70A的測量值預(yù)設(shè)干涉儀207、217。無論如何，在此時間點以后，主控制裝置20使用干涉儀207、217測量晶片臺WTBl的位置信息。當然，晶片臺WTBl的XY平面內(nèi)的位置控制是根據(jù)編碼器170BU70A的測量值進行。
[0427]之后，主控制裝置20，與上述空間像測量動作并行地，使晶片載臺WST2移動至圖59所示位置。
[0428]然后，當空間像測量動作結(jié)束時，主控制裝置20，根據(jù)使用前述一次對準系統(tǒng)ALl檢測晶片載臺WSTl的測量板件30上的基準標記FM時的檢測結(jié)果與上述空間像的測量結(jié)果，算出一次對準系統(tǒng)ALl的基準線。此時，前述晶片Wl的周邊曝光仍持續(xù)進行。
[0429]接著，主控制裝置20，如圖60所示，一邊持續(xù)進行晶片Wl的周邊曝光、一邊使晶片載臺WSTl移動至對晶片Wl的曝光開始位置，并開始晶片載臺WST2朝向圖61所示右側(cè)裝載位置的一 Y方向的移動。在晶片Wl的曝光開始的時間點，周邊曝光已結(jié)束。
[0430]上述晶片Wl的曝光動作，是由主控制裝置20根據(jù)事先進行的晶片對準(前述EGA)的結(jié)果及對準系統(tǒng)ALUAIA?AL24的最新的基準線等，反復(fù)進行將晶片載臺WSTl移動至為進行晶片Wl上各照射區(qū)域的曝光的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動、以及以掃描曝光方式將形成于標線片R的圖案轉(zhuǎn)印至各照射區(qū)域的掃描曝光動作，來進行。此外，晶片Wl上的曝光對象照射區(qū)域的行數(shù)為偶數(shù)行，上述曝光是以所謂的完全交互掃描，以從位于圖60的右上的照射區(qū)域至位于右下的照射區(qū)域的順序進行。
[0431]又，晶片Wl的曝光動作中，晶片臺WTBl在XY平面內(nèi)的位置(含θζ方向的旋轉(zhuǎn))，是根據(jù)屬于與移動標尺39Α、39Β分別對向的讀頭單元162Α、162Β的2D讀頭165」、16七(即
2維編碼器170Α、170Β)的測量值，由主控制裝置20加以控制。此外，曝光中的晶片臺WTBl在Z軸方向的位置、及0y方向的旋轉(zhuǎn)(橫搖)，是根據(jù)與晶片臺WTBl表面的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)端部(移動標尺39B、39A)分別對向的一對Z讀頭741、76j的測量值，由主控制裝置20加以控制。又，曝光中的晶片臺WTBl在ΘΧ方向的旋轉(zhuǎn)(縱搖)，是根據(jù)Y干涉儀207的測量值由主控制裝置20加以控制。此曝光中的晶片臺WTBl在Z軸方向的位置、Θ y旋轉(zhuǎn)及ΘΧ旋轉(zhuǎn)的控制(晶片W的焦點調(diào)平控制)，是根據(jù)前述焦點映射的結(jié)果進行。再者，除晶片臺WTBI的Z軸方向之外的5自由度方向的位置，也由干涉儀207、217加以測量。
[0432]由圖60清楚可知，在晶片載臺WST2朝向右側(cè)裝載位置的移動途中，來自X干涉儀226的測長光束將不再照到晶片臺WTB2的反射面27e，但在此之前，在來自X干涉儀226的測長光束照得到反射面27e時，來自X干涉儀227的測長光束開始照到反射面27e。于是，主控制裝置20，根據(jù)X干涉儀226的測量值預(yù)設(shè)X干涉儀227的測量值。
[0433]當晶片載臺WST2從圖60所示位置進一步移動于一 Y方向時，來自X干涉儀228的測長光束開始照到反射面27e。于是，主控制裝置20，在來自X干涉儀227的測長光束照得到反射面27e的期間，根據(jù)X干涉儀227的測量值預(yù)設(shè)X干涉儀228的測量值。
[0434]當晶片載臺WST2進一步往一 Y方向移動時，來自X干涉儀229的測長光束開始照到反射面27e。于是，主控制裝置20，在來自X干涉儀228的測長光束照得到反射面27e的期間，根據(jù)X干涉儀228的測量值預(yù)設(shè)X干涉儀229的測量值。
[0435]主控制裝置20，以上述方式，一邊切換用于位置控制的X干涉儀、一邊與將晶片載臺WST2向右側(cè)裝載位置進行驅(qū)動的動作并行地，持續(xù)進行對晶片Wl的步進掃描方式的曝光動作。
[0436]而且，如圖61所示，當晶片載臺WST2到達右側(cè)裝載位置時，主控制裝置20，在右側(cè)裝載位置處開始Pit作業(yè)。
[0437]圖62中，顯示了在右側(cè)裝載位置處進行Pit作業(yè)(晶片搬送機構(gòu)(未圖示)與晶片載臺WST2間的晶片更換、及晶片保持具的冷卻及其它為進行曝光的準備作業(yè))，與此并行地，在投影單元PU下方對晶片載臺WSTl上所保持的晶片Wl進行步進掃描方式的曝光的狀態(tài)。此時，晶片臺WTB2的位置，是根據(jù)Y干涉儀206與X干涉儀229的測量值由主控制裝置20加以管理。
[0438]如以上所述，在對晶片臺WTBl上的晶片Wl的步進掃描方式的曝光持續(xù)進行的期間，由主控制裝置20，如圖63所示，開始結(jié)束Pit作業(yè)的晶片載臺WST2往一 X方向的驅(qū)動。接著，晶片載臺WST2，如圖64所示，移動至測量板件30上的基準標記FM被定位于一次對準系統(tǒng)ALl的視野(檢測區(qū)域)內(nèi)的位置。此移動途中，由主控制裝置20將晶片臺WTB2在XY平面內(nèi)的位置控制，從根據(jù)前述干涉儀206、229的測量值的控制，切換為根據(jù)屬于與晶片臺WTB2的移動標尺39B、39A分別對向的讀頭單元162D、162C的2D讀頭167p、168q、即2維編碼器170DU70C的測量值的控制。
[0439]接著，當晶片載臺WST2移動至圖64所示位置時，主控制裝置20，在開始對新的晶片W2的晶片對準(及其它前處理測量)之前，實施Y干涉儀209及X干涉儀229、以及2維編碼器170DU70C的重置(原點的再設(shè)定)。
[0440]干涉儀209、229的重置結(jié)束后，控制裝置20使用一次對準系統(tǒng)ALl檢測晶片載臺WST2的測量板件30上的基準標記FM。接著，主控制裝置20，檢測以一次對準系統(tǒng)ALl的指針中心為基準的基準標記FM的位置，將該檢測結(jié)果、與檢測時的編碼器170C、170D的測量值對應(yīng)儲存于內(nèi)存。
[0441]接著，主控制裝置20，開始晶片載臺WST2往+Y方向的掃描，如圖65所示，使其移動至對準區(qū)域。主控制裝置20，一邊使用編碼器170CU70D (及干涉儀209、229)測量晶片載臺WST2的位置坐標、一邊開始與前述相同的EGA。
[0442]圖65中，顯示了由主控制裝置20使用一次對準系統(tǒng)AL1，二次對準系統(tǒng)AL22、AL23，大致同時且單獨地檢測附設(shè)于3個取樣照射區(qū)域的對準標記的狀態(tài)(參照圖65中的星標記)。此時，對晶片載臺WSTl上所保持的晶片Wl的步進掃描方式的曝光仍持續(xù)進行。
[0443]主控制裝置20，在開始上述晶片載臺WST2向+Y方向的掃描后，在晶片載臺WST2移動于+Y方向、多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測光束開始照到晶片Wl上的期間內(nèi)，使Z讀頭171p、173q與多點AF系統(tǒng)(90a、90b) —起工作(ON)，開始與前述相同的焦點映射。
[0444]焦點映射開始后，主控制裝置20根據(jù)編碼器170CU70D的測量值，使晶片載臺WST2在+Y方向移動既定距離、且在+X方向移動既定距離，將其定位于圖66所示位置。之后，主控制裝置20使用5個對準系統(tǒng)ALUAIA?AL24，大致同時且單獨地檢測5個對準標記(參照圖66中的星標記)，將上述5個對準系統(tǒng)ALl、AIA?AL24的檢測結(jié)果與該檢測時的編碼器170C、170D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。此時，前述晶片載臺WST2側(cè)的焦點映射、及對晶片載臺WSTl上的晶片Wl的步進掃描方式的曝光仍持續(xù)進行。
[0445]其次，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測量值，使晶片載臺WST在+Y方向移動既定距離、且在一 X方向移動既定距離，將其定位于圖67所示位置。之后，主控制裝置20使用5個對準系統(tǒng)ALl、ΑΙΛ?AL24，大致同時且單獨地檢測5個對準標記(參照圖67中的星標記)，將上述5個對準系統(tǒng)AL1、ΑΙΛ?AL24的檢測結(jié)果與該檢測時的編碼器170C、170D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。此時，前述晶片載臺WST2側(cè)的焦點映射、及對晶片載臺WSTl上的晶片Wl的步進掃描方式的曝光仍持續(xù)進行。
[0446]接著，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測量值，使晶片載臺WST2在+Y方向移動既定距離、且在+X方向移動既定距離，將其定位于圖68所示位置。之后，主控制裝置20使用5個對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24，大致同時且單獨地檢測5個對準標記(參照圖68中的星標記)，將上述5個對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24的檢測結(jié)果與該檢測時的編碼器170CU70D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。此時，由于來自X干涉儀228的測長光束開始照到晶片臺WTB2的反射面27e，因此，主控制裝置20根據(jù)此時的X干涉儀229的測量值，預(yù)設(shè)X干涉儀228。據(jù)此，之后，也能由X干涉儀228測量晶片臺WTB2的X位置及Qy方向的旋轉(zhuǎn)量(橫搖量)。此時，前述晶片載臺WST2側(cè)的焦點映射、及對晶片載臺WSTl上的晶片Wl的步進掃描方式的曝光仍持續(xù)進行。
[0447]接著，主控制裝置20根據(jù)編碼器170C、170D的測量值，使晶片載臺WST2在+Y方向移動既定距離、且在一 X方向移動既定距離，將其定位于圖69所示位置。之后，主控制裝置20使用2個對準系統(tǒng)AL1、AL22，大致同時且單獨地檢測2個對準標記(參照圖69中的星標記)，將上述2個對準系統(tǒng)ALl、AL22的檢測結(jié)果與該檢測時的編碼器170C、170D的測量值，關(guān)聯(lián)起來儲存于未圖標的內(nèi)存。此時，對晶片載臺WSTl上的晶片Wl的步進掃描方式的曝光結(jié)束。不過在此時間點，前述晶片載臺WST2側(cè)的焦點映射仍持續(xù)進行。在晶片載臺WSTl到達對晶片Wl的曝光結(jié)束位置前，由于來自X干涉儀226的測長光束開始照射到晶片臺WTBl的反射面27a，因此主控制裝置20根據(jù)X干涉儀217的測量值(或編碼器170A、170B的測量值)，預(yù)設(shè)X干涉儀226。
[0448]在上述曝光結(jié)束前，主控制裝置20使用周邊曝光單元51開始對晶片W2的周邊掃描曝光(參照圖69)。在開始此周邊曝光的時間點，由圖69可知，2D讀頭We2Uee1對向于移動標尺39A、39B，所以，之后，主控制裝置20根據(jù)2D讀頭1662、We1、即編碼器170E、170F的測量值，也開始晶片載臺WST2在XY平面內(nèi)的位置信息的測量。
[0449]接著，主控制裝置20，一邊持續(xù)進行周邊掃描曝光、一邊使晶片載臺WSTl及晶片載臺WST2移動至圖70所示的第2并列開始位置。在此之前，在晶片載臺WST2的XY平面內(nèi)的位置信息測量中所使用的編碼器，已從編碼器170CU70D切換為編碼器170EU70F。
[0450]而且，當晶片載臺WST1、WST2到達第2并列開始位置時，主控制裝置20結(jié)束焦點映射，將多點AF系統(tǒng)(90a、90b)針對各檢測點的面位置信息，以和前述同樣的方式換算為以同時擷取的由Z讀頭171p、173q測得的面位置信息為基準的數(shù)據(jù)。
[0451 ] 在上述焦點映射結(jié)束的時間點，由于EGA也已結(jié)束，因此，主控制裝置20使用與至此為止所得的多個對準標記的檢測結(jié)果對應(yīng)的上述2個編碼器170CU70D的測量值、以及預(yù)先測量的二次對準系統(tǒng)AL2n的基準線，以EGA方式進行統(tǒng)計運算，來算出在以上述2個編碼器(2個讀頭單元)的測量軸所規(guī)定的坐標系統(tǒng)(例如，以一次對準系統(tǒng)ALl的檢測中心為原點的XY坐標系統(tǒng)(對準坐標系統(tǒng)))上的晶片Wl上所有照射區(qū)域的排列(位置坐標)。
[0452]此處，在兩晶片載臺WSTl、WST2移動至第2并列開始位置的狀態(tài)下，成為在晶片臺WTB2的中央線與基準軸LVtl大致一致、且晶片臺WTBl的中央線從基準軸LVtl在一 X側(cè)錯開既定距離(第2偏置量)的狀態(tài)下，晶片臺WTBl的一 Y端面(測量部138的一 Y端面)與晶片臺WTB2的+Y端面(FD桿46的+Y端面)接觸(或隔著例如300 μ m程度的間隙接近)的并列狀態(tài)。S卩，在此并列狀態(tài)中，由于構(gòu)成晶片臺WTBl的一部分的測量部138的一 Y側(cè)端與構(gòu)成晶片臺WTB2的一部分的FD桿46的+Y側(cè)端接觸(或接近)，因此，能以晶片載臺WST2的+Y側(cè)的面與晶片載臺WSTl的一 Y側(cè)的面一部分對向的狀態(tài)，晶片載臺WST2與晶片載臺WSTl通過FD桿46及測量部138在Y軸方向接觸(或接近)。此處，第2偏置量被定為與前述第I偏置量相同距離。
[0453]晶片臺WTBl的測量部138的Y軸方向長度、與晶片臺WTB2的FD桿46的Y軸方向長度的合計，被設(shè)定為能在測量部138與FD桿46接觸的狀態(tài)下，阻止晶片載臺WST2與晶片載臺WSTl接觸(正確而言，是晶片載臺WST2的空氣滑件54的+Y側(cè)端、與晶片載臺WSTl的空氣滑件54的一 Y側(cè)端接觸)程度的長度。
[0454]主控制裝置20，在維持上述并列狀態(tài)的情形下，根據(jù)編碼器170EU70F的測量值，將晶片載臺WST2驅(qū)動于+Y方向，與此驅(qū)動同時，根據(jù)干涉儀207、226的測量值，如圖71中的涂白粗箭頭所示，將晶片載臺WSTl驅(qū)動于+Y方向且一 X方向。在此兩晶片載臺WST1、WST2的移動中，周邊掃描曝光仍持續(xù)進行。
[0455]隨著晶片載臺WST1、WST2在保持并列狀態(tài)的情形下在上述各自的移動方向上移動的動作，原本形成在前端透鏡191與晶片臺WTBl之間的液浸區(qū)域14，從晶片臺WTBl上移至晶片臺WTB2上。圖71中，顯示了在此移動途中，液浸區(qū)域14從晶片臺WTBl上經(jīng)由該晶片臺WTBl的測量部138、及晶片臺WTB2的FD桿46，移動至晶片臺WTB2的臺本體34上的前一刻的兩晶片載臺WST1、WST2的狀態(tài)。
[0456]當液浸區(qū)域14往晶片臺WTB2(臺本體34)上的移動結(jié)束，晶片載臺WST2到達圖72所示位置(測量板件30位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的位置)時，主控制裝置20使兩晶片載臺WST1、WST2往+Y方向的驅(qū)動力為零。據(jù)此，晶片載臺WST2停止，晶片載臺WSTl^圖72中的涂白粗箭頭所示，開始往一 X方向的驅(qū)動。
[0457]接著，主控制裝置20，使用包含晶片載臺WST2的測量板件30的前述空間像測量裝置45B，與前述同樣地測量利用投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影的標線片R上的一對測量標記的投影像(空間像)。此空間像的測量處理時，晶片臺WTB2在XY平面內(nèi)的位置，是根據(jù)與X標尺39A、39B對向的2個2D讀頭165」、16七(編碼器170B、170A)加以控制。
[0458]又，開始晶片載臺WSTl往一 X方向的驅(qū)動前，在來自Y干涉儀207的測長光束仍照得到晶片臺WTBl的反射面27b的階段，來自Y干涉儀208的測長光束也開始照到反射面27b。于是，主控制裝置20，緊接著在來自Y干涉儀208的測長光束開始照到反射面27b之后，根據(jù)Y干涉儀207的測量值預(yù)設(shè)Y干涉儀208。在進行了此預(yù)設(shè)的時間點后，晶片臺WTBl的位置，如圖72所示，是根據(jù)干涉儀208、226的測量值由主控制裝置20加以控制。
[0459]另一方面，在晶片載臺WST1、WST2移動至圖72所示位置的階段，來自X干涉儀227的測長光束將照到晶片臺WTB2的反射面27e，且來自Y干涉儀207的測長光束也將照到晶片臺WTBl的反射面27f。于是，主控制裝置20根據(jù)X干涉儀228的測量值預(yù)設(shè)X干涉儀227，并根據(jù)Y干涉儀209的測量值預(yù)設(shè)Y干涉儀207。或者，主控制裝置20根據(jù)編碼器170BU70A的測量值預(yù)設(shè)干涉儀207、227。無論如何，在此時間點后，主控制裝置20，使用干涉儀207、227測量晶片臺WTBl的位置信息。當然，晶片臺WTB2在XY平面內(nèi)的位置控制是根據(jù)編碼器170BU70A的測量值進行。
[0460]之后，主控制裝置20，與上述空間像測量動作并行地，使晶片載臺WSTl移至圖73所示位置。
[0461]當空間像測量結(jié)束時，主控制裝置20，根據(jù)使用前述一次對準系統(tǒng)ALl檢測晶片載臺WST2的測量板件30上的基準標記FM時的檢測結(jié)果與上述空間像的測量結(jié)果，算出一次對準系統(tǒng)ALl的基準線。此時，前述晶片W2的周邊曝光仍持續(xù)進行。
[0462]接著，主控制裝置20，如圖73所示，一邊持續(xù)進行晶片W2的周邊曝光、一邊使晶片載臺WST2移至對晶片W2的曝光開始位置，并開始朝向圖75所示的左側(cè)裝載位置將晶片載臺WSTl在一 Y方向上移動。
[0463]之后，主控制裝置20以和前述同樣地，開始對晶片W2的曝光。在開始此晶片W2的曝光的時間點，周邊曝光已結(jié)束。
[0464]從圖74清楚可知，在晶片載臺WSTl朝向左側(cè)裝載位置的移動途中，來自X干涉儀226的測長光束將不再照到晶片臺WTBl的反射面27a，但在此之前，在來自X干涉儀226的測長光束照得到反射面27a時，來自X干涉儀217的測長光束開始照到反射面27c。因此，根據(jù)X干涉儀226的測量值預(yù)設(shè)X干涉儀217的測量值。
[0465]當晶片載臺WSTl從圖74所示位置進一步往一 Y方向移動時，來自X干涉儀218的測長光束開始照到反射面27c。于是，主控制裝置20，在來自X干涉儀217的測長光束照得到反射面27c的期間，根據(jù)X干涉儀217的測量值預(yù)設(shè)X干涉儀218的測量值。
[0466]當晶片載臺WSTl進一步往一 Y方向移動時，來自X干涉儀229的測長光束開始照到反射面27a。于是，主控制裝置20，在來自X干涉儀218的測長光束照得到反射面27c的期間，根據(jù)X干涉儀218的測量值預(yù)設(shè)X干涉儀229的測量值。
[0467]主控制裝置20，以上述方式，一邊切換用于位置控制的X干涉儀、一邊與將晶片載臺WSTl朝左側(cè)裝載位置驅(qū)動的動作并行地，持續(xù)進行對晶片W2的步進掃描方式的曝光動作。
[0468]之后，如圖75所示，當晶片載臺WSTl到達左側(cè)裝載位置時，主控制裝置20在左側(cè)裝載位置處開始Pit作業(yè)。
[0469]圖76中，顯示了在左側(cè)裝載位置處，作為Pit作業(yè)的一部分進行晶片搬送機構(gòu)(未圖示)與晶片載臺WSTl間的晶片更換，與此并行地，在投影單元PU的下方，對晶片載臺WST2上所保持的晶片W2進行步進掃描方式的曝光的狀態(tài)。
[0470]之后，由主控制裝置20反復(fù)實施使用上述晶片載臺WST1、WST2的并行動作。
[0471]如以上所做的詳細說明，根據(jù)本第4實施形態(tài)的曝光裝置1000，由主控制裝置20，與對晶片載臺WST1、WST2的一方所保持的晶片(Wl或W2)進行曝光的動作并行地，一邊使晶片載臺WSTl、WST2的另一方移動于Y軸方向、一邊也移動于X軸方向，將該另一方的晶片載臺所保持的晶片上的不同多個對準標記依序定位于對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24的檢測區(qū)域(多個檢測區(qū)域)，依序檢測位于對準系統(tǒng)ALUAIA?AL24的檢測區(qū)域內(nèi)的對準標記的位置信息。因此，能與對一方的晶片載臺WST所保持的晶片進行曝光的動作并行地，在另一方的晶片載臺從對準系統(tǒng)ALUAIA?AL24的檢測區(qū)域附近的位置(例如進行晶片載臺所保持晶片的更換的位置附近)向曝光位置(投影單元PU的正下方，曝光區(qū)域IA)在Y軸方向上移動的期間，檢測該另一方的晶片載臺所保持的晶片上的多個對準標記、例如所有對準標記的位置信息。其結(jié)果，能實現(xiàn)生產(chǎn)率的提升與重迭精度的提升。又，由主控制裝置20控制周邊曝光單元51，將與照明光IL大致相同波長的能量束照射于朝向曝光位置移動途中，通過周邊曝光單元51下方的另一方的晶片載臺所保持的晶片周邊部的照射區(qū)域的至少一部分。因此，能在不使生產(chǎn)率降低的情形下，實現(xiàn)成品率的提升。
[0472]又，本第4實施形態(tài)的曝光裝置1000中，由主控制裝置20進行對晶片載臺WSTl、WST2的一方所保持的晶片(Wl或W2)的曝光的動作并行地，在晶片載臺WST1、WST2的另一方的裝載位置處，進行Pit作業(yè)、即晶片搬送機構(gòu)(未圖示)與該另一方的晶片載臺之間的晶片更換、及晶片保持具的冷卻及其它為進行曝光的準備作業(yè)。因此，能在不使生產(chǎn)率降低的情形下，進行晶片保持具的冷卻等作業(yè)。
[0473]又，根據(jù)本第4實施形態(tài)，由主控制裝置20控制在XY平面內(nèi)驅(qū)動晶片載臺WST1、WST2的平面馬達151，并在對晶片載臺WSTl所保持的晶片Wl的曝光結(jié)束時，使晶片載臺WSTl沿位于曝光位置的X軸方向一側(cè)(一 X側(cè))的第I返回路徑移動至進行晶片載臺WSTl上的晶片Wl的更換的左側(cè)裝載位置，且在晶片載臺WST2所保持的晶片W2的曝光結(jié)束時，使晶片載臺WST2沿位于曝光位置的X軸方向另一側(cè)(+X側(cè))的第2返回路徑移動至進行晶片載臺WST2上的晶片W2的更換的右側(cè)裝載位置。因此，對晶片載臺WSTl從X軸方向的一側(cè)、對晶片載臺WST2則從X軸方向的另一側(cè)分別連接配線配管用的纜線，由此能防止這些纜線的纏繞，并且也能盡量縮短其長度。
[0474]又，本第4實施形態(tài)的曝光裝置1000中，主控制裝置20，在晶片Wl的曝光結(jié)束時，維持晶片載臺WSTl的測量部138與晶片載臺WST2的FD桿46接近或接觸的并列狀態(tài)，將晶片載臺WST2驅(qū)動于+Y方向的同時將晶片載臺WSTl驅(qū)動于+Y方向且一 X方向，將液浸區(qū)域14從晶片載臺WSTl上轉(zhuǎn)移至晶片載臺WST2上。在轉(zhuǎn)移完液浸區(qū)域14后，主控制裝置20，在晶片載臺WST2的測量板件30位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的位置處，使兩晶片載臺WST1、WST2往+Y方向的驅(qū)動力為零。據(jù)此，晶片載臺WST2停止，晶片載臺WSTl如圖72中的涂白粗箭頭所示，開始往一 X方向的移動，沿上述第I返回路徑朝左側(cè)裝載位置移動。為了能以良好效率開始此晶片載臺WSTl沿第I返回路徑的移動，在第2并列開始位置處，以晶片臺WTB2的中央線與基準軸LVtl大致一致、且晶片臺WTBl的中央線在一 X側(cè)離基準軸LVtl既定距離(第2偏置量)的狀態(tài)，開始兩晶片載臺WST1、WST2的并列狀態(tài)。
[0475]另一方面，主控制裝置20，在晶片W2的曝光結(jié)束時，與前述同樣地，維持晶片載臺WST2的測量部138與晶片載臺WSTl的FD桿46接近或接觸的并列狀態(tài)，將晶片載臺WSTl驅(qū)動于+Y方向的同時將晶片載臺WST2驅(qū)動于+Y方向且+X方向，將液浸區(qū)域14從晶片載臺WST2上轉(zhuǎn)移至晶片載臺WSTl上。在轉(zhuǎn)移完液浸區(qū)域14后，主控制裝置20，在晶片載臺WSTl的測量板件30位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的位置處，使兩晶片載臺WST1、WST2往+Y方向的驅(qū)動力為零。據(jù)此，晶片載臺WSTl停止，晶片載臺WST2，如圖58中的涂白粗箭頭所示，開始往+X方向的移動，沿上述第2返回路徑朝向右側(cè)裝載位置移動。為了能以良好效率開始此晶片載臺WST2沿第2返回路徑的移動，在第I并列開始位置處，以晶片臺WTBl的中央線與基準軸LVtl大致一致、且晶片臺WTB2的中央線在+X側(cè)離基準軸LVtl既定距離(第I偏置量)的狀態(tài)，開始兩晶片載臺WST1、WST2的并列狀態(tài)。
[0476]由上述說明可知，本第4實施形態(tài)的曝光裝置1000中，以在一方的晶片載臺上的晶片的曝光結(jié)束后，能最佳效率開始該一方的晶片載臺朝向?qū)?yīng)裝載位置的沿返回路徑的移動的方式，即，以該一方的晶片載臺的移動路徑最短、且所需時間最短的方式，設(shè)定有晶片載臺WST1、WST2的并列開始時的X軸方向偏置量。
[0477]又，上述第4實施形態(tài)中，雖然以能夠最佳效率開始保持曝光完成的晶片的晶片載臺朝向?qū)?yīng)裝載位置沿返回路徑的移動的方式，設(shè)定有晶片載臺WST1、WST2的并列開始時的X軸方向偏置量，但也可取代此方式、或與此方式一起，以能夠最佳效率地開始下一曝光對象的晶片的曝光的方式，設(shè)定晶片載臺WST1、WST2的并列開始時的X軸方向的偏置量。
[0478]在一方的晶片載臺上的晶片曝光結(jié)束后，能使該一方的晶片載臺朝向?qū)?yīng)裝載位置沿返回路徑的移動以最佳效率開始的兩晶片載臺的并列、或能使下一曝光對象的晶片的曝光的開始以最佳效率進行的兩晶片載臺的并列，可稱為最佳效率的并列。
[0479]又，上述第4實施形態(tài)中，雖然針對如下情形作了說明，即為了在兩晶片載臺WSTUWST2間進行液浸區(qū)域14的移交，而采用兩晶片載臺WSTl、WST2在Y軸方向接觸或接近的Y方向并列，但不限于此，也可為了在兩晶片載臺WST1、WST2間進行液浸區(qū)域14的轉(zhuǎn)移，而采用兩晶片載臺WST1、WST2在X軸方向接觸或接近的X方向并列。此場合，在并列開始時，可使兩晶片載臺WST1、WST2關(guān)于Y軸方向偏置。
[0480]又，與上述第4實施形態(tài)同樣地采用Y方向并列的情形時，還可以考慮如下情形:機構(gòu)部的一部分從晶片載臺WST1、WST2的Y軸方向側(cè)面比其它部分突出于外側(cè)。在此種情形下，最好是將測量部及FD桿的Y軸方向尺寸、及/或并列時的偏置量等，設(shè)定為該等突出部不致于與另一方的晶片載臺的一部分接觸程度的長度。
[0481]又，上述第4實施形態(tài)中，雖然針對固定的測量部及FD桿等相對臺本體34的突出部設(shè)置于晶片載臺WSTl及WST2的情形做了說明，但不限于此，在突出部是以在兩晶片載臺WST1、WST2之間進行液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移為主目的的場合，此突出部也可為可動。此場合，例如，突出部僅在兩晶片載臺WST1、WST2的并列時呈大致水平狀態(tài)，并列時以外、即非使用時，可以折迭放置。此外，上述第4實施形態(tài)中，雖然測量部及FD桿兼用作突出部，但不限于此，也可對于晶片載臺WSTl及WST2設(shè)置專用的固定突出部。
[0482]又，上述第4實施形態(tài)中，針對如下情形作了說明，即在曝光結(jié)束后，為了將液浸區(qū)域14從一方的晶片載臺移交至另一方的晶片載臺，在進行使兩晶片載臺WST1、WST2在Y軸方向接近至既定距離以下的接近狀態(tài)(并列狀態(tài))、與使兩晶片載臺WST1、WST2分離的分離狀態(tài)(并列解除狀態(tài))的切換后，晶片載臺WSTl沿位于曝光位置的一 X側(cè)的第I返回路徑移動至進行晶片載臺WSTl上的晶片Wl的更換的第I更換位置，晶片載臺WST2沿位于曝光位置的+X側(cè)的第2返回路徑移動至進行晶片載臺WST2上的晶片W2的更換的第2更換位置。即，針對第I更換位置與第2更換位置不同的情形作了說明。但不限于此，第I更換位置與第2更換位置可以相同。此場合，主控制裝置20，也可采用如下構(gòu)成:控制平面馬達，使得在位于曝光位置的一方的晶片載臺所保持的晶片的曝光結(jié)束后，為了將液浸區(qū)域14從一方的晶片載臺轉(zhuǎn)移至另一方的晶片載臺，而進行使兩晶片載臺WST1、WST2在Y軸方向接近至既定距離以下的接近狀態(tài)(并列狀態(tài))、與使兩晶片載臺WSTl、WST2分離的分離狀態(tài)(并列解除狀態(tài))的切換，并使從另一方的晶片載臺分離的一方的晶片載臺，沿在X軸方向上位于曝光位置的一側(cè)的返回路徑移動至進行兩晶片載臺WST1、WST2上的晶片更換的更換位置。此場合，與使一方的晶片載臺沿在X軸方向上位于曝光位置一側(cè)的返回路徑移動至更換位置、使另一方的晶片載臺沿在X軸方向上位于曝光位置另一側(cè)的返回路徑移動至更換位置的情形等相比較，能將兩晶片載臺在X軸方向上的移動范圍設(shè)定得較窄。
[0483]又，上述第4實施形態(tài)中，是以前述晶片載臺WST1、WST2的移動路徑為前提，利用平面馬達將晶片載臺WST1、WST2沿XY平面獨立驅(qū)動。然而，不一定需要使用平面馬達，視移動路徑的不同，也可使用線性馬達等。
[0484]又，上述第4實施形態(tài)中，并非一定設(shè)置周邊曝光單元51。即使是此種場合，也能獲得上述各種效果。
[0485]又，上述第4實施形態(tài)中，由主控制裝置20，在與對晶片載臺WST1、WST2的一方所保持的晶片(Wl或W2)進行曝光的動作并行地，一邊使晶片載臺WST1、WST2的另一方移動于Y軸方向、一邊利用對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24檢測該另一方的晶片載臺所保持的晶片上的不同多個對準標記，可以僅測量該位置信息。即，從曝光位置至晶片更換位置的移動路徑，兩晶片載臺WST1、WST2中是可以相同。此外，上述晶片載臺WST1、WST2的另一方，可以不往X軸方向移動，而一邊往Y軸方向移動、一邊檢測該另一方的晶片載臺所保持的晶片上的不同的多個對準標記即可。又，在另一方的晶片載臺的上述往Y軸方向的移動中無須進行周邊曝光。再者，也無須利用平面馬達驅(qū)動晶片載臺WST1、WST2。
[0486]另一方面，上述第4實施形態(tài)中，可僅僅是:由主控制裝置20，控制在XY平面內(nèi)驅(qū)動晶片載臺WST1、WST2的平面馬達151，并在晶片載臺WSTl所保持的晶片Wl的曝光結(jié)束時，使晶片載臺WSTl沿位于曝光位置的X軸方向一側(cè)(一 X側(cè))的第I返回路徑移動至進行晶片載臺WSTl上的晶片Wl的更換的左側(cè)裝載位置，且在晶片載臺WST2所保持的晶片W2的曝光結(jié)束時，使晶片載臺WST2沿位于曝光位置的X軸方向另一側(cè)(+X側(cè))的第2返回路徑移動至進行晶片載臺WST2上的晶片W2的更換的右側(cè)裝載位置。即，與對晶片載臺WSTU WST2的一方所保持的晶片(Wl或W2)進行曝光的動作并行地，可以不進行對晶片載臺WST1、WST2的另一方所保持的晶片的周邊曝光，也可以不對該晶片上的不同的多個對準標記的位置信息進行測量。此外，平面馬達可以是移動線圈型。
[0487]又，上述第4實施形態(tài)中，測量系統(tǒng)200雖包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150這雙方，但不限于此，測量系統(tǒng)可僅包含干涉儀系統(tǒng)118與編碼器系統(tǒng)150的一方。特別是在僅包含編碼器系統(tǒng)的情形時，該編碼器系統(tǒng)可以不是包含2D讀頭的2維編碼器。
[0488]又，上述第1、第4實施形態(tài)各自中，雖然例示了使用微反射鏡陣列構(gòu)成周邊曝光單元51的情形，但不限于此，只要是能用和照明光IL大致相同波長的光使晶片上任意位置(區(qū)域)自由曝光的話，周邊曝光單元的構(gòu)成并無限定。例如，可使用微反射鏡陣列以外的空間光調(diào)制器來構(gòu)成周邊曝光單元。此外，也可使用標線片與投影光學(xué)系統(tǒng)PL來構(gòu)成周邊曝光單元。再者，在周邊曝光中，可轉(zhuǎn)印與通常曝光中轉(zhuǎn)印至照射區(qū)域的相同圖案，但也可轉(zhuǎn)印不同圖案。此場合，例如轉(zhuǎn)印圖案密度等最好是相同、或不致極端相異。不過，線寬可較粗。
[0489]又，上述第I?第4實施形態(tài)所說明的編碼器讀頭、Z讀頭、干涉儀等的各測量裝置的配置、構(gòu)成等僅為一例，本發(fā)明當然不限定于此。例如讀頭單元所分別具備的讀頭數(shù)量不限于上述數(shù)量，只要在多個標記檢測系統(tǒng)(上述各實施形態(tài)中，是對準系統(tǒng)AL1、AIA?AL24)的兩外側(cè)分別有讀頭即足夠，其數(shù)量并無限制。只要在用多個標記檢測系統(tǒng)的各個系統(tǒng)檢測晶片W上的特定對準標記時，至少各有I個讀頭能對向于一對標尺即可。又，上述各實施形態(tài)中，雖然針對將多個標記檢測系統(tǒng)的兩外側(cè)各側(cè)的多個讀頭中、位于最內(nèi)側(cè)的2個讀頭的Y位置，設(shè)為與其它讀頭不同的情形作了說明，但不限于此，可以將任一讀頭的Y位置設(shè)為不同。只要根據(jù)空閑空間，將任意讀頭的Y位置設(shè)為與其它讀頭的Y位置不同即可?；蛘?，若多個標記檢測系統(tǒng)的兩外側(cè)有充分的空閑空間時，可將所有讀頭配置在同一 Y位置。
[0490]又，標記檢測系統(tǒng)(對準系統(tǒng))的數(shù)量也不限于5個，雖然關(guān)于第2方向(上述各實施形態(tài)中為X軸方向)檢測區(qū)域的位置不同的標記檢測系統(tǒng)有2個以上較佳，但其數(shù)量并無特別限制。
[0491]又，上述各實施形態(tài)中，不設(shè)置干涉儀系統(tǒng)而僅設(shè)置編碼器系統(tǒng)的情形時，也可作成利用Z讀頭對晶片臺的Θ X方向的位置信息也進行測量。
[0492]又，上述第1、第2及第4實施形態(tài)各自中，可如第3實施形態(tài)、或例如美國專利申請公開第2006/0227309號說明書等所揭示，使用如下編碼器系統(tǒng)，即在晶片臺設(shè)置有編碼器讀頭、且在晶片臺上方與此對向地配置有形成有一維或二維光柵(例如繞射光柵)的標尺。此場合，可將Z讀頭也配置于晶片臺上，將上述標尺表面兼作為來自Z讀頭的測量光束所照射的反射面。此外，也可使用除X軸方向及/或Y軸方向外，將Z軸方向也作為測量方向的所謂兼具編碼器讀頭與Z讀頭的功能的讀頭。此場合，不需要Z讀頭。
[0493]又，上述各實施形態(tài)中，雖將嘴單元32的下面設(shè)為與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端光學(xué)元件的下端面大致同一面，但不限于此，例如也可將嘴單元32的下面，配置在比前端光學(xué)元件的射出面更靠近投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面(即晶片)之處。即，局部液浸裝置8不限于上述構(gòu)造，可使用例如歐洲專利申請公開第1420298號說明書、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559號小冊子(對應(yīng)美國專利申請公開第2006/0231206號說明書)、國際公開第2004/086468號小冊子(對應(yīng)美國專利申請公開第2005/0280791號說明書)、日本特開2004 — 289126號公報(對應(yīng)美國專利第6，952，253號說明書)等所記載的構(gòu)造。又，例如國際公開第2004/019128號小冊子(對應(yīng)美國專利申請公開第2005/0248856號說明書)的揭示，除前端光學(xué)元件的像面?zhèn)裙饴吠?，也可以將前端光學(xué)元件物體面?zhèn)鹊墓饴芬灿靡后w加以充滿。再者，也可在前端光學(xué)元件表面的一部分(至少含與液體的接觸面)或全部，形成具有親液性及/或溶解防止功能的薄膜。又，雖然石英與液體的親和性高、且無需溶解防止膜，但對于螢石來說較佳為至少形成溶解防止膜。
[0494]又，上述各實施形態(tài)中，使用純水(水)來作為液體，但本發(fā)明當然不限于此。作為液體，可使用化學(xué)上穩(wěn)定、且照明光IL的透射率高的安全的液體，例如可使用氟系惰性液體。作為此氟系惰性液體，例如可使用氟羅麗娜(美國3M公司的商品名)。此氟系惰性液體在冷卻效果上也優(yōu)異。又，作為液體，也可使用對照明光IL的折射率比純水(折射率為1.44程度)高的、例如1.5以上的液體。作為此液體，例如有折射率約1.50的異丙醇、折射率約1.61的甘油(glycerine)這樣的具有C-H鍵或O-H鍵的既定液體、己烷、庚烷、癸燒等既定液體(有機溶劑)、或折射率約1.60的十氫萘(Decalin:Decahydronaphthalene)等。或者，也可以是混合上述液體中任意兩種類以上的液體而得到的液體，也可以是在純水中添加(混合)上述液體的至少一種而得到的液體?；蛘?，作為液體，也可以是在純水中添加(混合)iT、CS+、K+、Cl-、S042_、P042_等堿基或酸等而得到的液體。再者，也可以是在純水中添加(混合)A1氧化物等微粒子而得到的液體。上述液體能使ArF準分子激光光束透射。又，作為液體，最好是光的吸收系數(shù)較小，溫度依存性較少，并對涂布于投影光學(xué)系統(tǒng)(前端的光學(xué)部件)及/或晶片表面的感光材(或保護膜(頂層涂布膜)或反射防止膜等)較穩(wěn)定的液體。又，在將F2激光作為光源時，只要選擇全氟聚醚油(Fomblin Oil)即可。再者，作為液體，也可使用對照明光IL的折射率高于純水的液體、例如折射率為1.6?1.8程度的液體。此外，也可使用超臨界流體作為液體。又，對于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端光學(xué)元件，可以用例如石英(二氧化硅)、或、氟化鈣(螢石)、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鈉等的氟化合物的單結(jié)晶材料來形成，也可以用折射率高(例如1.6以上)于石英及螢石的材料來形成。作為折射率1.6以上的材料，例如，可使用如國際公開第2005/059617號小冊子所揭示的藍寶石、二氧化鍺等，或者，也可使用如國際公開第2005/059618號小冊子所揭示的氯化鉀(折射率約1.75)等。
[0495]又，上述各實施形態(tài)中，也可再利用回收的液體，此時，最好是能在液體回收裝置、或回收管等中設(shè)置用以從回收的液體中除去雜質(zhì)的過濾器。
[0496]此外，上述各實施形態(tài)中，雖然就曝光裝置為液浸型曝光裝置的情形作了說明，但并不限于此，也可采用于不經(jīng)由液體(水)進行晶片W的曝光的干式曝光裝置。
[0497]又，上述各實施形態(tài)中，雖然針對本發(fā)明適用于步進掃描方式等的掃描型曝光裝置的情形作了說明，但不限于此，也能將本發(fā)明適用于步進機等的靜止型曝光裝置。又，本發(fā)明也能適用于將照射區(qū)域與照射區(qū)域加以合成的步進接合(step & stitch)方式的曝光裝置、接近(proximity)方式的曝光裝置、或反射鏡投影對準機等。
[0498]又，上述各實施形態(tài)的曝光裝置中的投影光學(xué)系統(tǒng)并不僅可為縮小系統(tǒng)，也可為等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一者，投影光學(xué)系統(tǒng)PL不僅可為折射系統(tǒng)，也可以是反射系統(tǒng)及反折射系統(tǒng)的任一者，其投影像也可以是倒立像與正立像的任一者。再者，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL來照射照明光IL的曝光區(qū)域IA，雖然是在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的視野內(nèi)包含光軸AX的軸上區(qū)域，但例如如國際公開第2004/107011號小冊子所揭示那樣，也可以是與所謂在線型反折射系統(tǒng)同樣地，其曝光區(qū)域為不含光軸AX的離軸區(qū)域，該在線型反折射系統(tǒng)中，將具有多個反射面且至少形成一次中間像的光學(xué)系統(tǒng)(反射系統(tǒng)或反折射系統(tǒng))設(shè)于其一部分，并具有單一光軸。又，前述照明區(qū)域及曝光區(qū)域的形狀雖為矩形，但并不限于此，也可以是例如圓弧、梯形、或平行四邊形等。
[0499]又，上述各實施形態(tài)之曝光裝置的光源，不限于ArF準分子激光器，也可以使用KrF準分子激光器(輸出波長248nm)、F2激光器(輸出波長157nm)、Ar2激光器(輸出波長126nm)、Kr2激光器(輸出波長146nm)等脈沖激光光源,或發(fā)出g線(波長436 nm)、i線(波長365nm)等發(fā)射亮線的超高壓水銀燈等。又，也可使用YAG激光器的諧波產(chǎn)生裝置等。另外，作為真空紫外光，可使用例如國際公開第1999/46835號小冊子(對應(yīng)美國專利第7，023，610號說明書)所揭示的諧波，其是將從DFB半導(dǎo)體激光器或纖維激光器振蕩的紅外區(qū)或可見區(qū)的單一波長激光光束，用涂布有例如鉺(或鉺及鐿兩者)的光纖放大器進行放大，并使用非線形光學(xué)結(jié)晶將其轉(zhuǎn)換波長為紫外光而得到的。
[0500]又，上述各實施形態(tài)中，作為曝光裝置的照明光IL，并不限于波長大于等于10nm的光，當然也可使用波長小于10nm的光。例如，本發(fā)明還合適地適用于:在例如曝光波長5?15nm的波長域、例如13.5nm下設(shè)計的全反射縮小光學(xué)系統(tǒng)以及使用了反射型掩模的EUV曝光裝置。此外，本發(fā)明也適用于使用電子射線或離子束等的帶電粒子射線的曝光裝置。
[0501]又，上述各實施形態(tài)中，雖然使用了在光透射性的基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性掩模(標線片)，但也可使用例如美國專利第6，778，257號說明書所揭示的電子掩模來代替此標線片，該電子掩模(也稱為可變成形掩模、主動掩模、或圖像產(chǎn)生器，例如包含非發(fā)光型圖像顯示元件(空間光調(diào)制器)的一種的DMD(Digital Micro-mirror Device)等)是根據(jù)待曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案、反射圖案、或發(fā)光圖案。
[0502]又，本發(fā)明也能適用于，例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示，通過將干涉紋形成于晶片上來在晶片上形成等間隔線圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。
[0503]進一步地，也能將本發(fā)明適用于例如日本特表2004 - 519850號公報(對應(yīng)美國專利第6，611，316號說明書)所揭示的曝光裝置，該曝光裝置中，將兩個標線片圖案經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)在晶片上合成，通過一次的掃描曝光來對晶片上的一個照射區(qū)域大致同時進行雙重曝光。
[0504]又，在物體上形成圖案的裝置并不限于前述曝光裝置(光刻系統(tǒng))，例如也能將本發(fā)明適用于以噴墨式來將圖案形成于物體上的裝置。
[0505]此外，上述各實施形態(tài)中待形成圖案的物體(能量束所照射的曝光對象的物體)并不限于晶片，也可以是玻璃板、陶瓷基板、膜構(gòu)件、或者掩?；宓绕渌矬w。
[0506]曝光裝置的用途并不限定于半導(dǎo)體制造用的曝光裝置，也可廣泛適用于例如用來制造將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印于方型玻璃板的液晶用曝光裝置，或用來制造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機器及DNA芯片等的曝光裝置。又，除了制造半導(dǎo)體元件等微型器件以外，為了制造用于光曝光裝置、EUV (極遠紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線曝光裝置等中的標線片或掩模，也能將本發(fā)明適用于用以將電路圖案轉(zhuǎn)印至玻璃基板或娃晶片等的曝光裝置。
[0507]半導(dǎo)體元件等的電子器件，是經(jīng)由如下步驟來制造:進行器件的功能、性能設(shè)計的步驟，制造基于該設(shè)計步驟的標線片的步驟，由從硅材料形成晶片的步驟，使用前述各實施形態(tài)的曝光裝置(圖案形成裝置)將標線片的圖案轉(zhuǎn)印至晶片的光刻步驟，將曝光后的晶片加以顯影的顯影步驟，將殘存有抗蝕劑的部分以外部分的露出構(gòu)件由蝕刻加以去除的蝕刻步驟，去除經(jīng)蝕刻后不要的抗蝕劑的抗蝕劑除去步驟，器件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、及檢查步驟等。此場合，由于在光刻步驟中，使用上述各實施形態(tài)的曝光裝置實施前述曝光方法，在晶片上形成器件圖案，因此能以良好的生產(chǎn)性制造高集成度的器件。
[0508]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0509]如以上的說明，本發(fā)明的移動體驅(qū)動系統(tǒng)適合于沿既定平面驅(qū)動移動體。又，本發(fā)明的圖案形成裝置適合于在晶片等物體上形成圖案。另外，本發(fā)明的曝光裝置、曝光方法、及器件制造方法，適合用于制造半導(dǎo)體器件及液晶顯示元件等的電子器件等。
【權(quán)利要求】
1.一種曝光裝置，通過投影光學(xué)系統(tǒng)與液體用能量束使物體曝光，其具備: 分別保持物體的第1、第2移動體； 局部液浸裝置，包含在與上述第1、第2移動體對向配置的下面?zhèn)染哂谢厥湛诘淖靻卧?，通過上述嘴單元將液體供應(yīng)至上述投影光學(xué)系統(tǒng)下，且從通過上述供應(yīng)的液體而形成于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下的液浸區(qū)域通過上述回收口回收液體； 底盤，其配置上述第1、第2移動體的表面配置成與上述投影光學(xué)系統(tǒng)的光軸正交且與包含彼此正交的第1、第2方向的既定平面大致平行； 驅(qū)動系統(tǒng)，包含于上述底盤設(shè)有定子且于上述第1、第2移動體設(shè)有可動子的平面馬達，將上述第1、第2移動體分別從通過上述投影光學(xué)系統(tǒng)與上述液浸區(qū)域的液體進行上述物體的曝光的曝光位置與進行分別保持于上述第1、第2移動體的物體的更換的更換位置的一方移動至另一方，上述更換位置在上述第I方向與上述曝光位置不同； 測量系統(tǒng)，測量上述第1、第2移動體的位置信息；以及 控制裝置，根據(jù)以上述測量系統(tǒng)測量的位置信息控制上述平面馬達對上述第1、第2移動體的驅(qū)動，以對與上述投影光學(xué)系統(tǒng)對向配置的上述第1、第2移動體中的一方使上述第1、第2移動體中的另一方接近的方式相對移動，且使已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元移動以取代上述一方移動體而成為上述另一方移動體與上述投影光學(xué)系統(tǒng)對向配置； 通過已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元的移動，上述液浸區(qū)域一邊被維持于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下、一邊從上述一方移動體移動至另一方移動體； 上述第I移動體在上述第2方向從一側(cè)被連接纜線，且上述第2移動體在上述第2方向從另一側(cè)被連接纜線； 上述控制裝置，控制上述平面馬達對上述第1、第2移動體的驅(qū)動，以使上述第I移動體與上述第2移動體通過彼此不同的返回路徑從上述曝光位置移動至上述更換位置； 上述第I移動體通過相對上述曝光位置位于上述第2方向的一側(cè)的返回路徑，上述第2移動體通過相對上述曝光位置位于上述第2方向的另一側(cè)的返回路徑。
2.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動體，通過上述相對移動，在已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元移動的既定方向彼此接近，且在與上述既定方向正交的方向偏離配置。
3.如權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其中，已接近的上述第1、第2移動體，配置成在與上述投影光學(xué)系統(tǒng)對向配置的上述第I移動體對上述第2移動體的置換時、以及與上述投影光學(xué)系統(tǒng)對向配置的上述第2移動體對上述第I移動體的置換時，位置關(guān)系在與上述既定方向正交的方向是不同的。
4.如權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其中，已接近的上述第1、第2移動體，配置成在上述第I移動體對上述第2移動體的置換時、以及上述第2移動體對上述第I移動體的置換時，在與上述既定方向正交的方向偏離配置成逆向。
5.如權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其中，在上述第2移動體對上述第I移動體的置換中，上述第I移動體相對上述第2移動體于與上述既定方向正交的方向往一側(cè)偏離配置； 在上述第I移動體對上述第2移動體的置換中，上述第2移動體相對上述第I移動體于與上述既定方向正交的方向往另一側(cè)偏離配置。
6.如權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其中，已接近的上述第1、第2移動體，配置成在上述第I移動體對上述第2移動體的置換時、以及上述第2移動體對上述第I移動體的置換時，位置關(guān)系在上述既定方向為相反。
7.如權(quán)利要求6所述的曝光裝置，其中，已接近的上述第1、第2移動體，在上述第I移動體對上述第2移動體的置換時、以及上述第2移動體對上述第I移動體的置換時，相對上述嘴單元在上述既定方向移動于相同方向。
8.如權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其中，已接近的上述第1、第2移動體，一邊維持在上述既定方向的位置關(guān)系、一邊相對上述嘴單元移動。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的曝光裝置，其中，上述嘴單元設(shè)置成包圍與上述液體接觸的上述投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)組件； 上述測量系統(tǒng)，具有分別設(shè)于上述第1、第2移動體的多個讀頭，通過上述第I移動體或上述第2移動體的上述多個讀頭，分別對于上述嘴單元周圍配置成與上述既定平面實質(zhì)平行且具有二維光柵的多個標尺照射測量光束，以測量在上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動的上述第I移動體或上述第2移動體的位置信息。
10.如權(quán)利要求9所述的曝光裝置，其進一步具備標記檢測系統(tǒng)，該標記檢測系統(tǒng)在上述第I方向從上述投影光學(xué)系統(tǒng)分離而配置，檢測分別保持于上述第1、第2移動體的物體的標記； 上述測量系統(tǒng)，通過上述第I移動體或上述第2移動體的上述多個讀頭，分別對于上述標記檢測系統(tǒng)周圍配置成與上述既定平面實質(zhì)平行且具有二維光柵的多個標尺照射測量光束，以測量在上述標記檢測系統(tǒng)下方移動的上述第I移動體或上述第2移動體的位置信肩、O
11.如權(quán)利要求9所述的曝光裝置，其中，上述測量系統(tǒng)，亦測量上述第1、第2移動體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
12.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的曝光裝置，其中，上述第1、第2移動體分別于其上面?zhèn)染哂猩鲜鑫矬w的裝載區(qū)域與配置于上述裝載區(qū)域兩側(cè)且具有二維光柵的一對標尺； 上述測量系統(tǒng)，具有配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)周圍的多個讀頭，通過上述多個讀頭中與上述一對標尺分別對向的讀頭，對上述一對標尺照射測量光束，以測量在上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動的上述第I移動體或上述第2移動體的位置信息。
13.如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其中，上述一對標尺分別以在已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元移動的既定方向為長邊方向設(shè)置； 上述多個讀頭，包含在與上述既定方向正交的方向位置不同的讀頭。
14.如權(quán)利要求13所述的曝光裝置，其進一步具備標記檢測系統(tǒng)，該標記檢測系統(tǒng)在上述第I方向從上述投影光學(xué)系統(tǒng)分離而配置，檢測分別保持于上述第1、第2移動體的物體的標記； 上述測量系統(tǒng)，具有配置于上述標記檢測系統(tǒng)周圍、與上述多個讀頭不同的多個讀頭，通過上述不同的多個讀頭，分別對上述一對標尺照射測量光束，以測量在上述標記檢測系統(tǒng)下方移動的上述第I移動體或上述第2移動體的位置信息。
15.如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其中，上述測量系統(tǒng)，亦測量上述第1、第2移動體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
16.如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其中，上述控制裝置，以上述液浸區(qū)域不橫越過上述第1、第2移動體的上述一對標尺而從上述一方移動體移動至上述另一方移動體的方式，使已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元移動。
17.如權(quán)利要求1至16中任一項所述的曝光裝置，其中，上述更換位置，包含進行保持于上述第I移動體的物體的更換的第I更換位置、以及進行保持于上述第2移動體的物體的更換的與上述第I更換位置不同的第2更換位置。
18.—種曝光方法，通過投影光學(xué)系統(tǒng)與液體用能量束使物體曝光，其包含: 將配置于表面配置成與上述投影光學(xué)系統(tǒng)的光軸正交且與包含彼此正交的第1、第2方向的既定平面大致平行的底盤的第1、第2移動體，分別通過于上述底盤設(shè)有定子且于上述第1、第2移動體設(shè)有可動子的平面馬達，從通過上述投影光學(xué)系統(tǒng)與液浸區(qū)域的液體進行上述物體的曝光的曝光位置與在上述第I方向上與上述曝光位置不同的進行分別保持于上述第1、第2移動體的物體的更換的更換位置的一方移動至另一方的動作，該液浸區(qū)域通過于與上述第1、第2移動體對向配置的下面?zhèn)染哂谢厥湛诘淖靻卧?yīng)的液體而形成于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下； 通過上述平面馬達，以對與上述投影光學(xué)系統(tǒng)對向配置的上述第1、第2移動體中的一方使上述第1、第2移動體中的另一方接近的方式相對移動，且使已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元移動以取代上述一方移動體而成為上述另一方移動體與上述投影光學(xué)系統(tǒng)對向配置的動作； 通過已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元的移動，上述液浸區(qū)域一邊被維持于上述投影光學(xué)系統(tǒng)下、一邊從上述一方移動體移動至另一方移動體； 上述第I移動體與上述第2移動體分別保持物體，上述第I移動體在上述第2方向從一側(cè)被連接纜線，且上述第2移動體在上述第2方向從另一側(cè)被連接纜線； 上述第I移動體與上述第2移動體通過彼此不同的返回路徑從上述曝光位置移動至上述更換位置，上述第I移動體通過相對上述曝光位置位于上述第2方向的一側(cè)的返回路徑，上述第2移動體通過相對上述曝光位置位于上述第2方向的另一側(cè)的返回路徑。
19.如權(quán)利要求18所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動體，通過上述相對移動，在已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元移動的既定方向彼此接近，且在與上述既定方向正交的方向偏離配置。
20.如權(quán)利要求19所述的曝光方法，其中，已接近的上述第1、第2移動體，配置成在與上述投影光學(xué)系統(tǒng)對向配置的上述第I移動體對上述第2移動體的置換時、以及與上述投影光學(xué)系統(tǒng)對向配置的上述第2移動體對上述第I移動體的置換時，位置關(guān)系在與上述既定方向正交的方向是不同的。
21.如權(quán)利要求20所述的曝光方法，其中，已接近的上述第1、第2移動體，配置成在上述第I移動體對上述第2移動體的置換時、以及上述第2移動體對上述第I移動體的置換時，在與上述既定方向正交的方向偏離配置成逆向。
22.如權(quán)利要求21所述的曝光方法，其中，在上述第2移動體對上述第I移動體的置換中，上述第I移動體相對上述第2移動體于與上述既定方向正交的方向往一側(cè)偏離配置； 在上述第I移動體對上述第2移動體的置換中，上述第2移動體相對上述第I移動體于與上述既定方向正交的方向往另一側(cè)偏離配置。
23.如權(quán)利要求21所述的曝光方法，其中，已接近的上述第1、第2移動體，配置成在上述第I移動體對上述第2移動體的置換時、以及上述第2移動體對上述第I移動體的置換時，位置關(guān)系在上述既定方向為相反。
24.如權(quán)利要求23所述的曝光方法，其中，已接近的上述第1、第2移動體，在上述第I移動體對上述第2移動體的置換時、以及上述第2移動體對上述第I移動體的置換時，相對上述嘴單元在上述既定方向移動于相同方向。
25.如權(quán)利要求21所述的曝光方法，其中，已接近的上述第1、第2移動體，一邊維持在上述既定方向的位置關(guān)系、一邊相對上述嘴單元移動。
26.如權(quán)利要求18至25中任一項所述的曝光方法，其中，上述嘴單元設(shè)置成包圍與上述液體接觸的上述投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)組件； 通過具有分別設(shè)于上述第1、第2移動體的多個讀頭的測量系統(tǒng)，通過上述第I移動體或上述第2移動體的上述多個讀頭分別對于上述嘴單元周圍配置成與上述既定平面實質(zhì)平行且具有二維光柵的多個標尺照射測量光束，以測量在上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動的上述第I移動體或上述第2移動體的位置信息。
27.如權(quán)利要求26所述的曝光方法，其中，通過在上述第I方向從上述投影光學(xué)系統(tǒng)分離而配置的標記檢測系統(tǒng)，檢測分別保持于上述第1、第2移動體的物體的標記； 通過上述測量系統(tǒng)，通過上述第I移動體或上述第2移動體的上述多個讀頭，分別對于上述標記檢測系統(tǒng)周圍配置成與上述既定平面實質(zhì)平行且具有二維光柵的多個標尺照射測量光束，以測量在上述標記檢測系統(tǒng)下方移動的上述第I移動體或上述第2移動體的位置信息。
28.如權(quán)利要求26所述的曝光方法，其中，亦通過上述測量系統(tǒng)測量上述第1、第2移動體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
29.如權(quán)利要求18至25中任一項所述的曝光方法，其中，上述第1、第2移動體分別于其上面?zhèn)染哂猩鲜鑫矬w的裝載區(qū)域與配置于上述裝載區(qū)域兩側(cè)且具有二維光柵的一對標尺； 通過具有配置于上述投影光學(xué)系統(tǒng)周圍的多個讀頭的測量系統(tǒng)，通過上述多個讀頭中與上述一對標尺分別對向的讀頭，對上述一對標尺照射測量光束，以測量在上述投影光學(xué)系統(tǒng)下方移動的上述第I移動體或上述第2移動體的位置信息。
30.如權(quán)利要求29所述的曝光方法，其中，上述一對標尺分別以在已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元移動的既定方向為長邊方向設(shè)置； 上述多個讀頭，包含在與上述既定方向正交的方向位置不同的讀頭。
31.如權(quán)利要求30所述的曝光方法，其中，通過在上述第I方向從上述投影光學(xué)系統(tǒng)分離而配置的標記檢測系統(tǒng)，檢測分別保持于上述第1、第2移動體的物體的標記； 通過具有配置于上述標記檢測系統(tǒng)周圍、與上述多個讀頭不同的多個讀頭的測量系統(tǒng)，通過上述不同的多個讀頭，分別對上述一對標尺照射測量光束，以測量在上述標記檢測系統(tǒng)下方移動的上述第I移動體或上述第2移動體的位置信息。
32.如權(quán)利要求29所述的曝光方法，其中，亦通過上述測量系統(tǒng)測量上述第1、第2移動體在與上述既定平面正交的第3方向的位置信息。
33.如權(quán)利要求29所述的曝光方法，其中，以上述液浸區(qū)域不橫越過上述第1、第2移動體的上述一對標尺而從上述一方移動體移動至上述另一方移動體的方式，使已接近的上述第1、第2移動體相對上述嘴單元移動。
34.如權(quán)利要求18至33中任一項所述的曝光方法，其中，上述更換位置，包含進行保持于上述第I移動體的物體的更換的第I更換位置、以及進行保持于上述第2移動體的物體的更換的與上述第I更換位置不同的第2更換位置。
【文檔編號】G03F7/20GK104133347SQ201410382226
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2007年12月28日
【發(fā)明者】柴崎祐一 申請人:株式會社尼康