陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及液晶顯示面板，該陣列基板包括數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管、公共線以及導(dǎo)向膜，其中公共線為網(wǎng)格狀圖案的金屬線。其中數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極以及薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置在陣列基板的中間的顯示區(qū)域；公共線設(shè)置在陣列基板的邊緣的非顯示區(qū)域；導(dǎo)向膜設(shè)置在陣列基板的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板。本發(fā)明的陣列基板及液晶顯示面板通過(guò)設(shè)置網(wǎng)格狀圖案的公共線，使得導(dǎo)向膜不易在陣列基板的邊緣出現(xiàn)堆積現(xiàn)象。
【專利說(shuō)明】陣列基板及液晶顯不面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的用戶開(kāi)始使用液晶顯示裝置進(jìn)行社交娛樂(lè) 活動(dòng)。
[0003] 現(xiàn)有的液晶顯示裝置的液晶顯示面板均包括陣列基板（TFT基板）和彩膜基板 (CF基板）。陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置有液晶層。陣列基板和彩膜基板的內(nèi)側(cè)涂布有 PI(Polyimide，聚酰亞胺）導(dǎo)向膜，以使得液晶層中的液晶分子形成預(yù)傾角，加快液晶顯示 的響應(yīng)速度。
[0004] 在陣列基板上涂布PI導(dǎo)向膜時(shí)，PI導(dǎo)向膜的材料會(huì)向陣列基板的四周邊緣擴(kuò)散。 由于陣列基板的邊緣結(jié)構(gòu)（外部走線區(qū)域）與內(nèi)部顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)有所差異，造成PI導(dǎo)向 膜的材料在陣列基板的邊緣區(qū)域出現(xiàn)堆積現(xiàn)象，因此導(dǎo)致鄰近的顯示區(qū)域的PI導(dǎo)向膜的 厚度也偏厚；當(dāng)該液晶顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)，液晶顯示面板的邊緣部分（或陣列基板的邊 緣部分）容易出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，影響了液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0005] 故，有必要提供一種陣列基板及液晶顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及液晶顯示面板，以解決現(xiàn)有的液晶顯示面 板的陣列基板的邊緣區(qū)域上的導(dǎo)向膜易出現(xiàn)堆積現(xiàn)象，從而導(dǎo)致液晶顯示面板的邊緣部分 容易出現(xiàn)漏光現(xiàn)象的技術(shù)問(wèn)題。
[0007] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：
[0008] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，設(shè)置在相應(yīng)的液晶顯示面板中，其中所述陣列 基板包括：
[0009] 數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；
[0010] 掃描線，用于傳輸掃描信號(hào)；
[0011] 像素電極，用于接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)；
[0012] 薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于根據(jù)所述掃描信號(hào)，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送至所述像素電 極；
[0013] 公共線，為網(wǎng)格狀圖案的金屬線，用于傳輸公共信號(hào)，以及
[0014] 導(dǎo)向膜，設(shè)置在所述陣列基板的表面，用于使得液晶分子形成預(yù)傾角；
[0015] 其中所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、所述像素電極以及所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置在 所述陣列基板的中間的顯示區(qū)域；所述公共線設(shè)置在所述陣列基板的邊緣的非顯示區(qū)域； 所述導(dǎo)向膜設(shè)置在所述陣列基板的所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域。
[0016] 在本發(fā)明所述的陣列基板中，所述公共線的寬度為400微米至600微米，所述公共 線中的網(wǎng)格的寬度為4微米至10微米。
[0017] 在本發(fā)明所述的陣列基板中，所述公共線的材料為金屬鋁。
[0018] 在本發(fā)明所述的陣列基板中，所述公共線中的厚度為80納米至120納米。
[0019] 在本發(fā)明所述的陣列基板中，所述導(dǎo)向膜的厚度為100納米至200納米。
[0020] 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示面板，其包括：陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在 所述陣列基板以及彩膜基板之間的液晶層；
[0021] 其中所述陣列基板包括：
[0022] 數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；
[0023] 掃描線，用于傳輸掃描信號(hào)；
[0024] 像素電極，用于接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)；
[0025] 薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于根據(jù)所述掃描信號(hào)，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送至所述像素電 極；
[0026] 公共線，為網(wǎng)格狀圖案的金屬線，用于傳輸公共信號(hào)，以及
[0027] 導(dǎo)向膜，設(shè)置在所述陣列基板的表面，用于使得液晶分子形成預(yù)傾角；
[0028] 其中所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、所述像素電極以及所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置在 所述陣列基板的中間的顯示區(qū)域；所述公共線設(shè)置在所述陣列基板的邊緣的非顯示區(qū)域； 所述導(dǎo)向膜設(shè)置在所述陣列基板的所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域。
[0029] 在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述公共線的寬度為400微米至600微米，所述 公共線中的網(wǎng)格的寬度為4微米至10微米。
[0030] 在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述公共線的材料為金屬鋁。
[0031] 在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述公共線中的厚度為80納米至120納米。
[0032] 在本發(fā)明所述的液晶顯示面板中，所述導(dǎo)向膜的厚度為100納米至200納米。
[0033] 相較于現(xiàn)有的陣列基板及液晶顯示面板，本發(fā)明的陣列基板及液晶顯示面板通過(guò) 設(shè)置網(wǎng)格狀圖案的公共線，使得導(dǎo)向膜不易在陣列基板的邊緣區(qū)域出現(xiàn)堆積現(xiàn)象；解決了 現(xiàn)有的液晶顯示面板的陣列基板的邊緣區(qū)域上的導(dǎo)向膜易出現(xiàn)堆積現(xiàn)象，從而導(dǎo)致液晶顯 示面板的邊緣部分容易出現(xiàn)漏光現(xiàn)象的技術(shù)問(wèn)題。
[0034] 為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作 詳細(xì)說(shuō)明如下：
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0035] 圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板所在的液晶顯示面板按圖1的A-A'截面線的截面圖；
[0037] 圖3為本發(fā)明的陣列基板的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038] 以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施 例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè) 面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用 以限制本發(fā)明。
[0039] 在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
[0040] 請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖2,圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為現(xiàn)有技術(shù)的陣列 基板所在的液晶顯示面板按圖1的A-A'截面線的截面圖。為了說(shuō)明的需要，圖中部分部件 的尺寸進(jìn)行了相應(yīng)的調(diào)整，并對(duì)部分現(xiàn)有技術(shù)中未做改進(jìn)的部件未進(jìn)行顯示。
[0041] 該液晶顯示面板10包括彩膜基板11、陣列基板12以及設(shè)置在陣列基板12和彩膜 基板11之間的液晶層13。該陣列基板12包括陣列基板襯底121、數(shù)據(jù)線122、掃描線123、 像素電極124、薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管125、公共線126以及陣列基板側(cè)導(dǎo)向膜127。該彩膜基板 11包括彩膜基板襯底111、各色色阻112以及彩膜側(cè)導(dǎo)向膜113。液晶層13通過(guò)框膠14密 閉在陣列基板12和彩膜基板11之間的容納空間內(nèi)。其中數(shù)據(jù)線122用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)； 掃描線123用于傳輸掃描信號(hào)；像素電極124用于接收數(shù)據(jù)信號(hào)；薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管125用 于根據(jù)掃描信號(hào)，將數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送至像素電極124 ;公共線126為實(shí)心金屬線或?qū)嵭谋∧?dǎo) 線，用于傳輸公共信號(hào)；陣列基板側(cè)導(dǎo)向膜127設(shè)置在陣列基板的表面，用于使得液晶層13 中的液晶分子形成預(yù)傾角。
[0042] 數(shù)據(jù)線122、掃描線123、像素電極124以及薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管125設(shè)置在陣列基 板12的中間的顯示區(qū)域，公共線126設(shè)置在陣列基板12的邊緣的非顯示區(qū)域，陣列基板側(cè) 導(dǎo)向膜127設(shè)置在陣列基板12的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域（及陣列基板側(cè)導(dǎo)向膜127設(shè)置 在整個(gè)陣列基板12上）。
[0043] 現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板12制作時(shí)，如圖1和圖2所示，首先在陣列基板12的陣列基 板襯底121上制作數(shù)據(jù)線122、掃描線123、薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管125、像素電極124以及公共 線126 ;然后在整個(gè)陣列基板12的表面上涂布陣列基板側(cè)導(dǎo)向膜127 (即PI導(dǎo)向膜），由于 位于陣列基板12的邊緣區(qū)域設(shè)置有公共線126 (實(shí)心金屬線），因此陣列基板側(cè)導(dǎo)向膜127 在此處的擴(kuò)散會(huì)被公共線126阻擋，造成陣列基板12的邊緣區(qū)域的陣列基板側(cè)導(dǎo)向膜127 偏厚，進(jìn)而導(dǎo)致相鄰的顯示區(qū)域的陣列基板側(cè)導(dǎo)向膜127的厚度也偏厚（大致為200納米 至300納米），從而液晶顯示面板10的邊緣部分容易出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，影響液晶顯示裝置的顯 不品質(zhì)。
[0044] 請(qǐng)參照?qǐng)D3,圖3為本發(fā)明的陣列基板的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本優(yōu)選實(shí)施例 的陣列基板32包括陣列基板襯底（圖中未示出）、數(shù)據(jù)線321、掃描線322、像素電極323、 薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管324、公共線325以及導(dǎo)向膜（圖中未示出）。數(shù)據(jù)線321用于傳輸數(shù)據(jù) 信號(hào)；掃描線322用于傳輸掃描信號(hào)；像素電極323用于接收數(shù)據(jù)信號(hào)；薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 324用于根據(jù)掃描信號(hào)，將數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送至像素電極323 ;公共線325為網(wǎng)格狀圖案的金屬 線，用于傳輸公共信號(hào)；導(dǎo)向膜設(shè)置在陣列基板32的表面，用于使得液晶分子形成預(yù)傾角。
[0045] 其中數(shù)據(jù)線321、掃描線322、像素電極323、薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管324設(shè)置在陣列基 板32的中間的顯示區(qū)域，公共線325設(shè)置在陣列基板32的邊緣的非顯示區(qū)域，導(dǎo)向膜設(shè)置 在陣列基板32的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。
[0046] 本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板32制作時(shí)，如圖3所示，首先在陣列基板32的陣列基板 襯底上制作數(shù)據(jù)線321、掃描線322、薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管324、像素電極323以及公共線325 ; 然后在整個(gè)陣列基板32的表面上涂布導(dǎo)向膜（即PI導(dǎo)向膜）。當(dāng)導(dǎo)向膜擴(kuò)散至陣列基板 32的具有公共線325的區(qū)域時(shí)，由于公共線325為網(wǎng)格狀圖案的金屬線，導(dǎo)向膜較容易在公 共線325上進(jìn)行擴(kuò)散，從而使得陣列基板32的邊緣區(qū)域（非顯示區(qū)域）的導(dǎo)向膜的厚度不 會(huì)過(guò)厚，相鄰的顯示區(qū)域的導(dǎo)向膜的厚度也會(huì)和陣列基板32的中間的顯示區(qū)域的導(dǎo)向膜 的厚度差異較小，避免了液晶顯示面板的邊緣部分的漏光現(xiàn)象的產(chǎn)生，提升了液晶顯示裝 置的顯示品質(zhì)。
[0047] 優(yōu)選的，本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板32中的公共線325的材料為金屬鋁，公共線325 的寬度為400微米至600微米，公共線325中網(wǎng)格的寬度為4微米至10微米（常用的導(dǎo)向 膜材料的顆粒均小于該網(wǎng)格的尺寸），公共線325的厚度為80納米至120納米，這樣陣列 基板32的邊緣的非顯示區(qū)域（公共線325的設(shè)置區(qū)域）處的導(dǎo)向膜的厚度為150納米至 200納米，陣列基板32的中間的顯示區(qū)域處的導(dǎo)向膜的厚度為100納米至150納米（現(xiàn)有 的陣列基板的非顯示區(qū)域的導(dǎo)向膜的厚度為200納米至300納米），從而使得陣列基板32 的邊緣顯示區(qū)域的導(dǎo)向膜和陣列基板32的中間顯示區(qū)域的導(dǎo)向膜的厚度差異較小，很好 的避免了液晶顯示面板的邊緣部分的漏光現(xiàn)象的產(chǎn)生，提升了液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。 [0048] 本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板以及 設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。該陣列基板包括數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、薄 膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管、公共線以及導(dǎo)向膜。數(shù)據(jù)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；掃描線用于傳輸掃描信 號(hào)；像素電極用于接收數(shù)據(jù)信號(hào)；薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管用于根據(jù)掃描信號(hào)，將數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送 至像素電極；公共線為網(wǎng)格狀圖案的金屬線，用于傳輸公共信號(hào)；導(dǎo)向膜設(shè)置在陣列基板 的表面，用于使得液晶分子形成預(yù)傾角。
[0049] 其中數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置在陣列基板的中間的顯示 區(qū)域，公共線設(shè)置在陣列基板的邊緣的非顯示區(qū)域，導(dǎo)向膜設(shè)置在陣列基板的顯示區(qū)域和 非顯示區(qū)域。
[0050] 本發(fā)明的液晶顯示面板的具體工作原理與上述的陣列基板的優(yōu)選實(shí)施例中的相 關(guān)描述相同或相似，具體請(qǐng)參見(jiàn)上述陣列基板的優(yōu)選實(shí)施例中的相關(guān)描述。
[0051] 本發(fā)明的陣列基板及液晶顯示面板通過(guò)設(shè)置網(wǎng)格狀圖案的公共線，使得導(dǎo)向膜不 易在陣列基板的邊緣區(qū)域出現(xiàn)堆積現(xiàn)象；解決了現(xiàn)有的液晶顯示面板的陣列基板的邊緣區(qū) 域上的導(dǎo)向膜易出現(xiàn)堆積現(xiàn)象，從而導(dǎo)致液晶顯示面板的邊緣部分容易出現(xiàn)漏光現(xiàn)象的技 術(shù)問(wèn)題。
[0052] 綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限 制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn) 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，設(shè)置在相應(yīng)的液晶顯示面板中，其特征在于，所述陣列基板包括： 數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)； 掃描線，用于傳輸掃描信號(hào)； 像素電極，用于接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)； 薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于根據(jù)所述掃描信號(hào)，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送至所述像素電極； 公共線，為網(wǎng)格狀圖案的金屬線，用于傳輸公共信號(hào)，以及 導(dǎo)向膜，設(shè)置在所述陣列基板的表面，用于使得液晶分子形成預(yù)傾角； 其中所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、所述像素電極以及所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置在所述 陣列基板的中間的顯示區(qū)域；所述公共線設(shè)置在所述陣列基板的邊緣的非顯示區(qū)域；所述 導(dǎo)向膜設(shè)置在所述陣列基板的所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共線的寬度為400微米至600 微米，所述公共線中的網(wǎng)格的寬度為4微米至10微米。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共線的材料為金屬鋁。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共線中的厚度為80納米至 120納米。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)向膜的厚度為100納米至200 納米。
6. -種液晶顯示面板，其特征在于，包括：陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在所述陣列基 板以及彩膜基板之間的液晶層； 其中所述陣列基板包括： 數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)； 掃描線，用于傳輸掃描信號(hào)； 像素電極，用于接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)； 薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于根據(jù)所述掃描信號(hào)，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送至所述像素電極； 公共線，為網(wǎng)格狀圖案的金屬線，用于傳輸公共信號(hào)，以及 導(dǎo)向膜，設(shè)置在所述陣列基板的表面，用于使得液晶分子形成預(yù)傾角； 其中所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、所述像素電極以及所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置在所述 陣列基板的中間的顯示區(qū)域；所述公共線設(shè)置在所述陣列基板的邊緣的非顯示區(qū)域；所述 導(dǎo)向膜設(shè)置在所述陣列基板的所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述公共線的寬度為400微米至 600微米，所述公共線中的網(wǎng)格的寬度為4微米至10微米。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述公共線的材料為金屬鋁。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述公共線中的厚度為80納米 至120納米。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述導(dǎo)向膜的厚度為100納米 至200納米。
【文檔編號(hào)】G02F1/1337GK104122727SQ201410366182
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月29日
【發(fā)明者】李厚斌, 黃宇吾 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司