電泳裝置、電泳裝置的制造方法以及電子設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠抑制顯示品質下降的電泳裝置、電泳裝置的制造方法以及電子設備。該電泳裝置具有：電泳層(33)，其配置于元件基板(51)與對向基板(52)之間并具有分散有電泳微粒的分散介質(15)；分隔壁(35)，其將電泳層(33)劃分為多個單元；密封件(14a、14b)，其將元件基板(51)與對向基板(52)接合并配置成包圍電泳層(33)；和不含粘接材料的密封膜(62)，其至少配置于分隔壁(35)與對向基板(52)之間；其中，分隔壁(35)的頂部咬入密封膜(62)。
【專利說明】電泳裝置、電泳裝置的制造方法以及電子設備
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電泳裝置、電泳裝置的制造方法以及電子設備。
【背景技術】
[0002]在上述電泳裝置中，通過向夾著電泳材料而相對的像素電極與共用電極之間附加電壓、使帶電的黑色微粒和/或白色微粒等電泳微粒在空間中移動，從而在顯示區(qū)域形成圖像。作為電泳裝置，已知例如通過分隔壁將一對基板間劃分為多個空間并在各空間內封入有包含電泳微粒以及分散液的電泳分散液的結構的電泳裝置。
[0003]關于電泳裝置，公開了例如專利文獻I所記載的那樣，為了無間隙地將電泳分散液(電泳墨液)密封于單元內部而使分隔壁的頂部咬入粘接于基板的粘接層以提高密封性的技術。
[0004]專利文獻1:日本特開2013-41036號公報
[0005]然而，在如專利文獻I那樣通過粘接劑將分隔壁的頂部與基板粘接了的情況下，電泳微?？謺街谡辰觿?、顯示品質下降。
【發(fā)明內容】
[0006]本發(fā)明的實施方式為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或應用例來實現。
[0007](應用例I)本應用例涉及的電泳裝置，其特征在于，具有--第I基板；第2基板，其與所述第I基板相對地配置；電泳層，其配置于所述第I基板與所述第2基板之間且具有分散有電泳微粒的分散介質；分隔壁，其將所述電泳層劃分為多個單元；密封件，其將所述第I基板與所述第2基板接合并配置成包圍所述電泳層；和密封膜，其至少配置于所述分隔壁與所述第2基板之間；所述分隔壁的頂部咬入所述密封膜。
[0008]根據本應用例，分隔壁的頂部配置于不含粘接材料的密封膜之中，所以能夠防止在頂部與密封膜(換而言之、是第2基板)之間出現間隙，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動。另外，密封膜由粘接力低的密封膜形成，所以能夠防止電泳微粒附著于密封膜，能夠抑制顯示品質下降。
[0009](應用例2)在上述應用例涉及的電泳裝置中，優(yōu)選:所述密封膜不含粘接材料。
[0010]根據本應用例，密封膜不含粘接材料，所以能夠防止雜質從密封膜向分散介質分散、雜質附著于電泳微粒。由此，能夠不會給電泳微粒的遷移性造成影響地抑制顯示品質下降。
[0011](應用例3)在上述應用例涉及的電泳裝置中，優(yōu)選:所述電泳層的顯示區(qū)域的大小為一條邊為55mm以下的大小。
[0012]根據本應用例，以具有55mm以下的顯示區(qū)域的電泳裝置為對象，所以即使在分隔壁的頂部的高度產生制造偏差并且/或者基板撓曲，也能夠使頂部咬入密封膜，能夠防止在密封膜與分隔壁之間出現間隙。
[0013](應用例4)在上述應用例涉及的電泳裝置中，優(yōu)選:在所述顯示區(qū)域的周圍具有無助于顯示的虛設像素區(qū)域；所述密封膜的端部俯視與所述虛設像素區(qū)域重疊。
[0014]根據本應用例，密封膜的端部配置成俯視與虛設像素區(qū)域重疊，所以即使在密封膜的大小產生偏差，也能夠將端部配置于虛設像素區(qū)域的范圍之中，能夠抑制給顯示品質造成影響。
[0015](應用例5)本應用例涉及的電泳裝置，其特征在于:所述密封膜具有配置于所述分隔壁與所述第2基板之間的第I密封膜和配置于所述第I密封膜與所述分隔壁之間的第2密封膜；所述第I密封膜與所述第2密封膜的接觸面中的、俯視與所述分隔壁重疊的部分與俯視不與所述分隔壁重疊的部分相比，在剖視圖中位置靠所述第2基板側。
[0016]根據本應用例，分隔壁的頂部咬入第I密封膜以及第2密封膜之中，所以能夠防止在頂部與密封膜(第I密封膜、第2密封膜)之間出現間隙，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動。另外，將密封膜設為2層(第I密封膜、第2密封膜)，例如在不與分散介質接觸側配置第I密封膜(粘接性較高的材料)而在與分散介質接觸側配置第2密封膜，所以能夠防止電泳微粒附著于密封膜，能夠抑制顯示品質下降。
[0017](應用例6)在上述應用例涉及的電泳裝置中，優(yōu)選:所述第I密封膜的彈性模量為5MPa以上且40MPa以下；所述第2密封膜的彈性模量為50MPa以上且600MPa以下。
[0018]根據本應用例，通過如上所述那樣設定第I密封膜以及第2密封膜的彈性模量，能夠防止電泳微粒附著于第2密封膜。由此，能夠抑制顯示品質下降。
[0019](應用例7)在上述應用例涉及的電泳裝置中，優(yōu)選:所述第I密封膜的膜厚為2.5 μ m以上且7.5 μ m以下；所述第2密封膜的膜厚為0.05 μ m以上且0.5 μ m以下。
[0020]根據本應用例，通過如上所述那樣設定第I密封膜以及第2密封膜的膜厚，分隔壁的頂部咬入第I密封膜以及第2密封膜，所以能夠防止在頂部與密封膜(第I密封膜、第2密封膜)之間出現間隙，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動。
[0021](應用例8)在上述應用例涉及的電泳裝置中，優(yōu)選:添加到所述第I密封膜中的添加劑的量相對于所述第I密封膜的固形量為5wt%以上且50wt%以下。
[0022]根據本應用例，如上所述那樣添加添加劑而使其柔軟，所以能夠使分隔壁的頂部咬入第I密封膜以及第2密封膜，能夠防止在頂部與密封膜(第I密封膜、第2密封膜)之間出現間隙。其結果，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動。
[0023](應用例9)在上述應用例涉及的電泳裝置中，優(yōu)選:所述第I密封膜的體積電阻率為1Χ107Ω.Cm以上且5Χ1(ΓΩ.cm以下；所述第2密封膜的體積電阻率為I X 17 Ω.cm 以上且 2Χ10ηΩ.cm 以下。
[0024]根據本應用例，通過采用具有上述那樣的電阻的材料，能夠將電泳微粒的電泳性設在恰當的范圍內。
[0025](應用例10)本應用例涉及的電泳裝置的制造方法，其特征在于，包括:形成將第I基板上的顯示區(qū)域劃分成多個單元的分隔壁的步驟；在所述第I基板的所述顯示區(qū)域的周圍涂覆密封件的步驟；在與所述第I基板相對配置的第2基板上形成密封膜的步驟；向所述第I基板的所述顯示區(qū)域供給包含電泳微粒的分散介質的步驟；和經由所述密封件將所述第I基板與所述第2基板貼合，并使所述分隔壁的頂部咬入所述密封膜的步驟。
[0026]根據本應用例，分隔壁的頂部咬入不含粘接材料的密封膜之中，所以能夠防止在頂部與密封膜(換而言之、為第2基板)之間出現間隙，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動。另外，密封膜由粘接力低的密封膜形成，所以能夠防止電泳微粒附著于密封膜，能夠抑制顯示品質下降。
[0027](應用例11)在上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法中，優(yōu)選:所述密封膜由不含粘接材料的材料形成。
[0028]根據本應用例，密封膜不含粘接材料，所以能夠防止雜質從密封膜向分散介質分散、雜質附著于電泳微粒。由此，能夠不會給電泳微粒的遷移性造成影響地抑制顯示品質下降。
[0029](應用例12)在上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法中，優(yōu)選:關于將所述第I基板與所述第2基板貼合的步驟，一邊加熱所述密封膜一邊在比大氣壓低的壓力下進行貼八口 ο
[0030]根據本應用例，一邊加熱密封膜一邊在比大氣壓低的壓力下進行貼合，所以能夠使分隔壁的頂部咬入密封膜，另外能夠制造出無氣泡的面板。
[0031](應用例13)上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法，其特征在于:形成所述密封膜的步驟包括:在與所述第I基板相對配置的所述第2基板上形成所述第I密封膜的步驟；和以覆蓋所述第I密封膜的方式形成所述第2密封膜的步驟；在使所述分隔壁的頂部咬入所述密封膜的步驟中，使所述分隔壁的頂部咬入所述第I密封膜以及所述第2密封膜。
[0032]根據本應用例，分隔壁的頂部咬入第I密封膜以及第2密封膜之中，所以能夠防止在頂部與密封膜(第I密封膜、第2密封膜)之間出現間隙，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動。另外，將密封膜設為2層(第I密封膜、第2密封膜)，例如在不與分散介質接觸側形成第I密封膜而在與分散介質接觸側形成第2密封膜，所以即使用具有粘接性的材料形成第I密封膜，也能夠防止電泳微粒附著于密封膜，能夠抑制顯示品質下降。
[0033](應用例14)在上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法中，優(yōu)選:所述第2密封膜與所述第I密封膜相比較，膜厚薄、膜的硬度硬。
[0034]根據本應用例，第2密封膜的膜厚較薄也較硬，所以能夠使分隔壁咬入第2密封膜，并且能夠防止電泳微粒附著于第2密封膜。由此，能夠抑制顯示品質下降。
[0035](應用例15)在上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法中，優(yōu)選:所述第I密封膜的彈性模量為5MPa以上且40MPa以下；所述第2密封膜的彈性模量為50MPa以上且600MPa以下。
[0036]根據本應用例，通過如上所述那樣設定第I密封膜以及第2密封膜的彈性模量，能夠防止電泳微粒附著于第2密封膜。由此，能夠抑制顯示品質下降。
[0037](應用例16)在上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法中，優(yōu)選:所述第I密封膜的膜厚為2.5 μ m以上且7.5 μ m以下；所述第2密封膜的膜厚為0.05 μ m以上且0.5 μ m以下。
[0038]根據本應用例，柔軟的第I密封膜的厚度較厚而較硬的第2密封膜的膜厚較薄，所以能夠使分隔壁的頂部咬入第I密封膜以及第2密封膜，能夠防止在頂部與密封膜(第I密封膜、第2密封膜)之間出現間隙。其結果，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動，并且能夠抑制電泳微粒附著于密封膜。
[0039](應用例17)在上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法中，優(yōu)選:向所述第2密封膜的材料中添加使彈性模量降低的添加劑。
[0040]根據本應用例，向第2密封膜添加添加劑而使其變得柔軟，所以能夠使分隔壁的頂部咬入第I密封膜以及第2密封膜,能夠防止在頂部與密封膜(第I密封膜、第2密封膜)之間出現間隙。其結果，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動。
[0041](應用例18)在上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法中，優(yōu)選:添加到所述第I密封膜中的添加劑的量相對于所述第I密封膜的固形量為5wt%以上且50wt%以下。
[0042]根據本應用例，如上所述那樣添加添加劑而使其變得柔軟，所以能夠使分隔壁的頂部咬入第I密封膜以及第2密封膜，能夠防止在頂部與密封膜(第I密封膜、第2密封膜)之間出現間隙。其結果，能夠抑制分散介質向相鄰的單元移動。
[0043](應用例19)在上述應用例涉及的電泳裝置的制造方法中，優(yōu)選:所述第I密封膜的體積電阻率為IX 17 Ω.Cm以上且5 X 101° Ω.cm以下；所述第2密封膜的體積電阻率SlXlO7Q.cm 以上且 2Χ10ηΩ.cm 以下。
[0044]根據本應用例，通過采用具有上述那樣的電阻的材料，能夠良好地向一對電極間附加驅動電壓。
[0045](應用例20)本應用例涉及的電子設備，其特征在于，包括權利要求1至9中任一項所述的電泳裝置。
[0046]根據本應用例，包括上述的電泳裝置，所以能夠提供可抑制顯示品質下降的電子設備。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0047]圖1是搭載有第I實施方式的電泳裝置的電子設備的立體圖。
[0048]圖2是表示電泳裝置的電結構的等效電路圖。
[0049]圖3是表示電泳裝置的構造的模式俯視圖。
[0050]圖4是沿著圖3所示的電泳裝置的A-A’線的模式剖視圖。
[0051]圖5是表示電泳裝置中的密封膜以及密封部周邊的構造的模式俯視圖。
[0052]圖6是沿著圖5所示的電泳裝置的B-B’線的模式剖視圖。
[0053]圖7是放大表示圖5所示的電泳裝置的C部的放大俯視圖。
[0054]圖8是放大表示圖6所示的電泳裝置的E部的放大剖視圖。
[0055]圖9是按照步驟順序表示電泳裝置的制造方法的流程圖。
[0056]圖10是表示電泳裝置的制造方法中的部分步驟的模式剖視圖。
[0057]圖11是表示電泳裝置的制造方法中的部分步驟的模式剖視圖。
[0058]圖12是表示密封膜上的咬入量的溫度依存性的曲線圖。
[0059]圖13是表示電泳裝置(面板)的中央附近的移位量的曲線圖。
[0060]圖14是表示第2實施方式的電泳裝置的構造的模式俯視圖。
[0061]圖15是沿著圖14所示的電泳裝置的A-A’線的模式剖視圖。
[0062]圖16是表示電泳裝置中的密封膜以及密封部周邊的構造的模式俯視圖。
[0063]圖17是沿著圖16所示的電泳裝置的B-B’線的模式剖視圖。
[0064]圖18是放大表示圖16所示的電泳裝置的C部的放大俯視圖。
[0065]圖19是放大表示圖17所示的電泳裝置的F部的放大剖視圖。
[0066]圖20是按照步驟順序表示電泳裝置的制造方法的流程圖。
[0067]圖21是表示電泳裝置的制造方法中的一部分的步驟的模式剖視圖。
[0068]圖22是表示電泳裝置的制造方法中的一部分的步驟的模式剖視圖。
[0069]附圖標記說明
[0070]10…電泳裝置，1L...像素，12…數據線，13…掃描線，14…密封部，
[0071]14a...第I密封件，14b...第2密封件，15…分散介質，
[0072]16...TFT (晶體管)，21...像素電極,22...共用電極,31...第I基材，
[0073]32…第I絕緣層,33...電泳層,34...電泳微粒,35、35a...分隔壁，
[0074]35’…頂部，36...單元，41...第2基材，42...第2絕緣膜，
[0075]51…作為第I基板的元件基板，52...作為第2基板的對向基板，
[0076]61…框緣分隔壁，62...密封膜，62a…端部，62b…凹部，62c…凸部，
[0077]100…電子設備，110…操作部，210…電泳裝置，211…像素，
[0078]212…數據線，213…掃描線，214…密封部，214a…第I密封件，
[0079]214b…第2密封件，215…分散介質，216…TFT (晶體管)，
[0080]221…像素電極，222...共用電極，231...第I基材，232…第I絕緣層，
[0081]233…電泳層，234…電泳微粒,235、235a...分隔壁,235’…頂部，
[0082]236…單元，241…第2基材，242…密封膜，242a…第I密封膜，
[0083]242b…第2密封膜，251…作為第I基板的元件基板，
[0084]252…作為第2基板的對向基板，261…框緣分隔壁。
【具體實施方式】
[0085]以下，根據附圖對將本發(fā)明具體化了的實施方式進行說明。另外，使用的附圖為了說明的部分成為能夠識別的狀態(tài)而適當地放大或者縮小地圖示。
[0086]另外，在以下的方式中，例如記載為“在基板上”的情況表示接觸地配置在基板上的情況，或者經由其他構成物而配置在基板上的情況，或者一部分接觸地配置在基板上而一部分經由其他構成物而配置的情況。
[0087](第I實施方式)
[0088]<電子設備的結構>
[0089]圖1是搭載有電泳裝置的電子設備的立體圖。以下，一邊參照圖1 一邊對電子設備的結構進行說明。
[0090]如圖1所示，電子設備100包括電泳裝置10和用于操作電子設備100的接口。所謂接口具體地說為操作部110，其包括開關等。
[0091]電泳裝置10為具有顯示區(qū)域E的顯示模塊。顯示區(qū)域E包括多個像素，通過電控制這些像素而在顯示區(qū)域E顯示圖像。
[0092]另外，作為包括電泳裝置10的電子設備100，也可以應用于電子紙(EH):Electronic Paper Display)、手表、可穿戴設備等。
[0093]<電泳裝置的電結構>
[0094]圖2是表示電泳裝置的電結構的等效電路圖。以下，一邊參照圖2 —邊對電泳裝置的電結構進行說明。
[0095]如圖2所示，電泳裝置10具有多條數據線12和多條掃描線13，在數據線12與掃描線13相交叉的部分配置有像素11。具體地說，電泳裝置10具有沿著數據線12與掃描線13配置成矩陣狀的多個像素11。各像素11具有配置于像素電極21與共用電極22之間且包含電泳微粒的分散介質15。
[0096]像素電極21經由晶體管16(TFT16)連接于數據線12。另外，TFT16的柵電極連接于掃描線13。另外，圖2為例示，也可以根據需要而組裝入保持電容器等其他元件。
[0097]<電泳裝置的構造>
[0098]圖3是表示電泳裝置的構造的模式俯視圖。圖4是沿著圖3所示的電泳裝置的A-A’線的模式剖視圖。以下，一邊參照圖3以及圖4 一邊對電泳裝置的構造進行說明。
[0099]如圖3以及圖4所示，電泳裝置10具有作為第I基板的元件基板51、作為第2基板的對向基板52和電泳層33。在構成兀件基板51的、包括例如有透光性的玻璃基板的第I基材31上,按每個像素11配置有像素電極21。
[0100]如果詳細敘述，則如圖3以及圖4所示，像素11 (像素電極21)例如形成為俯視為矩陣狀。作為像素電極21的材料,例如可使用ITO(添加了錫的氧化銦:Indium Tin Oxide)等透光性材料。
[0101]在第I基材31與像素電極21之間，設有未圖示的電路部，在電路部之中形成有TFT16等。TFT16經由未圖示的接觸部與各像素電極21電連接。另外，未圖示，但在電路部之中，除TFT16外還配置有各種布線(例如，數據線12和/或掃描線13等)和/或元件(例如，電容元件)等。在包含像素電極21的第I基材31的整個面上，形成有第I絕緣層32。另外，也可以是不設置第I絕緣層32的結構。
[0102]在構成對向基板52的、包括例如有透光性的玻璃基板的第2基材41上，形成有相對于多個像素11共用設置的共用電極22。作為共用電極22，例如使用ITO等透光性材料。在共用電極22的整個面上形成有第2絕緣層42。另外，也可以是不設置第2絕緣層42的結構。
[0103]在第I絕緣層32與第2絕緣層42之間設有電泳層33。構成電泳層33的分散有至少I個以上的電泳微粒34的分散介質15，填充于由第I絕緣層32、第2絕緣層42和設置于第I基材31上的分隔壁35(肋)分隔出的空間。如圖3所示，分隔壁35形成為棋盤格狀。另外，分隔壁35優(yōu)選為透光性材料(丙烯和/或環(huán)氧樹脂等)。分隔壁35的厚度例如為5μηι。在本實例中，按每個像素11配置有像素電極21,按每個像素電極21配置有上述分隔壁35 (肋)，但并不限定于此，也可以按每多個像素例如每2?20像素而形成有分隔壁(肋)。
[0104]另外，在兀件基板51與對向基板52貼合后，通過分隔壁35的上部與對向基板52 (具體地說是密封膜62)接觸，能夠以分隔壁35的高度為基準來確定元件基板51與對向基板52之間的單元間距。
[0105]在圖4中，作為電泳微粒34示出了白色微粒與黑色微粒。例如，如果向像素電極21與共用電極22之間附加電壓，則按照在它們之間產生的電場，電泳微粒34向某一電極(像素電極21、共用電極22)電泳。例如，在白色微粒具有正電荷的情況下，如果將像素電極21設為負電位，則白色微粒向像素電極21側(下側)移動并聚集，成為黑顯示。
[0106]相反地，如果將像素電極21設為正電位，則白色微粒向共用電極22側(上側)移動并聚集，成為白顯示。這樣，與在顯示側的電極集合的白色微粒的有無和/或數量等相應地，顯示所希望的信息(圖像)。另外，雖然在這里作為電泳微粒34使用了白色微粒和/或黑色微粒，但也可以使用其他的有色微粒。
[0107]另外，作為電泳微粒34能夠使用無機顏料系的微粒、有機顏料系的微粒或者高分子微粒等，也可以將2種以上各種微?；旌鲜褂?。電泳微粒34的直徑采用例如0.05 μ m?10 μ m左右的，優(yōu)選采用0.2μπ--2μπ?左右的。
[0108]另外，白色微粒的含有量，相對于分散介質15、白色微粒、黑色微粒的全部重量為30%以內，黑色微粒的含有量相對于分散介質15、白色微粒、黑色微粒的全部重量為10%以內。通過這樣分配，反射率變?yōu)?0%以上，黑色反射率變?yōu)?%以下，能夠提高顯示性能。
[0109]在本實施方式中，作為分散介質15，使用在_30°C左右的溫度下電泳微粒34仍能夠移動的娃油(silicone oil)。但是,另一方面,娃油的分子的表面由甲基覆蓋,所以表面能量低、聚合力低，因此附著于密封件14a、14b，由此也使由密封件14a、14b實現的粘接強度顯著下降。硅油的粘度例如為1cP以下。硅油為低粘度溶劑，所以即使在例如-30°C左右的低溫下，電泳微粒也能夠以500ms以下的速度在電極間遷移。
[0110]另外，以下將由分隔壁35包圍的區(qū)域稱為單元36。一個單元36包含像素電極21、共用電極22和電泳層33。
[0111]<密封膜以及密封部周邊的構造>
[0112]圖5是表示電泳裝置中的密封膜以及密封部周邊的構造的模式俯視圖。圖6是沿著圖5所示的電泳裝置的B-B ’線的模式剖視圖。圖7是放大表示圖5所示的電泳裝置的C部的放大俯視圖。圖8是放大表示圖6所示的電泳裝置的E部的放大剖視圖。以下，一邊參照圖5?圖8一邊對電泳裝置中的密封膜以及密封部周邊的構造進行說明。另外，將絕緣層和/或布線、電極等的圖示省略。
[0113]如圖5以及圖6所示，電泳裝置10以包圍顯示區(qū)域E的方式具有框緣區(qū)域E1。在框緣區(qū)域El中包含:無助于電泳層33中的顯示的區(qū)域即虛設像素區(qū)域D ;配置于虛設像素區(qū)域D的外側的框緣分隔壁61 ;和配置于框緣分隔壁61的外側的密封部14?？蚓墔^(qū)域El的寬度例如為Imm左右。
[0114]虛設像素區(qū)域D的寬度例如為30 μ m。在虛設像素區(qū)域D的顯示區(qū)域E側，設有以與配置于顯示區(qū)域E的分隔壁35相同的形狀所形成的分隔壁35a。分隔壁的肋寬度(頂部35’的寬度)在本實施方式中為5μηι。相鄰的分隔壁與分隔壁的距尚例如為150μηι。
[0115]在虛設像素區(qū)域D的外側設有框緣分隔壁61。框緣分隔壁61能夠圍堵以使得分散介質15不向外側流出，并且用于調整單元間距，并配置成包圍虛設像素區(qū)域D。另外，框緣分隔壁61含有與顯示區(qū)域E的分隔壁35相同的材料。
[0116]框緣分隔壁61的寬度Wl例如為150 μ m?？蚓壏指舯?1的厚度例如為10 μ m?50 μ m的范圍,在本實施方式中設為30 μ m。另外,框緣分隔壁61用于使相鄰配置的第I密封件14a不在顯示區(qū)域E露出。
[0117]密封部14具有第I密封件14a和第2密封件14b。第I密封件14a在將元件基板51與對向基板52貼合時用于粘接，并設置成包圍框緣分隔壁61。第I密封件14a的寬度W2例如為400 μ m。第I密封件14a的粘度例如為30萬Pa.s?100萬Pa.S。優(yōu)選為40萬Pa.s左右。通過使用這樣的粘度的第I密封件14a，在貼合時，能夠確保元件基板51與對向基板52的接觸面積。
[0118]第2密封件14b用于將元件基板51與對向基板52之間密封，并配置成包圍第I密封件14a。第2密封件14b的寬度W3例如為400 μ m。第2密封件14b的粘度例如為10Pa.s?500Pa.S。優(yōu)選為400Pa.s左右。通過使用這樣粘度的第2密封件14b，能夠進入第I密封件14a周圍的元件基板51與對向基板52之間，能夠提高第2密封件14b的粘接強度。
[0119]另外，能夠抑制水分從外部經由第2密封件14b以及第I密封件14a進入內部，能夠得到高可靠性的密封構造。
[0120]如圖6以及圖8所示，至少在顯示區(qū)域E上的分隔壁35的頂部35’與對向基板52之間設有密封膜62,該密封膜62用于使分散介質15和/或電泳微粒34無法在相鄰的單元36與單元36之間往來。具體地說，密封膜62的材料只要使具有熱塑性、透光率高且電阻為IXlO12以下的材料即可，例如，可由PVA(聚乙烯醇)等透明樹脂制成。另外，密封膜62不具有粘接性(粘接材料)。如圖8所示，分隔壁35的頂部35’咬入密封膜62。
[0121]在作為形成密封膜62的材料使用粘接劑的情況下，通過使粘接層所含的粘接劑(例如，沒有完全固化的反應性單體等雜質)分散于分散液之中，粘接劑附著于分散液所含的電泳微粒，具有給電泳微粒34的遷移性造成影響的危險。在本實施方式中，使用幾乎沒有這樣的添加劑的材料形成密封膜62，所以也能夠減輕這樣的不良。
[0122]作為PVA以外的材料，能夠使用例如聚氧乙烯、丙烯腈苯乙烯等。另外，也可以使用丙烯腈丁二烯橡膠等合成橡膠。
[0123]如圖8所示，密封膜62的厚度tl只要為不妨礙電場的程度即可，例如為3μ m?5μπι。分隔壁35咬入密封膜62的咬入量t2例如為Iym?2μπι。另外，密封膜62的界面強度弱。例如，分隔壁35的頂部35’與密封膜62、或者密封膜62與對向基板52之間的粘接力為用0.1N?IN左右的力可剝離的程度的粘接力。由此，如果在對向基板52與密封部14(第I密封件14a、第2密封件14b)之間配置有密封膜62，則對向基板52被剝離，所以密封膜62與密封部14配置成俯視不重疊。
[0124]另外，如圖8所示，分隔壁35的頂部35’咬入密封膜62的部分形成為凹凸狀，密封膜62的凹部62b與分隔壁35的頂部35’嵌合。在密封膜62中供嵌合的凹部62b的周圍以包圍分隔壁35的方式形成有凸部62c。由于分隔壁35的頂部35’嵌合于由該凸部62c以及凹部62b構成的槽，即使密封膜62的厚度薄到5 μ m,也能夠增大嵌合的深度，能夠抑制在密封膜62 (換而言之為對向基板52)與分隔壁35之間產生間隙。其結果，能夠抑制分散介質15向相鄰的單元36流動。
[0125]如圖6以及圖7所示，密封膜62的端部62a例如配置于顯示區(qū)域E的最外周的分隔壁35a與框緣分隔壁61之間即虛設像素區(qū)域D的范圍。密封膜62形成為下述大小:t匕顯示區(qū)域E大一圈，即使在大小上產生偏差，端部62a也不會進入顯示區(qū)域E。以下，對電泳裝置10的制造方法進行說明。
[0126]<電泳裝置的制造方法>
[0127]圖9是按步驟順序表示電泳裝置的制造方法的流程圖。圖10以及圖11是表示電泳裝置的制造方法中的部分步驟的模式剖視圖。以下，一邊參照圖9?圖11 一邊對電泳裝置的制造方法進行說明。
[0128]首先一邊參照圖9 一邊對元件基板51的制造方法進行說明。在步驟Sll中，在含有玻璃等透光性材料的第I基材31上形成TFT16和/或含有ITO等透光性材料的像素電極21等。具體地說，使用周知的成膜技術、光刻技術以及蝕刻技術，在第I基材31上形成TFT16以及像素電極21等。另外，在以后的利用剖視圖的說明中，將TFT16和/或像素電極21等的說明以及圖示省略。
[0129]在步驟S12中，在第I基材31上形成第I絕緣層32。作為第I絕緣層32的制造方法，例如能夠通過下述方法形成:在第I基材31上使用旋轉涂覆法等涂覆絕緣性材料，然后使絕緣性材料干燥。
[0130]在步驟S13中，如圖10(a)所示，在第I基材31 (具體地說是第I絕緣層32)上形成分隔壁35。具體地說，同時形成顯示區(qū)域E的分隔壁35、顯示區(qū)域E的最外周的分隔壁35a和設置于分隔壁35a外側的框緣分隔壁61。分隔壁35、35a和框緣分隔壁61能夠使用例如周知的成膜技術、光刻技術以及蝕刻技術而形成。
[0131]這樣，通過用相同的材料同時形成分隔壁35、35a和框緣分隔壁61，由此能夠高效地制造。通過以上步驟，制成了元件基板51。
[0132]分隔壁35含有不溶解于分散介質15的材質，其材質不論有機物或無機物都可以。具體地說，作為有機物材料的例子可列舉:氨基甲酸乙酯樹脂、脲醛樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、硅酮樹脂、丙烯硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、苯乙烯丙烯酸酯樹脂、聚烯烴樹月旨、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、偏氯乙烯樹脂、密胺樹脂、苯酚樹脂、氟系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚砜樹脂、聚醚樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等。使用這些樹脂單體或二種以上的復合劑。
[0133]接下來，對對向基板52的制造方法進行說明。在步驟S21中，在第2基材41上形成共用電極22。具體地說，在含有玻璃基板等透光性材料的第2基材41的整個面上，使用周知的成膜技術形成共用電極22。
[0134]在步驟S22中，在共用電極22上形成第2絕緣層42。作為第2絕緣層42的形成方法，例如能夠采用與上述的第I絕緣層32同樣的方法。
[0135]在步驟S23中，如圖10(b)所示，在第2絕緣層42上形成密封膜62。作為密封膜62的材料，如上所述為無粘接性的PVA(聚乙烯醇)等。密封膜62的形成方法采用涂覆法和/或印刷法等。通過以上步驟，制成了對向基板52。
[0136]接下來，一邊參照圖9?圖11 一邊對將元件基板51與對向基板52貼合的方法進行說明。
[0137]首先，在步驟S31中，如圖10(c)所示，在大氣中，在框緣分隔壁61的外周涂覆第I密封件14a。第I密封件14a的材料例如為作為粘度比較高的I液型環(huán)氧樹脂的力氣卜口 > (商品名)。第I密封件14a的粘度例如為30萬Pa.s?100萬Pa.S，優(yōu)選為40萬Pa.S。涂覆后的第I密封件14a的寬度為可耐真空的程度的寬度,例如為150 μ m。
[0138]在步驟S32中，如圖10(d)所示，向元件基板51上的顯示區(qū)域E涂覆由具有電泳微粒34(白色微粒、黑色微粒)的硅油制成的分散介質15。作為涂覆方法例如使用分配器來涂覆。另外，也能夠應用刮刀涂覆機(die coater)等。娃油的粘度例如為1cP以下。分散介質15的量為在元件基板51與對向基板52貼合時、填滿由框緣分隔壁61包圍的空間的液量。框緣分隔壁61的聞度例如為10 μ m?50 μ m。
[0139]另外，通過形成有框緣分隔壁61，能夠防止第I密封件14a進入(擴展)到顯示區(qū)域E側。另外，能夠將第I密封件14a的寬度限制得不比預定的寬度寬。由此，能夠確保第I密封件14a的強度。
[0140]在步驟S33中，如圖11(e)所示，開始元件基板51與對向基板52的貼合。另外，為了防止氣泡混入單元36內，在真空負壓環(huán)境下按壓而貼合。但是，硅油的揮發(fā)性高，所以要設為比大氣壓低的低真空的狀態(tài)。壓力例如為500Pa。
[0141]另外，在貼合時，通過預先加熱密封膜62能夠調整分隔壁35的頂部35’的咬入量。另外，貼合時的密封膜62的溫度為50°C?60°C。求出密封膜62的加熱溫度的方法后述。
[0142]作為加熱密封膜62的方法，首先，在加熱了的熱板上載置具備密封膜62的對向基板52。然后，對密封膜62加熱使其成為柔軟的狀態(tài)。
[0143]在步驟S34中，如圖11(f)所示，在元件基板51與對向基板52之間密封(第I密封)分散介質15。即，在低真空的狀態(tài)下，經由第I密封件14a將兀件基板51與對向基板52貼合。此時，分隔壁35的頂部35’受按壓并咬入變柔軟了的密封膜62。由此，如圖8所示，密封膜62塑性變形，通過冷卻而固定為變形后的狀態(tài)。
[0144]若向元件基板51按壓對向基板52，則第I密封件14a會被壓壞，并且散介質15受擠壓而填充到框緣分隔壁61以及第I密封件14a側。此時，設置于顯示區(qū)域E的分隔壁35的頂部35’咬入設置于對向基板52側的密封膜62，由此能夠防止分散介質15在相鄰的單元36之間移動。
[0145]然后，如圖11(g)所示，如果第I密封件14a為紫外線固化型樹脂，則照射紫外線而使第I密封件14a固化。另外，如果是熱固化型樹脂，則通過加熱使其固化。元件基板51與對向基板52貼合時的單元間距為20 μ m?50 μ m左右，在本實施方式中為30 μ m。另外，被壓壞了的第I密封件14a的寬度例如為200μπι?500μπι，在本實施方式中為400 μ m。
[0146]在步驟S35中，如圖11(h)所示，在大氣中，在第I密封件14a的外周形成并粘接第2密封件14b (第2密封)。具體地說，第2密封件14b為水分無法進入的比較低的粘度，可進入間隙很重要，例如為丙烯和/或環(huán)氧樹脂等。另外，第2密封件14b的粘度比第I密封件14a的粘度低I位，例如為10Pa.s?500Pa.s，優(yōu)選為400Pa.S。第2密封件14b的寬度例如為400 μ m。
[0147]作為涂覆第2密封件14b的方法，例如使用分配器和/或刮刀涂覆機等來涂覆。通過以上步驟，如圖11(h)所示，將由元件基板51與對向基板52所夾持的空間密封。然后，根據需要，切斷為產品的形狀，制成電泳裝置10。
[0148]圖12是表示密封膜中的咬入量的溫度依存性的曲線圖。以下，一邊參照圖12 —邊對密封膜中的咬入量的溫度依存性進行說明。
[0149]在圖12所示的曲線圖中，橫軸為密封膜62的溫度，示出0°C?100°C。另一方面，縱軸為咬入密封膜62的咬入量，示出Ομπι?2.5μπι。
[0150]具體地說，示出了將5μπι的厚度的密封膜62 (PVA)壓入到分隔壁35的厚度為5 μ m的肋構造時的、密封膜62的溫度與咬入量的關系。另外，密封膜62的材料的TG(?；瘻囟?為50°C?60°C。
[0151]由此，材料在50°C?60°C左右塑性變形，咬入量變?yōu)樗Ｍ?.5μπι以上。換而言之，可知在想使分隔壁35的頂部35’向5μπι厚的密封膜62咬入1.5 μ m左右時，只需將密封膜62的溫度加熱到50°C?60°C即可。
[0152]圖13是表示電泳裝置(面板)的中央附近的移位量的曲線圖。以下，一邊參照圖13 —邊對電泳裝置(面板)的中央附近的移位量進行說明。
[0153]圖13所示的曲線圖的橫軸為面板的尺寸，示出Omm?100mm。另一方面，縱軸為密封膜62的上推移位量，示出Ομπι?3.5μπι。
[0154]作為具體的實驗條件，對向基板52的第2基材41 (玻璃基板)的厚度為0.5mm。硅油的粘度為20cs以下。密封膜62的厚度為5 μ m。環(huán)境溫度為-30°C?85°C。
[0155]由此可知，如果是一條邊為55mm以下的面板尺寸，則即使在環(huán)境溫度上升的情況下，上推移位量也進入所希望的范圍。換而言之，如果面板尺寸變?yōu)?5mm以上，則咬入密封膜62的分隔壁35的咬入量由于分散介質15的熱膨脹而不會進入所希望的值以內，在密封膜62與分隔壁35之間會出現間隙。其結果，變得無法抑制分散介質15向相鄰的單元36流動。本實施例的元件基板51與對向基板52的厚度分別為0.5_，但通過增大元件基板51和/或對向基板52的厚度或者通過加強板來加強，能夠進一步將面板尺寸增大直到150_左右。而且，通過增大密封膜62的厚度、增大分隔壁35的頂部35’的咬入量，即使是A4尺寸的面板，也能夠形成在密封膜62與分隔壁35之間部不出現間隙的面板。
[0156]如以上詳細敘述那樣，根據第I實施方式的電泳裝置10、電泳裝置10的制造方法以及電子設備100，可得到以下所示的效果。
[0157](I)根據第I實施方式的電泳裝置10，通過分隔壁25的頂部35’由不具有粘接性的密封膜62密封，所以能夠防止電泳微粒34附著于密封膜62，能夠抑制顯示品質的下降。
[0158](2)根據第I實施方式的電泳裝置10，分隔壁35的頂部35’咬入不含粘接材料的密封膜62之中，所以能夠防止在頂部35’與密封膜62 (換而言之為對向基板52)之間出現間隙，能夠抑制分散介質15向相鄰的單元36移動。另外，密封膜62不含粘接材料，所以能夠防止雜質從密封膜62向分散介質15分散、雜質附著于電泳微粒34,不會給電泳微粒34的遷移性造成影響，能夠抑制顯示品質下降。
[0159](3)根據第I實施方式的電泳裝置10，凹部62b與頂部35’嵌合，所以能夠抑制在凹部62b (即，密封膜62)與頂部35’之間出現間隙，抑制分散介質15向相鄰的單元36移動。
[0160](4)根據第I實施方式的電泳裝置10，分散介質15使用硅油，從而即使在低溫(例如，_30°C左右)下也能夠使電泳層33所含的電泳微粒34運動，能夠抑制切換速度下降。
[0161](5)根據第I實施方式的電泳裝置10的制造方法，使分隔壁35的頂部35’塑性變形而咬入不含粘接材料的密封膜62，所以能夠防止在頂部35’與密封膜62 (換而言之、為對向基板52)之間出現間隙，能夠抑制分散介質15向相鄰的單元36移動。另外，密封膜62不含粘接材料,所以能夠防止雜質從密封膜62向分散介質15分散、雜質附著于電泳微粒34，不會給電泳微粒34的遷移性造成影響，能夠抑制顯示品質下降。
[0162](6)根據第I實施方式的電泳裝置10的制造方法，一邊加熱密封膜62—邊在比大氣壓低的壓力下進行元件基板51與對向基板52的貼合，所以能夠使分隔壁35的頂部35’咬入密封膜62,另外能夠制造無氣泡的面板。
[0163](7)根據第I實施方式的電子設備100，因為包括上述電泳裝置10，所以能夠提供可抑制顯示品質下降的電子設備100。
[0164](第2實施方式)
[0165]<電泳裝置的構造>
[0166]圖14是表示電泳裝置的構造的模式俯視圖。圖15是沿著圖14所示的電泳裝置的A-A’線的模式剖視圖。以下，一邊參照圖14以及圖15 —邊對電泳裝置的構造進行說明。
[0167]如圖14以及圖15所示，電泳裝置210具有作為第I基板的元件基板251、作為第2基板的對向基板252和電泳層233。在構成元件基板251的、含有例如具有透光性的玻璃基板的第I基材231上,按每個像素211配置有像素電極221。
[0168]如果詳細敘述，則如圖14以及圖15所示，像素211(像素電極221)例如形成為俯視為矩陣狀。作為像素電極221的材料,例如使用ITO(添加了錫的氧化銦:Indium TinOxide)等透光性材料。
[0169]在第I基材231與像素電極221之間設有未圖示的電路部，在電路部之中形成有TFT16等。TFT16經由未圖示的接觸部與各像素電極221電連接。另外，雖未圖示，但在電路部之中，除TFT16外還配置有各種布線(例如，數據線12和/或掃描線13等)和/或元件(例如，電容元件)等。在包含像素電極221的第I基材231的整個面上形成有第I絕緣層232。另外，也可以是不設置第I絕緣層232的結構。
[0170]在構成對向基板252的、含有例如具有透光性的玻璃基板的第2基材241上(圖15中的分散介質215側)，形成有相對于多個像素211共用設置的共用電極222。作為共用電極222，例如使用ITO等透光性材料。
[0171]在共用電極222上形成有第I密封膜242a。在第I密封膜242a之上形成有第2密封膜242b。另外，將第I密封膜242a與第2密封膜242b合稱為密封膜242。
[0172]在第I絕緣層232與密封膜242之間設有電泳層233。構成電泳層233的分散有至少I個以上的電泳微粒234的分散介質215，填充于由第I絕緣層232、第2密封膜242b和設置于第I基材231上的分隔壁235(肋)分隔出的空間。
[0173]如圖14所示，分隔壁235形成為棋盤格狀。另外，分隔壁235優(yōu)選為透光性材料(丙烯和/或環(huán)氧樹脂等)。分隔壁235的寬度例如為5 μ m。在本實例中，按每個像素211配置有像素電極221，按每個像素電極221配置有上述分隔壁235 (肋)，但并不限定于此，也可以按每多個像素例如每2?20像素而形成有分隔壁(肋)。
[0174]另外，在將元件基板251與對向基板252貼合了時，通過分隔壁235的上部與對向基板252 (具體地說，為密封膜242)接觸，能夠以分隔壁235的高度(實際上為圖17所示的框緣分隔壁261)為基準來確定元件基板251與對向基板252之間的單元間距。分隔壁235的高度例如為30 μ m。
[0175]在圖15中，作為電泳微粒234示出白色微粒與黑色微粒。例如，如果向像素電極221與共用電極222之間附加電壓,則由于在它們之間產生的電場，電泳微粒234向某一電極(像素電極221、共用電極222)電泳。例如，在白色微粒具有正電荷的情況下，如果將像素電極221設為負電位，則白色微粒向像素電極221側(下側)移動并聚集，成為黑顯示。
[0176]相反地，如果將像素電極221設為正電位，則白色微粒向共用電極222側(上側)移動并聚集，成為白顯示。這樣，與在顯示側的電極集合的白色微粒的有無和/或數量等相應地，顯示所希望的信息(圖像)。另外，在這里，作為電泳微粒234使用白色微粒和/或黑色微粒，但也可以使用其他的有色微粒。
[0177]另外，作為電泳微粒234能夠使用無機顏料系的微粒、有機顏料系的微?；蛘吒叻肿游⒘５?，也可以將2種以上各種微粒混合使用。電泳微粒234能夠使用直徑例如為0.05 μ m?10 μ m左右的微粒，優(yōu)選使用直徑0.2μπι?2μπι左右的微粒。
[0178]另外，白色微粒的含有量相對于分散介質215、白色微粒和黑色微粒的全部重量為30%以內，黑色微粒的含有量相對于分散介質215、白色微粒和黑色微粒的全部重量為10%以內。通過這樣分配，反射率變?yōu)?0%以上，黑色反射率變?yōu)?%以下，能夠提高顯示性能。
[0179]在本實施方式中，作為分散介質215，使用在_30°C左右的溫度下電泳微粒234仍能夠移動的硅油。但是，另一方面，硅油的分子的表面由甲基覆蓋，所以表面能量低、聚合力低，因此附著于密封件214a、214b，由此使由密封件214a、214b實現的粘接強度顯著下降。硅油的粘度例如為1cP以下。硅油為低粘度溶劑，所以即使在例如_30°C左右的低溫下，電泳微粒也能夠以500ms以下的速度在電極間遷移。
[0180]另外，以下將由分隔壁235包圍的區(qū)域稱為單元236。一個單元236包含像素電極221、共用電極222和電泳層233。
[0181]<密封膜以及密封部周邊的構造>
[0182]圖16是表示電泳裝置中的密封膜以及密封部周邊的構造的模式俯視圖。圖17是沿著圖16所示的電泳裝置的B-B’線的模式剖視圖。圖18是放大表示圖16所示的電泳裝置的C部的放大俯視圖。圖19是放大表示圖17所示的電泳裝置的F部的放大剖視圖。以下，一邊參照圖16?圖19 一邊對電泳裝置中的密封膜以及密封部周邊的構造進行說明。另夕卜，將絕緣層和/或布線、電極等的圖示省略。
[0183]如圖16以及圖17所示，電泳裝置210以包圍顯示區(qū)域E的方式具有框緣區(qū)域E1。在框緣區(qū)域El中包括:無助于電泳層233中的顯示的區(qū)域即虛設像素區(qū)域D ;配置于虛設像素區(qū)域D的外側的框緣分隔壁261和配置于框緣分隔壁261的外側的密封部214?？蚓墔^(qū)域El的寬度例如為Imm左右。
[0184]虛設像素區(qū)域D的寬度例如為80 μ m。在虛設像素區(qū)域D的顯示區(qū)域E側，設有以與配置于顯示區(qū)域E的分隔壁235相同的形狀所形成的分隔壁235a。分隔壁的肋寬度(頂部235’的寬度)為3μπι?ΙΟμπι，在本實施方式中為5μπι。相鄰的分隔壁與分隔壁的距離例如為150 μ m。
[0185]在虛設像素區(qū)域D的外側設有框緣分隔壁261。框緣分隔壁261能夠圍堵以使得分散介質215不向外側流出，并且用于調整單元間距，并配置成包圍虛設像素區(qū)域D。另外，框緣分隔壁261含有與顯示區(qū)域E的分隔壁235相同的材料。
[0186]框緣分隔壁261的寬度Wl例如為100 μ m。框緣分隔壁261的厚度例如在ΙΟμπι?50 μ m的范圍內，在本實施方式中為33 μ m。另外,框緣分隔壁261也用于使相鄰配置的第I密封件214a不在顯示區(qū)域E露出。
[0187]密封部214具有第I密封件214a與第2密封件214b。第I密封件214a在將元件基板251與對向基板252貼合時用于粘接，并設置成包圍框緣分隔壁261。第I密封件214a的寬度W2例如為400 μ m。第I密封件214a的粘度例如為30萬Pa *s?100萬Pa *s。優(yōu)選為40萬Pa.s左右。通過使用這樣的粘度的第I密封件214a，在貼合時，能夠確保元件基板251與對向基板252的接觸面積。
[0188]第2密封件214b用于將元件基板251與對向基板252之間密封，并配置成包圍第I密封件214a。第2密封件214b的寬度W3例如為400 μ m。第2密封件214b的粘度例如為10Pa.s?500Pa.S。優(yōu)選為400Pa.s左右。通過使用這樣的粘度的第2密封件214b，能夠進入第I密封件214a的周圍的元件基板251與對向基板252之間，能夠提高第2密封件214b的粘接強度。
[0189]另外，能夠抑制水分從外部經由第2密封件214b以及第I密封件214a進入內部，能夠得到高可靠性的密封構造。
[0190]如圖17以及圖19所示，至少在顯示區(qū)域E上的分隔壁235的頂部235’與對向基板252之間設有密封膜262，該密封膜262用于使分散介質215和/或電泳微粒234不能在相鄰的單元236與單元236之間往來。密封膜242的厚度tl為不妨礙電場的程度即可，例如優(yōu)選為2.6μπι?8μπι。在本實施方式中為5 μ m。咬入分隔壁235的頂部235’密封膜242。
[0191]換而言之，在剖視圖中將第I密封膜242a與第2密封膜242b的接觸面中的俯視與分隔壁235重疊的部分與俯視不與分隔壁235重疊的部分進行比較時，俯視與分隔壁235重疊的部分位于比不重疊的部分靠第2基材241側的位置。
[0192]進而，在將第I密封膜242a與第2密封膜242b的接觸面中的、頂部235’沒有咬入的部分(與俯視不與分隔壁235重疊的部分)與頂部235’進行比較時，如圖19所示，優(yōu)選，頂部235’位于第2基材241側。分隔壁235咬入密封膜242的咬入量t2、即第2密封膜242b的電泳層233側的面中的頂部235’沒有咬入的部分與頂部235’之間的距離，例如優(yōu)選為I μ m?5 μ m,在本實施方式中為2 μ m。
[0193]具體地說，如在圖15中說明地那樣，從對向基板252側開始按順序層疊有第I密封膜242a與第2密封膜242b。第I密封膜242a的厚度優(yōu)選為2.5 μ m?7.5 μ m，第2密封膜242b的厚度優(yōu)選為0.05 μ m?0.5 μ m。在本實施方式中，第I密封膜242a的厚度為4.5 μ m，第2密封膜242b的厚度為0.5 μ m。元件基板251與對向基板252貼合，使得分隔壁235的頂部235’咬入第I密封膜242a以及第2密封膜242b。
[0194]詳細后述，但在本實施方式中，第I密封膜242a采用比第2密封膜242b軟(彈性模量低)的材料來形成。在這樣的情況下，通過如上所述那樣設定第I密封膜242a與第2密封膜242b的膜厚，即使分隔壁235的頂部235’的寬度窄到3 μ m?10 μ m，也不會有頂部235’彎折或第2密封膜破損(由頂部235’頂破第2密封膜)的情況，能夠使分隔壁235的頂部235’咬入密封膜242 (通過分隔壁235的頂部235’使密封膜242變形)。
[0195]第I密封膜242a使用比后述的第2密封膜242b柔軟且分隔壁235的頂部235’更容易咬入的材料。作為第I密封膜242a的材料例如為NBR(丙烯腈-丁二烯橡膠)。第I密封膜242a的彈性模量優(yōu)選為5MPa?40MPa。在本實施方式中，使用室溫下的彈性模量為20MPa的NBR形成了第I密封膜242a。
[0196]另外，作為第I密封膜242a的材料，也可以使用氨基甲酸乙酯、異戊二烯、丁二烯、氯丁二烯、苯乙烯-丁二烯橡膠等。
[0197]第2密封膜242b用于使得例如第I密封膜242a不向分散介質215溶析。作為第2密封膜242b的材料，優(yōu)選為與電泳微粒234和/或分散介質215的相互作用少的材料，例如為PVA (聚乙烯醇)。第2密封膜242b的彈性模量優(yōu)選為50MPa?600MPa。通過使用具有上述那樣的彈性模量的材料形成第I密封膜242a與第2密封膜242b，能夠不導致分隔壁235的頂部235’不彎折或者第2密封膜不破損地、使分隔壁235的頂部35’咬入密封膜242 (由分隔壁235的頂部235’使密封膜242變形)。
[0198]另外，作為第2密封膜242b的材料，優(yōu)選為非極性聚合物，例如也可以使用聚乙烯和/或聚丙烯等。這些材料向分散介質215溶析的可能性小，所以能夠合適地減輕電泳裝置210的不良狀況。另外，作為第2密封膜242b的材料，優(yōu)選粘接性低或者無粘接性的材料。由此，能夠防止電泳微粒234固定附著于第2密封膜242b。
[0199]另外，在第2密封膜242b中也可以含有用于使第2密封膜242b的材料變得柔軟(使第2密封膜242b的彈性模量下降)的添加劑。作為添加劑，例如為甘油。添加劑，優(yōu)選相對于PVA的固形量添加5wt%? 50wt%。由此，即使選擇了彈性模量為600MPa以上的材料作為第2密封膜的材料，也能夠合適地用作密封膜242b。在本實施方式中，作為第2密封膜242b的材料，使用在室溫下的彈性模量為692MPa的PVA中添加了甘油、將室溫下的彈性模量變?yōu)?5MPa的材料。
[0200]另外，添加劑并不限定于甘油，也可以使用從例如聚乙二醇烯、甘油、尿素、聚氧乙烯、聚丙二醇烯中選擇的I種或者將選出的2種以上混合所得的添加劑。
[0201]另外，密封膜242的光線透過率，PVA為99%而NBR為99%。另外，第I密封膜242a的體積電阻率，優(yōu)選為I X 17 Ω.cm?5 X 101° Ω.cm，第2密封膜242b的體積電阻率，優(yōu)選為 I X 17 Ω.cm ?2 X 111 Ω.cm。
[0202]這樣，通過分隔壁235的頂部235’咬入密封膜242，能夠抑制在密封膜242與分隔壁235之間出現間隙。其結果，能夠抑制分散介質215向相鄰的單元236流動。
[0203]如圖17以及圖18所示，密封膜242的端部配置于例如顯示區(qū)域E的最外周的分隔壁235a與框緣分隔壁261之間，即、虛設像素區(qū)域D的范圍。密封膜242形成為比顯示區(qū)域E大一圈且即使在大小上產生偏差、端部也不會進入顯示區(qū)域E的大小。
[0204]在使用粘接劑作為形成密封膜242的材料的情況下，粘接層所含的粘接劑(例如，沒有完全固化的反應性單體等雜質)向分散液之中溶析，因此粘接劑附著于分散液所含的電泳微粒234，恐會給電泳微粒234的遷移性造成影響。然而，在本實施方式中，在與電泳微粒234接觸的部分配設有第2密封膜242b，所以也能夠減輕這樣的不良情況。
[0205]另外，在僅用彈性模量高(硬)的材料形成密封膜242的情況下，如果隔壁235的頂部235’的寬度窄，則頂部235’恐不會咬入密封膜242而是會彎折。于是，可以認為在分隔壁235的頂部235’與密封膜242之間會出現間隙、電泳微粒234會在相鄰的單元236之間移動。然而，如本實施方式這樣，通過由第I密封膜242a與第2密封膜242b形成密封膜242，并將各自的彈性模量和/或膜厚設定在合適的范圍內，也能夠抑制這樣的不良情況。以下，對電泳裝置210的制造方法進行說明。
[0206]<電泳裝置的制造方法>
[0207]圖20是按步驟順序表示電泳裝置的制造方法的流程圖。圖21以及圖22是表示電泳裝置的制造方法中的一部分的步驟的模式剖視圖。以下，一邊參照圖20?圖22 —邊對電泳裝置的制造方法進行說明。
[0208]首先，一邊參照圖20 —邊對元件基板251的制造方法進行說明。在步驟S211中，在含有玻璃等透光性材料的第I基材231上形成TFT16和/或含有ITO等透光性材料的像素電極221等。具體地說，采用周知的成膜技術、光刻技術以及蝕刻技術，在第I基材231上形成TFT16以及像素電極221等。另外，在以后的利用剖視圖的說明中，將TFT16和/或像素電極221等的說明以及圖示省略。
[0209]在步驟S212中，在第I基材231上形成第I絕緣層232。作為第I絕緣層232的制造方法，能夠采用例如在第I基材231上使用旋轉涂覆法等涂覆絕緣性材料然后使絕緣性材料干燥的方法。
[0210]在步驟S213中，如圖21(a)所示，在第I基材231 (具體地說，是第I絕緣層232)上形成分隔壁235。具體地說，同時形成顯示區(qū)域E的分隔壁235、顯示區(qū)域E的最外周的分隔壁235a和設置于分隔壁235a外側的框緣分隔壁261。分隔壁235、235a和框緣分隔壁261能夠采用例如周知的成膜技術、光刻技術以及蝕刻技術而形成。
[0211]這樣，通過用相同的材料同時形成分隔壁235、235a和框緣分隔壁261，能夠高效地制造。通過以上步驟，制成了元件基板251。
[0212]分隔壁235含不溶解于分散介質215的材質，其材質不論有機物或無機物都可以。具體地說，作為有機物材料的例子可列舉:氨基甲酸乙酯樹脂、脲醛樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、硅酮樹脂、丙烯硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、苯乙烯丙烯酸酯樹脂、聚烯烴樹月旨、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、偏氯乙烯樹脂、密胺樹脂、苯酚樹脂、氟系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚砜樹脂、聚醚樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等。使用這些樹脂單體或二種以上的復合劑。
[0213]接下來，對對向基板252的制造方法進行說明。在步驟S221中，在第2基材241上形成共用電極222。具體地說，在含有玻璃基板等透光性材料的第2基材241上的整個面上，使用周知的成膜技術形成共用電極222。
[0214]在步驟S222以及步驟S223中，在共用電極222上形成第I密封膜242a以及第2密封膜242b。作為第I密封膜242a以及第2密封膜242b的形成方法，如圖21 (b)所示，例如在對向基板252上通過旋轉涂覆等涂覆法形成NBR (丙烯腈-丁二烯橡膠)膜，然后同樣通過涂覆法形成PVA (聚乙烯醇)膜。
[0215]如上所述，在PVA中添加有甘油等添加劑。接下來，使用蝕刻法對PVA以及NBR進行構圖而形成第I密封膜242a以及第2密封膜242b。另外，并不限定于涂覆法，也可以使用印刷法來形成。通過以上步驟，制成了對向基板252。
[0216]接下來，一邊參照圖20?圖22 —邊對將元件基板251與對向基板252貼合的方法進行說明。
[0217]首先，在步驟S231中，如圖21(c)所示，在大氣中，在框緣分隔壁261的外周涂覆第I密封件214a。第I密封件214a的材料例如為作為粘度比較高的I液型環(huán)氧樹脂的力Y卜口第I密封件214a的粘度例如為30萬Pa.s?100萬Pa.s,優(yōu)選為40萬Pa.S。涂覆后的第I密封件214a的寬度為可耐真空的程度的寬度，例如為400 μ m。
[0218]在步驟S232中，如圖21(d)所示，向元件基板251上的顯示區(qū)域E涂覆含具有電泳微粒234(白色微粒、黑色微粒)的硅油的分散介質215。作為涂覆方法，例如使用分配器來涂覆。另外，也能夠應用刮刀涂覆機等。硅油的粘度例如為1cP以下。分散介質215的量為在元件基板251與對向基板252貼合時、填滿由框緣分隔壁261包圍的空間的液量。在本實施方式中框緣分隔壁261的高度例如為33 μ m。
[0219]另外，通過形成有框緣分隔壁261，能夠防止第I密封件214a進入(擴展)到顯示區(qū)域E側。另外，能夠將第I密封件214a的寬度限制得不比預定的寬度寬。由此，能夠確保第I密封件214a的強度。
[0220]在步驟S233中，如圖22(e)所示，開始進行元件基板251與對向基板252的貼合。另外，為了防止氣泡混入單元236內，在真空負壓環(huán)境下按壓而貼合。但是，硅油的揮發(fā)性高，所以要設為比大氣壓低的低真空的狀態(tài)。壓力例如為500Pa。
[0221]在步驟S234中，圖22(f)所示，在元件基板251與對向基板252之間密封(第I密封)分散介質215。即，在低真空的狀態(tài)下，經由第I密封件214a使元件基板251與對向基板252貼合。此時，向元件基板251按壓對向基板252，直到分隔壁235的頂部235’咬入密封膜242為止，換而言之、直到在剖視圖中將第I密封膜242a與第2密封膜242b的接觸面中的、俯視與分隔壁235重疊的部分與俯視不與分隔壁235重疊的部分進行比較時，俯視與分隔壁235重疊的部分位于比不重疊的部分靠第2基材241側的位置為止。此時，框緣分隔壁261也作為規(guī)定元件基板251與對向基板252之間的單元間距的間隔件而發(fā)揮作用。
[0222]在向元件基板251按壓對向基板252時，第I密封件214a被壓壞，并且分散介質215受擠壓而填充到框緣分隔壁261以及第I密封件214a側。此時，設置于顯示區(qū)域E的分隔壁235的頂部235’咬入設置于對向基板252側的密封膜242，由此能夠防止分散介質215在相鄰的單元236之間移動。
[0223]然后，如圖22(g)所示，如果第I密封件214a為紫外線固化型樹脂則照射紫外線而使第I密封件214a固化。另外，如果是熱固化型樹脂，則通過加熱而使其固化。元件基板251與對向基板252貼合了時的單元間距為20μπι?50μπι左右，在本實施方式中為33 μ m。另外，被壓壞了的第I密封件214a的寬度例如為200 μ m?500 μ m，在本實施方式中為400 μ m。
[0224]在步驟S235中，如圖22(h)所示，在大氣中，在第I密封件214a的外周形成并粘接第2密封件214b (第2密封)。具體地說，第2密封件214b為水分不進入的比較低的粘度，可進入間隙很重要，例如為丙烯和/或環(huán)氧樹脂等。另外，第2密封件214b的粘度比第I密封件214a的粘度低，例如為10Pa.s?500Pa *s，優(yōu)選為400Pa.S。第2密封件214b的寬度例如為400 μ m。
[0225]作為涂覆第2密封件214b的方法，例如使用分配器和/或刮刀涂覆機等來涂覆。通過以上步驟，如圖22 (h)所示，由元件基板251與對向基板252夾持的空間被密封。然后，根據需要，切斷為產品的形狀，制成了電泳裝置210。
[0226]如以上所詳述地那樣，根據第2實施方式的電泳裝置210的制造方法以及電泳裝置210，可得到以下所示的效果。
[0227](8)根據第2實施方式的電泳裝置210的制造方法，分隔壁235的頂部235’咬入第I密封膜242a以及第2密封膜242b之中，所以能夠防止在頂部235’與密封膜242 (第I密封膜242a、第2密封膜242b)之間出現間隙，能夠抑制分散介質215向相鄰的單元236移動。另外，將密封膜242設為2層(第I密封膜242a、第2密封膜242b)，例如在不與分散介質215接觸側形成第I密封膜242a (粘接性較高的材料)而在與分散介質215接觸側形成第2密封膜242b，所以能夠防止電泳微粒234附著于密封膜242，能夠抑制顯示品質下降。
[0228](9)根據第2實施方式的電泳裝置210的制造方法，柔軟的第I密封膜242a的厚度厚、較硬的第2密封膜242b的膜厚薄，所以能夠使分隔壁235的頂部235’咬入第I密封膜242a以及第2密封膜242b，能夠防止在頂部235’與密封膜242 (第I密封膜242a、第2密封膜242b)之間出現間隙。其結果，能夠抑制分散介質215向相鄰的單元236移動，并且抑制電泳微粒234附著于密封膜242。
[0229](10)根據第2實施方式的電泳裝置210的制造方法，與僅由彈性模量高的材料形成密封膜242的情況相比，能夠更簡便地使分隔壁235的頂部235’咬入密封膜242。具體地說，在使分隔壁235的頂部235’咬入密封膜242時，不需要為了使密封膜242的彈性模量下降而加熱例如密封膜242。
[0230](11)根據第2實施方式的電泳裝置210，分隔壁235的頂部235’咬入第I密封膜242a以及第2密封膜242b之中，所以能夠防止在頂部235’與密封膜242之間出現間隙，能夠抑制分散介質215向相鄰的單元236移動。另外，將密封膜242設為2層(第I密封膜242a、第2密封膜242b)，例如，在不與分散介質215接觸側配置第I密封膜242a (粘接性較高的材料)而在與分散介質215接觸側配置第2密封膜242b，所以能夠防止電泳微粒234附著于密封膜242，能夠抑制顯示品質下降。
[0231]另外，本發(fā)明的方式并不限定于上述的實施方式，在不違反從技術方案以及整個說明書可領會的發(fā)明主旨或者思想的范圍內能夠適當變更，包含于本發(fā)明的方式的技術范圍。另外，也能夠以以下形態(tài)來實施。
[0232](變形例I)
[0233]也可以代替如上述的第I實施方式那樣配置第I密封件14a與第2密封件14b兩個密封件作為密封部14，只要具備足夠的密封功能即可，既可以僅配置第I密封件14a，又可以僅配置第2密封件14b。另外，也可以代替如上述的第2實施方式那樣，配置第I密封件214a與第2密封件214b兩個密封件作為密封部214的作法，只要具備足夠的密封功能即可，既可以僅配置第I密封件214a，又可以僅配置第2密封件214b。
[0234](變形例2)
[0235]并不限定于如上述的第I實施方式那樣配置具有150 μ m的寬度Wl的框緣分隔壁61，只要具備作為分隔壁的功能即可，例如，也可以配置與配置于顯示區(qū)域E的分隔壁35同樣的分隔壁。另外，并不限定于如上述的第2實施方式那樣配置具有100 μ m的寬度Wl的框緣分隔壁261，只要具備作為分隔壁的功能即可，例如，也可以配置與配置于顯示區(qū)域E的分隔壁235同樣的分隔壁。
[0236](變形例3)
[0237]并不限定于如上述的第I實施方式那樣在元件基板51側配置分隔壁35和/或框緣分隔壁61，也可以在對向基板52側配置分隔壁35和/或框緣分隔壁61。另外，并不限定于如上述的第2實施方式那樣在元件基板251側配置分隔壁235和/或框緣分隔壁261，也可以在對向基板252側配置分隔壁235和/或框緣分隔壁261。
[0238](變形例4)
[0239]并不限定于如上述的第I以及第2實施方式那樣由分隔壁35、235包圍的單元36、236的形狀俯視為網格狀，例如，也可以是蜂窩形狀(六邊形)。另外，并不限定于網格形狀和/或蜂窩形狀，也可以是其他的多邊形狀、圓形狀、三角形狀等形狀。
[0240](變形例5)
[0241]并不限定于如上述的第I以及第2實施方式那樣使用光刻法形成分隔壁35、235，也可以通過例如納米印刷法和/或絲網印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法等印刷工藝來形成。
[0242](變形例6)
[0243]如上述的第I以及第2實施方式，第I基材31、231以及第2基材41、241只要顯示側使用具有透光性的材料即可，除玻璃基板外還可以使用塑料基板。
[0244](變形例7)
[0245]并不限定于如上述的第2實施方式那樣將框緣分隔壁261作為間隔件來利用。在為了規(guī)定元件基板251與對向基板252之間的單元間距而將例如別的部材設置為間隔件的情況下，框緣分隔壁261的高度也可以與分隔壁235的高度相等。
【權利要求】
1.一種電泳裝置，其特征在于，具有: 第I基板； 第2基板，其與所述第I基板相對地配置； 電泳層，其配置于所述第I基板與所述第2基板之間且具有分散有電泳微粒的分散介質； 分隔壁，其將所述電泳層劃分為多個單元； 密封件，其將所述第I基板與所述第2基板接合并配置成包圍所述電泳層；和 密封膜，其至少配置于所述分隔壁與所述第2基板之間； 所述分隔壁的頂部咬入所述密封膜。
2.根據權利要求1所述的電泳裝置，其特征在于， 所述密封膜不含粘接材料。
3.根據權利要求1或2所述的電泳裝置，其特征在于， 所述電泳層的顯示區(qū)域的大小為一條邊為55_以下的大小。
4.根據權利要求3所述的電泳裝置，其特征在于， 在所述顯示區(qū)域的周圍具有無助于顯示的虛設像素區(qū)域； 所述密封膜的端部俯視與所述虛設像素區(qū)域重疊。
5.根據權利要求1所述的電泳裝置，其特征在于， 所述密封膜具有配置于所述分隔壁與所述第2基板之間的第I密封膜和配置于所述第I密封膜與所述分隔壁之間的第2密封膜； 所述第I密封膜與所述第2密封膜的接觸面中的、俯視與所述分隔壁重疊的部分與俯視不與所述分隔壁重疊的部分相比，在剖視圖中位置靠所述第2基板側。
6.根據權利要求5所述的電泳裝置，其特征在于， 所述第I密封膜的彈性模量為5MPa以上且40MPa以下； 所述第2密封膜的彈性模量為50MPa以上且600MPa以下。
7.根據權利要求5或6所述的電泳裝置，其特征在于， 所述第I密封膜的膜厚為2.5 μ m以上且7.5 μ m以下； 所述第2密封膜的膜厚為0.05 μ m以上且0.5 μ m以下。
8.根據權利要求5至7中任一項所述的電泳裝置，其特征在于， 添加到所述第I密封膜中的添加劑的量相對于所述第I密封膜的固形量為5wt%以上且50wt%以下。
9.根據權利要求5至8中任一項所述的電泳裝置，其特征在于， 所述第I密封膜的體積電阻率為I X 17 Ω.cm以上且5 X 1kiQ.cm以下； 所述第2密封膜的體積電阻率為IX 107Ω * cm以上且2X 111 Ω.cm以下。
10.一種電泳裝置的制造方法，其特征在于，包括: 形成將第I基板上的顯示區(qū)域劃分成多個單元的分隔壁的步驟； 在所述第I基板的所述顯示區(qū)域的周圍涂覆密封件的步驟； 在與所述第I基板相對配置的第2基板上形成密封膜的步驟； 向所述第I基板的所述顯示區(qū)域供給包含電泳微粒的分散介質的步驟；和 經由所述密封件將所述第I基板與所述第2基板貼合，并使所述分隔壁的頂部咬入所述密封膜的步驟。
11.根據權利要求10所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于: 所述密封膜由不含粘接材料的材料形成。
12.根據權利要求10或11所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于， 關于將所述第I基板與所述第2基板貼合的步驟，一邊加熱所述密封膜一邊在比大氣壓低的壓力下進行貼合。
13.根據權利要求10所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于， 形成所述密封膜的步驟包括: 在與所述第I基板相對配置的所述第2基板上形成所述第I密封膜的步驟；和 以覆蓋所述第I密封膜的方式形成所述第2密封膜的步驟； 在使所述分隔壁的頂部咬入所述密封膜的步驟中，使所述分隔壁的頂部咬入所述第I密封膜以及所述第2密封膜。
14.根據權利要求13所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于， 所述第2密封膜與所述第I密封膜相比較，膜厚薄、膜的硬度硬。
15.根據權利要求13或14所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于， 所述第I密封膜的彈性模量為5MPa以上且40MPa以下； 所述第2密封膜的彈性模量為50MPa以上且600MPa以下。
16.根據權利要求13至15中任一項所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于， 所述第I密封膜的膜厚為2.5 μ m以上且7.5 μ m以下； 所述第2密封膜的膜厚為0.05 μ m以上且0.5 μ m以下。
17.根據權利要求13至16中任一項所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于，向所述第2密封膜的材料中添加使彈性模量降低的添加劑。
18.根據權利要求13至17中任一項所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于， 添加到所述第I密封膜中的添加劑的量相對于所述第I密封膜的固形量為5wt%以上且50wt%以下。
19.根據權利要求13至18中任一項所述的電泳裝置的制造方法，其特征在于， 所述第I密封膜的體積電阻率為I X 17 Ω.cm以上且SX1kiQ.cm以下； 所述第2密封膜的體積電阻率為IX 107Ω * cm以上且2X 111 Ω.cm以下。
20.—種電子設備,其特征在于， 包括權利要求1至9中任一項所述的電泳裝置。
【文檔編號】G02F1/167GK104280971SQ201410324607
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年7月9日 優(yōu)先權日:2013年7月10日
【發(fā)明者】山田正, 中原弘樹, 竹內豐, 安部大介, 片伯部貫 申請人:精工愛普生株式會社