陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置，涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠防止在存在高度差的位置制作狹縫電極的狹縫末端，使得狹縫電極的狹縫末端圖形與預設(shè)圖形一致，從而避免了壓痕(trace?mura)現(xiàn)象。該陣列基板包括：由數(shù)行柵線和數(shù)列數(shù)據(jù)線交叉定義的數(shù)個子像素單元，每個所述子像素單元中設(shè)置有第一電極和位于所述第一電極下方的公共電極線，所述第一電極為狹縫電極，在每個所述子像素單元中，所述公共電極線與所述第一電極之間設(shè)置有擋光層，所述第一電極的狹縫末端、所述公共電極線以及靠近所述狹縫末端的公共電極線邊緣均位于所述擋光層區(qū)域內(nèi)。
【專利說明】陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法和液晶顯示 裝直。

【背景技術(shù)】
[0002] 高級超維場開關(guān)（Advanced-Super Dimensional Switching，簡稱 ADS)模式是平 面電場寬視角核心技術(shù)，具體為通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極 層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取 向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率。
[0003] ADS模式高解析度的顯示裝置由于子像素單位面積小，造成存儲電容容量不夠，因 此需要在柵極層制造公共電極線以增加存儲電容，但由于受到曝光機解析度的限制，公共 電極線的有效面積設(shè)計受限。如圖1、圖2和圖3所示，公共電極線1位于第一電極2(狹 縫電極）的狹縫21末端附近，由于公共電極線1的一條邊緣位于狹縫21末端處，公共電極 線1不透光，但是公共電極線1附近的基板均為透光的，因此在狹縫電極的制作過程中，公 共電極線1邊緣處的兩側(cè)分別為擋光和透光狀態(tài)，這兩種狀態(tài)會對光刻過程中的光產(chǎn)生不 同影響，使得光刻結(jié)束后在該處的光刻膠厚度不均，從而在后續(xù)刻蝕工藝過程中使該處的 圖像變形，造成狹縫電極的狹縫21末端處的圖案與預先設(shè)計的圖案產(chǎn)生偏差，造成該處的 液晶分子偏轉(zhuǎn)不良，從而產(chǎn)生壓痕（trace mura)現(xiàn)象。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置，能夠使狹縫電極的狹縫 末端圖形與預設(shè)圖形一致，從而避免了壓痕（trace mura)現(xiàn)象。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0006] -方面，提供一種陣列基板，包括：由數(shù)行柵線和數(shù)列數(shù)據(jù)線交叉定義的數(shù)個子像 素單元，每個所述子像素單元中設(shè)置有第一電極和位于所述第一電極下方的公共電極線， 所述第一電極為狹縫電極，
[0007] 在每個所述子像素單元中，所述公共電極線與所述第一電極之間設(shè)置有擋光層， 所述第一電極的狹縫末端、所述公共電極線以及靠近所述狹縫末端的公共電極線邊緣均位 于所述擋光層區(qū)域內(nèi)。
[0008] 具體地，在每個所述子像素單元中，所述第一電極和公共電極線之間設(shè)置有第二 電極；
[0009] 所述擋光層設(shè)置于所述公共電極線與所述第二電極之間；
[0010] 所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極；
[0011] 所述擋光層由導電材料制成且所述擋光層連接于所述公共電極線。
[0012] 具體地，所述擋光層與所述公共電極線之間設(shè)置有第一絕緣層，所述第一絕緣層 上所述擋光層與所述公共電極線重疊處設(shè)置有絕緣層過孔，所述擋光層通過所述絕緣層過 孔連接于所述公共電極線。
[0013] 具體地，所述擋光層與所述第二電極之間設(shè)置有第二絕緣層；
[0014] 所述第二電極與所述第一電極之間設(shè)置有第三絕緣層。
[0015] 另一方面，提供一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0016] 另一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括：
[0017] 在基板上形成公共電極線；
[0018] 在包括所述公共電極線的基板上形成擋光層；
[0019] 在包括所述擋光層的基板上形成第一電極，所述第一電極為狹縫電極，在每個子 像素單元中，所述第一電極的狹縫末端、所述公共電極線以及靠近所述狹縫末端的公共電 極線邊緣均位于所述擋光層區(qū)域內(nèi)。
[0020] 具體地，所述在包括所述公共電極線的基板上形成擋光層為：
[0021] 在包括所述公共電極線的基板上形成由導電材料制成的所述擋光層，所述擋光層 連接于所述公共電極線；
[0022] 所述在包括所述擋光層的基板上形成第一電極之前還包括：
[0023] 在包括所述擋光層的基板上形成第二電極，所述第二電極為像素電極。
[0024] 具體地，所述在包括所述公共電極線的基板上形成擋光層之前還包括：
[0025] 在形成所述公共電極線的基板上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層上所述擋光層 與所述公共電極線重疊處設(shè)置有絕緣層過孔，所述絕緣層過孔用于使所述擋光層與所述公 共電極線連接。
[0026] 具體地，所述在包括所述擋光層的基板上形成第二電極之前還包括：
[0027] 在包括所述擋光層的基板上形成第二絕緣層；
[0028] 所述在包括所述擋光層的基板上形成第一電極之前還包括：
[0029] 在包括所述第二電極的基板上形成第三絕緣層。
[0030] 本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置，由于陣列基板中擋光層的 設(shè)置，使得在制作狹縫電極之前，公共電極線和狹縫電極的狹縫末端均位于擋光層區(qū)域內(nèi)， 擋光層區(qū)域內(nèi)的光線均被阻擋，因此在狹縫電極的制作過程中，狹縫電極的狹縫末端處附 近均位于擋光狀態(tài)，使得光刻結(jié)束后在該處的光刻膠厚度趨于一致，從而使得狹縫電極的 狹縫末端圖形與預設(shè)圖形一致，從而避免了壓痕（trace mura)現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0032] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033] 圖2為圖1的陣列基板中A區(qū)域的局部放大示意圖；
[0034] 圖3為圖2的陣列基板中BB'向的截面示意圖；
[0035] 圖4為本發(fā)明實施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖5為圖4的陣列基板中B區(qū)域的局部放大示意圖；
[0037] 圖6為圖4的陣列基板中CC'向的截面示意圖；
[0038] 圖7為本發(fā)明實施例中一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0039] 圖8為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的制作方法流程圖。

【具體實施方式】
[0040] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0041] 如圖4、圖5和圖6所示，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括：由數(shù)行柵線和數(shù) 列數(shù)據(jù)線交叉定義的數(shù)個子像素單元3,每個子像素單元3中設(shè)置有第一電極2和位于第一 電極2下方的公共電極線1，第一電極2為狹縫電極，在每個子像素單元3中，公共電極線1 與第一電極2之間設(shè)置有擋光層4,第一電極2的狹縫21末端、公共電極線1以及靠近狹縫 21末端的公共電極線1邊緣均位于擋光層4區(qū)域內(nèi)。
[0042] 需要說明的是，在每個子像素單元3中，第一電極2與公共電極線1之間設(shè)置有第 二電極5,擋光層4并不限于設(shè)置于公共電極線1與第二電極5之間，擋光層也可以設(shè)置于 第二電極與第一電極之間（圖中未不出）。另外，上述第一電極2可以為公共電極，此時第 二電極5為像素電極；或者第一電極2可以為像素電極，此時第二電極5為公共電極。第二 電極5可以為板狀電極或狹縫電極。
[0043] 本發(fā)明實施例中的陣列基板，由于擋光層的設(shè)置，使得在制作狹縫電極之前，公共 電極線和狹縫電極的狹縫末端均位于擋光層區(qū)域內(nèi)，擋光層區(qū)域內(nèi)的光線均被阻擋，因此 在狹縫電極的制作過程中，狹縫電極的狹縫末端處附近均位于擋光狀態(tài)，使得光刻結(jié)束后 在該處的光刻膠厚度趨于一致，從而使得狹縫電極的狹縫末端圖形與預設(shè)圖形一致，從而 避免了壓痕（trace mura)現(xiàn)象。
[0044] 具體地，在每個子像素單元3中，如圖6所示，第一電極2和公共電極線1之間設(shè)置 有第二電極5 ;擋光層4設(shè)置于公共電極線1與第二電極5之間；第一電極2為公共電極， 第二電極5為像素電極；擋光層4由導電材料（例如金屬）制成且擋光層4連接于公共電 極線1。子像素的存儲電容包括第一電極2與第二電極5重疊的區(qū)域形成的電容以及第二 電極5與擋光層4之間形成的電容。傳統(tǒng)ADS模式高解析度的顯示裝置中公共電極線1與 第二電極5之間形成的電容容量較小，而本實施例中擋光層4為導電材料且與公共電極線 1連接，相當于增大了兩個電極之間的重疊面積，從而提高了存儲電容的容量。
[0045] 具體地，擋光層4與公共電極線1之間設(shè)置有第一絕緣層6,第一絕緣層6上擋光 層4與公共電極線1重疊處設(shè)置有絕緣層過孔61，擋光層4通過絕緣層過孔61連接于公共 電極線1。公共電極線1與柵線（圖中未示出）屬于同一層，第一絕緣層6實際為現(xiàn)有的柵 極絕緣層。
[0046] 具體地，擋光層4與第二電極5之間設(shè)置有第二絕緣層7,第二絕緣層7用于擋光 層4與第二電極5之間的絕緣并且作為電容介質(zhì)使擋光層4與第二電極5之間形成電容； 第二電極5與第一電極2之間設(shè)置有第三絕緣層8,第三絕緣層8為現(xiàn)有的鈍化層，并且作 為第二電極5與第一電極2之間的電容介質(zhì)。
[0047] 本發(fā)明實施例中的陣列基板，由于擋光層的設(shè)置，使得在制作狹縫電極之前，公共 電極線和狹縫電極的狹縫末端均位于擋光層區(qū)域內(nèi)，擋光層區(qū)域內(nèi)的光線均被阻擋，因此 在狹縫電極的制作過程中，狹縫電極的狹縫末端處附近均位于擋光狀態(tài)，使得光刻結(jié)束后 在該處的光刻膠厚度趨于一致，從而使得狹縫電極的狹縫末端圖形與預設(shè)圖形一致，從而 避免了壓痕（trace mura)現(xiàn)象。并且通過導電的擋光層與公共電極線連接，從而增大了公 共電極線與板狀電極之間形成的電容容量，即增大了子像素的存儲電容容量。
[0048] 本發(fā)明實施例提供一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0049] 該陣列基板的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實施例相同，在此不再贅述。該液晶顯示裝 置具體可以為：液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機等等。
[0050] 本實施例中的液晶顯示裝置，由于陣列基板中擋光層的設(shè)置，使得在制作狹縫電 極之前，公共電極線和狹縫電極的狹縫末端均位于擋光層區(qū)域內(nèi)，擋光層區(qū)域內(nèi)的光線均 被阻擋，因此在狹縫電極的制作過程中，狹縫電極的狹縫末端處附近均位于擋光狀態(tài)，使得 光刻結(jié)束后在該處的光刻膠厚度趨于一致，從而使得狹縫電極的狹縫末端圖形與預設(shè)圖形 一致，從而避免了壓痕（trace mura)現(xiàn)象。并且通過導電的擋光層與公共電極線連接，從 而增大了公共電極線與像素電極之間形成的電容容量，即增大了子像素的存儲電容容量。
[0051] 如圖7所示，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：
[0052] 步驟101、如圖6所示，在基板上形成公共電極線1 ;
[0053] 步驟102、在包括公共電極線1的基板上形成擋光層4 ;
[0054] 步驟103、在包括擋光層4的基板上形成第一電極2,第一電極2為狹縫電極，在每 個子像素單元中，第一電極2的狹縫21末端、公共電極線1以及靠近狹縫21末端的公共電 極線1邊緣均位于擋光層4區(qū)域內(nèi)。
[0055] 該陣列基板的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實施例相同，在此不再贅述。
[0056] 本實施例中的陣列基板的制作方法制作的陣列基板，由于擋光層的設(shè)置，使得在 制作狹縫電極之前，公共電極線和狹縫電極的狹縫末端均位于擋光層區(qū)域內(nèi)，擋光層區(qū)域 內(nèi)的光線均被阻擋，因此在狹縫電極的制作過程中，狹縫電極的狹縫末端處附近均位于擋 光狀態(tài)，使得光刻結(jié)束后在該處的光刻膠厚度趨于一致，從而使得狹縫電極的狹縫末端圖 形與預設(shè)圖形一致，從而避免了壓痕（trace mura)現(xiàn)象。
[0057] 具體地，如圖8所示，上述步驟102、在包括公共電極線1的基板上形成擋光層4具 體為：
[0058] 步驟1021、如圖6所示，在包括公共電極線1的基板上形成由導電材料制成的擋光 層4,擋光層4連接于公共電極線1 ;
[0059] 上述步驟103、在包括擋光層4的基板上形成第一電極2之前還包括：
[0060] 步驟1023、在包括擋光層4的基板上形成第二電極5,第二電極5為像素電極。
[0061] 上述步驟102、在包括公共電極線1的基板上形成擋光層4之前還包括：
[0062] 步驟1011、在形成公共電極線的基板上形成第一絕緣層6,第一絕緣層6上擋光層 4與公共電極線1重疊處設(shè)置有絕緣層過孔61，絕緣層過孔61用于使擋光層4與公共電極 線1連接。
[0063] 上述步驟1023、在包括擋光層4的基板上形成第二電極5之前還包括：
[0064] 步驟1022、在包括擋光層4的基板上形成第二絕緣層7 ;
[0065] 上述步驟103、在包括擋光層的基板上形成第一電極之前還包括：
[0066] 步驟1024、在包括第二電極5的基板上形成第三絕緣層8。
[0067] 該陣列基板的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實施例相同，在此不再贅述。
[0068] 本實施例中的陣列基板的制作方法制作的陣列基板，由于擋光層的設(shè)置，使得在 制作狹縫電極之前，公共電極線和狹縫電極的狹縫末端均位于擋光層區(qū)域內(nèi)，擋光層區(qū)域 內(nèi)的光線均被阻擋，因此在狹縫電極的制作過程中，狹縫電極的狹縫末端處附近均位于擋 光狀態(tài)，使得光刻結(jié)束后在該處的光刻膠厚度趨于一致，從而使得狹縫電極的狹縫末端圖 形與預設(shè)圖形一致，從而避免了壓痕（trace mura)現(xiàn)象。并且通過導電的擋光層與公共電 極線連接，從而增大了公共電極線與像素電極之間形成的電容容量，即增大了子像素的存 儲電容容量。
[〇〇69] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，包括：由數(shù)行柵線和數(shù)列數(shù)據(jù)線交叉定義的數(shù)個子像素單元，每個 所述子像素單元中設(shè)置有第一電極和位于所述第一電極下方的公共電極線，所述第一電極 為狹縫電極，其特征在于， 在每個所述子像素單元中，所述公共電極線與所述第一電極之間設(shè)置有擋光層，所述 第一電極的狹縫末端、所述公共電極線以及靠近所述狹縫末端的公共電極線邊緣均位于所 述擋光層區(qū)域內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 在每個所述子像素單元中，所述第一電極和公共電極線之間設(shè)置有第二電極； 所述擋光層設(shè)置于所述公共電極線與所述第二電極之間； 所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極； 所述擋光層由導電材料制成且所述擋光層連接于所述公共電極線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述擋光層與所述公共電極線之間設(shè)置有第一絕緣層，所述第一絕緣層上所述擋光層 與所述公共電極線重疊處設(shè)置有絕緣層過孔，所述擋光層通過所述絕緣層過孔連接于所述 公共電極線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于， 所述擋光層與所述第二電極之間設(shè)置有第二絕緣層； 所述第二電極與所述第一電極之間設(shè)置有第三絕緣層。
5. -種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的陣列基 板。
6. -種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在基板上形成公共電極線； 在包括所述公共電極線的基板上形成擋光層； 在包括所述擋光層的基板上形成第一電極，所述第一電極為狹縫電極，在每個子像素 單元中，所述第一電極的狹縫末端、所述公共電極線以及靠近所述狹縫末端的公共電極線 邊緣均位于所述擋光層區(qū)域內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在包括所述公共電極線的基板上形成擋光層為： 在包括所述公共電極線的基板上形成由導電材料制成的所述擋光層，所述擋光層連接 于所述公共電極線； 所述在包括所述擋光層的基板上形成第一電極之前還包括： 在包括所述擋光層的基板上形成第二電極，所述第二電極為像素電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在包括所述公共電極線的基板上形成擋光層之前還包括： 在形成所述公共電極線的基板上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層上所述擋光層與所 述公共電極線重疊處設(shè)置有絕緣層過孔，所述絕緣層過孔用于使所述擋光層與所述公共電 極線連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在包括所述擋光層的基板上形成第二電極之前還包括： 在包括所述擋光層的基板上形成第二絕緣層； 所述在包括所述擋光層的基板上形成第一電極之前還包括： 在包括所述第二電極的基板上形成第三絕緣層。
【文檔編號】G02F1/1333GK104090429SQ201410268282
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月16日
【發(fā)明者】沈奇雨 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司