掩膜板以及紫外線掩膜板、陣列基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩膜板以及紫外線掩膜板、陣列基板的制造方法，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠降低紫外線掩膜板的制造成本。該掩膜板，包括全透光區(qū)域、半透光區(qū)域和不透光區(qū)域；所述全透光區(qū)域?qū)?yīng)于液晶面板的框膠區(qū)域，所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)液晶面板的圖層圖案區(qū)域，所述掩膜板的其余區(qū)域?yàn)樗霭胪腹鈪^(qū)域。本發(fā)明可用于液晶電視、液晶顯示器、手機(jī)、平板電腦等顯示裝置的制造。
【專利說明】掩膜板以及紫外線掩膜板、陣列基板的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說，涉及一種掩膜板以及紫外線掩膜板、陣列基 板的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的平板顯示裝置。
[0003] 在液晶顯示器的制造過程中，液晶成盒工藝是一項(xiàng)重要步驟。在液晶成盒工藝中， 將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒，還要對位于陣列基板和彩膜基板之間的框膠進(jìn)行紫外線 照射，使框膠固化。陣列基板上的薄膜晶體管（TFT)被紫外線照射后，電性能會受影響，所 以對框膠進(jìn)行紫外線照射時，要利用紫外線掩膜板遮擋住TFT等部分，而只將框膠暴露在 外。
[0004] 現(xiàn)有的紫外線掩膜板包括玻璃基板，以及形成在玻璃基板上的金屬遮擋層，也是 利用掩膜板通過構(gòu)圖工藝制成的。因?yàn)樽贤饩€掩膜板可以反復(fù)使用，所以用于制造紫外線 掩膜板的掩膜板的使用率非常低。因此，現(xiàn)有技術(shù)中，紫外線掩膜板的制造成本相對較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜板以及紫外線掩膜板、陣列基板的制造方法，以 降低紫外線掩膜板的制造成本。
[0006] 本發(fā)明提供一種掩膜板，包括全透光區(qū)域、半透光區(qū)域和不透光區(qū)域；
[0007] 所述全透光區(qū)域?qū)?yīng)于液晶面板的框膠區(qū)域，所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)液晶面板的圖 層圖案區(qū)域，所述掩膜板的其余區(qū)域?yàn)樗霭胪腹鈪^(qū)域。
[0008] 優(yōu)選的，所述半透光區(qū)域的透光率在1/2至2/3之間。
[0009] 其中，所述圖層圖案為柵極金屬層圖案；
[0010] 所述液晶面板的源漏極金屬層圖案和透明電極層圖案對應(yīng)在所述半透光區(qū)域之 內(nèi)。
[0011] 或者，所述圖層圖案為源漏極金屬層圖案；
[0012] 所述液晶面板的柵極金屬層圖案和透明電極層圖案對應(yīng)在所述半透光區(qū)域之內(nèi)。
[0013] 或者，所述圖層圖案為透明電極層圖案；
[0014] 所述液晶面板的柵極金屬層圖案和源漏極金屬層圖案對應(yīng)在所述半透光區(qū)域之 內(nèi)。
[0015] 本發(fā)明還提供一種紫外線掩膜板的制造方法，包括：
[0016] 在襯底基板上形成金屬層；
[0017] 在所述金屬層上涂覆一層光刻膠；
[0018] 利用上述的掩膜板，以第一光照強(qiáng)度對所述光刻膠進(jìn)行曝光；
[0019] 去除對應(yīng)于所述掩膜板的全透光區(qū)域的光刻膠；
[0020] 對所述金屬層進(jìn)行刻蝕；
[0021] 去除剩余的光刻膠。
[0022] 本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，包括：
[0023] 在襯底基板上形成待刻蝕材料層；
[0024] 在所述待刻蝕材料層上涂覆一層光刻膠；
[0025] 利用上述的掩膜板，以第二光照強(qiáng)度對所述光刻膠進(jìn)行曝光；
[0026] 去除對應(yīng)于所述掩膜板的全透光區(qū)域和半透光區(qū)域的光刻膠；
[0027] 對所述待刻蝕材料層進(jìn)行刻蝕，形成圖層圖案；
[0028] 去除剩余的光刻膠。
[0029] 優(yōu)選的，所述待刻蝕材料層為金屬層；
[0030] 所述圖層圖案為柵極金屬層圖案或源漏極金屬層圖案。
[0031] 或者，所述待刻蝕材料層為透明電極層；
[0032] 所述圖層圖案為透明電極層圖案。
[0033] 本發(fā)明帶來了以下有益效果：本發(fā)明提供的掩膜板中，全透光區(qū)域?qū)?yīng)于液晶面 板的框膠區(qū)域，即紫外線掩膜板上的金屬遮擋層以外的區(qū)域，而半透光區(qū)域和不透光區(qū)域 共同對應(yīng)于紫外線掩膜板上的金屬遮擋層的區(qū)域。該掩膜板用于制造紫外線掩膜板時，可 以利用較低的第一光照強(qiáng)度對光刻膠進(jìn)行曝光，使全透光區(qū)域的光刻膠完全去除，半透光 區(qū)域的光刻膠部分去除，不透光區(qū)域的光刻膠保留，再經(jīng)過刻蝕即可形成紫外線掩膜板。 [0034] 另一方面，本發(fā)明提供的掩膜板中，不透光區(qū)域?qū)?yīng)液晶面板的圖層圖案區(qū)域。該 掩膜板用于制造陣列基板上的相應(yīng)圖層圖案（例如柵極金屬層圖案）時，可以利用較高的 第二光照強(qiáng)度對光刻膠進(jìn)行曝光，使全透光區(qū)域和半透光區(qū)域的光刻膠完全去除，不透光 區(qū)域的光刻膠保留，再經(jīng)過刻蝕即可形成陣列基板上的相應(yīng)圖層圖案。
[0035] 因此，本發(fā)明提供的掩膜板既可以用于制造紫外線掩膜板，又可以用于制造陣列 基板，實(shí)現(xiàn)了在紫外線掩膜板及陣列基板的制造中能夠共用一個掩膜板，而不需要單獨(dú)配 備用于制造紫外線掩膜板的掩膜板，從而降低了紫外線掩膜板的制造成本。
[0036] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變 得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利 要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要的 附圖做簡單的介紹：
[0038] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的掩膜板的示意圖；
[0039] 圖2a至圖2d是本發(fā)明實(shí)施例二提供的紫外線掩膜板的制造過程的示意圖；
[0040] 圖3a至圖3d是本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造過程的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0041] 以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用 技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明 的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個特征可以相互結(jié)合， 所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0042] 實(shí)施例一:
[0043] 如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜板1，包括全透光區(qū)域11、半透光區(qū)域12 和不透光區(qū)域13。全透光區(qū)域11對應(yīng)于液晶面板的框膠區(qū)域，不透光區(qū)域13對應(yīng)液晶面 板的圖層圖案區(qū)域，掩膜板1的其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域12。
[0044] 本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板既可以用于制造紫外線掩膜板，又可以用于制造陣列 基板，實(shí)現(xiàn)了在紫外線掩膜板及陣列基板的制造中能夠共用一個掩膜板，而不需要單獨(dú)配 備用于制造紫外線掩膜板的掩膜板，從而降低了紫外線掩膜板的制造成本。
[0045] 實(shí)施例二:
[0046] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種紫外線掩膜板的制造方法，其中使用了實(shí)施例一中的掩膜 板。
[0047] 如圖2a至圖2d所示，該制造方法包括：
[0048] S11 :在襯底基板2上形成金屬層3。
[0049] 具體的，可以利用常規(guī)的沉積工藝，在玻璃材料的襯底基板2上沉積一層金屬層 3〇
[0050] S12 :在金屬層3上涂覆一層光刻膠4。
[0051] 具體的，可以利用常規(guī)的涂覆工藝，在金屬層3上涂覆一層光刻膠4。
[0052] S13 :如圖2a所示，利用實(shí)施例一中的掩膜板1，以第一光照強(qiáng)度對光刻膠4進(jìn)行 曝光。
[0053] 作為一個優(yōu)選方案，掩膜板1的半透光區(qū)域的透光率在1/2至2/3之間。利用掩 膜板1，以較低的第一光照強(qiáng)度對光刻膠4進(jìn)行曝光，使半透光區(qū)域12的光刻膠4能夠在后 續(xù)步驟S14中不被完全去除。
[0054] S14 :如圖2b所示，去除對應(yīng)于掩膜板1的全透光區(qū)域11的光刻膠4。
[0055] 具體的，可以利用灰化工藝去除已被曝光的光刻膠4。其中，全透光區(qū)域11的光 刻膠4完全被去除；因?yàn)椴襟ES13中采用了較低的第一光照強(qiáng)度進(jìn)行曝光，所以半透光區(qū)域 12的光刻膠4只有部分被去除；不透光區(qū)域13的光刻膠4完全被保留。
[0056] S15 :如圖2c所示，對金屬層3進(jìn)行刻蝕。
[0057] 具體的，可以對金屬層3進(jìn)行濕法刻蝕。因?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域12和不透光區(qū)域13的 光刻膠4還覆蓋在金屬層3上，所以只有全透光區(qū)域11 (對應(yīng)于液晶面板的框膠區(qū)域）的 金屬層3被刻蝕掉，而半透光區(qū)12域和不透光區(qū)域13的金屬層3被保留，形成紫外線掩膜 板上的金屬遮擋層30。
[0058] S16 :如圖2d所示，去除剩余的光刻膠4。
[0059] 利用濕法剝離工藝去除半透光區(qū)域12和不透光區(qū)域13剩余的光刻膠4,即可制成 紫外線掩膜板。
[0060] 實(shí)施例三:
[0061] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制造方法，其中使用了實(shí)施例一中的掩膜板。 該掩膜板的不透光區(qū)域?qū)?yīng)液晶面板的圖層圖案區(qū)域，圖層圖案可以為柵極金屬層圖案、 源漏極金屬層圖案或透明電極層圖案。本實(shí)施例中，圖層圖案為柵極金屬層圖案，即利用該 掩膜板形成陣列基板的柵極金屬層圖案，而液晶面板的源漏極金屬層圖案和透明電極層圖 案對應(yīng)在半透光區(qū)域之內(nèi)。
[0062] 如圖3a至圖3d所示，該制造方法包括：
[0063] S21 :在襯底基板2上形成待刻蝕材料層。
[0064] 因?yàn)楸緦?shí)施例是利用實(shí)施例一中的掩膜板1形成柵極金屬層圖案，所以本實(shí)施例 中的待刻蝕材料層為柵極金屬層5。本步驟中可利用沉積工藝，在襯底基板2上沉積一層?xùn)?極金屬層5。
[0065] S22 :在柵極金屬層5上涂覆一層光刻膠4。
[0066] 具體的，可以利用常規(guī)的涂覆工藝，在柵極金屬層5上涂覆一層光刻膠4。
[0067] S23 :如圖3a所示，利用實(shí)施例一中的掩膜板1，以第二光照強(qiáng)度對光刻膠4進(jìn)行 曝光。
[0068] 具體的，利用該掩膜板1，以較高的第二光照強(qiáng)度對光刻膠4進(jìn)行曝光。為使半透 光區(qū)域12的光刻膠4能夠在后續(xù)步驟S24中被完全去除，第二光照強(qiáng)度應(yīng)當(dāng)至少為第一光 照強(qiáng)度的a倍，a為半透光區(qū)域12的透光率的倒數(shù)。例如，半透光區(qū)域12的透光率為1/2， 則第二光照強(qiáng)度至少為第一光照強(qiáng)度的2倍。又如，半透光區(qū)域12的透光率為2/3,則第二 光照強(qiáng)度至少為第一光照強(qiáng)度的1. 5倍。
[0069] S24 :如圖3b所示，去除對應(yīng)于掩膜板1的全透光區(qū)域11和半透光區(qū)域12的光刻 膠4。
[0070] 具體的，可以利用灰化工藝去除已被曝光的光刻膠4。因?yàn)椴襟ES23中采用了較高 的第二光照強(qiáng)度進(jìn)行曝光，所以全透光區(qū)域11和半透光區(qū)域12的光刻膠4都被完全去除； 不透光區(qū)域13的光刻膠4被完全保留。
[0071] S25 :如圖3c所示，對柵極金屬層5進(jìn)行刻蝕，形成柵極金屬層圖案。
[0072] 具體的，可以對柵極金屬層5進(jìn)行濕法刻蝕。因?yàn)槿腹鈪^(qū)域11和半透光區(qū)域12 的光刻膠4都被完全去除了，而只有不透光區(qū)域13的光刻膠4被保留，所以對柵極金屬層 5進(jìn)行刻蝕之后，只有不透光區(qū)域13 (對應(yīng)于柵極金屬層圖案）的柵極金屬層5被保留。
[0073] S26 :如圖3d所示，去除剩余的光刻膠4。
[0074] 利用濕法剝離工藝去除不透光區(qū)域13的光刻膠4,即可在襯底基板2上形成包括 柵線51、公共電極線52的柵極金屬層圖案。
[0075] 此外，陣列基板的制造方法還包括形成柵絕緣層、有源層、源漏極金屬層圖案、像 素電極、鈍化層等后續(xù)步驟，均可采用任意的常規(guī)方式進(jìn)行，并且在后續(xù)步驟中通常不會再 使用實(shí)施例一提供的掩膜板，因此本實(shí)施例中不再詳細(xì)描述。
[0076] 在其他實(shí)施方式中，掩膜板的不透光區(qū)域也可以對應(yīng)陣列基板的其他圖層圖案。 例如，不透光區(qū)域可以對應(yīng)陣列基板的源漏極金屬層圖案，而液晶面板（陣列基板）的柵極 金屬層圖案和透明電極層圖案對應(yīng)在半透光區(qū)域之內(nèi)，則步驟S21中的待刻蝕材料層為源 漏極金屬層?；蛘?，不透光區(qū)域也可以對應(yīng)陣列基板的透明電極層圖案，而液晶面板（陣列 基板）的柵極金屬層圖案和源漏極金屬層圖案對應(yīng)在半透光區(qū)域之內(nèi)，則步驟S21中的待 刻蝕材料層為透明電極層。
[0077] 根據(jù)上述實(shí)施例可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板既可以用于制造紫外線掩膜 板，又可以用于制造陣列基板，實(shí)現(xiàn)了在紫外線掩膜板及陣列基板的制造中能夠共用一個 掩膜板，而不需要單獨(dú)配備用于制造紫外線掩膜板的掩膜板，從而降低了紫外線掩膜板的 制造成本。
[0078] 雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采 用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化， 但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種掩膜板，包括全透光區(qū)域、半透光區(qū)域和不透光區(qū)域； 所述全透光區(qū)域?qū)?yīng)于液晶面板的框膠區(qū)域，所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)液晶面板的圖層圖 案區(qū)域，所述掩膜板的其余區(qū)域?yàn)樗霭胪腹鈪^(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光區(qū)域的透光率在1/2至2/3之 間。
3. 如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述圖層圖案為柵極金屬層圖案； 所述液晶面板的源漏極金屬層圖案和透明電極層圖案對應(yīng)在所述半透光區(qū)域之內(nèi)。
4. 如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述圖層圖案為源漏極金屬層圖案； 所述液晶面板的柵極金屬層圖案和透明電極層圖案對應(yīng)在所述半透光區(qū)域之內(nèi)。
5. 如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述圖層圖案為透明電極層圖案； 所述液晶面板的柵極金屬層圖案和源漏極金屬層圖案對應(yīng)在所述半透光區(qū)域之內(nèi)。
6. -種紫外線掩膜板的制造方法，包括： 在襯底基板上形成金屬層； 在所述金屬層上涂覆一層光刻膠； 利用如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的掩膜板，以第一光照強(qiáng)度對所述光刻膠進(jìn)行曝 光； 去除對應(yīng)于所述掩膜板的全透光區(qū)域的光刻膠； 對所述金屬層進(jìn)行刻蝕； 去除剩余的光刻膠。
7. -種陣列基板的制造方法，包括： 在襯底基板上形成待刻蝕材料層； 在所述待刻蝕材料層上涂覆一層光刻膠； 利用如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的掩膜板，以第二光照強(qiáng)度對所述光刻膠進(jìn)行曝 光； 去除對應(yīng)于所述掩膜板的全透光區(qū)域和半透光區(qū)域的光刻膠； 對所述待刻蝕材料層進(jìn)行刻蝕，形成圖層圖案； 去除剩余的光刻膠。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述待刻蝕材料層為金屬層； 所述圖層圖案為柵極金屬層圖案或源漏極金屬層圖案。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述待刻蝕材料層為透明電極層； 所述圖層圖案為透明電極層圖案。
【文檔編號】G02F1/1333GK104062794SQ201410255565
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年6月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月10日
【發(fā)明者】徐向陽 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司