檢查方法及設(shè)備、光刻系統(tǒng)以及器件制造方法
【專利摘要】一種檢查方法確定了襯底圖案的輪廓參數(shù)的值。制造具有基準(zhǔn)圖案目標(biāo)(BP)的基準(zhǔn)襯底，其具有由例如CD(中間臨界尺寸)、SWA(側(cè)壁角)和RH(抗蝕劑高度)等輪廓參數(shù)所描述的輪廓。散射量測用于獲得來自第一和第二目標(biāo)的第一和第二信號。微分圖案輪廓參數(shù)的值通過使用貝葉斯微分成本函數(shù)基于基準(zhǔn)光瞳和受擾光瞳之間的差并且光瞳對圖案輪廓參數(shù)的依賴性來計算。例如，測量基準(zhǔn)過程和受擾過程之間的差，用于光刻過程的穩(wěn)定控制。正向反饋微分疊層參數(shù)也由與圖案目標(biāo)相同的襯底上的疊層目標(biāo)的觀測來計算。
【專利說明】檢查方法及設(shè)備、光刻系統(tǒng)以及器件制造方法
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求于2012年7月23日遞交的美國臨時申請61/674, 505的權(quán)益和于2012 年11月27日遞交的美國臨時申請61/730, 474的權(quán)益，這兩個臨時申請的全部內(nèi)容通過引 用并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明涉及例如可用于由光刻技術(shù)制造器件中的檢查方法。

【背景技術(shù)】
[0004] 光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路（ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述1C的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案 轉(zhuǎn)移到襯底（例如，硅晶片）上的目標(biāo)部分（例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯）上。 所述圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料（抗蝕劑）層上。 通常，單個襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括：所謂 的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目 標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向（"掃描"方向）掃描 所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部 分。也可能通過將圖案壓?。╥mprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯 底上。
[0005] 為了監(jiān)測和控制光刻過程，需要測量圖案化的襯底的參數(shù)，例如形成在圖案化襯 底內(nèi)或圖案化襯底上的特征的線寬（臨界尺寸）和側(cè)壁角（SWA)。存在多種技術(shù)用于測量 在光刻過程中形成的微觀結(jié)構(gòu)（特征），包括使用掃描電子顯微鏡和各種的專用工具。一 種形式的專用檢查工具是散射儀，其中輻射束被引導(dǎo)至襯底表面上的目標(biāo)上，并且測量被 散射或反射的束的屬性。通過比較被襯底反射或散射前后的束的屬性，可以確定襯底的屬 性。這例如可以通過比較反射束與和已知的襯底屬性相關(guān)的已知測量結(jié)果庫內(nèi)存儲的數(shù)據(jù) 來完成。已知兩種主要類型的散射儀。光譜散射儀將寬帶輻射束引導(dǎo)到襯底上并且將束的 屬性（強(qiáng)度、偏振狀態(tài)）作為散射到特定的窄的角度范圍中的輻射的波長的函數(shù)來測量。角 分辨散射儀使用單色輻射束，并且將散射輻射的屬性作為被反射的束的角度的函數(shù)測量。
[0006] 為了監(jiān)測和控制測量結(jié)果的目的，可以專門形成所述目標(biāo)?？商娲?，所述目標(biāo)可 能已經(jīng)出現(xiàn)在正形成在襯底上的產(chǎn)品特征中。所述目標(biāo)可以由抗蝕劑材料形成，其已經(jīng)在 蝕刻襯底材料之前通過光刻過程形成圖案。抗蝕劑材料可能被顯影或可能沒有被顯影。不 管所述實施方式的這些細(xì)節(jié)如何，我們可以說所述測量尋求測量表征所述目標(biāo)的一個或更 多的參數(shù)，諸如描述所述目標(biāo)的輪廓或形狀的參數(shù)。為了控制光刻過程，目標(biāo)輪廓中的變化 可以用于控制光刻設(shè)備（掃描器）。目標(biāo)輪廓從參考過程到受擾過程（perturbed process) 是變化的。參考過程可以例如是在特定時間在特定設(shè)備上的過程、具有最佳產(chǎn)率的單獨(dú)的 設(shè)備的過程或其中產(chǎn)生了 OPC(光學(xué)鄰近效應(yīng)校正）模型的過程。受擾過程可以是在不同 時間或不同的光刻設(shè)備或涂覆/顯影設(shè)備（在本領(lǐng)域中被稱為"軌道"）上曝光的過程。受 擾過程可以通過引入具有偏置參數(shù)的目標(biāo)與參考過程一起實施。事實上可以將這兩個過程 相對于理想的過程偏置，使得術(shù)語"參考"和"受擾"僅是稱謂，并且為了測量的目的本身可 以互換。在用于計算目標(biāo)輪廓的變化的已知方法中，絕對的目標(biāo)輪廓被針對于參考過程計 算。接下來，絕對的目標(biāo)輪廓被針對于受擾過程計算。目標(biāo)輪廓中的變化之后通過這兩個 絕對輪廓的相減來獲得。這樣的方法是所述變化的偏置的預(yù)測器，因為必須使用之前的信 息來進(jìn)行基于由散射術(shù)進(jìn)行的觀測的輪廓的重構(gòu)。任何被偏置的量測方法具有在測量的置 信度上的固有的問題。另外，生成測量絕對的目標(biāo)輪廓的選配方案（recipe)是單調(diào)冗長的 工作，需要熟練的且有經(jīng)驗的工程師。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 期望改善參考過程和受擾過程之間的輪廓上的變化的精度。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于確定襯底圖案的輪廓參數(shù)的值的檢查方 法，所述方法包括步驟：支撐包括第一圖案目標(biāo)的襯底；用輻射照射第一圖案目標(biāo)并且檢 測被散射的輻射以獲得第一圖案信號；支撐包括第二圖案目標(biāo)的襯底；用輻射照射第二圖 案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第二圖案信號；和通過使用第一圖案信號和第二圖案 信號之間的差來計算微分圖案輪廓參數(shù)的值。
[0009] 就上文論述的引入而言，第一和第二圖案目標(biāo)中的一個可以是通過參考過程制造 的目標(biāo)，而另一個是通過受擾過程制造的目標(biāo)。之后，微分圖案輪廓參數(shù)可以被使用，以直 接地或間接地揭示這些過程之間的差別。
[0010] 在提及信號之間的"差"時，應(yīng)當(dāng)理解其包含比例（百分比）差，不僅是通過相減 獲得的差。技術(shù)人員可以選擇正確的比較技術(shù)，和最適合的表示差的方式。
[0011] 依賴于所述應(yīng)用，具有第一圖案目標(biāo)的襯底可以是與具有第二圖案目標(biāo)的襯底相 同或不同。例如，在所述目標(biāo)在不同的襯底上的情況下，微分輪廓參數(shù)可以用于揭示在不同 的設(shè)備上執(zhí)行的過程的差別和/或在不同的時間執(zhí)行的過程之間的差別。在第一圖案目標(biāo) 和第二圖案目標(biāo)兩者在同一襯底上的情況下，微分輪廓參數(shù)可以用于揭示在同一襯底上或 在該襯底的一部分內(nèi)的不同的位置執(zhí)行的過程之間的差別?？商娲?，第一圖案目標(biāo)和第 二圖案目標(biāo)可以是一對被不同地偏置的目標(biāo)，通過在同一襯底上的在大致相同的位置的相 同的過程形成。在這種情形中，被不同地偏置的目標(biāo)意味著兩個目標(biāo)被設(shè)計成使得它們的 輪廓參數(shù)對在它們所形成的過程中的感興趣的參數(shù)具有不同的靈敏度。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種用于確定襯底圖案的輪廓參數(shù)的值的檢查設(shè) 備，所述檢查設(shè)備包括：用于襯底的支撐件；光學(xué)系統(tǒng)，配置成用輻射照射襯底上的一個或 更多的圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得對應(yīng)的圖案信號；和處理器，布置成通過使 用利用所述光學(xué)系統(tǒng)從第一圖案目標(biāo)檢測的第一圖案信號和利用所述光學(xué)系統(tǒng)從第二圖 案目標(biāo)檢測的第二圖案信號之間的差來計算微分圖案輪廓參數(shù)的值。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種計算機(jī)程序產(chǎn)品，包括用于使處理器執(zhí)行根 據(jù)第一方面所述的方法的步驟（e)的機(jī)器可讀指令。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種光刻系統(tǒng)，包括：光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包 括：照射光學(xué)系統(tǒng)，布置成照射圖案；投影光學(xué)系統(tǒng)，布置成將所述圖案的圖像投影到襯底 上；和檢查設(shè)備，所述檢查設(shè)備是根據(jù)第二方面所述的檢查設(shè)備，其中所述光刻設(shè)備被布置 成在將所述圖案施加至另外的襯底時使用來自所述檢查設(shè)備的測量結(jié)果。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種制造器件的方法，其中器件圖案被利用光刻 過程施加到一系列襯底，所述方法包括利用根據(jù)第一方面所述的方法檢查形成為在所述襯 底的至少一個上的所述器件圖案的一部分的至少一個周期性結(jié)構(gòu)或檢查形成在所述襯底 的至少一個上的除所述器件圖案之外的至少一個周期性結(jié)構(gòu)，并且根據(jù)所述方法的結(jié)果控 制用于之后的襯底的光刻過程。
[0016] 本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點以及本發(fā)明不同實施例的結(jié)構(gòu)和操作將在下文中參照 附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。要注意的是，本發(fā)明不限于這里所描述的具體實施例。在這里給出的 這些實施例僅是出于示例性目的?；谶@里包含的教導(dǎo)，另外的實施例對相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人 員將是顯而易見的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 這里附圖并入說明書并且形成說明書的一部分，其示出本發(fā)明并且與所述描述一 起進(jìn)一步用來解釋本發(fā)明的原理，和允許相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┖褪褂帽景l(fā)明。
[0018] 圖1示出光刻設(shè)備；
[0019] 圖2示出光刻單元或光刻簇；
[0020]圖3示出第一散射儀；
[0021] 圖4示出第二散射儀；
[0022] 圖5示出使用掃描器穩(wěn)定性模塊的光刻過程中的控制回路；
[0023]圖6示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的用于確定襯底圖案的輪廓參數(shù)的值的檢查 方法；
[0024] 圖7示出通過雙重圖案化制造產(chǎn)品特征的過程，用于顯示本發(fā)明的第二實施例的 應(yīng)用；
[0025] 圖8示出了在第二實施例中的圖案目標(biāo)的特定參數(shù)；
[0026] 圖9示出了在第二實施例中的圖案信號的一部分的靈敏度；
[0027] 圖10示出了在第二實施例中使用的復(fù)合量測目標(biāo)；
[0028] 圖11不出了用于一對偏置的目標(biāo)的圖案信號。
[0029] 結(jié)合附圖通過下面闡述的詳細(xì)說明，本發(fā)明的特征和優(yōu)點將變得更加清楚，在附 圖中相同的附圖標(biāo)記在全文中表示對應(yīng)元件。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記通常表示相同的、 功能類似的和/或結(jié)構(gòu)類似的元件。元件第一次出現(xiàn)的附圖用相應(yīng)的附圖標(biāo)記中最左邊的 數(shù)字表示。

【具體實施方式】
[0030] 本說明書公開一個或多個實施例，其包含本發(fā)明的多個特征。所公開的實施例僅 給出本發(fā)明的示例。本發(fā)明的范圍不限于這些公開的實施例。本發(fā)明由隨附的權(quán)利要求來 限定。
[0031] 所述的實施例和在說明書中提到的"一個實施例"、"實施例"、"示例性實施例"等 表示所述的實施例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每個實施例可以不必包括所述特 定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。而且，這些措辭不一定指的是同一個實施例。此外，當(dāng)特定特征、結(jié) 構(gòu)或特性與實施例結(jié)合進(jìn)行描述時，應(yīng)該理解，無論是否明確描述，結(jié)合其他實施例實現(xiàn)這 些特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的知識范圍內(nèi)。
[0032] 本發(fā)明的實施例可以在硬件、固件、軟件或其任何組合中實施。本發(fā)明實施例還可 以實施為存儲在機(jī)器可讀介質(zhì)上的指令，其可以通過一個或更多個處理器讀取和執(zhí)行。機(jī) 器可讀介質(zhì)可以包括任何用于以機(jī)器（例如計算裝置）可讀形式存儲或傳送信息的機(jī)制。 例如，機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括：只讀存儲器（ROM);隨機(jī)存取存儲器（RAM);磁盤存儲介質(zhì)； 光學(xué)存儲介質(zhì)；閃存裝置；傳播信號的電、光、聲或其他形式（例如，載波、紅外信號、數(shù)字信 號等），以及其他。此外，這里可以將固件、軟件、例行程序、指令描述成執(zhí)行特定動作。然而， 應(yīng)該認(rèn)識到，這些描述僅為了方便并且這些動作實際上由計算裝置、處理器、控制器或用于 執(zhí)行所述固件、軟件、例行程序、指令等的其他裝置來完成的。
[0033] 然而，在詳細(xì)描述這些實施例之前，給出實施本發(fā)明的實施例的示例環(huán)境是有利 的。
[0034] 圖1示意地示出一種光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括：照射系統(tǒng)（照射器）IL，其配置用 于調(diào)節(jié)輻射束B(例如紫外（UV)輻射或深紫外（DUV)輻射）。支撐結(jié)構(gòu)（例如掩模臺）MT， 其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置（例如掩模）MA，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位 圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連。襯底臺（例如晶片臺）WT構(gòu)造用于保持襯底（例 如涂覆有抗蝕劑的晶片）W，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置 PW相連。投影系統(tǒng)（例如折射式投影透鏡系統(tǒng)）PL配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予 輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或更多根管芯）上。
[0035] 照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜 電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。
[0036] 所述支撐結(jié)構(gòu)支撐圖案形成裝置，即承載圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴 于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等 其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它 夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固 定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上（例如相對于投 影系統(tǒng)）。這里使用的任何術(shù)語"掩模版"或"掩模"可以看作與更為上位的術(shù)語"圖案形成 裝置"同義。
[0037] 這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意 的是，賦予輻射束的圖案可能不與襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案精確地對應(yīng)（例如，如果 圖案包括相移特征或所謂的輔助特征）。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成 的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
[0038] 圖案形成裝置可以是透射型的或反射型的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編 程反射鏡陣列以及可編程LCD面板。掩模在光刻技術(shù)中是熟知的，并且包括諸如二元掩模 類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？?編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便 沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的 輻射束。
[0039] 這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"可以廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使 用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這 里使用的任何術(shù)語"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。
[0040] 如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的（例如，采用透射式掩模）。替代地，所述設(shè)備 可以是反射型的（例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模）。
[0041] 光刻設(shè)備可以是具有兩個（雙臺）或更多襯底臺（和/或兩個或更多的掩模臺） 的類型。在這種"多臺"機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí) 行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。
[0042] 所述光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對高的折 射率的液體覆蓋（例如水），以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以被施 加到光刻設(shè)備中的其他空間，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知 的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語"浸沒"并不意味著必須將結(jié)構(gòu)（例如 襯底）浸入到液體中，而僅意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。
[0043] 參照圖1，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射束。所述源和光刻設(shè)備可以是分立 的實體（例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時）。在這種情況下，不會將該源考慮成形成光刻設(shè)備 的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將 所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的 組成部分（例如當(dāng)所述源是汞燈時）?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時 設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD -起稱作輻射系統(tǒng)。
[0044] 所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可 以對所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍（一般 分別稱為外部和內(nèi)部）進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如整合器IN和聚光器C0?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中 具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。
[0045]所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)（例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所 述輻射束B通過投影系統(tǒng)PL，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。 通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器、二維編碼器或電容 傳感器）的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述 輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后或在掃描期間，可以將所述第 一定位裝置PM和另一個位置傳感器IF(在圖1中沒有明確地示出）用于相對于所述輻射 束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長 行程模塊（粗定位）和短行程模塊（精定位）的幫助來實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可 以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺 WT的移動。在步進(jìn)機(jī)的情況下（與掃描器相反），掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連， 或可以是固定的。可以使用掩模對準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2來對準(zhǔn)掩模MA和 襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的 空間（這些已知為劃線對齊標(biāo)記）中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在掩模MA上的情 況下，所述掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。
[0046] 可以將所示的設(shè)備用于以下模式中的至少一種中：
[0047] 1.在步進(jìn)模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所 述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上（即，單一的靜態(tài)曝光）。然后將所述襯底 臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
[0048] 2.在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同時，將賦予所 述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上（即，單一的動態(tài)曝光）。襯底臺WT相對于掩模臺MT 的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PL的（縮?。┓糯舐屎蛨D像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃 描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度（沿非掃描 方向），而所述掃描移動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度（沿所述掃描方向）。
[0049] 3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜止， 并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時，對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或 掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在 掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可 易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置（例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列）的無掩 模光刻術(shù)中。
[0050] 也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
[0051] 如圖2所示，光刻設(shè)備LA形成光刻單元LC的一部分（有時也稱為光刻元或者光 刻簇），光刻單元LC還包括用以在襯底上執(zhí)行曝光前和曝光后處理的設(shè)備。通常，這些包括 用以沉積抗蝕劑層的旋涂器SC、用以顯影曝光后的抗蝕劑的顯影器DE、激冷板CH和烘烤板 BK。襯底處理裝置或機(jī)械人RO從輸入/輸出口 I/0UI/02拾取襯底，將它們在不同的處理 設(shè)備之間移動，然后將它們傳送到光刻設(shè)備的進(jìn)料臺LB。經(jīng)常統(tǒng)稱為軌道的這些裝置處在 軌道控制單元T⑶的控制之下，所述軌道控制單元T⑶自身由管理控制系統(tǒng)SCS控制，所述 管理控制系統(tǒng)SCS也經(jīng)由光刻控制單元LA⑶控制光刻設(shè)備。因此，不同的設(shè)備可以被操作 用于將生產(chǎn)量和處理效率最大化。
[0052] 為了由光刻設(shè)備曝光的襯底被正確地和一致地曝光，期望檢查經(jīng)過曝光的襯底以 測量屬性，例如連續(xù)層之間的重疊誤差、線厚度、臨界尺寸（CD)等。如果檢測到誤差，可以 對后續(xù)襯底的曝光進(jìn)行調(diào)整（尤其是如果檢查能夠即刻完成并且足夠快到使同一批次的 其他襯底仍然將要被曝光）。此外，已經(jīng)曝光過的襯底也可以被剝離并被重新加工（以提高 產(chǎn)率），或可以被遺棄，由此避免在已知存在缺陷的襯底上進(jìn)行曝光。在僅僅襯底的一些目 標(biāo)部分存在缺陷的情況下，可以僅對認(rèn)為是完好的那些目標(biāo)部分進(jìn)行另外的曝光。
[0053] 檢查設(shè)備被用于確定襯底的屬性，且尤其，用于確定不同的襯底或同一襯底的不 同層的屬性如何從層到層變化。檢查設(shè)備可以被集成到光刻設(shè)備LA或光刻單元LC中，或 可以是獨(dú)立的裝置。為了能進(jìn)行最迅速的測量，期望檢查設(shè)備在曝光后立即測量在經(jīng)過曝 光的抗蝕劑層上的屬性。然而，抗蝕劑中的潛像具有很低的對比度（在經(jīng)過輻射曝光的抗 蝕劑部分和沒有經(jīng)過輻射曝光的抗蝕劑部分之間僅有很小的折射率差），且并非所有的檢 驗設(shè)備都對潛像的有效測量具有足夠的靈敏度。因此，測量可以在曝光后的烘烤步驟（PEB) 之后進(jìn)行，所述曝光后的烘烤步驟通常是在經(jīng)過曝光的襯底上進(jìn)行的第一步驟，且增加了 抗蝕劑的經(jīng)過曝光和未經(jīng)曝光的部分之間的對比度。在該階段，抗蝕劑中的圖像可以被稱 為半潛的。也能夠在抗蝕劑的曝光部分或者非曝光部分已經(jīng)被去除的點上，或者在諸如蝕 刻等圖案轉(zhuǎn)移步驟之后，對經(jīng)過顯影的抗蝕劑圖像進(jìn)行測量。后一種可能性限制了有缺陷 的襯底進(jìn)行重新加工的可能性，但是仍舊可以提供有用的信息。
[0054] 圖3示出可以用在本發(fā)明中的散射儀。散射儀包括寬帶（白光）輻射投影裝置2， 其將輻射投影到襯底W上。被反射的輻射傳遞至光譜儀檢測器4,該光譜儀檢測器4測量被 鏡面反射的輻射的光譜10 (強(qiáng)度是波長的函數(shù)）。通過這個數(shù)據(jù)，導(dǎo)致被檢測光譜的結(jié)構(gòu) 或輪廓可以通過處理單元PU(例如通過嚴(yán)格耦合波分析和非線性回歸，或通過與圖3底部 示出的模擬光譜庫進(jìn)行比較）進(jìn)行重構(gòu)。通常，對于所述重構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)的通常形式是已知 的，且通過根據(jù)所述結(jié)構(gòu)的制作工藝的知識假定一些參數(shù)，僅留有所述結(jié)構(gòu)的幾個參數(shù)根 據(jù)散射測量數(shù)據(jù)確定。這種散射儀可以被配置為正入射散射儀或斜入射散射儀。
[0055] 可以用于本發(fā)明的另一散射儀如圖4所示。在該裝置中，由輻射源2發(fā)出的輻射 采用透鏡系統(tǒng)12準(zhǔn)直并且透射通過干涉濾光片13和偏振器17,由部分反射表面16反射并 經(jīng)由具有高數(shù)值孔徑（NA)(優(yōu)選至少0. 9,更優(yōu)選至少0. 95)的顯微鏡物鏡15聚焦到襯底 W上。浸沒式散射儀甚至可以具有超過1的數(shù)值孔徑的透鏡。然后，所反射的輻射通過部分 反射表面16透射到檢測器18中，以便檢測散射光譜。檢測器可以位于在透鏡系統(tǒng)15的焦 距處的后投影光瞳平面11上，然而，光瞳平面可以替代地通過輔助的光學(xué)裝置（未示出） 在檢測器上重新成像。所述光瞳平面是在其上輻射的徑向位置限定入射角而角位置限定輻 射的方位角的平面。所述檢測器優(yōu)選為二維檢測器，以使得可以測量襯底目標(biāo)30的兩維角 散射光譜。檢測器18可以是例如電荷耦合器件（CCD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS)傳 感器的陣列，且可以采用例如每幀40毫秒的積分時間。
[0056] 參考束經(jīng)常被用于例如測量入射輻射的強(qiáng)度。為此，當(dāng)輻射束入射到分束器16上 時，福射束的一部分通過所述分束器作為參考束朝向參考反射鏡14透射。然后，所述參考 束被投影到同一檢測器18的不同部分上。
[0057] -組干涉濾光片13可用于在如405-790nm或甚至更低（例如200-300nm)的范圍 中選擇感興趣的波長。干涉濾光片可以是可調(diào)的，而不是包括一組不同的濾光片。光柵可 以被用于替代干涉濾光片。
[0058] 檢測器18可以測量在單一波長（或窄波長范圍）處被散射光的強(qiáng)度，所述強(qiáng)度在 多個波長上是獨(dú)立的，或者所述強(qiáng)度集中在一個波長范圍上。而且，檢測器可以獨(dú)立地測量 橫向磁場和橫向電場偏振光的強(qiáng)度和/或在橫向磁場和橫向電場偏振光之間的相位差。
[0059] 能夠采用給出大集光率的寬帶光源（即具有寬的光頻率或波長范圍以及由此具 有寬的色彩范圍的光源），由此允許多個波長混合。在寬帶中的多個波長優(yōu)選每個具有 A入的帶寬和至少2A X (即帶寬的兩倍）的間距。多個輻射"源"可以是已經(jīng)用光纖束被分 割的擴(kuò)展輻射源的不同部分。以這樣的方式，角分辨散射光譜可以并行地在多個波長被測 量。可以測量包含比二維光譜更多的信息的三維光譜（波長和兩個不同角度）。這允許更多 的信息被測量，這增加量測工藝的魯棒性（robustness)。這在歐洲專利申請EP1，628, 164A 中進(jìn)行了更詳細(xì)的描述，該文檔以引用的方式整體并入本文中。
[0060] 襯底W上的目標(biāo)30可以是光柵，其被印刷成使得在顯影之后，所述條紋由實抗蝕 劑線形成。所述條紋可以替代地被蝕刻到所述襯底中。該圖案對于光刻投影設(shè)備（尤其是 投影系統(tǒng)PL)中的像差和照射對稱度敏感，且這種像差的存在將表明自身在所印刷的光柵 中的變化。相應(yīng)地，所印刷的光柵的散射測量數(shù)據(jù)被用于重構(gòu)光柵。光柵的參數(shù)（例如線 寬和線形）可以被輸入到重構(gòu)過程中，所述重構(gòu)過程由處理單元PU根據(jù)印刷步驟和/或其 他的散射測量過程的知識進(jìn)行。
[0061] 圖5示出了包括掃描器穩(wěn)定性模塊500(實質(zhì)上在本示例中在服務(wù)器上運(yùn)行的應(yīng) 用程序）的整個光刻和量測系統(tǒng)。顯示出三個主要過程控制回路。第一回路提供了使用掃 描器穩(wěn)定性模塊500和監(jiān)測晶片的本地掃描器控制。監(jiān)測晶片505被顯示從主光刻術(shù)單元 510傳送，已經(jīng)被曝光以設(shè)定用于聚焦和重疊的基準(zhǔn)參數(shù)。在隨后的時間，量測單元515讀 取這些基準(zhǔn)參數(shù)，其之后被掃描器穩(wěn)定性模塊500譯碼，以便計算校正例行程序550,該校 正例行程序550被傳送至主光刻單元510并且在執(zhí)行另外的曝光時被使用。
[0062] 第二先進(jìn)過程控制（APC)回路用于對產(chǎn)品的本地掃描器控制（確定焦點、劑量以 及重疊）。經(jīng)過曝光的產(chǎn)品晶片520被傳遞至量測單元515并且之后被傳遞到先進(jìn)過程控 制（APC)模塊525上。來自量測單元515的數(shù)據(jù)再次被傳遞到掃描器穩(wěn)定性模塊500。在 制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES) 535接管之前，進(jìn)行過程校正540,從而與掃描器穩(wěn)定性模塊500通信， 給主光刻單元510提供掃描器控制。
[0063] 第三回路允許量測術(shù)集成到第二APC回路（例如用于雙重圖案化）。蝕刻后的晶 片530被傳遞到量測單元515,并且之后傳遞到先進(jìn)過程控制（APC)模塊上。所述回路以與 第二回路相同的方式繼續(xù)。
[0064] 如在引述中所提及的，從第一和第二圖案信號獲得微分輪廓參數(shù)的原理可以應(yīng)用 于寬范圍的情形中。圖4的散射儀將用作用在所述方法中的儀器的例子。由檢測器從目標(biāo) 30所捕獲的光瞳圖像是在引述中所提及的圖案信號的例子。第一例子現(xiàn)在將被更詳細(xì)地描 述，尤其是參考基準(zhǔn)過程和受擾過程的比較。這可以被直接用在圖5的穩(wěn)定性控制回路的 實施中。下面進(jìn)一步描述的第二例子涉及在所謂的雙重圖案化過程中的間隔的平衡。這些 僅是示例，并且不限制本發(fā)明的范圍。
[0065] 在第一示例中，為了控制光刻過程，目標(biāo)輪廓中的變化可以直接由第一和第二圖 案信號來計算獲得，而不是絕對的目標(biāo)輪廓。所述目標(biāo)可以是形成在已曝光的抗蝕劑材料 中的光柵，目標(biāo)輪廓還可以被稱為"抗蝕劑輪廓"。本發(fā)明的實施例使用圖案信號，該圖案 信號成來自兩個圖案目標(biāo)的角度分辨的散射儀光瞳的形式。圖案目標(biāo)可以例如是表示基準(zhǔn) 過程的參考目標(biāo)和表示受擾過程的對象目標(biāo)。輪廓上的變化通過比較來自基準(zhǔn)監(jiān)測晶片的 散射儀信號與來自下述的目標(biāo)的信號獲得，所述目標(biāo)被用名義上與基準(zhǔn)晶片相同的條件印 刷但是在不同的時間、掃描器、軌道（即受擾條件）曝光。在這一示例中，微分成本函數(shù)被 描述用于測量來自兩個散射儀光瞳的輪廓變化，即基準(zhǔn)光瞳和受擾光瞳。散射儀光瞳圖像 是意味著所述方法無偏置的測量量。兩個光瞳圖像之后被減去，并且計算目標(biāo)輪廓中的變 化。這極大地減小CD或其他參數(shù)的絕對測量所需要的之前的信息。其被用此處描述的差 別測量的先前信息替代。例如，雅克比行列式（Jacobian)被基于一些初始參數(shù)設(shè)定計算。 如果該初始參數(shù)設(shè)定遠(yuǎn)離實際情況，那么可能仍然是有問題的。因為假定所述雅克比行列 式對于感興趣區(qū)域中的不同的參數(shù)設(shè)定緩慢地變化，所以精確的初始參數(shù)設(shè)定可能不那么 關(guān)鍵。然而，仍然使用合理的猜測，即先前的信息。因為所述光瞳被減去，所以所述散射儀 的校準(zhǔn)是較不關(guān)鍵的。另外，用于目標(biāo)輪廓中的變化的散射儀設(shè)置的選配方案生成比用于 絕對輪廓測量的所述選配方案生成更容易，這是因為微分輪廓需要不同的更加容易利用的 先前的信息。由差參數(shù)U表示的輪廓上的變化的假定的先前信息接近零。
[0066] 本發(fā)明的例子通過使用用于微分CD重構(gòu)的不偏置的技術(shù)改善了在基準(zhǔn)過程和受 擾過程之間的輪廓上的變化的測量精度。所述技術(shù)使用已知為貝葉斯（Bayesian)最大后 驗估計（簡稱為Bayesian-MAP估計）的方法。
[0067]圖6示出在第一例子中用于確定襯底圖案的輪廓參數(shù)上的變化或差異的值的檢 查方法。參考圖6,所述步驟是：產(chǎn)生包括基準(zhǔn)圖案目標(biāo)（BP)的基準(zhǔn)襯底，具有由輪廓參數(shù) 描述的輪廓，例如CD(中間臨界尺寸）、SWA(側(cè)壁角）和RH(抗蝕劑高度）；用輻射照射基 準(zhǔn)圖案目標(biāo)（BP)以及檢測被散射的輻射以獲得基準(zhǔn)光瞳或圖案信號（IBP);產(chǎn)生包括受擾 圖案目標(biāo)（PP)的受擾襯底，該受擾圖案目標(biāo)（PP)具有由輪廓參數(shù)（例如CD、SWA和RH)描 述的輪廓；以及用輻射照射受擾的圖案目標(biāo)（PP)和檢測被散射的輻射以獲得受擾的光瞳 或圖案信號（IPP)。通過使用圖4的散射儀，對于一個或更多的入射輻射的波長，每個圖案 信號包括橫跨光瞳圖像的像素強(qiáng)度兩維集合。
[0068] 因為在這一例子中參考目標(biāo)和對象目標(biāo)可以在不同的襯底上，和/或可以被在不 同的時間或不同的機(jī)器上形成，不僅圖案目標(biāo)而且底下的層或"疊層"也可以變化。這樣的 變化可以是通過設(shè)計的，或它們可以是過程變化的結(jié)果。在圖6中示出的第一示例方法包 括用于消除由底下的疊層中差異引起的差別的步驟，以便更加精確地分離圖案目標(biāo)自身中 的差別。為此目的，基準(zhǔn)襯底還具有由疊層參數(shù)氏（層高度或厚度）和對于疊層的每一層i 的復(fù)折射率參數(shù)3/4 (折射率）以及& (消光系數(shù)）描述的基準(zhǔn)疊層目標(biāo)（BS)。受擾襯底 還具有由所述疊層的每一層i的疊層參數(shù)氏、3/4和匕所描述的受擾疊層目標(biāo)（PS)。這些 疊層目標(biāo)有效地僅是襯底的空白部分，其可以是除對應(yīng)的圖案目標(biāo)之外或?qū)?yīng)的圖案目標(biāo) 旁邊的部分，且除了缺少圖案目標(biāo)之外，這些疊層目標(biāo)是相同的。所述示例方法還包括：用 輻射照射基準(zhǔn)疊層目標(biāo)（BS)和檢測被散射的輻射以獲得基準(zhǔn)疊層信號（IBS);和用輻射照 射受擾的疊層目標(biāo)（PS)和檢測被散射的輻射以獲得受擾的疊層信號《\,>。
[0069] 所述方法之后包括通過使用所述基準(zhǔn)圖案信號（3/4p)和受擾圖案信號（Ipp)來 計算（600) -個或更多個微分圖案輪廓參數(shù)（602) (ACD、ASWA、ARH)的值。作為額外的輸入， 可以利用圖案信號對于圖案輪廓參數(shù)（CD，SWA，RH)中的一個或更多個的已知的影響（604) (3P/3⑶，3P/3SWA，3P/3RH)。在這一例子中，僅使用光瞳圖像信號的梯度P。然而，在其他的 實施例中，可以使用泰勒展開式的海塞（Hessian)項。本發(fā)明的實施例因此不僅限于一階 微分。
[0070] 在所述計算中還被使用的是基準(zhǔn)疊層信號（IBS)和受擾疊層信號之間的 差（606) (Astack)。在這一實施例中，這一步驟包括針對于所述疊層計算，通過利用基準(zhǔn) 疊層信號（IBS)和受擾疊層信號（IPS)之間的差（606)和疊層信號對疊層參數(shù)的依賴性 (612) (3P/3lUP/dn，dP..9k)來計算微分疊層參數(shù)（610) (A3/4，An ;Ak)的值（608)以及將 的微分疊層參數(shù)（610) (A3/4, An ;Ak)的這些計算值前饋至微分圖案輪廓參數(shù)（602) (ACD， ASWA，ARH)的計算（600)。
[0071] 用于計算（600)微分圖案輪廓參數(shù)（602) (ACD，ASWA，ARH)的值的線/空間計算步 驟可以通過使用Bayesian微分成本函數(shù)來進(jìn)行，如下文所述。所述疊層計算步驟（608)還 可以使用Bayesian微分成本函數(shù)。
[0072] 微分疊層參數(shù)（610) (A3/4，An ;Ak)的前饋計算值可以在線/空間計算步驟（600) 中保持恒定。
[0073] 輪廓參數(shù)？_的后驗概率密度函數(shù)（PDF)可以根據(jù)貝葉斯定理計算，如下述：

【權(quán)利要求】
1. 一種用于確定形成在襯底上的圖案的輪廓參數(shù)的值的檢查方法，所述方法包括步 驟： (a) 支撐包括第一圖案目標(biāo)的襯底； (b) 用輻射照射第一圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第一圖案信號； (c) 支撐包括第二圖案目標(biāo)的襯底； (d) 用輻射照射第二圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第二圖案信號；和 (e) 通過使用第一圖案信號和第二圖案信號之間的差來計算微分圖案輪廓參數(shù)的值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中計算微分圖案輪廓參數(shù)的值的步驟（e)使用正則 化的成本函數(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述成本函數(shù)是貝葉斯微分成本函數(shù)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中計算微分圖案輪廓參數(shù)的值的步驟（e)還 使用關(guān)于圖案信號對于圖案輪廓參數(shù)的依賴性的預(yù)定的信息。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，其中用于承載第一圖案目標(biāo)的襯底與具有 第二圖案目標(biāo)的襯底相同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，其中步驟（e)使用關(guān)于在第一和第二圖案 目標(biāo)被形成時在第一和第二圖案目標(biāo)之間產(chǎn)生的差的信息。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的方法，其中在步驟（a)中，所述襯底還包括第一疊 層目標(biāo)，在步驟（c)中，所述襯底還包括第二疊層目標(biāo)，以及所述方法還包括步驟： (b'）用輻射照射第一疊層目標(biāo)，并且檢測被散射的輻射以獲得第一疊層信號；和 (d'）用輻射照射第二疊層目標(biāo)，并且檢測被散射的輻射以獲得第二疊層信號，和 步驟（e)還使用第一疊層信號和第二疊層信號之間的差，由此減小在圖案目標(biāo)下面的 疊層之間的變化的影響。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中步驟（e)包括： (el)通過使用第一疊層信號和第二疊層信號之間的差和關(guān)于疊層信號對疊層參數(shù)的 依賴性的預(yù)定的信息來計算微分疊層參數(shù)的值；和 (e2)在計算微分圖案輪廓參數(shù)的值的過程中，使用所述已計算的微分疊層參數(shù)的值。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述計算微分疊層參數(shù)的值的步驟使用貝葉斯微 分成本函數(shù)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其中在步驟（el)中的所述計算在計算微分圖案 輪廓參數(shù)的值的步驟（e2)中保持恒定。
11. 一種用于確定襯底圖案的輪廓參數(shù)的值的檢查設(shè)備，所述檢查設(shè)備包括： 用于襯底的支撐件； 光學(xué)系統(tǒng)，配置成用輻射照射襯底上的一個或更多的圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射 以獲得對應(yīng)的圖案信號；和 處理器，布置成通過使用利用所述光學(xué)系統(tǒng)從第一圖案目標(biāo)檢測的第一圖案信號和利 用所述光學(xué)系統(tǒng)從第二圖案目標(biāo)檢測的第二圖案信號之間的差來計算微分圖案輪廓參數(shù) 的值。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢查設(shè)備，其中所述處理器布置成還在所述計算中使用關(guān) 于圖案信號對圖案輪廓參數(shù)的依賴性的預(yù)定的信息。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的檢查設(shè)備，其中所述處理器布置成還在所述計算中使 用關(guān)于在所述第一圖案目標(biāo)和第二圖案目標(biāo)被形成時在第一圖案目標(biāo)和第二圖案目標(biāo)之 間所產(chǎn)生的差的信息。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11-13中任一項所述的檢查設(shè)備，其中所述光學(xué)系統(tǒng)還是能夠操作 用于用輻射照射第一疊層目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第一疊層信號，和用輻射照射 第二疊層目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第二疊層信號，且其中所述處理器還被布置成 在所述計算中使用所述第一疊層信號和第二疊層信號之間的差，由此減小在圖案目標(biāo)下面 的疊層之間的變化的影響。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的檢查設(shè)備，其中所述處理器布置成通過使用第一疊層信號 和第二疊層信號之間的差和關(guān)于疊層信號對疊層參數(shù)的依賴性的預(yù)定的信息來計算微分 疊層參數(shù)的值，并且還布置成在計算微分圖案輪廓參數(shù)的值的過程中使用所述已計算的微 分疊層參數(shù)的值。
16. -種計算機(jī)程序產(chǎn)品，包括用于使處理器執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的 方法的步驟（e)的機(jī)器可讀指令。
17. -種光刻系統(tǒng)，包括： 光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括： 照射光學(xué)系統(tǒng)，布置成照射圖案； 投影光學(xué)系統(tǒng)，布置成將所述圖案的圖像投影到襯底上；和 檢查設(shè)備，所述檢查設(shè)備是根據(jù)權(quán)利要求11-15中任一項所述的檢查設(shè)備， 其中所述光刻設(shè)備被布置成在將所述圖案施加至另外的襯底時使用來自所述檢查設(shè) 備的測量結(jié)果。
18. -種制造器件的方法，其中器件圖案被利用光刻過程施加到一系列襯底，所述方法 包括利用根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的方法檢查形成為在所述襯底的至少一個上的 所述器件圖案的一部分的至少一個周期性結(jié)構(gòu)或檢查形成在所述襯底的至少一個上的除 所述器件圖案之外的至少一個周期性結(jié)構(gòu)，并且根據(jù)所述方法的結(jié)果控制用于之后的襯底 的光刻過程。
19. 一種計算機(jī)可讀存儲裝置，具有存儲在其上的計算機(jī)可執(zhí)行指令，所述計算機(jī)可執(zhí) 行指令通過計算裝置的執(zhí)行使得所述計算裝置執(zhí)行以下操作，所述操作包括： 支撐包括第一圖案目標(biāo)的第一襯底； 用輻射照射第一圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第一圖案信號； 支撐包括第二圖案目標(biāo)的第二襯底； 用輻射照射第二圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第二圖案信號；和 通過使用第一圖案信號和第二圖案信號之間的差來計算微分圖案輪廓參數(shù)的值。
20. -種光刻系統(tǒng)，包括： 光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括： 照射光學(xué)系統(tǒng)，布置成照射圖案； 投影光學(xué)系統(tǒng)，布置成將所述圖案的圖像投影到襯底上；和 檢查設(shè)備，所述檢查設(shè)備包括： 用于襯底的支撐件； 光學(xué)系統(tǒng)，配置成用輻射照射襯底上的一個或更多的圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射 以獲得對應(yīng)的圖案信號；和 處理器，布置成通過使用利用所述光學(xué)系統(tǒng)從第一圖案目標(biāo)檢測的第一圖案信號和利 用所述光學(xué)系統(tǒng)從第二圖案目標(biāo)檢測的第二圖案信號之間的差來計算微分圖案輪廓參數(shù) 的值， 其中所述光刻設(shè)備被布置成在將所述圖案施加至另外的襯底的過程中使用來自所述 檢查設(shè)備的測量結(jié)果。
21.-種制造器件的方法，其中器件圖案被使用光刻過程施加至一系列襯底，所述制造 器件的方法包括： 利用一方法檢查形成為在所述襯底的至少一個上的所述器件圖案的一部分的至少一 個周期性結(jié)構(gòu)或檢查形成在所述襯底的至少一個上的除所述器件圖案之外的至少一個周 期性結(jié)構(gòu)，所述方法包括： 支撐包括第一圖案目標(biāo)的第一襯底； 用輻射照射第一圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第一圖案信號； 支撐包括第二圖案目標(biāo)的第二襯底； 用輻射照射第二圖案目標(biāo)并且檢測被散射的輻射以獲得第二圖案信號；和 通過使用第一圖案信號和第二圖案信號之間的差來計算微分圖案輪廓參數(shù)的值；和 根據(jù)所述方法的結(jié)果控制用于之后的襯底的光刻過程。
【文檔編號】G03F7/20GK104487898SQ201380039089
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2013年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月23日
【發(fā)明者】H·克拉莫, R·索哈, P·蒂納曼斯, J-P·拉森 申請人:Asml荷蘭有限公司