光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，包括消光棱鏡，在消光棱鏡的一側(cè)設(shè)置有Ⅰ號(hào)準(zhǔn)直光闌，在Ⅰ號(hào)準(zhǔn)直光闌的另一側(cè)設(shè)置有電光晶體，在電光晶體的另一側(cè)設(shè)置有Ⅱ號(hào)準(zhǔn)直光闌，在Ⅱ號(hào)準(zhǔn)直光闌的另一側(cè)設(shè)置有檢偏棱鏡，在電光晶體兩外側(cè)端各設(shè)置有橫向電極，橫向電極與快速脈沖高壓電源電纜連接，快速脈沖高壓電源通過(guò)觸發(fā)信號(hào)與脈沖時(shí)序發(fā)生器電信號(hào)連接，調(diào)制前激光束入射到消光棱鏡，調(diào)制后透射激光束從檢偏棱鏡中透射出，調(diào)制后反射激光束從檢偏棱鏡中反射出。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便,響應(yīng)速度快穩(wěn)定性好，可以應(yīng)用于在激光光譜學(xué)實(shí)驗(yàn)、光通信等領(lǐng)域。
【專利說(shuō)明】光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于一種激光時(shí)域調(diào)制器，具體涉及一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器。
【背景技術(shù)】
[0002]在激光光譜學(xué)實(shí)驗(yàn)、光通信等領(lǐng)域中，有時(shí)需要對(duì)連續(xù)激光束進(jìn)行時(shí)域上的控制，使其產(chǎn)生特定的上升沿或者下降沿極小的脈沖激光束。光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中，為了測(cè)量光致漂移引起的氣體密度變化，實(shí)驗(yàn)采用熒光法對(duì)比的方式來(lái)進(jìn)行，這需要將原本的連續(xù)激光調(diào)制成脈沖形式。
[0003]一般對(duì)連續(xù)光進(jìn)行時(shí)域控制的常用器件有:機(jī)械光開(kāi)關(guān)、MEMS光開(kāi)關(guān)、聲光光開(kāi)關(guān)、電光光開(kāi)關(guān)，這其中電光光開(kāi)關(guān)的響應(yīng)速度是最快的，其中，機(jī)械光開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度一般在ms量級(jí)，且重復(fù)性較差；熱光開(kāi)關(guān)的響應(yīng)時(shí)間在100 μ s量級(jí)；MEMS光開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度在100ns-ms量級(jí),但實(shí)現(xiàn)依賴于光纖，同時(shí)結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單。
[0004]某些晶體材料在外加電場(chǎng)中，隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的改變，晶體折射率會(huì)發(fā)生改變，這種現(xiàn)象成為電光效應(yīng)。電光效應(yīng)引起的折射率變化的主要部分是一次電光效應(yīng)，其效果遠(yuǎn)大于二次效應(yīng)等高階效應(yīng)，一次電光效應(yīng)被稱之為線性電光效應(yīng)或者普克爾效應(yīng)。基于電光晶體的光開(kāi)關(guān)是利用這類電光晶體在外加電場(chǎng)的作用下所產(chǎn)生的電光效應(yīng)而制成的器件。
[0005]電光光開(kāi)關(guān)的響應(yīng)時(shí)間很大程度上取決于外場(chǎng)電壓的上升沿或者下降沿，因需要使得電壓幅值達(dá)到電光晶體的半波電壓一般為幾千伏，這使得快速上升沿高壓電源成為制約電光晶體光開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度的限制之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)而提出的，其目的是提供一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器。
[0007]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，包括消光棱鏡，在消光棱鏡的一側(cè)設(shè)置有I號(hào)準(zhǔn)直光闌，在I號(hào)準(zhǔn)直光闌的另一側(cè)設(shè)置有電光晶體，在電光晶體的另一側(cè)設(shè)置有II號(hào)準(zhǔn)直光闌，在II號(hào)準(zhǔn)直光闌的另一側(cè)設(shè)置有檢偏棱鏡，在電光晶體兩外側(cè)端各設(shè)置有橫向電極，橫向電極與快速脈沖高壓電源電纜連接，快速脈沖高壓電源通過(guò)觸發(fā)信號(hào)與脈沖時(shí)序發(fā)生器電信號(hào)連接，調(diào)制前激光束入射到消光棱鏡，調(diào)制后透射激光束從檢偏棱鏡中透射出，調(diào)制后反射激光束從檢偏棱鏡中反射出。
[0008]所述的快速脈沖高壓電源包括時(shí)序控制電路，時(shí)序控制電路通過(guò)輸出觸發(fā)信號(hào)分別與并列的多個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)連接，其中輸出觸發(fā)信號(hào)與兩個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)連接，輸出觸發(fā)信號(hào)與其余高壓隔離驅(qū)動(dòng)連接，兩個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)與高端開(kāi)關(guān)電路連接，其余高壓隔離驅(qū)動(dòng)通過(guò)高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)與低端開(kāi)關(guān)電路連接，高端開(kāi)關(guān)電路和低端開(kāi)關(guān)電路的輸出分別加到電光晶體兩外側(cè)端的橫向電極上，時(shí)序控制電路通過(guò)輸出觸發(fā)信號(hào)與前沿高速驅(qū)動(dòng)連接，前沿高速驅(qū)動(dòng)通過(guò)導(dǎo)線與低端開(kāi)關(guān)電路連接。
[0009]所述的時(shí)序控制電路包括聞端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)彳目號(hào)廣生電路和低端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路。
[0010]所述的高壓隔離驅(qū)動(dòng)包括UC3724芯片和UC3725芯片，兩芯片組成芯片組，兩芯片之間連接脈沖變壓器。
[0011]所述的高端開(kāi)關(guān)電路包括兩個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)管M9、M10，電阻R26、R27、R28，兩個(gè)開(kāi)關(guān)管M9、M10串接，開(kāi)關(guān)管MlO的源極通過(guò)導(dǎo)線與電光晶體連接，開(kāi)關(guān)管M9的漏極連接限流電阻R28，電阻R28另一端為高壓輸入，電阻R26、R27為均壓電阻，分別與開(kāi)關(guān)管M9、M10的漏源極并聯(lián)，開(kāi)關(guān)管M9~MlO的門(mén)極由高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)觸發(fā)。[0012]所述的低端開(kāi)關(guān)電路包括八個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)管Ml~M8、電阻RlO~R25、電容C4~Cl I，R18~R25為均壓電阻、并接于開(kāi)關(guān)管Ml~M8的漏源極，開(kāi)關(guān)管Ml的漏極通過(guò)導(dǎo)線與電光晶體連接，開(kāi)關(guān)管Ml的源極與M2的漏極連接，開(kāi)關(guān)管Ml~M8相互串聯(lián)，開(kāi)關(guān)管Ml~M8的門(mén)極由高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)觸發(fā)。
[0013]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便，響應(yīng)速度快穩(wěn)定性好，可以應(yīng)用于在激光光譜學(xué)實(shí)驗(yàn)、光通信等領(lǐng)域。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1本實(shí)用新型的光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器的結(jié)構(gòu)圖；
[0015]圖2本實(shí)用新型的快速脈沖高壓電源；
[0016]圖3本實(shí)用新型的時(shí)序控制電路圖；
[0017]圖4本實(shí)用新型的高壓隔離驅(qū)動(dòng)電路圖；
[0018]圖5本實(shí)用新型的聞端開(kāi)關(guān)電路圖；
[0019]圖6本實(shí)用新型的低端開(kāi)關(guān)電路圖；
[0020]圖7當(dāng)脈沖電壓為零和當(dāng)脈沖電壓為半波電壓時(shí)，經(jīng)過(guò)電光晶體的激光束的線偏振方向；
[0021]圖8經(jīng)本實(shí)用新型調(diào)制后的激光束的時(shí)域特征。
[0022]其中:
[0023]I消光棱鏡2 I號(hào)準(zhǔn)直光闌
[0024]3電光晶體4 II號(hào)準(zhǔn)直光闌
[0025]5檢偏棱鏡6橫向電極
[0026]7快速脈沖高壓電源 8脈沖時(shí)序發(fā)生器
[0027]9調(diào)制前激光束10調(diào)制后透射激光束
[0028]11調(diào)制后反射激光束 12時(shí)序控制
[0029]13高壓隔離驅(qū)動(dòng)14前沿高速驅(qū)動(dòng)
[0030]15高端開(kāi)關(guān)電路16低端開(kāi)關(guān)電路
[0031]17聞端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)彳目號(hào)廣生電路
[0032]18低端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路
[0033]19 UC3724芯片20脈沖變壓器[0034]21 UC3725芯片22脈沖時(shí)序發(fā)生器觸發(fā)信號(hào)
[0035]23快速脈沖高壓電源的輸出電壓
[0036]24經(jīng)過(guò)檢偏棱鏡的反射光 25經(jīng)過(guò)檢偏棱鏡的透射光。
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下，參照附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:
[0038]如圖1所示，一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，包括消光棱鏡I，在消光棱鏡I的一側(cè)設(shè)置有I號(hào)準(zhǔn)直光闌2,在I號(hào)準(zhǔn)直光闌2的另一側(cè)設(shè)置有電光晶體3,在電光晶體3的另一側(cè)設(shè)置有II號(hào)準(zhǔn)直光闌4,在II號(hào)準(zhǔn)直光闌4的另一側(cè)設(shè)置有檢偏棱鏡5,在電光晶體3兩外側(cè)端各設(shè)置有橫向電極6,橫向電極6與快速脈沖高壓電源7電纜連接，快速脈沖高壓電源7通過(guò)觸發(fā)信號(hào)S1與脈沖時(shí)序發(fā)生器8電信號(hào)連接。
[0039]調(diào)制前激光束9入射到消光棱鏡I，調(diào)制后透射激光束10從檢偏棱鏡5中透射出，調(diào)制后反射激光束11從檢偏棱鏡5中反射出。
[0040]其中，電光晶體3選用成品電光晶體(New Focus Standard Phase Modulator4001，市售)，采用MgO = LiNbO3晶體，通光孔徑2mm，半波電壓10-31V。脈沖時(shí)序發(fā)生器8的型號(hào)為DG535 (市售)。
[0041]如圖2所示，快速脈沖高壓電源7包括時(shí)序控制電路12，時(shí)序控制電路12通過(guò)輸出觸發(fā)信號(hào)12κ122分別與并列的多個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)13連接，本發(fā)明設(shè)置八個(gè)，其中輸出觸發(fā)信號(hào)與兩個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)13連接，輸出觸發(fā)信號(hào)122與其余六個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)13連接。兩個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)13ρ132與高端開(kāi)關(guān)電路15連接，其余六個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)13通過(guò)六個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)133~131(|與低端開(kāi)關(guān)電路16連接。高端開(kāi)關(guān)電路15和低端開(kāi)關(guān)電路16的輸出分別加到電光晶體3兩外側(cè)端的`橫向電極6上。時(shí)序控制電路12通過(guò)輸出觸發(fā)信號(hào)123與前沿高速驅(qū)動(dòng)14連接，前沿高速驅(qū)動(dòng)14通過(guò)導(dǎo)線H1與低端開(kāi)關(guān)電路16連接。
[0042]其中，脈沖時(shí)序發(fā)生器8發(fā)出的觸發(fā)信號(hào)S1通入時(shí)序控制電路12的輸入端。所述的前沿高速驅(qū)動(dòng)14采用具有雪崩效應(yīng)的三極管，如2N3904、FMMT417和FMMT415等(市售)，三極管集電極通過(guò)導(dǎo)線與低端開(kāi)關(guān)電路16連接，發(fā)射極連接地。電光晶體3的容值小于IOpF,高壓輸入電壓小于6kV。
[0043]如圖3所示，時(shí)序控制電路12包括高端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路17和低端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路18。其中，高端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路17由單穩(wěn)態(tài)電路U1A、U1B、U3B,電阻R2、R5~R9，電容Cl~C3，二極管D2、D3，三極管Q2、Q3組成。UlB的腳號(hào)10正輸出與U3B的腳號(hào)11負(fù)觸發(fā)端連接。U3B的腳號(hào)9與UlA的腳號(hào)3復(fù)位端連接。
[0044]U1A、U1B、U3B采用CD4098，其中UlA連接成正跳變觸發(fā)，外觸發(fā)信號(hào)S1的前沿觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)電路U1A，使UlA反向輸出腳號(hào)7變?yōu)榈碗娖?，并由二極管D3鎖定。UlA反向輸出腳號(hào)7的低電平驅(qū)動(dòng)三極管Q2關(guān)閉、Q3導(dǎo)通，使高端觸發(fā)信號(hào)U1保持低電平，經(jīng)高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出13pl32，使高端開(kāi)關(guān)電路15中的開(kāi)關(guān)管M9和MlO處于關(guān)閉狀態(tài)。單穩(wěn)電路U1B、U3B連接成負(fù)跳變觸發(fā)，UlB由外觸發(fā)信號(hào)S1的負(fù)跳變觸發(fā)，其正輸出由C1、R8設(shè)置輸出脈寬，用于設(shè)定低端開(kāi)關(guān)電路16關(guān)閉時(shí)，高端開(kāi)關(guān)電路15開(kāi)通的延遲時(shí)間。UlB正輸出的負(fù)跳變觸發(fā)U3B，使U3B負(fù)輸出上產(chǎn)生一負(fù)脈沖，負(fù)脈沖寬度由R2、C3設(shè)定。U3B負(fù)輸出的負(fù)脈沖復(fù)位U1A，UlA負(fù)輸出變?yōu)楦唠娖剑?qū)動(dòng)三極管Q2導(dǎo)通、Q3關(guān)閉，使高端觸發(fā)信號(hào)S1保持高電平，經(jīng)高壓隔離驅(qū)動(dòng)使高端開(kāi)關(guān)電路中的開(kāi)關(guān)管M9和MlO處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0045]低端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路18由驅(qū)動(dòng)芯片U2、電阻Rl、R3、二極管Dl組成。U2采用MOSFET高速驅(qū)動(dòng)芯片，如IXDD614，U2輸出觸發(fā)信號(hào)123直接觸發(fā)前沿高速驅(qū)動(dòng)14，其分壓輸出觸發(fā)信號(hào)1?觸發(fā)低端高壓隔離驅(qū)動(dòng)。低端高壓隔離驅(qū)動(dòng)觸發(fā)信號(hào)122、U2輸出觸發(fā)信號(hào)123與外觸發(fā)信號(hào)S1極性一致。
[0046]如圖4所示，高壓隔離驅(qū)動(dòng)13包括芯片19和芯片21，兩芯片組成芯片組，兩芯片之間連接脈沖變壓器20，芯片19采用UC3724，芯片21采用UC3725，通過(guò)脈沖變壓器20實(shí)
現(xiàn)高壓隔離。
[0047]如圖5所示，高端開(kāi)關(guān)電路15包括兩個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)管M9、M10,電阻R26、R27、R28，兩個(gè)開(kāi)關(guān)管M9、M10串接，采用IXTH03N400，開(kāi)關(guān)管MlO的源極通過(guò)導(dǎo)線T1與電光晶體3連接，開(kāi)關(guān)管M9的漏極連接限流電阻R28，電阻R28另一端為高壓輸入，電阻R26、R27為均壓電阻，分別與開(kāi)關(guān)管M9、MlO的漏源極并聯(lián)。開(kāi)關(guān)管M9~MlO的門(mén)極由高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)13k132觸發(fā)。
[0048]如圖6所示，低端開(kāi)關(guān)電路16包括八個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)管Ml~M8、電阻RlO~R25、電容C4~Cl I，開(kāi)關(guān)管Ml~M8采用高速N型M0SFET，R18~R25為均壓電阻、并接于開(kāi)關(guān)管Ml~M8的漏源極。開(kāi)關(guān)管Ml 的漏極通過(guò)導(dǎo)線T1與電光晶體3連接，開(kāi)關(guān)管Ml的源極與M2的漏極連接,開(kāi)關(guān)管Ml~M8相互串聯(lián),開(kāi)關(guān)管Ml~M8的門(mén)極由聞壓隔尚驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)O1~1310觸發(fā)。
[0049]如圖7所示，當(dāng)脈沖電壓加載在電光晶體3的兩片橫向電極6上時(shí)，由此形成的電場(chǎng)與豎直方向(調(diào)制前由消光棱鏡反射后激光束的偏振方向)成45°。當(dāng)脈沖電壓為零時(shí)，經(jīng)過(guò)電光晶體的激光束保持原來(lái)的豎直線偏振狀態(tài)不變，這時(shí)激光束經(jīng)過(guò)檢偏棱鏡5后100%反射，圖7中(a)所示；當(dāng)脈沖電壓為半波電壓時(shí)，經(jīng)過(guò)電光晶體3的激光束的線偏振方向轉(zhuǎn)動(dòng)90°，而變成水平線偏振，這時(shí)激光束經(jīng)過(guò)檢偏棱鏡5后100%透射，圖7中(b)所示。
[0050]如圖8所示，由脈沖時(shí)序發(fā)生器觸發(fā)信號(hào)22、快速脈沖高壓電源的輸出電壓23、經(jīng)過(guò)檢偏棱鏡的反射光24、經(jīng)過(guò)檢偏棱鏡的透射光25四個(gè)信號(hào)的時(shí)域圖可看出，通過(guò)定制脈沖時(shí)序發(fā)生器的時(shí)域特征，就能控制、調(diào)節(jié)激光束的時(shí)域特征。
[0051]本實(shí)用新型進(jìn)行激光束時(shí)域控制、調(diào)節(jié)，具體實(shí)施如下:
[0052]在研究氣體的光致漂移現(xiàn)象的實(shí)驗(yàn)中，為了測(cè)量光致漂移引起的氣體密度變化，需要將連續(xù)光進(jìn)行時(shí)域控制，形成頻率為50Hz，脈寬為10 μ S，上升沿小于1μ s的脈沖激光。
[0053]( i )激光光源為899-01型環(huán)形染料激光器，染料選用Rdl 10，采用氬離子激光器泵浦。激光器出光參數(shù):激光功率為1W、激光波長(zhǎng)為560.0OOnm，偏振狀態(tài)為豎直偏振，消光比 >100:1。
[0054](ii)電光晶體選用成品電光晶體(Leysop EM508)，采用MgO:LiNbO3晶體，通光孔徑8mm,半波電壓3.8-4.5kV。
[0055](iii)快速脈沖高壓電源最高輸出電壓為6kV，頻率范圍為5-lOOHz，下降沿小于IOns0
[0056](iv)激光束時(shí)域信號(hào)采用光電探頭(New Focus Visible NanosecondPhotonDetector Model 1621)配合不波器(Tektronix DPO 4104)進(jìn)行測(cè)量。
[0057]激光束在調(diào)制前為連續(xù)激光，設(shè)定脈沖發(fā)生器的脈沖頻率為50Hz，脈寬為5 μ s,以此TTL信號(hào)觸發(fā)快速脈沖高壓電源，并設(shè)定快速脈沖高壓電源的輸出高壓為4.3kV，實(shí)驗(yàn)測(cè)試得到等的電光晶體半波電壓，用光電探頭測(cè)量調(diào)制后反射激光束的時(shí)域信號(hào)，可以測(cè)量得到調(diào)制后的光束開(kāi)關(guān)效果。
[0058]利用本實(shí)用新型調(diào)制連續(xù)激光后，光脈沖上升沿約為143ns，光開(kāi)關(guān)的消光比大于1500:1。由此調(diào)制得到的光脈沖信號(hào)完全符合光致漂移現(xiàn)象實(shí)驗(yàn)研究的需要。
【權(quán)利要求】
1.一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，其特征在于:包括消光棱鏡(I)，在消光棱鏡(I)的一側(cè)設(shè)置有I號(hào)準(zhǔn)直光闌(2),在I號(hào)準(zhǔn)直光闌(2)的另一側(cè)設(shè)置有電光晶體(3),在電光晶體(3)的另一側(cè)設(shè)置有II號(hào)準(zhǔn)直光闌(4),在II號(hào)準(zhǔn)直光闌(4 )的另一側(cè)設(shè)置有檢偏棱鏡(5 ),在電光晶體(3 )兩外側(cè)端各設(shè)置有橫向電極(6 ),橫向電極(6)與快速脈沖高壓電源(7)電纜連接，快速脈沖高壓電源(7)通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(S1)與脈沖時(shí)序發(fā)生器(8)電信號(hào)連接，調(diào)制前激光束(9)入射到消光棱鏡(1)，調(diào)制后透射激光束(10)從檢偏棱鏡(5)中透射出，調(diào)制后反射激光束(11)從檢偏棱鏡(5)中反射出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，其特征在于:所述的快速脈沖高壓電源(7)包括時(shí)序控制電路(12)，時(shí)序控制電路(12)通過(guò)輸出觸發(fā)信號(hào)(以、122)分別與并列的多個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)(13)連接，其中輸出觸發(fā)信號(hào)(U1)與兩個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)(13)連接，輸出觸發(fā)信號(hào)(122)與其余高壓隔離驅(qū)動(dòng)(13)連，兩個(gè)高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)(13ρ132)與高端開(kāi)關(guān)電路(15)連接，其余高壓隔離驅(qū)動(dòng)(13)通過(guò)高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)(133~131(|)與低端開(kāi)關(guān)電路(16)連接，高端開(kāi)關(guān)電路(15)和低端開(kāi)關(guān)電路(16)的輸出分別加到電光晶體(3)兩外側(cè)端的橫向電極(6)上，時(shí)序控制電路(12)通過(guò)輸出觸發(fā)信號(hào)(123)與前沿高速驅(qū)動(dòng)(14)連接，前沿高速驅(qū)動(dòng)(14)通過(guò)導(dǎo)線(H1)與低端開(kāi)關(guān)電路(16)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，其特征在于:所述的時(shí)序控制電路(12)包括高端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路(17)和低端開(kāi)關(guān)電路觸發(fā)?目號(hào)廣生電路(18)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，其特征在于:所述的高壓隔離驅(qū)動(dòng)(13)包括UC3724芯片(19)和UC3725芯片(21 )，兩芯片組成芯片組，兩芯片之間連接脈沖變壓器(20)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，其特征在于:所述的高端開(kāi)關(guān)電路(15)包括兩個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)管Μ9、Μ10，電阻R26、R27、R28，兩個(gè)開(kāi)關(guān)管M9、MlO串接，開(kāi)關(guān)管MlO的源極通過(guò)導(dǎo)線G1)與電光晶體(3)連接，開(kāi)關(guān)管M9的漏極連接限流電阻R28，電阻R28另一端為高壓輸入，電阻R26、R27為均壓電阻，分別與開(kāi)關(guān)管M9、M10的漏源極并聯(lián)，開(kāi)關(guān)管M9~MlO的門(mén)極由高壓隔離驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)(13p132)觸發(fā)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光致漂移實(shí)驗(yàn)研究中基于電光光開(kāi)關(guān)的激光時(shí)域調(diào)制器，其特征在于:所述的低端開(kāi)關(guān)電路(16)包括多個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)管Ml~M8、電阻RlO~R25、電容C4~C11，R18~R25為均壓電阻、并接于開(kāi)關(guān)管Ml~M8的漏源極，開(kāi)關(guān)管Ml的漏極通過(guò)導(dǎo)線G1)與電光晶體(3)連接，開(kāi)關(guān)管Ml的源極與M2的漏極連接，開(kāi)關(guān)管Ml~M8相互串聯(lián),開(kāi)關(guān)管Ml~M8的門(mén)極由聞壓隔尚驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)(133~131(|)觸發(fā)。
【文檔編號(hào)】G02F1/03GK203673168SQ201320746054
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2013年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月25日
【發(fā)明者】柴俊杰, 談小虎, 金策, 錢(qián)金寧, 孫桂俠, 劉濤 申請(qǐng)人:核工業(yè)理化工程研究院