專利名稱：一種掩膜板組和標(biāo)記實(shí)體臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板組和標(biāo)記實(shí)體臺(tái)。
背景技術(shù)：
在TFT (Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)-LCD (Liquid CrystalDisplay，液晶顯示器)以及其他電子產(chǎn)品的制造中，需要對(duì)不同層之間對(duì)位，為了衡量對(duì)位的精度，需要在Mask (掩膜)或襯底材料上設(shè)計(jì)一些對(duì)位Mark (標(biāo)記)。另外，為了保證電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的線寬大小，也需要設(shè)計(jì)一些線寬測(cè)量標(biāo)記進(jìn)行對(duì)線寬進(jìn)行監(jiān)控。傳統(tǒng)的Overlay (覆蓋)對(duì)位原理是,在第一 Mask上設(shè)計(jì)一個(gè)方形對(duì)位標(biāo)記(如圖1所示)，在第二 Mask上設(shè)計(jì)另一個(gè)方形對(duì)位標(biāo)記(如圖2所示)。其中，第一 Mask上的方形對(duì)位標(biāo)記的面積大于第二 Mask上的方形對(duì)位標(biāo)記的面積。進(jìn)行對(duì)位時(shí)，利用第一 Mask上的對(duì)位標(biāo)記，經(jīng)過(guò)薄膜沉積、曝光顯影、刻蝕后，形成對(duì)應(yīng)的薄膜實(shí)體I ;然后利用第二 Mask上的對(duì)位標(biāo)記，在上述的薄膜實(shí)體上形成PR膠實(shí)體2 ;得到圖3所示的對(duì)位標(biāo)記實(shí)體臺(tái)。如圖4所不,對(duì)位測(cè)量時(shí),測(cè)量橫向偏移時(shí)可以使用公式Al= (A1B1 — A1B2) /2,測(cè)量縱向偏移時(shí)可以使用公式A2= (A2B1 — A2B2)/2。其中，A1B1、A1B2、A2B1、A2B2為偏移參數(shù)。如圖5所示，為了監(jiān)控某一層的線寬大小，在Mask或襯底材料上設(shè)計(jì)待監(jiān)測(cè)線寬大小相同的線寬測(cè)量標(biāo)記。利用顯微鏡的測(cè)量系統(tǒng)可以獲得對(duì)應(yīng)的線寬大小LI。對(duì)于待對(duì)位的兩層，如果上層還需要進(jìn)行線寬測(cè)量，現(xiàn)有技術(shù)需要分別設(shè)計(jì)對(duì)位標(biāo)記和線寬測(cè)量標(biāo)記，并分別制作對(duì)位標(biāo)記實(shí)體臺(tái)和線寬測(cè)量標(biāo)記實(shí)體。不僅增加了標(biāo)記的成本，也使得對(duì)位精度監(jiān)測(cè)和線寬測(cè)量較為耗時(shí)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種掩膜板組和標(biāo)記實(shí)體臺(tái)，以解決上述技術(shù)問(wèn)題。本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種掩膜板組,包括:第一掩膜板，包括第一標(biāo)記圖案；第二掩膜板，包括由邊線構(gòu)成的第二標(biāo)記圖案，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度；所述第一標(biāo)記圖案對(duì)應(yīng)的幾何圖形與所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍成的幾何圖形為相似圖案，且所述第一標(biāo)記圖案對(duì)應(yīng)的幾何圖形面積小于所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍成的幾何圖形面積；當(dāng)所述第一掩膜板和所述第二掩膜板對(duì)位時(shí)，所述第一標(biāo)記圖案與所述第二標(biāo)記圖案的中心重疊。較佳地，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度，具體包括:所述第二標(biāo)記圖案中縱向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記圖案中橫向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度；或者，所述第二標(biāo)記圖案中縱向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記圖案中縱向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度；或者，所述第二標(biāo)記圖案中橫向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記圖案中橫向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度。在上述任一實(shí)施例基礎(chǔ)上，較佳地，所述第一標(biāo)記圖案的形狀為矩形，所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為矩形；或者，所述第一標(biāo)記圖案的形狀為正八邊形，所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為正八邊形；或者，所述第一標(biāo)記圖案的形狀為圓形，所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為圓形；或者，所述第一標(biāo)記圖案的形狀為橢圓形，所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為橢圓形。一種標(biāo)記實(shí)體臺(tái)，包括:采用第一掩膜板的第一標(biāo)記圖案形成的第一標(biāo)記實(shí)體；在所述第一標(biāo)記實(shí)體上層、采用第二掩膜板的第二標(biāo)記圖案形成的由邊線構(gòu)成的第二標(biāo)記實(shí)體，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度；所述第一標(biāo)記實(shí)體對(duì)應(yīng)的幾何圖形與所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍成的幾何圖形為相似圖案，且所述第一標(biāo)記實(shí)體對(duì)應(yīng)的幾何圖形面積小于所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍成的幾何圖形面積；所述第一標(biāo)記實(shí)體與所述第二標(biāo)記實(shí)體的中心重疊。較佳地，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度，具體包括:所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度；或者，所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度；或者，所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度。在上述任一標(biāo)記實(shí)施例基礎(chǔ)上，較佳地，所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為矩形，所述第二標(biāo)記實(shí)體中邊線所圍形狀為矩形；或者，所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為正八邊形，所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為正八邊形；或者，所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為圓形，所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為圓形；或者，所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為橢圓形，所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為橢圓形。本實(shí)用新型，對(duì)于既需要進(jìn)行對(duì)位測(cè)量，也需要進(jìn)行線寬測(cè)量的層，在該層掩膜板上通過(guò)一個(gè)標(biāo)記實(shí)現(xiàn)對(duì)位和線寬測(cè)量，降低了標(biāo)記制作的復(fù)雜度及成本，減化了測(cè)量程序，便于對(duì)位精度監(jiān)測(cè)和線寬測(cè)量。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中待對(duì)位的第一 Mask上的對(duì)位標(biāo)記示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中待對(duì)位的第二 Mask上的對(duì)位標(biāo)記示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)位標(biāo)記實(shí)體臺(tái)示意圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)位偏移精度示意圖；圖5為現(xiàn)有技術(shù)中線寬測(cè)量標(biāo)記示意圖；圖6為本實(shí)用新型提供的第一 Mask上的第一種標(biāo)記結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實(shí)用新型提供的第二 Mask上的第一種標(biāo)記結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本實(shí)用新型提供的第一 Mask上的第一種標(biāo)記和第二 Mask上的第二種標(biāo)記的位置關(guān)系示意圖；圖9為本實(shí)用新型提供的一種標(biāo)記中測(cè)量參數(shù)示意圖；圖10為本實(shí)用新型提供的第二種標(biāo)記結(jié)構(gòu)及位置關(guān)系示意圖；圖11為本實(shí)用新型提供的第三種標(biāo)記結(jié)構(gòu)及位置關(guān)系示意圖；圖12為本實(shí)用新型提供的第四種標(biāo)記結(jié)構(gòu)及位置關(guān)系示意圖；圖13為本實(shí)用新型提供的第五種標(biāo)記結(jié)構(gòu)及位置關(guān)系示意圖。
具體實(shí)施方式
對(duì)于待對(duì)位的兩層，將先制作在襯底材料上的一層稱作下層，將后制作在襯底材料上的一層稱作上層。如果上層還需要進(jìn)行線寬測(cè)量，本實(shí)用新型提供一種標(biāo)記設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，使得上層的對(duì)位標(biāo)記和線寬測(cè)量標(biāo)記由同一個(gè)標(biāo)記實(shí)現(xiàn)，從而降低標(biāo)記制作的復(fù)雜度及成本，減化測(cè)量程序，便于對(duì)位精度監(jiān)測(cè)和線寬測(cè)量。下面將結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種設(shè)計(jì)有標(biāo)記圖案的Mask組,包括第一 Mask和第二Mask。其中，第一 Mask即上述的下層Mask,第二 Mask即上述的上層Mask。如圖6所示，第一 Mask包括第一標(biāo)記圖案3 ;如圖7所示，第二 Mask包括由邊線構(gòu)成的第二標(biāo)記圖案4，該第二標(biāo)記圖案4邊線的線寬為上層Mask待測(cè)線寬的寬度。由于圖6以矩形為例對(duì)標(biāo)記圖案進(jìn)行說(shuō)明，因此，第二標(biāo)記圖案4具體由縱向延伸的一對(duì)邊線41和橫向延伸的一對(duì)邊線42構(gòu)成。第一標(biāo)記圖案3對(duì)應(yīng)的幾何圖形與第二標(biāo)記圖案4的邊線所圍成的幾何圖形為相似圖案，且第一標(biāo)記圖案3對(duì)應(yīng)的幾何圖形面積小于第二標(biāo)記圖案4的邊線所圍成的幾何圖形面積。第一標(biāo)記圖案3和第二標(biāo)記圖案4套刻用于對(duì)第一 Mask和第二 Mask進(jìn)行對(duì)位測(cè)量。相應(yīng)的,如圖8所示，當(dāng)上下兩層Mask對(duì)位時(shí),第一標(biāo)記圖案3與第二標(biāo)記圖案4的中
心重疊。對(duì)于圖8中所示的第一 Mask上的第一標(biāo)記圖案3和第二 Mask上的第二標(biāo)記圖案4，使用其進(jìn)行對(duì)位精度測(cè)量和線寬測(cè)量時(shí)，具體測(cè)量參數(shù)如圖9所示。其中，LI為上層Mask縱向待測(cè)線寬，L2為上層Mask橫向待測(cè)線寬，A1B1、A2B2、A2B1和A1B2為對(duì)位偏移參數(shù)。應(yīng)當(dāng)指出的是，圖9所示，第二標(biāo)記圖案縱向延伸的一條邊線的線寬為第二 Mask縱向待測(cè)線寬的寬度，第二標(biāo)記圖案橫向延伸的一條邊線的線寬為第二 Mask橫向待測(cè)線寬的寬度。其中，還可以是圖9所示的第二標(biāo)記圖案縱向延伸的另一條邊線(或縱向延伸的兩條邊線各自)的線寬為第二 Mask縱向待測(cè)線寬的寬度，第二標(biāo)記圖案橫向延伸的另一條邊線(或橫向延伸的兩條邊線各自)的線寬為第二 Mask橫向待測(cè)線寬的寬度。也可以是圖9所示的第二標(biāo)記圖案縱向延伸的一條邊線的線寬為第二 Mask縱向待測(cè)線寬的寬度，第二標(biāo)記圖案縱向延伸的另一條邊線的線寬為第二 Mask橫向待測(cè)線寬的寬度。也可以是圖9所示的第二標(biāo)記圖案橫向延伸的一條邊線的線寬為第二 Mask縱向待測(cè)線寬的寬度，第二標(biāo)記圖案橫向延伸的另一條邊線的線寬為第二Mask橫向待測(cè)線寬的寬度。也可以是圖9所示的第二標(biāo)記圖案縱向延伸的至少一條邊線的線寬為第二 Mask橫向待測(cè)線寬的寬度，第二標(biāo)記圖案橫向延伸的至少一條邊線的線寬為第二Mask縱向待測(cè)線寬的寬度。另外，以圖9所示第二標(biāo)記圖案縱向延伸的一條邊線為例，該條邊線的線寬既可以處處相同，也可以是用于圍成對(duì)位幾何圖形的部分線寬與用于線寬測(cè)量部分的線寬不同。應(yīng)當(dāng)指出的是，圖6和圖7僅以一種形狀進(jìn)行舉例，對(duì)本實(shí)用新型的標(biāo)記進(jìn)行說(shuō)明。第一標(biāo)記圖案和第二標(biāo)記圖案的具體形狀不僅限于圖6和圖7所示。例如，本實(shí)用新型提供的標(biāo)記圖案還可以如圖10 13所示。圖10中，第二標(biāo)記圖案4的兩對(duì)邊線41和42并未相交，第二標(biāo)記圖案4的兩對(duì)邊線41和42所圍成的矩形如虛線框所示，具體是指縱向延伸的一對(duì)邊線41和橫向延伸的一對(duì)邊線42的延長(zhǎng)線所圍成的矩形。圖13中，第二標(biāo)記圖案4的兩對(duì)邊線41和42并未相交，第二標(biāo)記圖案4的兩對(duì)邊線41和42所圍成的矩形如虛線框所示，具體是指縱向延伸的一對(duì)邊線41的延長(zhǎng)線和橫向延伸的一對(duì)邊線42的延長(zhǎng)線所圍成的矩形。使用圖10 圖13中所示的標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位精度測(cè)量和線寬測(cè)量時(shí)，具體測(cè)量參數(shù)可以參照上述圖6 圖9所示的實(shí)施例描述，這里不再贅述。在上述任一實(shí)施例基礎(chǔ)上，較佳地，所述第一標(biāo)記圖案的形狀具體為正方形，所述第二標(biāo)記圖案中縱向延伸的一對(duì)邊線和橫向延伸的一對(duì)邊線所圍形狀為正方形。應(yīng)當(dāng)指出的是，第一標(biāo)記圖案和第二標(biāo)記圖案的形狀不僅可以是矩形，還可以是其他能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)位的幾何圖形。作為舉例而非限定:第一標(biāo)記圖案的形狀還可以為正八邊形，相應(yīng)的，第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為正八邊形。其中，正八邊形中有一對(duì)邊線沿所在Mask縱向延伸，另一對(duì)邊線沿所在Mask橫向延伸。第一標(biāo)記圖案的形狀還可以為圓形，相應(yīng)的，第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為圓形。第一標(biāo)記圖案的形狀還可以為橢圓形，相應(yīng)的，第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為橢圓形。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種標(biāo)記實(shí)體臺(tái)，包括采用第一 Mask的第一標(biāo)記圖案形成的第一標(biāo)記實(shí)體，和在第一標(biāo)記實(shí)體上層、采用第二 Mask的第二標(biāo)記圖案形成的由邊線構(gòu)成的第二標(biāo)記實(shí)體，該第二標(biāo)記實(shí)體邊線的線寬為所述第二 Mask待測(cè)線寬的寬度。第一標(biāo)記實(shí)體對(duì)應(yīng)的幾何形狀與第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍成的幾何形狀為相似圖案，且第一標(biāo)記實(shí)體對(duì)應(yīng)的幾何圖形面積小于第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍成的幾何形狀面積。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)第一 Msak和第二 Mask的對(duì)位測(cè)量，第一標(biāo)記實(shí)體與第二標(biāo)記實(shí)體的
中心重疊。本實(shí)用新型提供的由上述任一實(shí)施例所述的Mask組形成的用于對(duì)位和線寬測(cè)量的標(biāo)記，其具體實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)及位置關(guān)系可以參照?qǐng)D6 圖8、圖10 圖13，重復(fù)之處不再贅述。較佳地，本實(shí)用新型提供的由上述任一實(shí)施例所述的Mask組形成的用于對(duì)位和線寬測(cè)量的標(biāo)記中，所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線的線寬與所述上層Mask待測(cè)線寬的寬度的對(duì)應(yīng)關(guān)系可以但不僅限于是:所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二Mask縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二 Mask橫向待測(cè)線寬的寬度；或者，所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二 Mask縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二 Mask橫向待測(cè)線寬的寬度；或者，所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二 Mask縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二 Mask橫向待測(cè)線寬的寬度。在上述任一標(biāo)記實(shí)施例基礎(chǔ)上，較佳地，所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為正方形，所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線和橫向延伸的一對(duì)邊線所圍形狀為正方形。應(yīng)當(dāng)指出的是，第一標(biāo)記實(shí)體和第二標(biāo)記實(shí)體的形狀不僅可以是矩形，還可以是其他能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)位的幾何圖形。作為舉例而非限定:第一標(biāo)記實(shí)體的形狀還可以為正八邊形，相應(yīng)的，第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為正八邊形。其中，正八邊形中有一對(duì)邊線沿對(duì)應(yīng)Mask縱向延伸，另一對(duì)邊線沿對(duì)應(yīng)Mask橫向延伸。第一標(biāo)記實(shí)體的形狀還可以為圓形，相應(yīng)的，第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為圓形。第一標(biāo)記實(shí)體的形狀還可以為橢圓形，相應(yīng)的，第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為橢圓形。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種掩膜板組，其特征在于，包括: 第一掩膜板，包括第一標(biāo)記圖案； 第二掩膜板，包括由邊線構(gòu)成的第二標(biāo)記圖案，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度； 所述第一標(biāo)記圖案對(duì)應(yīng)的幾何圖形與所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍成的幾何圖形為相似圖案，且所述第一標(biāo)記圖案對(duì)應(yīng)的幾何圖形面積小于所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍成的幾何圖形面積； 當(dāng)所述第一掩膜板和所述第二掩膜板對(duì)位時(shí)，所述第一標(biāo)記圖案與所述第二標(biāo)記圖案的中心重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組，其特征在于，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度，具體包括: 所述第二標(biāo)記圖案中縱向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記圖案中橫向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組，其特征在于，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度，具體包括: 所述第二標(biāo)記圖案中縱向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記圖案中縱向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組，其特征在于，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度，具 體包括: 所述第二標(biāo)記圖案中橫向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記圖案中橫向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的掩膜板組，其特征在于，所述第一標(biāo)記圖案的形狀為矩形，所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為矩形；或者， 所述第一標(biāo)記圖案的形狀為正八邊形，所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為正八邊形；或者， 所述第一標(biāo)記圖案的形狀為圓形，所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為圓形；或者， 所述第一標(biāo)記圖案的形狀為橢圓形，所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍形狀為橢圓形。
6.一種標(biāo)記實(shí)體臺(tái)，其特征在于，包括: 采用第一掩膜板的第一標(biāo)記圖案形成的第一標(biāo)記實(shí)體； 在所述第一標(biāo)記實(shí)體上層、采用第二掩膜板的第二標(biāo)記圖案形成的由邊線構(gòu)成的第二標(biāo)記實(shí)體，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度； 所述第一標(biāo)記實(shí)體對(duì)應(yīng)的幾何圖形與所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍成的幾何圖形為相似圖案，且所述第一標(biāo)記實(shí)體對(duì)應(yīng)的幾何圖形面積小于所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍成的幾何圖形面積； 所述第一標(biāo)記實(shí)體與所述第二標(biāo)記實(shí)體的中心重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的標(biāo)記實(shí)體臺(tái)，其特征在于，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度，具體包括: 所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的至少一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的標(biāo)記實(shí)體臺(tái)，其特征在于，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度，具體包括: 所述第二標(biāo)記實(shí)體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí) 體中縱向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的標(biāo)記實(shí)體臺(tái)，其特征在于，所述邊線的線寬為所述第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度，具體包括: 所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的一條邊線的線寬為所述第二掩膜板縱向待測(cè)線寬的寬度，所述第二標(biāo)記實(shí)體中橫向延伸的一對(duì)邊線中的另一條邊線的線寬為所述第二掩膜板橫向待測(cè)線寬的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6 9任一項(xiàng)所述的標(biāo)記實(shí)體臺(tái)，其特征在于，所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為矩形，所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為矩形；或者， 所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為正八邊形，所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為正八邊形；或者， 所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為圓形，所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為圓形；或者， 所述第一標(biāo)記實(shí)體的形狀為橢圓形，所述第二標(biāo)記實(shí)體的邊線所圍形狀為橢圓形。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種掩膜板組和標(biāo)記實(shí)體臺(tái)。掩膜板組包括第一掩膜板，包括第一標(biāo)記圖案；第二掩膜板，包括由邊線構(gòu)成的第二標(biāo)記圖案，第二標(biāo)記圖案的線寬為第二掩膜板待測(cè)線寬的寬度；第一標(biāo)記圖案對(duì)應(yīng)的幾何圖形與所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍成的幾何圖形為相似圖案，且所述第一標(biāo)記圖案對(duì)應(yīng)的幾何圖形面積小于所述第二標(biāo)記圖案的邊線所圍成的幾何圖形面積；當(dāng)?shù)谝谎谀ぐ搴偷诙谀ぐ鍖?duì)位時(shí)，第一標(biāo)記圖案與第二標(biāo)記圖案的中心重疊。本實(shí)用新型，對(duì)于既需要進(jìn)行對(duì)位測(cè)量，也需要進(jìn)行線寬測(cè)量的層，在該層掩膜板上通過(guò)一個(gè)標(biāo)記圖案實(shí)現(xiàn)對(duì)位和線寬測(cè)量，降低了標(biāo)記制作的復(fù)雜度及成本，減化了測(cè)量程序，便于對(duì)位精度監(jiān)測(cè)和線寬測(cè)量。
文檔編號(hào)G03F1/42GK203084413SQ20132000528
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月7日
發(fā)明者曲連杰, 郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司