陣列基板及用該陣列基板的液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及用該陣列基板的液晶顯示面板，該陣列基板包括：玻璃基板（20）、形成于玻璃基板（20）上的柵極（21）、形成于柵極（21）上的柵極絕緣層（22）、形成于柵極絕緣層（22）上的氧化物半導體層（23）、形成于氧化物半導體層（23）上的蝕刻阻擋層（24）、形成于柵極絕緣層（22）、氧化物半導體層（23）與蝕刻阻擋層（24）上的源/漏極（25）、形成于蝕刻阻擋層（24）、源/漏極（25）與柵極絕緣層（22）上的保護層（26）、形成于保護層（26）上的彩膜濾光片（27）、形成于彩膜濾光片（27）與保護層（26）上的平坦化層（28）及形成于平坦化層（28）上的像素電極（29），所述像素電極（29）電性連接于所述源/漏極（25）。
【專利說明】陣列基板及用該陣列基板的液晶顯示面板
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及平面顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及用該陣列基板的液晶顯示面板。
【背景技術】
[0002]液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display, LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用，如移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示裝置，其包括殼體、設于殼體內(nèi)的液晶顯示面板及設于殼體內(nèi)的背光模組(Backlight module)。傳統(tǒng)的液晶顯示面板的結(jié)構是由一彩色濾光片基板(Color Filter)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate, TFT Array Substrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成,其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。由于液晶顯示面板本身不發(fā)光，需要借由背光模組提供的光源來正常顯示影像，因此，背光模組成為液晶顯示裝置的關鍵組件之一。背光模組依照光源入射位置的不同分成側(cè)入式背光模組與直下式背光模組兩種。直下式背光模組是將發(fā)光光源例如陰極螢光燈管(Cold Cathode FluorescentLamp, CCFL)或發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)設置在液晶顯示面板后方,直接形成面光源提供給液晶顯示面板。而側(cè)入式背光模組是將背光源LED燈條(Light bar)設于液晶顯示面板側(cè)后方的背板邊緣處，LED燈條發(fā)出的光線從導光板(Light Guide Plate,LGP) —側(cè)的入光面進入導光板,經(jīng)反射和擴散后從導光板出光面射出，再經(jīng)由光學膜片組，以形成面光源提供給液晶顯示面板。
[0004]請參閱圖1,其為現(xiàn)有的一種液晶顯示面板的結(jié)構示意圖,其包括陣列(Array)基板100、與陣列基板100貼合設置的彩膜(CF)基板300，及設于陣列基板100與彩膜基板300之間的液晶(LC)層500，其中，彩膜基板300上形成有像素結(jié)構以實現(xiàn)彩色顯示。
[0005]隨著技術的發(fā)展，現(xiàn)有一種液晶顯示面板，其將像素結(jié)構整合于陣列基板上，其稱為COA (color filter on array)技術。在該技術的基礎上,現(xiàn)有一種共平面液晶顯示面板(如圖2所示)，其包括:陣列基板100’、與陣列基板100’貼合設置的彩膜基板300’、及設于陣列基板100’與彩膜基板300’之間的液晶層500’，其中陣列基板100’上形成有薄膜晶體管陣列(TFT)與像素結(jié)構，薄膜晶體管陣列包括:柵極102、形成于柵極102上的柵極絕緣層104、形成于柵極絕緣層104上氧化物半導體層106及形成于柵極絕緣層104與氧化物半導體層106上的源/漏極108，氧化物半導體層106 —般由銦鎵鋅氧化物(IGZO)形成，而在其形成制程中，形成氧化物半導體層106后，在氧化物半導體層106及柵極絕緣層104上需要先形成第二金屬(M2)層，再進行蝕刻，然而，在第二金屬(M2)層形成時，容易對氧化物半導體層106的表面造成損壞，使得該氧化物半導體層106的表面較為粗糙，會導致薄膜晶體管特性不佳的狀況。[0006]且，該種液晶顯示面板的像素結(jié)構(如圖3所示)的像素電極109為一整體平面結(jié)構，該種結(jié)構會導致液晶顯示面板的開口率較小，進而導致液晶顯示面板的顯示效果不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板，其結(jié)構簡單，且具有良好的電學特性。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種液晶顯示面板，其結(jié)構簡單，開口率大，顯示效果好。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:玻璃基板、形成于玻璃基板上的柵極、形成于柵極與玻璃基板上的柵極絕緣層、形成于柵極絕緣層上的氧化物半導體層、形成于氧化物半導體層上的蝕刻阻擋層、形成于柵極絕緣層、氧化物半導體層與蝕刻阻擋層上的源/漏極、形成于蝕刻阻擋層、源/漏極與柵極絕緣層上的保護層、形成于保護層上的彩膜濾光片、形成于彩膜濾光片與保護層上的平坦化層及形成于平坦化層上的像素電極，所述像素電極電性連接于所述源/漏極，且該像素電極線狀排布，并圍成一以“十”字結(jié)構為中心的發(fā)射狀結(jié)構。
[0010]所述氧化物半導體層為銦鎵鋅氧化物層。
[0011 ] 所述像素電極由納米銦錫金屬氧化物形成。
[0012]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括:陣列基板、與陣列基板貼合設置的彩膜基板及設于陣列基板與彩膜基板之間的液晶層，所述陣列基板包括:玻璃基板、形成于玻璃基板上的柵極、形成于柵極與玻璃基板上的柵極絕緣層、形成于柵極絕緣層上的氧化物半導體層、形成于氧化物半導體層上的蝕刻阻擋層、形成于柵極絕緣層、氧化物半導體層與蝕刻阻擋層上的源/漏極、形成于蝕刻阻擋層、源/漏極與柵極絕緣層上的保護層、形成于保護層上的彩膜濾光片、形成于彩膜濾光片與保護層上的平坦化層及形成于平坦化層上的像素電極，所述像素電極電性連接于所述源/漏極，且該像素電極線狀排布，并圍成一以“十”字結(jié)構為中心的發(fā)射狀結(jié)構。
[0013]所述氧化物半導體層為銦鎵鋅氧化物層。
[0014]所述像素電極由納米銦錫金屬氧化物形成。
[0015]還包括設于陣列基板與彩膜基板之間的黑色矩陣及間隔物。
[0016]所述黑色矩陣及間隔物形成于彩膜基板上。
[0017]所述黑色矩陣及間隔物形成于陣列基板上。
[0018]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的陣列基板及用該陣列基板的液晶顯示面板，通過將彩膜濾光片設置于陣列基板上，并將像素電極設置成線狀排布，并圍成以“十”字結(jié)構為中心的發(fā)射狀結(jié)構，有效增大了開口率，提高了顯示效果，同時，在氧化物半導體層上形成蝕刻阻擋層，以保護氧化物半導體層在形成源/漏極時不被損壞，有效提升電學特性，而提升了液晶顯不面板的品質(zhì)。
[0019]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0021]附圖中，
[0022]圖1為現(xiàn)有的液晶顯示面板的剖面結(jié)構示意圖；
[0023]圖2為現(xiàn)有的一種COA結(jié)構的液晶顯示面板的結(jié)構示意圖；
[0024]圖3為圖2中液晶顯示面板的像素結(jié)構示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明陣列基板的結(jié)構示意圖；
[0026]圖5為本發(fā)明陣列基板的像素結(jié)構示意圖；
[0027]圖6為本發(fā)明液晶顯示面板的結(jié)構示意圖。
【具體實施方式】
[0028]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0029]請參閱圖4及圖5，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:玻璃基板20、形成于玻璃基板20上的柵極21、形成于柵極21與玻璃基板20上的柵極絕緣層22、形成于柵極絕緣層22上的氧化物半導體層23、形成于氧化物半導體層23上的蝕刻阻擋層(etching stop, ES) 24、形成于柵極絕緣層22、氧化物半導體層23與蝕刻阻擋層24上的源/漏極25、形成于蝕刻阻擋層24、源/漏極25與柵極絕緣層22上的保護層26、形成于保護層26上的彩膜濾光片27、形成于彩膜濾光片27與保護層26上的平坦化層28及形成于平坦化層28上的像素電極29，所述像素電極29電性連接于所述源/漏極25，且該像素電極29線狀排布，并圍成一以“十”字結(jié)構為中心的發(fā)射狀結(jié)構，有效增大了開口率，提高了顯示效果。
[0030]其中，所述柵極21、柵極絕緣層22、氧化物半導體層23及源/漏極25組成薄膜晶體管，以實現(xiàn)驅(qū)動控制，所述彩膜濾光片27用于實現(xiàn)彩色顯示。
[0031]進一步地，由于蝕刻阻擋層24的設置，能有效避免在形成源/漏極25時，第二金屬層對氧化物半導體層23的轟擊，進而保證氧化物半導體層23不會受損，保證了薄膜晶體管的特性。
[0032]在本實施例中，所述氧化物半導體層23為銦鎵鋅氧化物(IGZO)層。所述像素電極29由納米銦錫金屬氧化物(ITO)形成。
[0033]請參閱圖6，并參考圖4及圖5，本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括:陣列基板40、與陣列基板40貼合設置的彩膜基板60及設于陣列基板40與彩膜基板60之間的液晶層80，所述陣列基板40包括:玻璃基板20、形成于玻璃基板20上的柵極21、形成于柵極21與玻璃基板20上的柵極絕緣層22、形成于柵極絕緣層22上的氧化物半導體層23、形成于氧化物半導體層23上的蝕刻阻擋層24、形成于柵極絕緣層22、氧化物半導體層23與蝕刻阻擋層24上的源/漏極25、形成于蝕刻阻擋層24、源/漏極25與柵極絕緣層22上的保護層26、形成于保護層26上的彩膜濾光片27、形成于彩膜濾光片27與保護層26上的平坦化層28及形成于平坦化層28上的像素電極29，所述像素電極29電性連接于所述源/漏極25，且該像素電極29線狀排布，并圍成一以“十”字結(jié)構為中心的發(fā)射狀結(jié)構，有效增大了開口率，提聞了顯不效果。
[0034]其中，所述柵極21、柵極絕緣層22、氧化物半導體層23及源/漏極25組成薄膜晶體管，以驅(qū)動液晶層80中的液晶分子的偏轉(zhuǎn)，進而實現(xiàn)對光線的選擇，實現(xiàn)顯示；所述彩膜濾光片27用于實現(xiàn)彩色顯示。
[0035]進一步地，由于蝕刻阻擋層24的設置，能有效避免在形成源/漏極25時，第二金屬層對氧化物半導體層23的轟擊，進而保證氧化物半導體層23不會受損，保證了薄膜晶體管的特性。
[0036]在本實施例中，所述氧化物半導體層23為銦鎵鋅氧化物(IGZO)層。所述像素電極29由納米銦錫金屬氧化物(ITO)形成。
[0037]值得一提的是，本發(fā)明的液晶顯示面板還包括設于陣列基板40與彩膜基板60之間的黑色矩陣50及間隔物70。該黑色矩陣50及間隔物70可形成于彩膜基板60上或陣列基板40上。在本實施例中，所述黑色矩陣50及間隔物70形成于彩膜基板60上，且位于形成于彩膜基板60上的公共電極72的下方。
[0038]綜上所述，本發(fā)明的陣列基板及用該陣列基板的液晶顯示面板，通過將彩膜濾光片設置于陣列基板上，并將像素電極設置成線狀排布，并圍成以“十”字結(jié)構為中心的發(fā)射狀結(jié)構，有效增大了開口率，提高了顯示效果，同時，在氧化物半導體層上形成蝕刻阻擋層，以保護氧化物半導體層在形成源/漏極時不被損壞，有效提升電學特性，而提升了液晶顯示面板的品質(zhì)。
[0039]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:玻璃基板(20)、形成于玻璃基板(20)上的柵極(21)、形成于柵極(21)與玻璃基板(20)上的柵極絕緣層(22)、形成于柵極絕緣層(22)上的氧化物半導體層(23)、形成于氧化物半導體層(23)上的蝕刻阻擋層(24)、形成于柵極絕緣層(22)、氧化物半導體層(23)與蝕刻阻擋層(24)上的源/漏極(25)、形成于蝕刻阻擋層(24)、源/漏極(25)與柵極絕緣層(22)上的保護層(26)、形成于保護層(26)上的彩膜濾光片(27 )、形成于彩膜濾光片(27 )與保護層(26 )上的平坦化層(28 )及形成于平坦化層(28 )上的像素電極(29)，所述像素電極(29)電性連接于所述源/漏極(25)，且該像素電極(29)線狀排布，并圍成一以“十”字結(jié)構為中心的發(fā)射狀結(jié)構。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物半導體層(23)為銦鎵鋅氧化物層。
3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極(29)由納米銦錫金屬氧化物形成。
4.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括:陣列基板(40)、與陣列基板(40)貼合設置的彩膜基板(60 )及設于陣列基板(40 )與彩膜基板(60 )之間的液晶層(80 )，所述陣列基板(40)包括:玻璃基板(20)、形成于玻璃基板(20)上的柵極(21)、形成于柵極(21)與玻璃基板(20)上的柵極絕緣層(22)、形成于柵極絕緣層(22)上的氧化物半導體層(23)、形成于氧化物半導體層(23)上的蝕刻阻擋層(24)、形成于柵極絕緣層(22)、氧化物半導體層(23)與蝕刻阻擋層(24)上的源/漏極(25)、形成于蝕刻阻擋層(24)、源/漏極(25)與柵極絕緣層(22)上的保護層(26)、形成于保護層(26)上的彩膜濾光片(27)、形成于彩膜濾光片(27)與保護層(26 )上的平坦化層(28 )及形成于平坦化層(28 )上的像素電極(29 )，所述像素電極(29)電性連接于所述源/漏極(25)，且該像素電極(29)線狀排布，并圍成一以“十”字結(jié)構為中心的發(fā)射狀結(jié)構。
5.如權利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述氧化物半導體層(23)為銦鎵鋅氧化物層。
6.如權利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述像素電極(29)由納米銦錫金屬氧化物形成。
7.如權利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于，還包括設于陣列基板(40)與彩膜基板(60 )之間的黑色矩陣(50 )及間隔物(70 )。
8.如權利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述黑色矩陣(50)及間隔物(70)形成于彩膜基板(60)上。
9.如權利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述黑色矩陣(50)及間隔物(70)形成于陣列基板(40)上。
【文檔編號】G02F1/1343GK103744240SQ201310739594
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權日:2013年12月27日
【發(fā)明者】曾志遠, 連水池, 羅長誠 申請人:深圳市華星光電技術有限公司