一種tft陣列基板及制作方法和液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板及制作方法和液晶顯示裝置，包括：一基板；位于所述基板上的柵極層；位于所述柵極層上的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層上的有源層；位于所述有源層上的依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜；位于所述第一導(dǎo)電膜上且覆蓋整個(gè)基板范圍的第三絕緣層；位于所述第三絕緣層上的第二導(dǎo)電膜；其中，所述第三絕緣層和所述第二導(dǎo)電膜具有暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開口。該TFT陣列基板中由于第一導(dǎo)電膜是位于TFT頂部的，當(dāng)在TFT陣列基板表面涂布摩擦層后，氧化銦錫與摩擦層的附著性比較好，從而防止碎亮點(diǎn)現(xiàn)象。
【專利說明】一種TFT陣列基板及制作方法和液晶顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種TFT陣列基板及制作方法和液晶顯
示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)，采用橫向電場方式主要有IPS(In PlaneSwitching,橫向電場轉(zhuǎn)換)液晶顯示器及FFS(Fringe Field Switch,邊緣電場轉(zhuǎn)換)液晶顯示器。在FFS液晶顯示器中，包括上部電極層和下部電極層通過絕緣層相互絕緣，將下部電極層作為公共電極層，上部電極層作為像素電極層，并在上部電極層上形成例如狹縫等，以此作為電場流通的開口。通常，在彩膜基板和TFT陣列基板之間會(huì)設(shè)置支撐柱，支撐柱一般是設(shè)置在彩膜基板一側(cè)并與TFT陣列基板一側(cè)的薄膜晶體管TFT(thin film transistor)相抵觸，另外的彩膜基板和TFT陣列基板的表面有設(shè)有摩擦層，使得液晶具有一定的取向。
[0003]目前由于液晶顯示器的輕薄化要求，一般會(huì)對FFS液晶顯示器進(jìn)行輕薄化的工藝改進(jìn)，但是FFS液晶顯示器在輕薄化處理后為了改善其液晶顯示器表面的凹凸點(diǎn)，一般對其表面需要進(jìn)行拋光處理。
[0004]如圖1和圖2所示，由于傳統(tǒng)的TFT陣列基板01結(jié)構(gòu)中，位于TFT03頂部的是絕緣層4，由于絕緣層4與摩擦層2 (圖2中未示出)的附著性較差。當(dāng)在進(jìn)行在拋光處理過程中，如圖1所示，但是由于在拋光處理過程中，位于TFT陣列基板01和彩膜基板02之間的支撐柱5會(huì)對TFT03 (圖1中未示出)有位移，造成支撐柱5與TFT03之間存在來回的摩擦。由于這種摩擦?xí)沟梦挥赥FT陣列基板01的表面摩擦層2會(huì)產(chǎn)生碎屑3，由于摩擦層的碎屑3會(huì)在分散到液晶顯示器中的有效顯示區(qū)域AA。當(dāng)液晶顯示器工作時(shí)，這種位于有效顯示區(qū)域的碎屑，會(huì)表現(xiàn)為顯示上的碎亮點(diǎn)，嚴(yán)重影響顯示畫面的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種TFT陣列基板及制作方法和液晶顯不裝置。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)不范性的實(shí)施例,提供一種TFT陣列基板,包括:一基板；
[0007]位于所述基板上的柵極層；位于所述柵極層上的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層上的有源層；
[0008]位于所述有源層上的依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜；
[0009]位于所述第一導(dǎo)電膜上且覆蓋整個(gè)基板范圍的第三絕緣層；位于所述第三絕緣層上的第二導(dǎo)電膜；
[0010]其中，所述第三絕緣層和所述第二導(dǎo)電膜具有暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開口。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性的實(shí)施例，提供一種液晶顯示器，包括上述的TFT陣列基板、與所述TFT陣列基板的相對設(shè)置的彩膜基板，以及位于兩者之間的介質(zhì)層。[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性的實(shí)施例，提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括:
[0013]步驟S1:提供一基板，在所述基板上形成依次層疊的柵極層、第一絕緣層、有源層；
[0014]步驟S2:依次連續(xù)沉積形成金屬層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜層；
[0015]步驟S3:對所述金屬層、第二絕緣層和第一導(dǎo)電膜層進(jìn)行連續(xù)刻蝕，形成依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜并在所述依次層疊的源漏極層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜中形成暴露出所述有源層的溝槽；
[0016]步驟S4:沉積第三絕緣層，圖案化所述第三絕緣層形成暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開口 ；
[0017]步驟S5:在所述第三絕緣層上形成圖案化的第二導(dǎo)電膜，并具有暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開口。
[0018]由經(jīng)上述的技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板及制作方法和液晶顯示裝置，該TFT陣列基板中由于第一導(dǎo)電膜(通常為氧化銦錫)是位于TFT頂部的，當(dāng)在TFT陣列基板表面涂布摩擦層后，第一導(dǎo)電膜與摩擦層的附著性比較好。當(dāng)該TFT陣列基板被組裝成液晶顯示器時(shí)，需要進(jìn)行拋光處理。在拋光處理過程中，位于TFT陣列基板和彩膜基板之間存在來回的摩擦，不會(huì)使得表面摩擦層會(huì)產(chǎn)生碎屑，從而產(chǎn)生碎亮點(diǎn)現(xiàn)象，影響顯示畫面。相對于傳統(tǒng)的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)解決了碎亮點(diǎn)的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中公開的拋光處理中陣列基板上的摩擦層產(chǎn)生碎屑的示意圖；
[0021]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中公開的一種TFT陣列基板的示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中公開的TFT陣列基板的示意圖；
[0023]圖4為沿圖3中虛線部分的剖視圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實(shí)施例二中公開的TFT陣列基板的示意圖；
[0025]圖6為本發(fā)明實(shí)施例一中公開的TFT陣列基板的制作方法示意圖一；
[0026]圖7為本發(fā)明實(shí)施例一中公開的TFT陣列基板的制作方法示意圖二 ；
[0027]圖8為本發(fā)明實(shí)施例一中公開的TFT陣列基板的制作方法示意圖三；
[0028]圖9為本發(fā)明實(shí)施例一中公開的TFT陣列基板的制作流程示意圖；
[0029]圖10為本發(fā)明實(shí)施例二中公開的TFT陣列基板的制作方法示意圖一；
[0030]圖11為本發(fā)明實(shí)施例三中公開的液晶顯示器的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板，包括:一基板；位于所述基板上的柵極層；位于所述柵極層上的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層上的有源層；位于所述有源層上的依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜；位于所述第一導(dǎo)電膜上且覆蓋整個(gè)基板范圍的第三絕緣層；位于所述第三絕緣層上的第二導(dǎo)電膜；其中，所述第三絕緣層和所述第二導(dǎo)電膜具有暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開口。該TFT陣列基板中由于第一導(dǎo)電膜(通常為氧化銦錫)是位于TFT頂部的，當(dāng)在TFT陣列基板表面涂布摩擦層后，第一導(dǎo)電膜與摩擦層的附著性比較好。當(dāng)該TFT陣列基板被組裝成液晶顯示器時(shí)，需要進(jìn)行拋光處理。在拋光處理過程中，位于TFT陣列基板和彩膜基板之間的支撐柱與TFT之間存在來回的摩擦，不會(huì)使得表面摩擦層會(huì)產(chǎn)生碎屑，從而產(chǎn)生碎亮點(diǎn)現(xiàn)象，影響顯示畫面。相對于傳統(tǒng)的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)解決了如圖1所示的碎亮點(diǎn)的問題。
[0033]實(shí)施例一
[0034]如圖3-圖4所示，其中圖4為沿著圖3中虛線部分的剖面示意圖，本實(shí)施例公開了一種TFT陣列基板110，包括:基板10、掃描線11、數(shù)據(jù)線12、像素電極13、第二導(dǎo)電膜14、第一導(dǎo)電膜15、源漏極層19、有源層16、柵極17、第一絕緣層181、第二絕緣層182、第三絕緣層183，以及暴露出有源層16的溝槽G。其中由柵極17、第一絕緣層181、有源層16、源漏極層19、第二絕緣層182以及暴露出有源層16的溝槽G構(gòu)成該TFT陣列基板110上的薄膜晶體管TFT的基本結(jié)構(gòu)。在薄膜晶體管TFT的頂部還有懸浮設(shè)置的第一導(dǎo)電膜15，該導(dǎo)電膜的材料為一般為透明導(dǎo)電材料，較為優(yōu)選的材料為氧化銦錫。另外，該TFT陣列基板110還包括摩擦層(圖中未示出)，覆蓋第二導(dǎo)電膜14，第三絕緣層183和開口中的第一導(dǎo)電膜15。
[0035]繼續(xù)參考圖3-4，該TFT陣列基板110的具體結(jié)構(gòu)包括:基板10 ;位于基板10上的柵極層，該柵極層包括柵極17和掃描線11 ;位于柵極層上的第一絕緣層181 ;位于第一絕緣層181上的有源層16 ;位于有源層16上的依次層疊的，且形狀一致的源漏極層19、第二絕緣層182、第一導(dǎo)電膜15，其中源漏極層19包括源極19、漏極19和數(shù)據(jù)線12 ;位于第一導(dǎo)電膜上15且覆蓋整個(gè)基板110范圍的第三絕緣層183 ;位于述第三絕緣層183上的第二導(dǎo)電膜14 ;其中，第三絕緣層183和第二導(dǎo)電膜14具有暴露出第一導(dǎo)電膜15的開口。
[0036]另外，TFT陣列基板110還包括，位于第一絕緣層181與源漏極層之間的像素電極13，像素電極13與源漏極層19電連接。第二導(dǎo)電膜14為公共電極，位于TFT陣列基板110的頂部，設(shè)計(jì)成條狀電極。由于在FFS液晶顯示器中由位于上下不同位置的公共電極和像素電極之間形成使得液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)的電場，為了可以使得液晶顯示器中的電場流通，一般位于上部的公共電極設(shè)計(jì)為條狀電極，即能夠形成狹長的空隙使得電場流通。另外的，像素電極和公共電極一般為透明導(dǎo)電材料，更為優(yōu)選地，為氧化銦錫。
[0037]如圖4所示，對于溝槽G，位于依次層疊，且形狀一致的源漏極層19、第二絕緣層182和第一導(dǎo)電膜15中，并且暴露出有源層16，同時(shí)該溝槽G被第三絕緣層183填充。在此需要說明的是:源漏極層19、第二絕緣層182和第一導(dǎo)電膜15是依次層疊并且形狀一致，如此的結(jié)構(gòu)，其具體的工藝是采取連續(xù)成膜、連續(xù)刻蝕而得到的。這樣可以使得第一導(dǎo)電膜15與源漏極層19也就是源極19，漏極19或整個(gè)薄膜晶體管TFT對位十分精準(zhǔn)，從而避免了由于第一導(dǎo)電膜15與源漏極層19、第二絕緣層182不是同時(shí)形成而造成第一導(dǎo)電膜15會(huì)覆蓋到溝槽G中，從而影響薄膜晶體管TFT的特性。
[0038]繼續(xù)參考如圖4，其中值得注意的是，第一導(dǎo)電膜15—般為透明導(dǎo)電材料，較為優(yōu)選的為氧化銦錫(ΙΤ0)。由于第一導(dǎo)電膜15即氧化銦錫是位于薄膜晶體管TFT頂部的，當(dāng)在TFT陣列基板110表面涂布摩擦層(圖中未示出)后，第一導(dǎo)電膜15 (—般為氧化銦錫)與摩擦層的附著性比較好。由于當(dāng)TFT陣列基板110被組裝成液晶顯示器后，需要進(jìn)行拋光處理。在拋光處理過程中，位于TFT陣列基板和彩膜基板之間的支撐柱與TFT之間存在來回的摩擦，由于第一導(dǎo)電膜15 (—般為氧化銦錫)與摩擦層的附著性比較好，不會(huì)使得表面摩擦層會(huì)產(chǎn)生碎屑，從而產(chǎn)生碎亮點(diǎn)現(xiàn)象，影響顯示畫面。但是由于傳統(tǒng)的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)中，如圖2所示，位于TFT頂部的是絕緣層，由于絕緣層與摩擦層的附著性較差，當(dāng)在進(jìn)行在拋光處理過程中，位于兩基板之間的支撐柱與TFT之間存在來回的摩擦，十分容易讓位于絕緣層上的摩擦層產(chǎn)生碎屑，從而產(chǎn)生碎亮點(diǎn)現(xiàn)象，影響顯示畫面。
[0039]如圖6-圖9所示，本發(fā)明還公開了一種上述的TFT陣列基板110的制作方法:
[0040]步驟S1:提供一基板10，在基板10上形成依次層疊的柵極層、第一絕緣層181、有源層16、像素電極13。具體來說為:由柵極層刻蝕形成圖案化的柵極17和掃描線(圖中未示出)；由有源層刻蝕形成圖案化的有源層16 ;在第一絕緣層181上圖案化形成像素電極13，其中，像素電極13與由步驟S3中形成的源漏極層19電連接；
[0041]步驟S2:依次連續(xù)沉積形成金屬層M、第二絕緣層182、第一導(dǎo)電膜層Tl ；
[0042]步驟S3:對金屬層M、第二絕緣層182和第一導(dǎo)電膜層Tl進(jìn)行連續(xù)刻蝕，形成依次層疊的，且形狀一致的源漏極層19、第二絕緣層182、第一導(dǎo)電膜15并在依次層疊的源漏極層19、第二絕緣層152、第一導(dǎo)電膜15中形成暴露出有源層16的溝槽G。具體來說，通過半掩膜板法(half-tone mask),通過對金屬層Μ、第二絕緣層182和第一導(dǎo)電膜層Tl進(jìn)行連續(xù)刻蝕，形成位于第一絕緣層181上的圖案化的數(shù)據(jù)線12以及形成位于源漏極層19、第二絕緣層182和第一導(dǎo)電膜15中的暴露出有源層16的溝槽G ;
[0043]步驟S4:沉積第三絕緣層183，圖案化第三絕緣層193形成暴露出第一導(dǎo)電膜15的開口 ；
[0044]其中，該步驟S4具體包括步驟S41和步驟S42，其中，步驟S41:在第一導(dǎo)電膜15上沉積形成第三絕緣層183，其中沉積溫度為290-360°C，第三絕緣層183填充溝槽G。值得說明的是，由于第三絕緣層183的成膜溫度為290-360°C，使得第一導(dǎo)電膜15，由于其一般為氧化銦錫(ΙΤ0)，在200°C左右就會(huì)結(jié)晶，那么在如此高的溫度下，氧化銦錫已經(jīng)發(fā)生結(jié)晶，那么在后續(xù)的對第二導(dǎo)電膜14采用草酸進(jìn)行刻蝕時(shí)(即步驟S52)，由于第一導(dǎo)電膜15已經(jīng)發(fā)生結(jié)晶，故不會(huì)在刻蝕第二導(dǎo)電膜14時(shí)候，被草酸刻蝕；
[0045]步驟S42:采用對第三絕緣層183進(jìn)行刻蝕，形成暴露出第一導(dǎo)電膜15的開口 ；
[0046]步驟S5:在第三絕緣層183上形成圖案化的第二導(dǎo)電膜14，在此實(shí)施方式中第二導(dǎo)電膜14為公共電極；
[0047]其中，步驟S5具體包括步驟S51和步驟S52，其中，步驟S51:在第三絕緣層183上沉積第二導(dǎo)電膜層，一般為透明導(dǎo)電材料，較為優(yōu)選的為氧化銦錫(ITO);步驟S52:對第二導(dǎo)電膜層采用草酸進(jìn)行刻蝕形成第二導(dǎo)電膜14，并形成暴露出第一導(dǎo)電膜15的開口。其中由于采用草酸對第二導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕，保證了不會(huì)對已經(jīng)結(jié)晶的第一導(dǎo)電膜15產(chǎn)生刻蝕效果。[0048]其中，值得說明的是:在步驟S2和步驟S3中分別采用連續(xù)成膜和連續(xù)刻蝕，形成的源漏極層19、第二絕緣層182和第一導(dǎo)電膜15是依次層疊的并且形狀一致的結(jié)構(gòu)，其中第一導(dǎo)電膜15為懸浮設(shè)置，即不與其他的器件有電連接。由于采取了連續(xù)成膜、連續(xù)刻蝕的工藝，這樣可以使得第一導(dǎo)電膜15與源漏極層19也就是源極19，漏極19或整個(gè)薄膜晶體管TFT對位十分精準(zhǔn)，從而避免了由于第一導(dǎo)電膜15與源漏極層19、第二絕緣層182不是同時(shí)形成而造成第一導(dǎo)電膜15會(huì)覆蓋到溝槽G中，從而影響薄膜晶體管TFT的特性。
[0049]實(shí)施例二
[0050]如圖5所示，本實(shí)施例在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上公開了另一種TFT陣列基板110，包括，包括:基板10、掃描線(圖中未示出)、數(shù)據(jù)線12、像素電極13、第二導(dǎo)電膜14、第一導(dǎo)電膜
15、源漏極層19、有源層16、柵極17、第一絕緣層181、第二絕緣層182、第三絕緣層183，第四絕緣層184以及暴露出有源層16的溝槽G。
[0051]本實(shí)施例中的TFT陣列基板與實(shí)施例一中所公開的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)相同之處，在此就不再一一贅述。以下詳細(xì)闡述與實(shí)施例一中的不同之處:
[0052]該TFT陣列基板還包括第四絕緣層184，位于第二導(dǎo)電膜14之上覆蓋整個(gè)TFT陣列基板110并具有暴露出第一導(dǎo)電膜15的開口。
[0053]其中，第二導(dǎo)電膜14為公共電極，像素電極13是位于第四絕緣層184之上。其中第二導(dǎo)電膜14和像素電極13，一般為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫等。另外，像素電極13為條狀電極，其原因是由于:由于在FFS液晶顯示器中由位于上下不同位置的公共電極和像素電極之間形成使得液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)的電場，為了可以使得液晶顯示器中的電場流通，一般位于上部的電極設(shè)計(jì)為條狀電極，即能夠形成狹長的空隙使得電場流通。
[0054]另外，像素電極13與源漏極層19之間電連接，一般采用過孔連接(圖中未示出)。由于過孔連接技術(shù)為本【技術(shù)領(lǐng)域】的常見技術(shù)，故在此就不再詳細(xì)闡述。
[0055]如圖5、圖10所示，同時(shí)參照圖9，本發(fā)明還公開了一種上述的TFT陣列基板110的制作方法:
[0056]步驟S1:提供一基板10，在基板10上形成依次層疊的柵極層、第一絕緣層181、有源層16。具體來說為:由柵極層刻蝕形成圖案化的柵極17和掃描線(圖中未示出)；
[0057]步驟S2:依次連續(xù)沉積形成金屬層M、第二絕緣層182、第一導(dǎo)電膜層Tl ；
[0058]步驟S3:對金屬層M、第二絕緣層182和第一導(dǎo)電膜層Tl進(jìn)行連續(xù)刻蝕，形成依次層疊的，且形狀一致的源漏極層19、第二絕緣層182、第一導(dǎo)電膜15并在依次層疊的源漏極層19、第二絕緣層152、第一導(dǎo)電膜15中形成暴露出有源層16的溝槽G ；
[0059]步驟S4:沉積第三絕緣層183，圖案化第三絕緣層193形成暴露出第一導(dǎo)電膜15的開口 ；
[0060]步驟S5:在第三絕緣層183上形成圖案化的第二導(dǎo)電膜14，在此實(shí)施方式中第二導(dǎo)電膜14為公共電極；
[0061]步驟S6:在第二導(dǎo)電膜14上圖案化形成第四絕緣層184覆蓋整個(gè)TFT陣列基板110并暴露出所述第一導(dǎo)電膜15 ；
[0062]步驟S7:在第四絕緣層184上圖案化形成像素電極13并暴露出第一導(dǎo)電膜15。
[0063]其中本實(shí)施例中的TFT陣列基板的制作方法是以實(shí)施例一中公開的TFT陣列基板的制作方法為基礎(chǔ)的，其中步驟S2-S5與實(shí)施例一中描述相同，故在此就不再一一贅述。其中與實(shí)施例一不同之處在于:
[0064]該TFT陣列基板的制作方法還包括步驟S6和步驟S7，由步驟S6制得第四絕緣層184，由步驟S7制得像素電極13，其中像素電極13為條狀電極。
[0065]作為本實(shí)施例的另一變形，即第二導(dǎo)電膜14為像素電極，那么公共電極13是位于第四絕緣層184之上。其中公共電極13為條狀電極。另外，第二導(dǎo)電膜(像素電極)14與源漏極層19之間電連接，一般采用過孔連接(圖中未示出)。由于過孔連接技術(shù)為本【技術(shù)領(lǐng)域】的常見技術(shù)，故在此就不再詳細(xì)闡述。
[0066]其TFT陣列基板的制作方法與上述TFT陣列基板的制作方法基本一致，不同點(diǎn)為:
[0067]由步驟S6制得第四絕緣層184，由步驟S7制得公共電極13 (圖中未示出)，其中公共電極13為條狀電極。
[0068]實(shí)施例三
[0069]如圖11所示，本實(shí)施例在實(shí)施例一或二的基礎(chǔ)上公開了一種液晶顯示器1110，包括上述的TFT陣列基板110、與TFT陣列基板110的相對設(shè)置的彩膜基板111，以及位于兩者之間的介質(zhì)層112。其中液晶顯示裝置1110還包括設(shè)置于TFT陣列基板110和彩膜基板111之間的支撐柱113，支撐住110與開口中的第一導(dǎo)電膜15正對設(shè)置。
[0070]本說明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。
[0071]對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板,包括:一基板； 位于所述基板上的柵極層； 位于所述柵極層上的第一絕緣層； 位于所述第一絕緣層上的有源層； 位于所述有源層上的依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜； 位于所述第一導(dǎo)電膜上且覆蓋整個(gè)基板范圍的第三絕緣層； 位于所述第三絕緣層上的第二導(dǎo)電膜； 其中，所述第三絕緣層和所述第二導(dǎo)電膜具有暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開口。
2.如權(quán)利要I所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述依次層疊，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層和第一導(dǎo)電膜中具有暴露出所述有源層的一溝槽，所述溝槽被所述第三絕緣層填充。
3.如權(quán)利要I所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括: 位于所述柵極層包括柵極和掃描線； 位于所述源漏極層包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
4.如權(quán)利要3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電膜為公共電極，所述TFT陣列基板還包括: 位于第一絕緣層與所述源漏極層之間的像素電極，所述像素電極與所述源漏極層之間電連接。
5.如權(quán)利要3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電膜為公共電極，所述TFT陣列基板還包括: 位于所述第二導(dǎo)電膜上的第四絕緣層； 以及，位于所述第四絕緣層之上的像素電極。
6.如權(quán)利要3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電膜為像素電極，所述像素電極與所述源漏極層之間電連接；所述TFT陣列基板還包括: 位于所述第二導(dǎo)電膜上的第四絕緣層； 以及，位于所述第四絕緣層之上的公共電極。
7.如權(quán)利要I所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電膜為透明導(dǎo)電材料。
8.如權(quán)利要7所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫。
9.如權(quán)利要I所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電膜為透明導(dǎo)電材料。
10.如權(quán)利要I所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括摩擦層，覆蓋所述第二導(dǎo)電膜，第三絕緣層和開口中的第一導(dǎo)電膜。
11.如權(quán)利要I所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電膜懸浮設(shè)置。
12.一種液晶顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-11任一所述的TFT陣列基板、與所述TFT陣列基板的相對設(shè)置的彩膜基板，以及位于兩者之間的介質(zhì)層。
13.如權(quán)利要12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所示液晶顯示裝置還包括設(shè)置于所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間的支撐柱，所述支撐住與所述開口中的第一導(dǎo)電膜正對設(shè)置。
14.一種TFT陣列基板的制作方法，包括: 步驟S1:提供一基板，在所述基板上形成依次層疊的柵極層、第一絕緣層、有源層；步驟S2:依次連續(xù)沉積形成金屬層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜層； 步驟S3:對所述金屬層、第二絕緣層和第一導(dǎo)電膜層進(jìn)行連續(xù)刻蝕，形成依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜并在所述依次層疊的源漏極層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電膜中形成暴露出所述有源層的溝槽； 步驟S4:沉積第三絕緣層，圖案化所述第三絕緣層形成暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開Π ； 步驟S5:在所述第三絕緣層上形成圖案化的第二導(dǎo)電膜，并具有暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開口。
15.如權(quán)利要求11所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于:所述步驟S3具體還包括: 通過半掩膜板法，通過對所述金屬層、第二絕緣層和第一導(dǎo)電膜層進(jìn)行連續(xù)刻蝕，形成位于所述第一絕緣層上的數(shù)據(jù)線以及形成位于所述源漏極層、第二絕緣層和第一導(dǎo)電膜中的暴露出所述有源層的溝槽。
16.如權(quán)利要求15所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于:所述步驟S4具體包括: 步驟S41:在所述第一導(dǎo)電膜上沉積形成第三絕緣層，其中沉積溫度為290-360°C，所述第三絕緣層填充所述溝槽； 步驟S42:對所述第三絕緣層進(jìn)行刻蝕，暴露出所述第一導(dǎo)電膜。
17.如權(quán)利要求16所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于:所述步驟S5具體包括: 步驟S51:在所述第三絕緣層上沉積第二導(dǎo)電膜層； 步驟S52:對所述第二導(dǎo)電膜層采用草酸進(jìn)行刻蝕形成第二導(dǎo)電膜，并形成暴露出所述第一導(dǎo)電膜的開口。
18.如權(quán)利要求11所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于:所述第二導(dǎo)電膜為公共電極，所述步驟SI具體還包括: 在所述第一絕緣層上圖案化形成像素電極，所述像素電極與所述源漏極層電連接。
19.如權(quán)利要求11所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于:所述第二導(dǎo)電膜為公共電極，所述TFT陣列基板的制作方法還包括: 步驟S6:在所述第二導(dǎo)電膜上圖案化形成第四絕緣層并暴露出所述第一導(dǎo)電膜； 步驟S7:在所述第四絕緣層上圖案化形成像素電極并暴露出所述第一導(dǎo)電膜。
20.如權(quán)利要求11所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于:所述第二導(dǎo)電膜為像素電極，所述TFT陣列基板的制作方法還包括: 步驟S6:在所述第二導(dǎo)電膜上圖案化形成第四絕緣層并暴露出所述第一導(dǎo)電膜； 步驟S7:在所述第四絕緣層上圖案化形成公共電極并暴露出所述第一導(dǎo)電膜。
21.如權(quán)利要求11所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于:所述第一導(dǎo)電膜層為透明導(dǎo)電材料。
22.如權(quán)利要求21所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫。
23.如權(quán)利要求14所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電膜懸浮設(shè)置。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103941489SQ201310628272
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】梁艷峰 申請人:上海中航光電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司