建立opc模型的方法、布局圖形的檢查方法
【專利摘要】一種建立OPC模型的方法、布局圖形的檢查方法，其中，所述建立OPC模型的方法得到的最終的OPC模型考慮了后續(xù)刻蝕晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度，利用該最終的OPC模型進(jìn)行模擬時(shí)，可以有效的找到由于光刻膠層厚度損失對(duì)在晶圓上形成的最終圖形的精確度造成影響的區(qū)域，以利于后續(xù)修改光掩模圖形，使得利用該修改后的光掩模圖形曝光光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜刻蝕晶圓形成的最終圖形的精確度高。
【專利說明】建立OPC模型的方法、布局圖形的檢查方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種建立OPC模型的方法、布局圖形的檢查方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造中，隨著設(shè)計(jì)尺寸的不斷縮小，光的衍射效應(yīng)變得越來越明顯，它的結(jié)果就是最終對(duì)設(shè)計(jì)圖形產(chǎn)生的光學(xué)影像退化，最終在硅片上經(jīng)過光刻形成的實(shí)際圖形變得和設(shè)計(jì)圖形不同，這種現(xiàn)象被稱為OPE (Optical Proximity Effect,光學(xué)鄰近效應(yīng))。
[0003]為了修正OPE 現(xiàn)象,便產(chǎn)生了 OPC (Optical Proximity Correct1n,光學(xué)鄰近效應(yīng)修正)。OPC的核心思想就是基于抵消OPE現(xiàn)象的考慮建立OPC模型，根據(jù)OPC模型設(shè)計(jì)光掩模圖形，這樣雖然光刻后的光刻圖形相對(duì)應(yīng)光掩模圖形發(fā)生了 OPC現(xiàn)象，但是由于在根據(jù)OPC模型設(shè)計(jì)光掩模圖形時(shí)已經(jīng)考慮了對(duì)該現(xiàn)象的抵消，因此，光刻后的光刻圖形接近于用戶實(shí)際希望得到的目標(biāo)圖形。
[0004]然而，由于在集成電路的制造過程中，在形成光刻圖形后，還需要將所述光刻圖形轉(zhuǎn)移至晶圓上形成最終圖形。光刻后的光刻圖形接近于用戶實(shí)際希望得到的目標(biāo)圖形，并不意味著后續(xù)形成在晶圓上的圖形就接近于上述目標(biāo)圖形。相比于目標(biāo)圖形，現(xiàn)有技術(shù)形成在晶圓上形成的最終圖形的精確度仍然有待提高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案解決的問題是提供一種建立OPC模型的方法、布局圖形的檢查方法，以提高后續(xù)形成在晶圓上的最終圖形的精確度。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種建立OPC模型的方法，包括:提供目標(biāo)圖形、光刻系統(tǒng)和表面形成有光刻膠層的晶圓；提供依據(jù)所述目標(biāo)圖形和光刻系統(tǒng)得到的光掩模圖形、具有上述光掩模圖形的光掩模板和原始OPC模型；利用所述光掩模板和光刻系統(tǒng)曝光晶圓，在光刻膠層上形成光刻圖形，并獲取位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸，將所述位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸作為參考尺寸；將原始OPC模型中的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在光刻膠層的底部，依據(jù)所述參考尺寸對(duì)所述原始OPC模型進(jìn)行校準(zhǔn)，直至由該校準(zhǔn)后的OPC模型得到模擬的光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸等于所述參考尺寸，將該校準(zhǔn)后的OPC模型作為中間模型；獲取前述曝光晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度，將所述中間模型的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在允許的光刻膠層的最小厚度處，得到最終的OPC模型。
[0007]可選的，所述光掩模圖形在原始OPC模型中模擬得到的圖形與目標(biāo)圖形一致。
[0008]可選的，所述光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸通過電子顯微鏡測(cè)量得到。
[0009]可選的，對(duì)所述原始OPC模型進(jìn)行校準(zhǔn)的步驟包括:曝光焦平面的校準(zhǔn)、模擬圖形的深度校準(zhǔn)、光酸擴(kuò)散長(zhǎng)度校準(zhǔn)以及棱鏡偏振校準(zhǔn)。
[0010]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種布局圖形的檢查方法，包括:提供如上述的任一種光掩模圖形和最終的OPC模型，所述光掩模圖形由多個(gè)微小圖形組成；利用所述最終的OPC模型對(duì)所述光掩模圖形進(jìn)行模擬，得到檢測(cè)圖形，所述檢測(cè)圖形中的子圖形與光掩模圖形上的微小圖形一一對(duì)應(yīng)；對(duì)所述檢測(cè)圖形中的子圖形逐一進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)檢測(cè)圖形中子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸為O時(shí)，則將光掩模圖形中與該子圖形相對(duì)應(yīng)的微小圖形進(jìn)行標(biāo)記。
[0011]可選的,包括:修改所述光掩模圖形中被標(biāo)記的微小圖形，直至將修改后的光掩模圖形利用最終的OPC模型進(jìn)行模擬，得到的檢測(cè)圖形中所有子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸大于O。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0013]在獲得經(jīng)初步校準(zhǔn)的光掩模圖形后，曝光晶圓在光刻膠層上形成光刻圖形，獲取位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸；然后將原始OPC模型中的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在光刻膠層的底部，以光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸作為參考尺寸，修改所述原始OPC模型，直至該修改后的OPC模型得到模擬的光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸等于所述參考尺寸，得到中間模型；再將中間模型的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在允許的光刻膠層的最小厚度處，得到最終的OPC模型。由于建立最終的OPC模型考慮了后續(xù)刻蝕晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度，利用該最終的OPC模型進(jìn)行模擬時(shí)，可以有效的找到由于光刻膠層厚度損失對(duì)在晶圓上形成的最終圖形的精確度造成影響的區(qū)域，以利于從源頭上進(jìn)行預(yù)防，提高后續(xù)形成在晶圓上的最終圖形的精確度。
[0014]進(jìn)一步的，利用最終的OPC模型對(duì)所述光掩模圖形進(jìn)行模擬，當(dāng)檢測(cè)圖形中的子圖形的特征尺寸為O時(shí)，將光掩模圖形上與該子圖形相對(duì)應(yīng)的微小圖形進(jìn)行標(biāo)記，并予以修改，直至將修改后的光掩模圖形利用最終的OPC模型進(jìn)行模擬，得到的檢測(cè)圖形上所有子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸大于O。利用該修改后的光掩模圖形曝光光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜刻蝕晶圓形成的最終圖形的精確度高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的建立OPC模型的方法的流程示意圖；
[0016]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的布局圖形的檢查方法的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]正如【背景技術(shù)】所述，即使光刻后的光刻圖形接近于用戶實(shí)際希望得到的目標(biāo)圖形，但后續(xù)在晶圓上形成的最終圖形的精確度仍然有待提高。
[0019]經(jīng)過分析后可以得知，造成上述現(xiàn)象的一個(gè)重要原因在于:在曝光顯影形成光刻圖形的過程中，由于光刻圖形在不同區(qū)域的密度和尺寸差異，顯影液腐蝕光刻膠厚度的程度也會(huì)有所區(qū)別，尤其是光刻圖形分布較為密集的區(qū)域，光刻膠層的厚度被腐蝕的較多，厚度損失嚴(yán)重(Top Loss)。所述厚度損失嚴(yán)重的光刻膠層對(duì)應(yīng)的區(qū)域，即使光刻圖形與目標(biāo)圖形完全相同，但是由于該區(qū)域的光刻膠層的厚度已不能滿足后續(xù)刻蝕工藝的需求，使得后續(xù)在晶圓上刻蝕形成的最終圖形的厚度已不能滿足用戶需求，從而造成了在晶圓上形成的最終圖形的精確度較低的問題。
[0020]由于現(xiàn)有的OPC系統(tǒng)是基于只能獲取到的光刻圖形的二維尺寸信息、而無法獲取到光刻膠層的厚度信息的電子顯微鏡(CDSEM)的數(shù)據(jù)建立的，因此無法找出上述光刻膠層厚度損失造成的圖形的缺陷。
[0021]而若想要建立一個(gè)嚴(yán)密的能夠測(cè)量光刻圖形的三維尺寸的OPC模型，需要經(jīng)過復(fù)雜的數(shù)學(xué)和物理運(yùn)算，其開發(fā)成本高，并且在使用時(shí)也存在由于計(jì)算量過大導(dǎo)致的耗時(shí)長(zhǎng)的問題，不利于提高實(shí)際工藝生產(chǎn)的效率。
[0022]綜合以上各種考慮，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種建立OPC模型的方法，提供目標(biāo)圖形、光刻系統(tǒng)和表面形成有光刻膠層的晶圓；提供依據(jù)所述目標(biāo)圖形和光刻系統(tǒng)得到的光掩模圖形、具有上述光掩模圖形的光掩模板和原始OPC模型；利用所述光掩模板和光刻系統(tǒng)曝光晶圓，在光刻膠層上形成光刻圖形，并獲取位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸，將所述位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸作為參考尺寸；將原始OPC模型中的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在光刻膠層的底部，依據(jù)所述參考尺寸修改所述原始OPC模型，直至由該修改后的OPC模型得到模擬的光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸等于所述參考尺寸，將該修改后的OPC模型作為中間模型；獲取前述曝光晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度，將所述中間模型的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在允許的光刻膠層的最小厚度處，得到最終的OPC模型。該最終的OPC模型可以用來檢測(cè)光刻膠層厚度損失造成的圖形的缺陷。
[0023]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0024]請(qǐng)參考圖1，本發(fā)明的實(shí)施例中，所述建立OPC模型的方法，包括:
[0025]步驟S101，提供目標(biāo)圖形、光刻系統(tǒng)和表面形成有光刻膠層的晶圓；
[0026]步驟S102，提供依據(jù)所述目標(biāo)圖形和光刻系統(tǒng)得到的光掩模圖形、具有上述光掩模圖形的光掩模板和原始OPC模型；
[0027]步驟S103，利用所述光掩模板和光刻系統(tǒng)曝光晶圓，在光刻膠層上形成光刻圖形，并獲取位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸，將所述位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸作為參考尺寸；
[0028]步驟S104，將原始OPC模型中的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在光刻膠層的底部，依據(jù)所述參考尺寸對(duì)所述原始OPC模型進(jìn)行校準(zhǔn)，直至由該校準(zhǔn)后的OPC模型得到模擬的光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸等于所述參考尺寸，將該校準(zhǔn)后的OPC模型作為中間模型；
[0029]步驟S105，獲取刻蝕晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度，將所述中間模型的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在允許的光刻膠層的最小厚度處，得到最終的OPC模型。
[0030]具體的，請(qǐng)參考圖2，所述目標(biāo)圖形由用戶提供，用于為生產(chǎn)制造提供指導(dǎo)，是實(shí)際需要形成的圖形；所述光刻系統(tǒng)202為用于進(jìn)行光刻曝光的設(shè)備，其內(nèi)部包含多個(gè)光學(xué)元件，可以使光線在其內(nèi)部發(fā)生多次反射、折射、聚焦等變化；所述表面形成有光刻膠層203的晶圓204則是作為后續(xù)的光刻的對(duì)象，在光刻膠層203上形成光刻圖形，后續(xù)再通過刻蝕的方式將光刻圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上，用于集成電路的制造。
[0031]所述光掩模圖形為依據(jù)所述目標(biāo)圖形和光刻系統(tǒng)設(shè)計(jì)得到的圖形。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述光掩模圖形為已經(jīng)進(jìn)行初步校準(zhǔn)過的圖形，即采用具有該掩模圖形制作的光掩模板201通過上述光刻系統(tǒng)202對(duì)晶圓204表面的光刻膠層203進(jìn)行曝光顯影，得到的光刻圖形與前述目標(biāo)圖形相同；所述原始OPC模型為經(jīng)初步校準(zhǔn)后的模型，所述光掩模圖形經(jīng)原始OPC模型模擬檢查和實(shí)際制造檢查，反復(fù)修改后得到。
[0032]本發(fā)明的實(shí)施例中，在得到上述具有光掩模圖形的光掩模板201后，利用所述光掩模板201和光刻系統(tǒng)202曝光晶圓204，在光刻膠層203上形成光刻圖形。在本發(fā)明的實(shí)施例中，光源200發(fā)出的光線經(jīng)光掩模板201后,進(jìn)入光學(xué)系統(tǒng)202,并在其內(nèi)部發(fā)生多次反射、折射、聚焦等變化后，最終由光學(xué)系統(tǒng)202射出，照射到涂布在晶圓204表面的光刻膠層203表面，形成實(shí)際的光刻圖形。
[0033]在光刻膠層203上形成光刻圖形后，獲取位于光刻膠層203底部的光刻圖形的尺寸，用于后續(xù)作為參考尺寸修改OPC模型。本發(fā)明的實(shí)施例中，采用電子顯微鏡(CDSEM)對(duì)光刻膠層203底部的光刻圖形進(jìn)行測(cè)量，即可獲得相應(yīng)的尺寸。
[0034]需要說明的是，在實(shí)際制造工藝中，所述目標(biāo)圖形由若干個(gè)小的圖形構(gòu)成，因此，設(shè)計(jì)的光掩模圖形也有若干個(gè)對(duì)應(yīng)的微小圖形構(gòu)成，形成在光刻膠層203底部的光刻圖形也由多個(gè)子圖形構(gòu)成。因此，本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)際測(cè)量的是光刻圖形的多個(gè)子圖形在光刻膠層203底部的尺寸。
[0035]由于實(shí)際光刻工藝中，經(jīng)光刻系統(tǒng)射出的光線會(huì)聚焦到一點(diǎn)形成焦點(diǎn)，隨著焦點(diǎn)與光刻膠層的位置關(guān)系不同，形成在光刻膠層中的光強(qiáng)分布也不盡相同，導(dǎo)致形成在光刻膠層中不同厚度處對(duì)應(yīng)的光刻圖形也有所區(qū)別。最為理想的情況是:焦點(diǎn)位于光刻膠層的中間厚度處，光線在光刻膠層內(nèi)的光強(qiáng)分布趨于均勻，此時(shí)光線也未發(fā)生離焦現(xiàn)象，光刻膠層內(nèi)不同厚度處對(duì)應(yīng)的光刻圖形差別較小。
[0036]經(jīng)過分析得知，只要光線未在光刻膠層的厚度內(nèi)發(fā)生離焦，那么形成的光刻圖形仍然與目標(biāo)圖形間的誤差在允許的范圍內(nèi)，能夠滿足工藝需求。而在OPC模型中將離焦起始點(diǎn)(defocus start)設(shè)置在不同的位置，模擬得到的光刻圖形也不相同。為了使得到的圖形精確，能夠滿足工藝需求，需要保證光刻膠層底部處并未發(fā)生離焦現(xiàn)象。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，將原始OPC模型中的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在光刻膠層的底部(代表著以該位置處為分界線，該位置及以上的地方光線未發(fā)生離焦，但該位置以下的地方光線發(fā)生離焦)，依據(jù)所述參考尺寸對(duì)所述原始OPC模型進(jìn)一步校準(zhǔn)，可對(duì)原始OPC模型中的光學(xué)模型或光刻模型的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)，例如曝光焦平面的校準(zhǔn)、模擬圖形的深度校準(zhǔn)、光酸擴(kuò)散長(zhǎng)度校準(zhǔn)、以及棱鏡偏振校準(zhǔn)等，直至由該校準(zhǔn)后的OPC模型得到模擬的光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸等于所述參考尺寸，將該校準(zhǔn)后的OPC模型作為中間模型。
[0037]所述刻蝕晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度為后續(xù)將光刻圖形轉(zhuǎn)移至晶圓上時(shí)，光刻膠層剛好被刻蝕完而又不損及底部晶圓的厚度。所述允許的光刻膠層的最小厚度與目標(biāo)圖形中各個(gè)小的圖形的尺寸以及圖形密度、刻蝕工藝參數(shù)等因素相關(guān)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，本領(lǐng)域技術(shù)人員在目標(biāo)圖形確定、刻蝕工藝參數(shù)確定的情況下，知道如何獲取對(duì)應(yīng)的允許的光刻膠層的最小厚度，在此不再贅述。
[0038]經(jīng)過分析后得知，在晶圓上形成的最終圖形的精確度較低是由于光刻膠層的厚度損失嚴(yán)重，其在光刻后、刻蝕前的厚度已小于允許的光刻膠層的最小厚度，使得后續(xù)刻蝕晶圓時(shí)，還未形成預(yù)定厚度的最終圖形，這些光刻膠層的厚度損失嚴(yán)重的區(qū)域的光刻膠已被消耗完，露出了晶圓表面，無法在后續(xù)的繼續(xù)刻蝕中充當(dāng)保護(hù)無需被刻蝕的晶圓表面的作用，從而造成該區(qū)域無法形成圖形。
[0039]基于上述分析，本發(fā)明的實(shí)施例中，在獲取到前述曝光晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度后，將前述得到的中間模型的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在允許的光刻膠層的最小厚度處，得到最終的OPC模型。那么，后續(xù)利用最終的OPC模型對(duì)光掩模圖形進(jìn)行模擬得到檢測(cè)圖形，通過判斷檢測(cè)圖形中的各區(qū)域的子圖形的特征尺寸是否為0，即可判斷出該區(qū)域是否形成有子圖形，從而判斷出與該區(qū)域相對(duì)應(yīng)的光刻膠層的厚度是否滿足需求。
[0040]上述步驟完成后，本發(fā)明實(shí)施例的OPC模型的建立完成，利用該模型則可以檢查到因?yàn)楣饪棠z層的厚度損失嚴(yán)重所造成的在晶圓上形成的最終圖形的精確度低的問題。
[0041]具體地，請(qǐng)參考圖3，本發(fā)明還提供了一種布局圖形的檢查方法，包括:
[0042]步驟S301，提供最終的OPC模型、以及依據(jù)目標(biāo)圖形和光刻系統(tǒng)得到的光掩模圖形，所述光掩模圖形由多個(gè)微小圖形組成；
[0043]步驟S302，利用所述最終的OPC模型對(duì)所述光掩模圖形進(jìn)行模擬，得到檢測(cè)圖形，所述檢測(cè)圖形中的子圖形與光掩模圖形上的微小圖形一一對(duì)應(yīng)；
[0044]步驟S303，對(duì)所述檢測(cè)圖形中的子圖形逐一進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)檢測(cè)圖形中子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸為O時(shí)，則將光掩模圖形中與該子圖形相對(duì)應(yīng)的微小圖形進(jìn)行標(biāo)記；
[0045]步驟S304,修改所述光掩模圖形中被標(biāo)記的微小圖形,直至將修改后的光掩模圖形利用最終的OPC模型進(jìn)行模擬，得到的檢測(cè)圖形上所有子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸大于0，將該修改后的所述光掩模圖形作為最終的設(shè)計(jì)圖形。
[0046]其中，所述最終的OPC模型為依據(jù)上述方法建立的模型；所述光掩模圖形為前述已經(jīng)進(jìn)行初步校準(zhǔn)過的圖形。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述光掩模圖形由多個(gè)微小圖形組成，利用具有所述光掩模圖形的光掩模對(duì)光刻膠層曝光，得到的光刻圖形與目標(biāo)圖形一致，即形成的光刻圖形與目標(biāo)圖形之間的誤差在用戶工藝允許的范圍內(nèi)。
[0047]如前文所述，由于所述最終的OPC模型將離焦起始點(diǎn)設(shè)置在刻蝕晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度處，可以通過得到的檢測(cè)圖形的特征尺寸的值，對(duì)各區(qū)域?qū)嶋H曝光后的光刻膠層的厚度進(jìn)行判斷，找出光刻膠層的厚度小于允許的光刻膠層的最小厚度的這些區(qū)域。
[0048]在本發(fā)明的實(shí)施例中，對(duì)所述檢測(cè)圖形上的子圖形逐一進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)檢測(cè)圖形中子圖形的特征尺寸為O時(shí)，則將光掩模圖形上與該子圖形相對(duì)應(yīng)的微小圖形進(jìn)行標(biāo)記。通過前文的分析可知，該微小圖形會(huì)導(dǎo)致后續(xù)光刻過程中光刻膠層的厚度損失嚴(yán)重，使得該區(qū)域的光刻膠層的厚度低于允許的最小厚度，造成后續(xù)無法在晶圓上形成滿足要求的最終圖形，在晶圓上形成的最終圖形的精確度有待提高。
[0049]在本發(fā)明的實(shí)施例中，還可以對(duì)光掩模圖形中被標(biāo)記的微小圖形予以修改，然后采用上述方法進(jìn)行反復(fù)檢查，直至將修改后的光掩模圖形利用最終的OPC模型進(jìn)行模擬，得到的檢測(cè)圖形上所有子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸大于O。即采用該修改后的光掩模圖形曝光形成光刻圖形時(shí)，光刻膠層的厚度損失不會(huì)影響在晶圓上刻蝕形成的最終圖形的精確度。
[0050]綜上，在獲得經(jīng)初步校準(zhǔn)的光掩模圖形后，曝光晶圓在光刻膠層上形成光刻圖形，獲取位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸；然后將原始OPC模型中的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在光刻膠層的底部，以光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸作為參考尺寸，修改所述原始OPC模型，直至該修改后的OPC模型得到模擬的光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸等于所述參考尺寸，得到中間模型；再將中間模型的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在允許的光刻膠層的最小厚度處，得到最終的OPC模型。由于建立最終的OPC模型考慮了后續(xù)刻蝕晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度，利用該最終的OPC模型進(jìn)行模擬時(shí)，可以有效的找到由于光刻膠層厚度損失對(duì)在晶圓上形成的最終圖形的精確度造成影響的區(qū)域，以利于從源頭上進(jìn)行預(yù)防，提高后續(xù)形成在晶圓上的最終圖形的精確度。
[0051]進(jìn)一步的，利用最終的OPC模型對(duì)所述光掩模圖形進(jìn)行模擬，當(dāng)檢測(cè)圖形中的子圖形的特征尺寸為O時(shí)，將光掩模圖形上與該子圖形相對(duì)應(yīng)的微小圖形進(jìn)行標(biāo)記，并予以修改，直至將修改后的光掩模圖形利用最終的OPC模型進(jìn)行模擬，得到的檢測(cè)圖形上所有子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸大于O。利用該修改后的光掩模圖形曝光光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜刻蝕晶圓形成的最終圖形的精確度高。
[0052]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種建立OPC模型的方法，其特征在于，包括: 提供目標(biāo)圖形、光刻系統(tǒng)和表面形成有光刻膠層的晶圓； 提供依據(jù)所述目標(biāo)圖形和光刻系統(tǒng)得到的光掩模圖形、具有上述光掩模圖形的光掩模板和原始OPC模型； 利用所述光掩模板和光刻系統(tǒng)曝光晶圓，在光刻膠層上形成光刻圖形，并獲取位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸，將所述位于光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸作為參考尺寸； 將原始OPC模型中的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在光刻膠層的底部，依據(jù)所述參考尺寸對(duì)所述原始OPC模型進(jìn)行校準(zhǔn)，直至由該校準(zhǔn)后的OPC模型得到模擬的光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸等于所述參考尺寸，將該校準(zhǔn)后的OPC模型作為中間模型； 獲取刻蝕晶圓時(shí)允許的光刻膠層的最小厚度，將所述中間模型的離焦起始點(diǎn)設(shè)置在允許的光刻膠層的最小厚度處，得到最終的OPC模型。
2.如權(quán)利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，所述光掩模圖形在原始OPC模型中模擬得到的圖形與目標(biāo)圖形一致。
3.如權(quán)利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，所述光刻膠層底部的光刻圖形的尺寸通過電子顯微鏡測(cè)量得到。
4.如權(quán)利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，對(duì)所述原始OPC模型進(jìn)行校準(zhǔn)的步驟包括:曝光焦平面的校準(zhǔn)、模擬圖形的深度校準(zhǔn)、光酸擴(kuò)散長(zhǎng)度校準(zhǔn)以及棱鏡偏振校準(zhǔn)。
5.—種布局圖形的檢查方法,其特征在于,包括: 提供如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的光掩模圖形和最終的OPC模型，所述光掩模圖形由多個(gè)微小圖形組成； 利用所述最終的OPC模型對(duì)所述光掩模圖形進(jìn)行模擬，得到檢測(cè)圖形，所述檢測(cè)圖形中的子圖形與光掩模圖形中的微小圖形一一對(duì)應(yīng)； 對(duì)所述檢測(cè)圖形中的子圖形逐一進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)檢測(cè)圖形中子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸為O時(shí)，則將光掩模圖形上與該子圖形相對(duì)應(yīng)的微小圖形進(jìn)行標(biāo)記。
6.如權(quán)利要求5所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，包括:修改所述光掩模圖形中被標(biāo)記的微小圖形，直至將修改后的光掩模圖形利用最終的OPC模型進(jìn)行模擬，得到的檢測(cè)圖形上所有子圖形對(duì)應(yīng)的特征尺寸大于O。
【文檔編號(hào)】G03F1/36GK104516192SQ201310463702
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】王輝 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司