液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，在重疊地涂布有密封材料的TFT基板的拐角部，防止密封材料的寬度擴(kuò)大而溢出到顯示區(qū)域的現(xiàn)象。有機(jī)鈍化膜（109）形成至顯示區(qū)域（30）的外側(cè)。包圍顯示區(qū)域（30）而形成有槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部（20）。密封材料（10）在拐角部重疊地涂布，因此，在使TFT基板和對(duì)置基板重疊并隔開(kāi)規(guī)定間隔的情況下，為了防止密封材料（10）的寬度增大，使槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部（20）的寬度在拐角部比在邊部更大。由于能夠?qū)⒍嘤嗟拿芊獠牧希?0）吸收到在拐角部寬度較大的槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部（20）中，所以能夠防止密封材料（10）溢出到顯示區(qū)域（30）的內(nèi)側(cè)。
【專利說(shuō)明】液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置，尤其涉及窄邊框且確保了密封可靠性的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示裝置中配置有:矩陣狀地形成有像素的TFT基板，其中，像素具有像素電極及薄膜晶體管(TFT)等；和與TFT基板相對(duì)且在與TFT基板的像素電極對(duì)應(yīng)的部位形成有彩色濾光片等的對(duì)置基板，在TFT基板與對(duì)置基板之間夾持有液晶。而且，通過(guò)按像素來(lái)控制光的基于液晶分子的透過(guò)率而形成圖像。
[0003]由于液晶顯示裝置扁平且輕質(zhì)，所以在各種領(lǐng)域中用途廣泛。在移動(dòng)電話和DSC(Digital Still Camera,數(shù)碼相機(jī))等中廣泛使用小型液晶顯示裝置。在小型液晶顯示裝置中，強(qiáng)烈要求確保規(guī)定的顯示區(qū)域并減小外形。由此，顯示區(qū)域的端部與外形端部的距離、即所謂的邊框減小。該情況下，用于封閉液晶的封閉部的面積減小，密封部的可靠性的確保成為問(wèn)題。
[0004]另一方面，在一個(gè)一個(gè)制造液晶顯示面板的情況下效率較差，因此，采用在母基板上形成多個(gè)液晶顯示面板、并通過(guò)劃線等使各個(gè)液晶顯示面板從母基板分離的制造方法。另外，作為液晶的封入方法，以往采用從封入孔注入液晶的方法，但該方法在注入液晶方面耗費(fèi)時(shí)間。因此，采用所謂的滴下方式(ODF (One Drop Fill))，即在TFT基板或?qū)χ没迳闲纬擅芊獠牧?，在密封材料的?nèi)側(cè)準(zhǔn)確地控制液晶量而將液晶封入到液晶顯示面板的內(nèi)部。
[0005]在滴下方式中，密封材料形成為閉環(huán)。密封材料通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)等而涂布，該情況下，在密封材料的涂布起點(diǎn)和涂布終點(diǎn)處產(chǎn)生密封材料重疊的部分。在密封材料重疊的部分，密封材料的厚度增大，TFT基板和對(duì)置基板產(chǎn)生間隙不良，從而產(chǎn)生密封材料溢出到顯示區(qū)域的隱患。
[0006]為了應(yīng)對(duì)這樣的密封材料的重疊部的問(wèn)題，在專利文獻(xiàn)I中記載有如下結(jié)構(gòu):在與密封材料的涂布起點(diǎn)和涂布終點(diǎn)對(duì)應(yīng)的部分處，在形成于對(duì)置基板的保護(hù)膜上設(shè)置切缺，由此使該部分吸收多余的密封材料。
[0007]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2010-145897號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]關(guān)于專利文獻(xiàn)I的方法，記載有如下情況的結(jié)構(gòu):在一個(gè)液晶顯示面板內(nèi)，使所涂布的密封材料形成閉環(huán)，密封材料的重疊部存在于液晶顯示面板的邊部。在專利文獻(xiàn)I的結(jié)構(gòu)中，針對(duì)對(duì)置基板的保護(hù)膜，僅在與密封材料的重疊部分對(duì)應(yīng)的部分形成切缺。
[0011]在專利文獻(xiàn)I中，關(guān)于使密封材料的重疊部分形成于對(duì)置基板的拐角部的情況效果不明。尤其如本申請(qǐng)的圖5所示，在形成有多個(gè)TFT基板的母TFT基板上，在將密封材料涂布于多個(gè)TFT基板的情況下，在液晶顯示面板上產(chǎn)生兩處密封材料的交叉部，對(duì)于這樣的結(jié)構(gòu)，不清楚是否能夠適用專利文獻(xiàn)I所記載的結(jié)構(gòu)。另外，在專利文獻(xiàn)I的結(jié)構(gòu)中，需要將保護(hù)膜的周邊一部分切缺。保護(hù)膜通常能夠僅通過(guò)涂敷、固化而形成，但在專利文獻(xiàn)I的結(jié)構(gòu)中，需要對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行光刻來(lái)形成切缺，從而成為成本上升的主要因素。
[0012]圖5是適用本發(fā)明的母TFT基板內(nèi)的、密封材料10相對(duì)于TFT基板100的涂布形狀的例子。在圖5中，虛線為完成液晶顯示面板時(shí)的對(duì)置基板的配置部分的邊界部。虛線下側(cè)是一塊TFT基板的組成部分，為端子部150。密封材料10形成在TFT基板與對(duì)置基板的重疊部分的周邊部。
[0013]圖5的密封材料的形狀為能夠?qū)δ窽FT基板內(nèi)的多個(gè)TFT基板通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)等連續(xù)地涂布密封材料10的形狀。例如，從右方沿TFT基板的切割線50呈U字型地涂布密封材料，然后，從左方呈倒U字型地涂布密封材料10。在圖5中的C部，兩條密封材料10重疊地形成。通過(guò)這樣的涂布方法，能夠?qū)π纬捎卸鄠€(gè)TFT基板的母TFT基板或形成有多個(gè)對(duì)置基板的母對(duì)置基板高效地涂布密封材料。
[0014]該情況下，在對(duì)置基板與TFT基板的重疊部，密封材料10的寬度增大。此外，在圖5中，在長(zhǎng)邊部，在切割線50的兩側(cè)形成有兩條密封材料10，但是，當(dāng)在涂布密封材料10后為了貼合TFT基板和對(duì)置基板并形成規(guī)定間隔而將密封材料10壓平時(shí)，密封材料10蔓延而導(dǎo)致在切割線50之上也形成有密封材料10。
[0015]在涂布有密封材料10的區(qū)域的內(nèi)側(cè)形成有顯示區(qū)域30。關(guān)于從顯示區(qū)域30的端部到TFT基板的切割線50的距離、即所謂的邊框的寬度，例如，在長(zhǎng)邊處，Dl=0.8mm，在端子側(cè)的短邊處，D3=2.3mm，在與端子側(cè)相反一側(cè)的短邊處，D2=l.0mm。以往，在拐角部處的密封材料10的重疊部，產(chǎn)生密封材料10溢出到顯示區(qū)域30的不良情況。
[0016]圖6是母TFT基板中的各個(gè)TFT基板的拐角部的切割線50附近的俯視圖。有機(jī)鈍化膜109形成至顯示區(qū)域30的外側(cè)。在顯示區(qū)域30的外側(cè)、且在有機(jī)鈍化膜109的下方形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路等周邊電路部40。在圖6中，剖面線所示的部分為有機(jī)鈍化膜除去部20。
[0017]有機(jī)鈍化膜除去部20在顯示區(qū)域30的周邊形成為三個(gè)槽。另外，隔著各個(gè)TFT基板的切割線50以規(guī)定寬度形成有機(jī)鈍化膜除去部20。在圖6中，虛線所示的部分為密封材料10的形成部分。如圖6所示，兩條密封材料10在TFT基板的拐角部重疊。
[0018]圖7是圖6的B-B剖視圖。圖7為簡(jiǎn)化后的剖視圖，在圖1中具體說(shuō)明詳細(xì)剖視圖。在圖7中，在TFT基板100之上形成有有機(jī)鈍化膜109。省略有機(jī)鈍化膜109的下側(cè)的層。在有機(jī)鈍化膜109上形成有有機(jī)鈍化膜除去部20，該部分為槽部。TFT基板的端部為有機(jī)鈍化膜除去部20。覆蓋有機(jī)鈍化膜20而形成有由SiN等形成的無(wú)機(jī)絕緣膜111。
[0019]TFT基板100和對(duì)置基板200通過(guò)密封材料10而粘結(jié)，在密封材料10的內(nèi)側(cè)封入有液晶300。圖7為通過(guò)將TFT基板100和對(duì)置基板200重疊并形成規(guī)定間隙而將密封材料10壓平的狀態(tài)。當(dāng)將密封材料10壓平時(shí)，若密封材料10的寬度增大至規(guī)定以上，則產(chǎn)生密封材料10溢出到顯示區(qū)域的不良狀況。
[0020]在TFT基板100及對(duì)置基板200中，在與液晶300接觸的面上形成有未圖示的取向膜。若取向膜存在于密封材料10與無(wú)機(jī)絕緣膜111之間，則密封材料10的粘結(jié)力下降。因此，在圖7中，使有機(jī)鈍化膜除去部20形成為槽狀，在該部分，形成有用于防止取向膜向外側(cè)流出的堤壩。圖7中A部示出形成有三個(gè)該堤壩的情況。
[0021]在圖7中，在B部既沒(méi)有形成取向膜也沒(méi)有形成有機(jī)鈍化膜109，因此，密封材料10與TFT基板100的粘結(jié)力較大，在該部分能夠確保密封可靠性。如圖6及圖7所示，槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20的寬度在邊部和拐角部為相同寬度。圖6、圖7中的有機(jī)鈍化膜除去部20的主要目的是作為針對(duì)取向膜的堤壩。
[0022]圖8是表示在液晶顯示面板的拐角部，如圖5的C那樣在密封材料10重疊的部分，密封材料10的寬度增大而密封材料10溢出到顯示區(qū)域30的狀態(tài)的俯視圖。在圖8中，存在密封材料10的一部分溢出到顯示區(qū)域30而成的密封材料溢出部31。這樣的液晶顯示面板為不合格品。
[0023]本發(fā)明的技術(shù)課題在于在窄邊框的液晶顯示面板中確保密封可靠性并防止密封材料溢出到顯示區(qū)域。
[0024]本發(fā)明用于克服上述問(wèn)題，具體手段如下所述。即，一種液晶顯示裝置，其具有顯示區(qū)域并配置有:TFT基板，其形成有有機(jī)鈍化膜；和對(duì)置基板，其經(jīng)由密封部處的密封材料而配置，在上述TFT基板與上述對(duì)置基板之間夾持有液晶，上述液晶顯示裝置的特征在于，上述有機(jī)鈍化膜形成至上述TFT基板的上述顯示區(qū)域的外側(cè)，上述有機(jī)鈍化膜在上述密封部處具有包圍上述顯示區(qū)域且呈槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部，上述槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部在拐角部的寬度大于槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部在邊部的寬度，在上述TFT基板的上述密封部形成有周邊電路部，在上述密封部，通過(guò)形成在上述對(duì)置基板上的柱狀間隔件和形成在上述TFT基板上的有機(jī)鈍化膜的底座來(lái)規(guī)定上述TFT基板與上述對(duì)置基板的間隔。
[0025]發(fā)明效果
[0026]根據(jù)本發(fā)明，在母TFT基板上，在對(duì)各個(gè)TFT基板形成密封材料的情況下，同時(shí)具有取向膜的堤壩功能的、槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部的寬度在拐角部比在邊部更大，因此，在該部分，即使密封材料重疊地形成，密封材料也不會(huì)溢出到顯示區(qū)域。
[0027]另外，在有機(jī)鈍化膜除去部的下層形成有周邊驅(qū)動(dòng)電路的情況下，使用將有機(jī)鈍化膜除去部以外的一部分有機(jī)鈍化膜作為底座并形成在對(duì)置基板側(cè)的柱狀間隔件來(lái)控制密封部分的TFT基板與對(duì)置基板的間隔，因此，不會(huì)對(duì)周邊驅(qū)動(dòng)電路造成損傷。
[0028]而且，在本發(fā)明中，無(wú)需為了防止拐角部的密封材料的溢出而增加新的光刻工序，因此，即使適用本發(fā)明也不會(huì)成為成本上升的主要因素。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1是適用本發(fā)明的頂部公共電極構(gòu)造的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0030]圖2是表示像素電極與公共電極的關(guān)系的俯視圖。
[0031]圖3是本發(fā)明中的TFT基板的拐角部的俯視圖。
[0032]圖4是圖3的A-A剖視圖。
[0033]圖5是適用本發(fā)明的液晶顯示裝置中的密封材料的涂布形狀。
[0034]圖6是以往例中的TFT基板的拐角部的俯視圖。
[0035]圖7是圖6的B-B剖視圖。
[0036]圖8是表示密封材料溢出到顯示區(qū)域的狀態(tài)的俯視圖。
[0037]附圖標(biāo)記說(shuō)明[0038]10…密封材料，20...有機(jī)鈍化膜除去部，30...顯示區(qū)域，31...密封材料溢出部，40...周邊電路部，50…切割線，60…柱狀間隔件，100…TFT基板，101…第I基底膜，102…第2基底膜，103…半導(dǎo)體層，104…柵極絕緣膜,105…柵電極,106...第I層間絕緣膜，107...源電極，108...無(wú)機(jī)鈍化膜，109...有機(jī)鈍化膜，110...公共電極，111…第2層間絕緣膜，112...像素電極，113…取向膜，115…狹縫，130…通孔，150…端子部，200…對(duì)置基板，201...彩色濾光片，202…黑矩陣,203…保護(hù)膜，210…外部導(dǎo)電膜,300…液晶層,301…液晶分子,S...源極部，D…漏極部。
【具體實(shí)施方式】
[0039]以下使用實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0040]實(shí)施例1
[0041]圖1是適用本發(fā)明的頂部公共電極構(gòu)造的IPS的像素區(qū)域的剖視圖。圖1中的TFT為所謂的頂柵式的TFT，作為所使用的半導(dǎo)體，使用LTPS (Low Temperature Pol1-Si,低溫多晶硅)。除頂部公共電極構(gòu)造以外，也存在頂部像素電極構(gòu)造的IPS，能夠同樣地適用本發(fā)明。
[0042]另一方面，在使用a-Si半導(dǎo)體的情況下，大多使用所謂的底柵方式的TFT。在以后的說(shuō)明中，以使用頂柵方式的TFT的情況為例進(jìn)行說(shuō)明，但對(duì)于使用底柵方式的TFT的情況也能夠適用本發(fā)明。在使用底柵方式的TFT的情況下，對(duì)于頂部公共電極方式或頂部像素電極方式均能夠適用本發(fā)明。
[0043]在圖1中，在玻璃基板100上通過(guò)CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)而形成有由SiN構(gòu)成的 第I基底膜101及由Si02構(gòu)成的第2基底膜102。第I基底膜101及第2基底膜102的作用在于防止來(lái)自玻璃基板100的雜質(zhì)污染半導(dǎo)體層103。
[0044]在第2基底膜102之上形成有半導(dǎo)體層103。該半導(dǎo)體層103在第2基底膜102上通過(guò)CVD而形成a-Si膜，通過(guò)對(duì)其進(jìn)行激光退火而轉(zhuǎn)換成poly-Si膜。通過(guò)光刻使該poly-Si膜形成圖案。
[0045]在半導(dǎo)體膜103之上形成有柵極絕緣膜104。該柵極絕緣膜104為基于TEOS (四乙氧基硅烷)的Si02膜。該膜也通過(guò)CVD而形成。在該膜之上形成有柵電極105。柵電極105與掃描信號(hào)線同層且同時(shí)形成。柵電極105例如由MoW膜形成。在需要減小柵極布線105的電阻時(shí)使用Al合金。
[0046]柵電極105通過(guò)光刻而形成圖案，但在該形成圖案時(shí)，通過(guò)離子注入法將磷或硼等雜質(zhì)摻雜在poly-Si層中而在poly-Si層中形成源極S或漏極D。另外,利用柵電極105在形成圖案時(shí)的光致抗蝕膜，在poly-Si層的溝道層與源極S或漏極D之間形成LDD(LightlyDoped Drain，輕摻雜漏極)層。
[0047]然后，覆蓋柵電極105或柵極布線而由Si02形成第I層間絕緣膜106。第I層間絕緣膜106用于使柵極布線105和源電極107絕緣。在第I層間絕緣膜106及柵極絕緣膜104上形成有用于使半導(dǎo)體層103的源極部S與源電極107連接的通孔120。在第I層間絕緣膜106和柵極絕緣膜104上同時(shí)進(jìn)行用于形成通孔120的光刻。
[0048]在第I層間絕緣膜106之上形成有源電極107。源電極107經(jīng)由通孔120與像素電極112連接。在圖1中，源電極107形成得較寬，呈覆蓋TFT的形狀。另一方面，TFT的漏極D在未圖不部分與漏電極連接。
[0049]源電極107、漏電極及影像信號(hào)線同層且同時(shí)形成。為了減小源電極107、漏電極及影像信號(hào)線(以后以源電極107為代表)的電阻，例如使用AlSi合金。由于AlSi合金產(chǎn)生突起(hillock)或Al向其他層擴(kuò)散，所以例如采用通過(guò)未圖示的基于MoW的阻擋層及間隙層來(lái)夾住AlSi的構(gòu)造。
[0050]覆蓋源電極107而形成無(wú)機(jī)鈍化膜(絕緣膜)108來(lái)保護(hù)TFT整體。無(wú)機(jī)鈍化膜108與第I基底膜101同樣地通過(guò)CVD而形成。覆蓋無(wú)機(jī)鈍化膜108而形成有有機(jī)鈍化膜109。有機(jī)鈍化膜109由感光性的丙烯酸樹(shù)脂形成。有機(jī)鈍化膜109除丙烯酸樹(shù)脂以外，也能夠由硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂等形成。有機(jī)鈍化膜109具有作為平坦化膜的作用，所以形成得較厚。有機(jī)鈍化膜109的膜厚為I?4μπι，但大多情況下為2μπι左右。
[0051]為了獲取像素電極110與源電極107的導(dǎo)通，在無(wú)機(jī)鈍化膜108及有機(jī)鈍化膜109上形成有通孔130。有機(jī)鈍化膜109使用感光樹(shù)脂。在涂附感光樹(shù)脂后，當(dāng)使該樹(shù)脂曝光時(shí)，僅被光照射到的部分溶解在特定的顯影液中。即，通過(guò)使用感光樹(shù)脂，能夠省略光致抗蝕膜的形成。在有機(jī)鈍化膜109上形成通孔130后，通過(guò)在230°C左右的溫度下對(duì)機(jī)鈍化膜進(jìn)行燒結(jié)而完成有機(jī)鈍化膜109。
[0052]在本發(fā)明中，有機(jī)鈍化膜延伸至液晶顯示面板的密封部，在密封部處，使有機(jī)鈍化膜除去部形成為槽狀，由此，具有防止取向膜向外側(cè)流動(dòng)的堤壩的作用。另外，在本發(fā)明中，使有機(jī)鈍化膜除去部的槽的寬度在拐角部比在邊部更大，由此，防止在重疊地涂布密封材料時(shí)密封材料溢出到顯示區(qū)域。
[0053]將有機(jī)鈍化膜109作為抗蝕膜并通過(guò)蝕刻在無(wú)機(jī)鈍化膜108上形成通孔。由此，形成用于導(dǎo)通源電極107和像素電極110的通孔130。由于將形成圖案后的有機(jī)鈍化膜109作為抗蝕膜而對(duì)無(wú)機(jī)鈍化膜108進(jìn)行蝕刻，所以無(wú)需使用新的掩模，蝕刻工序?yàn)橐坏拦ば蚣纯?。由于有機(jī)鈍化膜109較厚，所以在通孔130的上側(cè)和下側(cè)，孔的大小不同。
[0054]在圖1中，這樣形成的有機(jī)鈍化膜109的上表面平坦。通過(guò)濺鍍而將非晶ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)覆蓋在有機(jī)鈍化膜109上,在通過(guò)光致抗蝕膜而形成圖案后，通過(guò)草酸進(jìn)行蝕刻，從而進(jìn)行像素電極112的圖案形成。像素電極112也覆蓋通孔130而形成。像素電極112由作為透明電極的ITO形成,厚度為例如50?70nm。
[0055]然后，覆蓋像素電極112而通過(guò)CVD使第2層間絕緣膜111成膜。此時(shí)的CVD的溫度條件為200°C左右，將其稱為低溫CVD。使用低溫CVD的原因在于，防止已形成的有機(jī)鈍化膜109變質(zhì)。
[0056]通過(guò)光刻工序進(jìn)行第2層間絕緣膜111的圖案形成，該圖案形成為端子部分的圖案形成，不需要通孔區(qū)域的圖案形成。
[0057]將非晶ITO濺鍍?cè)诘?層間絕緣膜111上，并通過(guò)光刻工序形成梳齒狀的公共電極110。公共電極110的膜厚為例如30nm左右。像這樣，使公共電極110形成得較薄的原因在于，在對(duì)形成于公共電極110之上的取向膜113進(jìn)行摩擦的情況下，防止由摩擦導(dǎo)致的取向不良。
[0058]圖2是表示梳齒狀的公共電極110與由整平面形成的像素電極112的關(guān)系的俯視圖。在圖2中，公共電極110隔著未圖示的第2層間絕緣膜而配置在像素電極112上。如圖1所示，電力線穿過(guò)梳齒狀的公共電極110之間的狹縫115而從公共電極110上表面延伸到像素電極112，通過(guò)該電力線使液晶分子旋轉(zhuǎn)。
[0059]在圖1中，在通孔130區(qū)域形成有像素電極112和公共電極110。因此，若能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行液晶分子301的取向，則也能夠在通孔130的上端部或通孔130的內(nèi)壁形成供光透過(guò)的區(qū)域。因此，與頂部像素電極的情況相比，能夠更高效地使用像素區(qū)域來(lái)形成圖像。
[0060]在圖1中，對(duì)置基板200隔著液晶層300而配置。在對(duì)置基板200的內(nèi)側(cè)形成有彩色濾光片201。濾色器201按每一個(gè)像素而形成有紅、綠、藍(lán)的彩色濾光片，從而能夠形成彩色圖像。在彩色濾光片201與彩色濾光片201之間形成有黑矩陣202，提高了圖像的對(duì)比度。此外，黑矩陣202也具有作為TFT的遮光膜的作用，防止在TFT中有光電流流動(dòng)。
[0061]覆蓋彩色濾光片201及黑矩陣202而形成有保護(hù)膜203。由于彩色濾光片201及黑矩陣202的表面為凹凸，所以通過(guò)保護(hù)膜203使表面平坦。在保護(hù)膜之上形成有用于確定液晶的初始取向的取向膜113。此外，由于圖2為IPS，所以公共電極形成在TFT基板100側(cè)而不是形成在對(duì)置基板200偵U。
[0062]如圖1所示，在IPS中，在對(duì)置基板200的內(nèi)側(cè)沒(méi)有形成導(dǎo)電膜。因此，對(duì)置基板200的電位不穩(wěn)定。另外，來(lái)自外部的電磁噪聲侵入到液晶層300中而對(duì)圖像帶來(lái)影響。為了消除這樣的問(wèn)題，在對(duì)置基板200的外側(cè)形成有外部導(dǎo)電膜210。外部導(dǎo)電膜210通過(guò)濺鍍作為透明導(dǎo)電膜的ITO而形成。
[0063]圖3是本發(fā)明中的母TFT基板上的各個(gè)TFT基板的拐角部的切割線50附近的俯視圖。有機(jī)鈍化膜109形成至顯示區(qū)域30外側(cè)。在顯示區(qū)域30的外側(cè)、且在有機(jī)鈍化膜109的下方形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路等周邊電路部40。在圖3中，剖面線所示的部分為有機(jī)鈍化膜除去部20。
[0064]有機(jī)鈍化膜除去部20在顯示區(qū)域30的周邊形成為兩個(gè)槽。另外，隔著各個(gè)TFT基板的切割線50以規(guī)定寬度形成有有機(jī)鈍化膜除去部20。在圖3中，內(nèi)側(cè)的有機(jī)鈍化膜除去部20的槽的寬度在拐角部比在邊部更大。在圖3中，僅在TFT基板的一部分上標(biāo)明槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20，但實(shí)際上槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20包圍整個(gè)顯示區(qū)域30而形成。
[0065]在圖3中，虛線所示的部分為密封材料10的形成部分。如圖3所示，兩條密封材料10在TFT基板的拐角部重疊。在兩條密封材料10重疊的部分，密封材料10的寬度增大，但在本發(fā)明中，由于拐角部的有機(jī)鈍化膜除去部20的槽的寬度較大，所以即使在密封材料10的重疊部也能夠防止密封材料10溢出到顯示區(qū)域30。此外，在本發(fā)明中，槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20也兼作用于防止取向膜向外側(cè)流動(dòng)的堤壩。
[0066]圖4是與圖3的A-A對(duì)應(yīng)的剖視圖。在圖4中，在TFT基板100之上形成有有機(jī)鈍化膜109。在有機(jī)鈍化膜109的下側(cè)形成有圖1所示那樣的層，但在圖4中將這些層省略。
[0067]在有機(jī)鈍化膜109上形成有有機(jī)鈍化膜除去部20，該部分為槽部。形成有兩個(gè)槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20，該部分具有防止取向膜向外側(cè)流動(dòng)的堤壩的作用。另外，在本實(shí)施例中，在兩個(gè)槽中，使內(nèi)側(cè)的槽的寬度在拐角部較大，由此構(gòu)成為，即使在該部分使密封材料10重疊地形成，密封材料10也不會(huì)溢出到顯示區(qū)域30。
[0068]TFT基板100的端部為有機(jī)鈍化膜除去部20。覆蓋有機(jī)鈍化膜109而形成有由SiN等形成的無(wú)機(jī)絕緣膜111。圖4的虛線所示的A區(qū)域?yàn)椴蹱畹挠袡C(jī)鈍化膜除去部20的形成部分，在本發(fā)明中，兼有防止取向膜向外側(cè)流動(dòng)的堤壩的作用、和在密封材料10重疊地涂布的部分防止密封材料10溢出到顯示區(qū)域30內(nèi)的作用。
[0069]圖4的虛線所示的B區(qū)域?yàn)橛袡C(jī)鈍化膜除去部20，由于僅存在無(wú)機(jī)絕緣膜111，所以密封材料10與TFT基板100的粘結(jié)力較強(qiáng)，具有提高密封部的可靠性的作用。
[0070]在圖4中，從對(duì)置基板200開(kāi)始，在密封部形成有用于規(guī)定TFT基板100與對(duì)置基板200的間隔的柱狀間隔件60。此外，在對(duì)置基板200上且在柱狀間隔件60的下側(cè)形成有黑矩陣、彩色濾光片、保護(hù)膜等，但在圖4中將其省略。以往，通過(guò)玻璃纖維或有孔玻璃珠等來(lái)規(guī)定密封部處的TFT基板100與對(duì)置基板200的間隔。但是，在本實(shí)施例中，在密封部的TFT基板100側(cè)形成有周邊電路部40。像本發(fā)明這樣，若在拐角部寬幅地形成槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20，則在該部分存在由于玻璃纖維或有孔玻璃珠等而導(dǎo)致周邊電路部40受到損傷的可能性。
[0071]在本發(fā)明中，如圖4所示，不使用玻璃纖維、有孔玻璃珠等而是通過(guò)以有機(jī)鈍化膜109為底座的柱狀間隔件60來(lái)規(guī)定密封部10處的TFT基板100與對(duì)置基板200的間隔，因此，形成在有機(jī)鈍化膜109的下側(cè)的未圖示的周邊電路部40不會(huì)受到損傷。
[0072]另外，在本發(fā)明中，在TFT基板100上，將用于防止取向膜向外側(cè)流動(dòng)的有機(jī)鈍化膜除去部109的槽兼用作用于防止在密封材料20在密封材料20的重疊部溢出到顯示區(qū)域30的凹部，因此，無(wú)需為了實(shí)施本發(fā)明的結(jié)構(gòu)而增加附加工序。與以往相比，僅改變用于形成槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20的掩模即可。
[0073]在圖3及圖4中，槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20為兩個(gè)，但也可以為一個(gè)或三個(gè)。重要的是，在所涂布的密封材料10重疊附近的拐角部，槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部20的寬度比在邊部大。優(yōu)選有機(jī)鈍化膜除去部20在拐角部的槽的寬度為有機(jī)鈍化膜除去部在邊部的槽的寬度的3倍以上。
[0074]在圖3中，也能夠根據(jù)密封材料10的溢出量而除去存在于通過(guò)切割線50而劃分的各TFT基板的拐角部的三角形的有機(jī)鈍化膜109、即圖4中的存在于最外側(cè)的有機(jī)鈍化膜109。
[0075]在圖5中，由于TFT基板的左上角和右下角的密封材料10交叉，所以使有機(jī)鈍化膜除去部20的寬度比在邊部更大，但由于右上角和左下角的密封材料10不交叉，所以也可以使有機(jī)鈍化膜除去部20的寬度與在邊部的寬度相等。該情況下，與在密封材料10的交叉的左上角和右下角處相比，能夠通過(guò)有機(jī)鈍化膜109更寬地保護(hù)周邊電路40。
[0076]在以上說(shuō)明中，說(shuō)明了在有機(jī)鈍化膜除去部20中將有機(jī)鈍化膜完全除去的情況，但不限于此，也能夠使用加網(wǎng)曝光技術(shù)而在有機(jī)鈍化膜除去部20上較薄地殘留有機(jī)鈍化膜109。該情況下，能夠抑制密封材料10的溢出并能夠通過(guò)殘留在除去部上的較薄的有機(jī)保護(hù)膜來(lái)保護(hù)周邊電路40。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，其具有顯示區(qū)域，并配置有=TFT基板，其形成有有機(jī)鈍化膜；和對(duì)置基板，其經(jīng)由密封部處的密封材料而配置，在所述TFT基板與所述對(duì)置基板之間夾持有液晶，所述液晶顯示裝置的特征在于， 所述有機(jī)鈍化膜形成至所述TFT基板的所述顯示區(qū)域的外側(cè)，所述有機(jī)鈍化膜在所述密封部處具有包圍所述顯示區(qū)域且呈槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部，所述槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部在拐角部的寬度大于槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部在邊部的寬度， 在所述TFT基板的所述密封部形成有周邊電路部， 在所述密封部，通過(guò)形成在所述對(duì)置基板上的柱狀間隔件和形成在所述TFT基板上的有機(jī)鈍化膜的底座來(lái)規(guī)定所述TFT基板與所述對(duì)置基板的間隔。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部在拐角部的寬度為槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部在邊部的寬度的3倍以上。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述有機(jī)鈍化膜之上形成有無(wú)機(jī)絕緣膜。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，形成有多個(gè)所述槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部，內(nèi)側(cè)的槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部在拐角部比槽狀的有機(jī)鈍化膜除去部在邊部的寬度更大。
【文檔編號(hào)】G02F1/1341GK103713427SQ201310460682
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月2日
【發(fā)明者】池田大輔 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器