液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，此液晶顯示裝置包括一基板，具有至少一像素區(qū)域，由向一第一方向延伸的一對柵極線及向一第二方向延伸的一對數(shù)據(jù)線所定義。一第一絕緣層對應(yīng)于像素區(qū)域而設(shè)置于基板上，一第一共用電極設(shè)置于第一絕緣層上，一像素電極圖案設(shè)置于第一共用電極圖案上。一第二絕緣層夾設(shè)于第一共用電極與像素電極圖案之間，一對第二共用電極對應(yīng)于前述一對數(shù)據(jù)線形成于第二絕緣層上。通過本發(fā)明的液晶顯示裝置，可以在保證液晶顯示器的高像素密度的情況下，對當(dāng)前液晶顯示器存在透光率低、漏光及混色等問題得到了較好的解決。
【專利說明】液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種具有高像素密度的液晶顯示
>J-U ρ?α裝直。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置已逐漸廣泛用于各種電子裝置，特別是由于主動矩陣型液晶顯示器(active matrix liquid crystal display, AMIXD)的每個像素可通過設(shè)置在每個像素中的開關(guān)元件選擇性地開啟或關(guān)閉而極度受到注目。目前已開發(fā)出各種模式的主動矩陣型液晶顯示器，例如平面內(nèi)切換(in-plane switching, IPS)模式及邊緣場切換(fringe fieldswitching, FFS)模式。平面內(nèi)切換模式或邊緣場切換模式的液晶顯示器可包括形成于基板上的一像素電極圖案及一共用電極，以及由實質(zhì)上平行于基板表面的橫向電場所控制的液晶分子。當(dāng)施加電壓至像素電極圖案時，液晶分子在實質(zhì)上平行于基板表面的一平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)而使光線可以穿透。平面內(nèi)切換模式或邊緣場切換模式所提供的主要優(yōu)點(diǎn)之一為廣視角，且相較于平面內(nèi)切換模式，邊緣場切換模式因改善電極設(shè)計而改善了光穿透性。然而，對現(xiàn)行的平面內(nèi)切換或邊緣場切換模式液晶顯示器而言，仍然存在例如透光率低、漏光及混色等需要解決的問題。
[0003]此外，近年來一直有開發(fā)具有高像素密度或高每英寸像素(pixels per inch,PPI)液晶顯示器的需求，以實現(xiàn)更高的解析度。然而，超高像素密度的液晶顯示器的開發(fā)仍然存在挑戰(zhàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是:提供一種具有高像素密度的液晶顯示裝置，可改善或克服現(xiàn)有技術(shù)存在的一項或多項缺陷。
[0005]本發(fā)明要解決上述問題的技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示裝置，包括:一基板，具有向一第一方向延伸的一對柵極線及向一第二方向延伸的一對數(shù)據(jù)線所定義的至少一像素區(qū)域；一第一絕緣層，設(shè)置于基板上并對應(yīng)于像素區(qū)域；一第一共用電極，設(shè)置于第一絕緣層上；一像素電極圖案，設(shè)置于第一共用電極上；一第二絕緣層，設(shè)置于第一共用電極與像素電極圖案之間；一對第二共用電極，形成于第二絕緣層上并對應(yīng)于數(shù)據(jù)線；以及一對立基板，相對于基板。
[0006]通過本發(fā)明的液晶顯示裝置，可以在保證液晶顯示器的高像素密度的情況下，對當(dāng)前液晶顯示器存在透光率低、漏光及混色等問題得到較好的解決。
[0007]為讓本發(fā)明的前述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A為一俯視圖，用以說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的一部分的一實施例。[0009]圖1B為沿圖1A中A-A’線所作的一剖面圖。
[0010]圖1C為圖1A的液晶顯示裝置的一存儲電容Cst對閃爍位準(zhǔn)的曲線圖。
[0011 ] 圖1D為一剖面圖，用以說明圖1B的液晶顯示裝置中的二相鄰像素區(qū)域，其中此二相鄰像素區(qū)域皆為開啟狀態(tài)。
[0012]圖1E為一剖面圖，用以說明圖1B的液晶顯示裝置中的二相鄰像素區(qū)域，其中一像素區(qū)域為開啟狀態(tài)，另一像素區(qū)域為關(guān)閉狀態(tài)。
[0013]圖2為一首I]面圖，用以說明圖1B的液晶顯不裝置的另一實施例，其中此液晶顯不裝置包括至少一遮光元件。
[0014]圖3A及圖3B為沿第IA的一實施例的B_B’線所作的剖面圖，分別顯示了未發(fā)生及發(fā)生間隔物誤對準(zhǔn)的液晶顯示裝置。
[0015]圖3C及圖3D為沿圖1A的另一實施例的B_B’線所作的剖面圖，分別顯示了未發(fā)生及發(fā)生間隔物誤對準(zhǔn)的液晶顯示裝置。
[0016]圖4A為依據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的一部分的一實施例所作的俯視圖。
[0017]圖4B為沿圖4A的A-A’線所作的剖面圖。
[0018]圖4C為一剖面圖，用以說明圖4B的液晶顯示裝置中的二相鄰像素區(qū)域，其中此二相鄰像素區(qū)域皆為開啟狀態(tài)。
[0019]圖4D為一剖面圖，用以說明圖4B的液晶顯示裝置中的二相鄰像素區(qū)域，其中一像素區(qū)域為開啟狀態(tài)，另一像素區(qū)域為關(guān)閉狀態(tài)。
[0020]圖5A~5B為沿圖4A的B_B’線`所作的剖面圖，分別顯示了未發(fā)生及發(fā)生間隔物誤對準(zhǔn)的液晶顯示裝置。
[0021]主要元件符號說明:
[0022]9 連接層10基板
[0023]11柵極線12 數(shù)據(jù)線
[0024]20 液晶層25 彩色濾光層
[0025]25a、25b彩色濾光區(qū)域30 對立基板
[0026]50 第一絕緣層60 第一共用電極
[0027]63 介層窗70 第二絕緣層
[0028]77、77’背光模塊80a、80a’、80b、80b’像素電極圖案
[0029]88第二共用電極90 導(dǎo)電層
[0030]99a、99a’、99b、99b’ 電場100a、100a’、100b、100b’ 像素區(qū)域
[0031]101 金屬層103 第一介層窗開口
[0032]109 第二介層窗開口150 擴(kuò)散膜
[0033]500、500’間隔物1000、2000液晶顯示裝置
[0034]A1、A1’、A2、A2’ 穩(wěn)定區(qū)域Cst、Cst’ 存儲電容
[0035]D、D’ 最短距離E電連接結(jié)構(gòu)
[0036]P1、P1’第一部分Pla、Pla’ 第一柱狀體
[0037]Plb、Plb’ 第二柱狀體S1、S2、S3遮光元件
[0038]X第一方向Y 第二方向【具體實施方式】
[0039]以下說明了本發(fā)明的較佳實施方式。本發(fā)明說明是用以說明本發(fā)明的一般性原貝U，并非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍較佳為以由所附的申請專利范圍來決定。
[0040]參照圖1A?1B，其中圖1A為一俯視圖，繪示了本發(fā)明的液晶顯示裝置1000的一部分的一實施例，圖1B為沿圖1A中A-A’線所作的一剖面圖。在本實施例中，液晶顯示裝置1000可包括具有至少一像素區(qū)域IOOa或IOOb的一基板10、相對于基板10的一對立基板30、夾設(shè)于二基板10與30之間的一液晶層20、形成于液晶層20與對立基板30之間的彩色濾光層25、以及設(shè)置于基板10下的背光模塊77。由背光模塊77所發(fā)射的一光線(未繪示于圖中)可依序穿透基板10、液晶層20、彩色濾光層25、以及對立基板30而到達(dá)液晶顯示裝置1000的觀看者。一般而言，背光模塊77使用一擴(kuò)散光。然而，使用擴(kuò)散光會使光經(jīng)過液晶顯示裝置1000的穿透率降低。在一些實施例中，基板10及對立基板30可分別包括玻璃、石英、或其它適當(dāng)透光材料。
[0041]基板10通常包括多個像素區(qū)域，其排列為一陣列(亦即，像素陣列)。此外，每個像素區(qū)域由向一第一方向X延伸的一對柵極線11及向一第二方向Y延伸的一對數(shù)據(jù)線12所定義而成。為了簡化，僅繪示了二像素區(qū)域IOOa及100b。每個像素區(qū)域IOOa或IOOb可包括形成于基板10上的一像素電極圖案80a或80b。像素電極圖案80a或80b可包括一第一部分Pl及一導(dǎo)電層90。在一些實施例中，第一部分Pl可為一單一柱狀結(jié)構(gòu)(未繪示于圖中)。在一些實施例中，第一部分Pl可包括多個柱狀結(jié)構(gòu)。舉例而言，第I部分Pl可具有實質(zhì)上向第二方向Y延伸并彼此分隔的一對第一柱狀體Pla，每個第一柱狀體Pla可分別連接至實質(zhì)上向第一方向X延伸的一第二柱狀體Plb。導(dǎo)電層90可為形成于像素區(qū)域IOOa或IOOb中的電連接結(jié)構(gòu)E的一部分，電連接結(jié)構(gòu)E的細(xì)節(jié)將參照圖3A?3B并詳述于后。此外，每個像素區(qū)域IOOa及IOOb可包括電連接至電連接結(jié)構(gòu)E及前述一對數(shù)據(jù)線12的其中之一的一連接層9，如圖1A所示。在一些實施例中，連接層9可使用一半導(dǎo)體材料形成，例如多晶硅。
[0042]參照圖1B，彩色濾光層25可包括多個彩色濾光區(qū)域。每個彩色濾光區(qū)域可對應(yīng)于一相對的像素區(qū)域。每個彩色濾光區(qū)域可為紅色、綠色或藍(lán)色，但不限于此。在一些實施例中，相鄰的彩色濾光區(qū)域可具有相同的或不同顏色。在圖1B中，舉例而言，繪示了二彩色濾光區(qū)域25a及25b，其中彩色濾光區(qū)域25a對應(yīng)于像素區(qū)域100a，彩色濾光區(qū)域25b對應(yīng)于像素區(qū)域100b。
[0043]在每個像素區(qū)域IOOa或IOOb中，可于基板10上設(shè)置一第一絕緣層50，并可于第一絕緣層50上設(shè)置一第一共用電極60。像素電極圖案80a或80b可設(shè)置于第一共用電極60上且第二絕緣層70可夾設(shè)于像素電極圖案80a或80b與第一共用電極60之間。在一些實施例中，第一共用電極60及像素電極圖案80a或80b可分別由一透明導(dǎo)電材料形成，例如氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)或氧化銦鋒(indium zinc oxide, IZO)。
[0044]可于第一共用電極60與像素電極圖案80a或80b之間建立一存儲電容Cst。存儲電容Cst的大小至少由二個因素決定:像素電極圖案80a或80b與第一共用電極60之間的距離，以及像素電極圖案80a或80b于第一共用電極60上的垂直投影面積。一般希望有較大的存儲電容，較大的存儲電容有助于降低液晶顯示裝置1000的閃爍位準(zhǔn)(flikerlevel)。[0045]圖1C為液晶顯示裝置1000的存儲電容Cst對閃爍位準(zhǔn)的曲線圖。由圖1C可知，隨著電容Cst增加，液晶顯示裝置1000的閃爍位準(zhǔn)會減小。存儲電容Cst可通過增加第一共用電極60上的像素電極圖案80a或80b的面積(或第一柱狀體Pla的數(shù)目)而增加。然而，像素電極圖案80a或80b的面積(或第一柱狀體Pla的數(shù)目)具有其上限，如后所述?？商娲鼗蝾~外地通過增加連接層9的面積以增加存儲電容Cst。舉例而言，連接層9可還包括一延伸部分(未繪示)以增加其面積。然而，具有增加面積的連接層9可能會阻擋較多由背光模塊77穿透液晶顯示裝置1000的光線，因而降低液晶顯示裝置1000的光穿透率。
[0046]為了獲得高像素密度的液晶顯示裝置，液晶顯示裝置的像素區(qū)域通常需要較小的尺寸，使液晶顯示裝置可包括更多像素區(qū)域以達(dá)到更高的像素密度。然而，在減少像素區(qū)域的尺寸時需要考慮各種因素，這些因素將詳述如后。
[0047]圖1D為圖1B的液晶顯示裝置1000中二個相鄰像素區(qū)域IOOa及IOOb的剖面圖，其中二個相鄰像素區(qū)域IOOa及IOOb皆為開啟狀態(tài)。參照圖1D，施加電壓以開啟二個相鄰像素區(qū)域IOOa及IOOb時，在每個像素區(qū)域IOOa及IOOb中會產(chǎn)生電場。詳細(xì)而言，在像素區(qū)域IOOa中，與像素電極圖案80a相關(guān)的電場99a產(chǎn)生于實質(zhì)上平行于基板10上表面的一平面上，在像素區(qū)域IOOb中，與像素電極圖案80b相關(guān)的電場99b亦產(chǎn)生于實質(zhì)上平行于基板10上表面的一平面中。關(guān)于圖1D所示的實施例，若像素區(qū)域IOOa中的電極圖案80a的第一柱狀體Pla與像素區(qū)域IOOb中的電極圖案80b的第一柱狀體Pla之間的最短距離D太小，則像素區(qū)域IOOa或IOOb中所產(chǎn)生的電場可能不僅只限制于像素區(qū)域IOOa或IOOb內(nèi)，亦可能延伸進(jìn)其他相鄰像素區(qū)域IOOb或100a。若在二個像素區(qū)域IOOa及IOOb皆為開啟狀態(tài)時這不會成為一個問題，然而在只有像素區(qū)域IOOa開啟而像素區(qū)域IOOb關(guān)閉時，最短距離D太小(例如因為像素區(qū)域IOOa及IOOb太小)會使特定像素區(qū)域IOOa所產(chǎn)生的電場99a可能延伸進(jìn)相鄰像素區(qū)域100b，導(dǎo)致光由像素區(qū)域IOOb泄漏，如圖1E所示。此外，若像素區(qū)域IOOa及像素區(qū)域IOOb分別對應(yīng)至彩色濾光區(qū)域25a及彩色濾光區(qū)域25b，其中二彩色濾光區(qū)域25a及25b顏色不同，則可能會造成混色。
[0048]二種發(fā)明人已知可解決漏光及混色問題的方法是提供夠大的最短距離D及進(jìn)一步在液晶顯示裝置1000中提供遮光元件。這二種方法可依據(jù)實際要求單獨(dú)或組合使用。關(guān)于提供像素區(qū)域IOOa的像素電極圖案80a與相鄰的像素區(qū)域IOOb的像素電極圖案80b之間夠大的最短距離D，雖然增加最短距離D可降低漏光及混色問題，但可能導(dǎo)致其它問題，例如較低的像素密度及/或液晶顯示裝置1000較低的光穿透率。如上所述，若增加像素區(qū)域IOOa及IOOb的尺寸以獲得較大的最短距離D，可能難以達(dá)成高像素密度。此外，若減少像素電極圖案80a或80b及/或第一或第二柱狀體Pla的面積或數(shù)量以獲得較大的最短距離D，其可能會降低存儲電容Cst。
[0049]關(guān)于在液晶顯示裝置1000中進(jìn)一步提供遮光元件,液晶顯示裝置1000還可包括至少一遮光元件以防止漏光。圖2為依據(jù)本發(fā)明的具有至少一遮光元件的液晶顯示裝置1000的一實施例。在此實施例中，可在液晶顯示裝置1000中形成三個遮光元件。舉例而言，可在對立基板30上形成一第一遮光元件SI并部分嵌入于二個相鄰濾光區(qū)域25a及25b，可在基板10上形成一第二遮光元件S2并部分嵌入于第一絕緣層50，可在遮光元件S2上形成一第三遮光元件S3并完全嵌入于第一絕緣層50。在另一實施例中，僅形成三個遮光元件SI?S3的其中一個。在又一實施例中，僅形成三個遮光元件SI?S3的其中二個。[0050]圖3A及圖3B為圖1A的實施例沿B_B’線所作的剖面圖，分別顯示了未發(fā)生及發(fā)生間隔物誤對準(zhǔn)的液晶顯示裝置1000。電連接結(jié)構(gòu)E可通過連接層9電連接至前述一對數(shù)據(jù)線12 (如圖1A所示)。如圖3A所示，電連接結(jié)構(gòu)E可包括嵌入于第一絕緣層50中的一金屬層101,其中第一介層窗開口 103形成于第一絕緣層50中以露出金屬層101。金屬層101可由前述一對數(shù)據(jù)線12中的一個延伸或電連接至該處。第二絕緣層70設(shè)置于第一絕緣層50上,其中第二介層窗開口 109形成于第二絕緣層70中以露出金屬層101。導(dǎo)電層90設(shè)置于第二絕緣層70上并填充進(jìn)第一介層窗開口 103及第二介層窗開口 109以電連接至金屬層101。因此，金屬層101及導(dǎo)電層90彼此電連接。在另一實施例中，如圖3C?3D所示，第一共用電極60填充進(jìn)第一介層窗開口 103以電連接至露出的金屬層101。第二絕緣層70設(shè)置于第一共用電極60上,其中一第二介層窗開口 109形成于第二絕緣層70中以露出第一共用電極60。一導(dǎo)電層90設(shè)置于第二絕緣層70中并填充進(jìn)第二介層窗開口 109以電連接至第一共用電極60。因此，金屬層101與導(dǎo)電層90彼此通過第一共用電極60電連接。
[0051 ] 可于基板10與對立基板30之間的液晶層20中形成至少一間隔物500并對應(yīng)于前述一對數(shù)據(jù)線12的其中至少一個，如圖3A或3C所示。如圖3B或3D所示，有嚴(yán)重的間隔物誤對準(zhǔn)時，間隔物500可能部分形成于第二介層窗開口 109上。在圖3A所示的情況中，沒有誤對準(zhǔn)的間隔物500其底部被完全支持，陰影區(qū)域Al標(biāo)示出了穩(wěn)定區(qū)域。然而，參照圖3B或3D，當(dāng)誤對準(zhǔn)的間隔物500部分形成于第二介層窗開口部109上時，間隔物500的底部僅部分被支持，故標(biāo)示出的穩(wěn)定區(qū)域A2小于圖3A或3C所標(biāo)示的穩(wěn)定區(qū)域Al。由于間隔物500是用以分隔液晶顯示裝置1000的相對的二基板10與30，若間隔物500因嚴(yán)重的誤對準(zhǔn)而不穩(wěn)定，液晶顯示裝置1000的結(jié)構(gòu)完整性可能會受到不利影響。此外，為開發(fā)高像素密度的液晶顯示裝置而縮小給定尺寸的一液晶顯示裝置的像素區(qū)域尺寸時，可能會更加突顯間隔物誤對準(zhǔn)的問題。這是因為像素區(qū)域尺寸縮小時將間隔物設(shè)置于基板時的容許誤差的影響會變得更加明顯。發(fā)明人已知可避免間隔物誤對準(zhǔn)的一種解決方法為降低間隔物尺寸。
[0052]以下參照圖4A?4D及圖5A?5B說明液晶顯示裝置2000的另一實施例。在液晶顯示裝置2000中，與液晶顯示裝置1000中相似的元件具有相同或相似的參考數(shù)字或相似的說明。為了簡化，相同的描述非必要不會重復(fù)，此處僅說明液晶顯示裝置1000與液晶顯示裝置2000相異之處。
[0053]參見圖4A?4B，其中圖4A為依據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置2000的一部分的一實施例所作的俯視圖，圖4B為沿圖4A的A-A’線所作的剖面圖。在本實施例中，液晶顯示裝置2000可同樣地包括一基板10、與基板10相對的一對立基板30、形成于基板10上的至少一像素區(qū)域100a’或100b’、夾設(shè)于二基板10與30之間的一液晶層20、形成于液晶層20與對立基板30之間的一彩色濾光層25、以及設(shè)置于基板10下的一背光模塊77’。由背光模塊77’所發(fā)射的一光線(未繪示)可依序穿透基板10、液晶層20、彩色濾光層25、及對立基板30而到達(dá)液晶顯示裝置裝置2000的觀看者。需注意的是，液晶顯示裝置2000的基板
10、對立基板30、液晶層20、及彩色濾光層25可與第IA?IB圖所示的液晶顯示裝置1000相似。
[0054]此外，基板10通常包括排列為一陣列(即像素陣列)的多個像素區(qū)域。每個像素區(qū)域通過向一第一方向X延伸的一對柵極線11及向一第二方向Y延伸的一對數(shù)據(jù)線12所定義。為了簡化，僅繪示了二個像素區(qū)域100a’及100b’。每個像素區(qū)域100a’或100b’可包括形成于基板10上的一像素電極圖案80a’及80b’，像素電極圖案80a’及80b’可包括一第一部分Ρ1'及一導(dǎo)電層90。在一些實施例中，第一部分Ρ1B'可為一單一柱狀結(jié)構(gòu)(未繪示)。在一些實施例中，第一部分Ρ1'可包括一多重柱狀結(jié)構(gòu)。舉例而言，第一部分Ρ1'可具有分隔的多個第一柱狀體Ρ1'且實質(zhì)上向第二方向Y延伸，每個第一柱狀體Pla’可分別連接至實質(zhì)上向第一方向X延伸的一第二柱狀結(jié)構(gòu)Plb’。由于后述原因，第一部分Ρ1'相較于圖1A所示的第一部分Pl可具有較大的面積。此外，每個像素區(qū)域100a’及100b’亦可包括一連接層9，其電連接至電連接結(jié)構(gòu)E及前述一對數(shù)據(jù)線12的其中一個，如圖4A所示。在一些實施例中，連接層9可使用一半導(dǎo)體層形成，例如多晶硅。
[0055]此外，可于第二絕緣層70上形成一對第二共用電極88并對應(yīng)于前述一對數(shù)據(jù)線12。在本實施例中，前述一對第二共用電極88可實質(zhì)上向第二方向Y延伸。在一些實施例中，前述一對第二共用電極88可由一透明導(dǎo)電材料形成，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(ΙΖ0)。在一些實施例中，前述一對第二共用電極88可以由與第一共用電極60及/或像素電極圖案80a’及80b’相同的材料形成。在本實施例中，前述一對第二共用電極88可使用與像素電極圖案80a’及80b’相同的材料并通過相同的工藝形成，因而不需額外工藝。
[0056]可于每個像素區(qū)域100a’或100b’中提供至少一開關(guān)裝置(未繪示)，例如薄膜晶體管(thin-film transistor, TFT)。在一些實施例中，每個像素區(qū)域100a’或100b’可包括二個薄膜晶體管。在其它 實施例中，每個像素區(qū)域100a’或100b’可包括三個薄膜晶體管。
[0057]圖4C為一剖面圖，用以說明圖4B的液晶顯示裝置2000中的二個相鄰像素區(qū)域100a’及100b’，其中此二個相鄰像素區(qū)域100a’及100b’皆為開啟狀態(tài)。與圖1E相似，與像素電極圖案80a’相關(guān)的電場99a’產(chǎn)生于實質(zhì)上平行于基板10上表面的一平面中的像素區(qū)域100a’中，與像素電極圖案80b’相關(guān)的電場99b’亦產(chǎn)生于實質(zhì)上平行于基板表面的一平面中的像素區(qū)域100b’中。特別需要注意的是，現(xiàn)在前述一對第二共用電極88形成于相鄰二個像素區(qū)域100a’及100b’之間的前述一對數(shù)據(jù)線12上，通過將電場99a’或99b’限制于其對應(yīng)的像素區(qū)域100a’或100b’，有助于降低或消除漏光及混色。圖4D為一剖面圖，用以說明圖4B的液晶顯示裝置中的二個相鄰像素區(qū)域，其中一像素區(qū)域為開啟狀態(tài)，另一像素區(qū)域為關(guān)閉狀態(tài)。參照圖4D,僅像素區(qū)域100a’為開啟狀態(tài),而像素區(qū)域100b’為關(guān)閉狀態(tài)，電場99a’則被限制于像素區(qū)域100a’。電場因第二共用電極88而被限制于對應(yīng)的像素區(qū)域的理由可能為前述一對第二共用電極88具有屏蔽功能。降低或消除延伸進(jìn)相鄰像素區(qū)域的電場的結(jié)果，可減少像素區(qū)域100a’中像素電極圖案80a’的第一柱狀體Pla’及像素區(qū)域100b’中像素電極圖案80b’的第一柱狀體Plb’之間的最短距離D’。如上所述，液晶顯示裝置2000的第一部分Ρ1'可與液晶顯示裝置1000的第一部分Pl具有相似結(jié)構(gòu)。然而，當(dāng)最短距離D’減少時，若第一柱狀體的間距保持不變，則第一部分Ρ1'的結(jié)構(gòu)可能具有超過二個以上的第一柱狀體Pla’，如圖4A所示。因此，可增加液晶顯示裝置2000的存儲電容Cst’。
[0058]雖然前述一對第二共用電極88的排列可能已經(jīng)大幅降低或消除漏光及混色，可選擇性地使用與液晶顯示裝置2000中相同的方式提供如圖2所示的至少一遮光元件SI~S3。在一些實施例中，為進(jìn)一步消除漏光及混色，背光模塊77’可使用準(zhǔn)直光源。在一些實施例中，可選擇性地在對立基板30與相對的基板10上設(shè)置一非必要的擴(kuò)散膜150。
[0059]在本實施例中，第一共用電極60可電連接至前述一對第二共用電極88。舉例而言，第一共用電極60可通過形成于絕緣層70中且在第一共用電極60與前述一對第二共用電極88之間的多個介層窗63電連接至前述一對第二共用電極88,如圖4B所不。在一些實施例中，多個介層窗63亦可分別形成于前述一對柵極線11與前述一對數(shù)據(jù)線12的交點(diǎn)上。此外，為便于輸入一并聯(lián)的共同電壓(未繪不)，包括多個介層窗63的像素區(qū)域100a’或100b’可為基板10的一像素陣列(未繪示)中的一周邊像素區(qū)域，如圖4A所示。
[0060]圖5A?5B為沿圖4A的B_B’線所作的剖面圖，分別顯示了未發(fā)生及發(fā)生間隔物誤對準(zhǔn)的液晶顯示裝置2000。應(yīng)理解的是，在另一實施例中(未繪示)，電連接結(jié)構(gòu)E可與圖3C?3D相似。在本實施例中，第一共用電極60可填充進(jìn)第一介層窗開口 103以電連接至露出的金屬層101，第二絕緣層70可設(shè)置于第一共用電極60上，其中一第二介層窗開口109形成于第二絕緣層70中以露出第一共用電極60，一導(dǎo)電層90可設(shè)置于第二絕緣層70上并填充進(jìn)第二介層窗開口 109以電連接至第一共用電極60。因此，金屬層101及導(dǎo)電層90可通過第一共用電極60彼此電連接。參照圖5A?5B，可在基板10與對立基板30之間的液晶層20中形成至少一間隔物500’。在本實施例中，間隔物500’相較于前述第3A?3B的間隔物500可具有明顯較大的尺寸。特別是間隔物500’可具有明顯大于第二介層窗開口 109的尺寸(或直徑)，使得無論間隔物500’形成于何處，間隔物500’底部區(qū)域的支持皆保持相對不變，如圖5A?5B所示。因此，雖然間隔物500’可形成于不同區(qū)域中，圖5A及5B的間隔物500’的穩(wěn)定區(qū)域Al’及A2’仍可相似。因此，因間隔物誤對準(zhǔn)所引起的不良影響可通過使用本發(fā)明實施例的改進(jìn)的間隔物設(shè)計來消除。
[0061]已知間隔物500’可具有任意尺寸(或直徑)或形狀，只要其尺寸(或直徑)明顯大于第二介層窗開口 109。在一實施例中，間隔物500’可為長軸實質(zhì)上沿第二方向Y的橢圓形。在另一實施例中，間隔物500’可為長軸實質(zhì)上沿第一方向X的橢圓形。在又一實施例中，間隔物500’可為實質(zhì)圓形。因此，已改善穩(wěn)定性的液晶顯示裝置2000的間隔物500’提升了液晶顯示裝置2000的結(jié)構(gòu)完整性。此外，由于間隔物誤對準(zhǔn)為重要的問題，故本發(fā)明允許更靈活的間隔物設(shè)計。
[0062]根據(jù)前述實施例，本發(fā)明提供一種提升的液晶顯示裝置，其具有高的存儲電容、減少或沒有漏光及混色問題、改善的間隔物穩(wěn)定性及液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)完整性、以及更靈活的間隔物設(shè)計。
[0063]雖然本發(fā)明已通過舉出較佳實施例詳述如上，可理解的是，本發(fā)明并不限于前述揭露的實施例。相反地，本發(fā)明包含各種修改及相似排列(如同對本【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者為顯而易見者)。因此，本發(fā)明所申請專利范圍應(yīng)根據(jù)最廣義的解釋以涵蓋所有修改及相似的排列。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括: 一基板，具有向一第一方向延伸的一對柵極線及向一第二方向延伸的一對數(shù)據(jù)線所定義的至少一像素區(qū)域； 一第一絕緣層，設(shè)置于該基板上并對應(yīng)于該像素區(qū)域； 一第一共用電極，設(shè)置于該第一絕緣層上； 一像素電極圖案，設(shè)置于該第一共用電極上； 一第二絕緣層，設(shè)置于該第一共用電極與該像素電極圖案之間； 一對第二共用電極，形成于該第二絕緣層上并對應(yīng)于該對數(shù)據(jù)線；以及 一對立基板，相對于該基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該第一共用電極、該像素電極圖案、或該第二共用電極均由一透明導(dǎo)電材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該第一共用電極通過形成于該第二絕緣層中的多個介層窗電連接至該第二共用電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述介層窗形成于該像素區(qū)域的該對柵極線之一與該對數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素區(qū)域為該基板的一像素陣列的一周邊像素區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極圖案包括一結(jié)構(gòu)，其具有至少二個第一柱狀體，彼此分離且實質(zhì)上向該第二方向延伸，其中所述第一柱狀體的每一者各自連接至實質(zhì)上向該第一方向延伸的一第二柱狀體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該對第二共用電極實質(zhì)上向該第二方向延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括一彩色濾光層形成于該對立基板與該基板之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極圖案包括一導(dǎo)電層，該液晶顯示裝置還包括一電連接結(jié)構(gòu)電連接至該對數(shù)據(jù)線其中之一，其中該電連接結(jié)構(gòu)包括: 一金屬層，嵌入于該第一絕緣層中，其中一第一介層窗開口形成于該第一絕緣層中以露出該金屬層； 一第二介層窗開口，形成于該第二絕緣層中，以露出該金屬層；以及該導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二絕緣層上且填充進(jìn)該第一介層窗開口及該第二介層窗開口，以電連接至該金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置還包括一間隔物，位于該基板與該對立基板之間的一液晶層中，其中該間隔物的尺寸大于該第二介層窗開口的直徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該間隔物為圓形或為長軸實質(zhì)上沿該第一方向或該第二方向的橢圓形。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極圖案包括一導(dǎo)電層，該液晶顯示裝置還包括一電連接結(jié)構(gòu)，電連接至該對數(shù)據(jù)線中的其中之一，其中該電連接結(jié)構(gòu)包括: 一金屬層，嵌入于該第一絕緣層中，其中一第一介層窗開口形成于該第一絕緣層中以露出該金屬層； 該第一共用電極，填充進(jìn)該第一介層窗開口，以電連接至該露出的金屬層； 該第二絕緣層，設(shè)置于該第一共用電極上，其中一第二介層窗開口形成于該第二絕緣層中以露出該第一共用電極；以及 該導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二絕緣層上且填充進(jìn)該第二介層窗開口，以電連接至該第一共用電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置還包括一間隔物，位于該基板與該對立基板之間的一液晶層中，其中該間隔物的尺寸大于該第二介層窗開口的直徑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該間隔物為圓形或長軸實質(zhì)上沿該第一方向或該第二方向的橢圓形。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置還包括設(shè)置于該基板下的背光模塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 該背光模塊使用一準(zhǔn)直光源。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置還包括一擴(kuò)散膜，位于該對立基板上且相對于該基板。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置還包括至少一遮光兀件，嵌入于該第一絕緣層或形成于該對立基板上。
【文檔編號】G02F1/1339GK103576397SQ201310319919
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月26日
【發(fā)明者】柴崎稔 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司