液晶顯示面板、薄膜晶體管基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示面板、薄膜晶體管基板及其制造方法。該液晶顯示面板包括第一基板、第二基板及液晶層，該第一基板包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極、與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層、與該公共電極層電連接的公共電極線、及黑矩陣，該公共電極層與該像素電極用于產(chǎn)生平行電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層的液晶分子在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。該液晶顯示面板的開(kāi)口率較高。
【專利說(shuō)明】液晶顯示面板、薄膜晶體管基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板、薄膜晶體管基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板通常包括薄膜晶體管基板、與薄膜晶體管基板相對(duì)設(shè)置的彩色濾光片基板及夾于二基板之間的液晶層。通常地，薄膜晶體管基板上設(shè)置有不透光的薄膜晶體管及驅(qū)動(dòng)線路，彩色濾光片基板上設(shè)置有黑矩陣，其中，該黑矩陣需要對(duì)應(yīng)薄膜晶體管及驅(qū)動(dòng)線路設(shè)置，以將該薄膜晶體管及驅(qū)動(dòng)線路遮蔽，來(lái)避免漏光現(xiàn)象的發(fā)生。然而，由于薄膜晶體管基板及彩色濾光片基板分別是獨(dú)立制作再通過(guò)框膠結(jié)合在一起的，在將薄膜晶體管基板及彩色濾光片基板結(jié)合于一體時(shí)，黑矩陣與薄膜晶體管及驅(qū)動(dòng)線路之間容易出現(xiàn)對(duì)位偏差，導(dǎo)致液晶顯示面板的開(kāi)口率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種開(kāi)口率較高的液晶顯示面板。
[0004]有鑒于此，有必要提供一種開(kāi)口率較高的薄膜晶體管基板及其制造方法。
[0005]—種液晶顯不面板，其包括第一基板、與該第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板及夾于該第一基板與該第二基板之間的液晶層，該第一基板包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極、與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層、與該公共電極層電連接的公共電極線、及黑矩陣，該公共電極層與該像素電極用于產(chǎn)生平行于該第一基板的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層的液晶分子在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。
[0006]一種液晶顯示面板，其包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極、與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層、與該公共電極層電連接的公共電極線、及黑矩陣，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。
[0007]—種薄膜晶體管基板，其包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極、與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層、與該公共電極層電連接的公共電極線、及黑矩陣，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。
[0008]一種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括如下步驟:提供第一基板，其中該第一基板包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極及與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層；及在該第一基板上依序沉積金屬層、絕緣遮光層及濾光層，提供具有特定圖案的掩膜對(duì)準(zhǔn)該濾光層曝光，并對(duì)曝光后的濾光層進(jìn)行顯影，從而形成一預(yù)定的光致抗蝕劑圖案，進(jìn)一步對(duì)該絕緣遮光層及金屬層進(jìn)行蝕刻，再移除該濾光層，進(jìn)而形成預(yù)定圖案的公共電極線與該黑矩陣，其中該公共電極線與該公共電極層電連接，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明液晶顯示面板、薄膜晶體管基板的制造方法中，黑矩陣設(shè)置于該薄膜晶體管基板上，黑矩陣與薄膜晶體管在同一基板上相較于黑矩陣與薄膜晶體管在不同基板上更容易對(duì)位，進(jìn)而可以改善現(xiàn)有技術(shù)的黑矩陣與薄膜晶體管的對(duì)位偏差的問(wèn)題，提高開(kāi)口率。另外，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)，使得該黑矩陣與該公共電極線可以在同一道掩膜制造過(guò)程中形成，使得該液晶顯示面板及薄膜晶體管基板的所需掩膜數(shù)量較少，制造過(guò)程較為簡(jiǎn)單。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明液晶顯示面板第一實(shí)施方式的剖面示意圖。
[0011]圖2是本發(fā)明液晶顯示面板第二實(shí)施方式的剖面示意圖。
[0012]主要元件符號(hào)說(shuō)明 液晶顯示面板10、20 第一基板11
第二基板12
液晶層13
液晶分子131
第一基底110
薄膜晶體管111
鈍化層112
像素電極113、213
公共電極層114、214
公共電極線115
黑矩陣116
柵極1110
源極1111
汲極1112
溝道層1113
光遮蔽層141
第一隔離層組142
柵極絕緣層143
第二隔離層組144
絕緣層145
第一導(dǎo)通孔151
第二導(dǎo)通孔152
第三導(dǎo)通孔153
紅色濾光單元R
綠色濾光單元G 藍(lán)色濾光單元 B 第一開(kāi)口118、218
第二開(kāi)口117
如下【具體實(shí)施方式】將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。
【具體實(shí)施方式】
[0013]請(qǐng)參閱圖1,圖1是本發(fā)明液晶顯示面板10第一實(shí)施方式的剖面示意圖(其中所述剖面可以是包括階梯狀剖面)。該液晶顯示面板10包括第一基板11、與該第一基板11相對(duì)設(shè)置的第二基板12及夾于該第一基板11與該第二基板12之間的液晶層13。該第一基板11包括第一基底110、設(shè)置于該第一基底110上的薄膜晶體管111、覆蓋該薄膜晶體管111的鈍化層112、與該薄膜晶體管111電連接的像素電極113、與該像素電極113絕緣設(shè)置的公共電極層114、與該公共電極層114電連接的公共電極線115及與該公共電極線層疊設(shè)置的黑矩陣116。優(yōu)選地，該公共電極線115與該黑矩陣116是在同一道掩膜制造過(guò)程中形成，從而該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)，剛好上下重迭。其中，該液晶顯示面板10可以是平面電場(chǎng)切換型(In-Plane Switching, IPS)液晶顯示面板或邊緣電場(chǎng)切換型(Fringing Field Switching, FFS)液晶顯示面板,該公共電極層114與該像素電極113用于產(chǎn)生基本平行于該第一基板11的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層13的液晶分子131在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，該鈍化層112為彩色濾光層，該彩色濾光層與該黑矩陣116配合構(gòu)成該液晶顯示面板10的彩色濾光片。
[0014]該薄膜晶體管111可以是低溫多晶硅薄膜晶體管，其包括柵極1110、源極1111、汲極1112及溝道層1113。該第一基底110為透明基底，如玻璃基底。該第二基板12也可以為透明基板。該第一基板11還包括光遮蔽層141、第一隔離層組142、柵極絕緣層143、第二隔離層組144及絕緣層145。
[0015]具體地，該光遮蔽層141設(shè)置于該第一基底110上。該第一隔離層組142覆蓋于該光遮蔽層141上，其可以包括三層隔離層，該三層隔離層的材料可以自下而上依序?yàn)檠趸?、氮化硅及氧化硅。該溝道?113設(shè)置于該第一隔離層組142上，其包括輕摻雜區(qū)及重?fù)诫s區(qū)。該柵極絕緣層143覆蓋該溝道層1113上，其材料可以為氧化硅。該柵極1110設(shè)置于該柵極絕緣層143上，本實(shí)施方式中，該薄膜晶體管111可以為雙柵極型薄膜晶體管。該第二隔離層組144設(shè)置于該柵極1110上，其可以包括自下而上的氮化硅及氧化硅。該第二隔離層組144及該柵極絕緣層143還設(shè)置有貫穿該第二隔離層組144及該柵極絕緣層143的第一導(dǎo)通孔151及第二導(dǎo)通孔152。該源極1111及該汲極1112設(shè)置在該第二隔離層組144上，且該源極1111通過(guò)該第一導(dǎo)通孔151連接至該溝道層1113的一端，該汲極1112通過(guò)該第二導(dǎo)通孔152連接至該溝道層1113的另一端?？梢岳斫?，該源極1111還連接設(shè)置于該第二隔離層組144上且與該源極1111同層設(shè)置的源極驅(qū)動(dòng)線(圖未示)，該柵極1110還連接設(shè)置于該柵極絕緣層143上且與該柵極1110同層設(shè)置的柵極驅(qū)動(dòng)線(圖未示)O
[0016]該鈍化層112，即該彩色濾光層，覆蓋于該第二隔離層組144、該源極1111及該汲極1112上，該彩色濾光層包括貫穿該彩色濾光層的第三導(dǎo)通孔153，該第三導(dǎo)通孔153的位置可以與該第二導(dǎo)通孔152對(duì)應(yīng)。其中，該彩色濾光層可以包括間隔的紅色濾光單元R、綠色濾光單元G及藍(lán)色濾光單元B。該像素電極113設(shè)置于該彩色濾光層上，且通過(guò)該第三導(dǎo)通孔153與該汲極1112連接，以與該薄膜晶體管111電連接，其中，該像素電極113為透明導(dǎo)電層。該絕緣層145設(shè)置于該彩色濾光層及該像素電極113上。該公共電極層114設(shè)置于該絕緣層145上且為透明導(dǎo)電層。
[0017]該公共電極線115與該黑矩陣116自下而上設(shè)置于該公共電極層114上，從而該公共電極線115與該公共電極層114電連接，并且，該公共電極線115與該黑矩陣116是在同一道掩膜制造過(guò)程中形成，另外，該公共電極線115的材料可以是金屬(通常不透光)，該黑矩陣116可以是不透光的絕緣遮光材料。具體來(lái)說(shuō)，在該第一基板11的制造過(guò)程中，在形成該公共電極層114后，依序形成用于制造該公共電極線115的金屬層、用于制造該黑矩陣116的絕緣遮光層、及光致抗蝕劑層，再提供具有特定圖案的掩膜對(duì)準(zhǔn)該光致抗蝕劑層曝光，再對(duì)曝光后的光致抗蝕劑層進(jìn)行顯影，從而形成一預(yù)定的光致抗蝕劑圖案。進(jìn)一步對(duì)該絕緣遮光層及金屬層進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而形成具有預(yù)定圖案的該公共電極線115與該黑矩陣116，再移除該剩余的濾光層，即可以完成該公共電極線115與該黑矩陣116的制作。
[0018]另外，圖1所示實(shí)施方式的液晶顯示面板10為平面電場(chǎng)切換型(In-PlaneSwitching, IPS)，該公共電極層114對(duì)應(yīng)形成多個(gè)第一開(kāi)口 118，該像素電極113中還形成有多個(gè)第二開(kāi)口 117，該多個(gè)第一開(kāi)口 118及多個(gè)第二開(kāi)口 117可以交錯(cuò)設(shè)置。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明液晶顯示面板10及第一基板11 (即薄膜晶體管基板)中，黑矩陣Il6設(shè)置于該薄膜晶體管基板上，黑矩陣116與薄膜晶體管111在同一基板上相較于黑矩陣與薄膜晶體管在不同基板上更容易對(duì)位，進(jìn)而可以改善現(xiàn)有技術(shù)的黑矩陣與薄膜晶體管的對(duì)位偏差的問(wèn)題，提高開(kāi)口率。另外，該公共電極線115及該黑矩陣116層疊設(shè)置，并且該公共電極線115及該黑矩陣116的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)，該黑矩陣116與該公共電極線115在同一道掩膜制造過(guò)程中形成，使得該液晶顯示面板10及薄膜晶體管基板的所需掩膜數(shù)量較少，制造過(guò)程較為簡(jiǎn)單。
[0020]請(qǐng)參閱圖2，圖2是本發(fā)明液晶顯示面板20第二實(shí)施方式的剖面示意圖。該第二實(shí)施方式的液晶顯示面板20與第一實(shí)施方式的液晶顯示面板10的主要差別在于:液晶顯示面板20為邊緣電場(chǎng)切換型液晶顯示面板，像素電極213與公共電極層214中僅其中一個(gè)包括開(kāi)口，另一個(gè)則可以不包括開(kāi)口，優(yōu)選地，如圖2所示，該像素電極213中不包括開(kāi)口，僅公共電極層214中形成有第一開(kāi)口 218。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯不面板,其包括第一基板、與該第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板及夾于該第一基板與該第二基板之間的液晶層，該第一基板包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極、與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層、與該公共電極層電連接的公共電極線、及黑矩陣，其特征在于:該公共電極層與該像素電極用于產(chǎn)生平行于該第一基板的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層的液晶分子在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中，該鈍化層為彩色濾光層，該彩色濾光層與該黑矩陣配合構(gòu)成該液晶顯示面板的彩色濾光片。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于:該像素電極設(shè)置于該彩色濾光層上，該彩色濾光層包括導(dǎo)通孔，該像素電極通過(guò)該導(dǎo)通孔與該薄膜晶體管電連接。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于:該第一基板還包括絕緣層，該絕緣層覆蓋于該像素電極上，該公共電極層設(shè)置于該絕緣層上。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于:該公共電極線設(shè)置于該公共電極層上與該公共電極層電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于:該黑矩陣設(shè)置于該公共電極在線。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于:該公共電極線直接設(shè)置于該公共電極層上，該黑矩陣直接設(shè)置于該公共電極在線。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于:該薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于:該公共電極線與該黑矩陣是在同一道掩膜制造過(guò)程中形成。
10.一種液晶顯示面板，其包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極、與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層、與該公共電極層電連接的公共電極線、及黑矩陣，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。
11.一種薄膜晶體管基板，其包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極、與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層、與該公共電極層電連接的公共電極線、及黑矩陣，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。
12.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括如下步驟: 提供第一基板，其中該第一基板包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的薄膜晶體管、覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層、與該薄膜晶體管電連接的像素電極及與該像素電極絕緣設(shè)置的公共電極層 '及 在該第一基板上依序沉積金屬層、絕緣遮光層及光致抗蝕劑層，提供具有特定圖案的掩膜對(duì)準(zhǔn)該光致抗蝕劑層曝光，并對(duì)曝光后的光致抗蝕劑層進(jìn)行顯影，從而形成一預(yù)定的光致抗蝕劑圖案，進(jìn)一步對(duì)該絕緣遮光層及金屬層進(jìn)行蝕刻，再移除該光致抗蝕劑層，進(jìn)而形成預(yù)定圖案的公共電極線與該黑矩陣，其中該公共電極線與該公共電極層電連接，該公共電極線及該黑矩陣層疊設(shè)置，并且該公共電極線及該黑矩陣的形狀與位置相互對(duì)應(yīng)。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK103913882SQ201310158154
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年5月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】李志隆 申請(qǐng)人:業(yè)鑫科技顧問(wèn)股份有限公司, 新光電科技有限公司