液晶顯示器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種能夠減小邊框的液晶顯示器及其制造方法。所述液晶顯示器包括包含垂直線、水平線和像素的顯示面板，以及經(jīng)由所述垂直線而將數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖提供到所述像素的驅(qū)動器集成電路（IC）。所述垂直線包括被提供有數(shù)據(jù)電壓的垂直數(shù)據(jù)線，被提供有柵極脈沖的垂直柵線，和被提供有公共電壓的垂直公共電壓線。所述水平線包括水平柵線，所述水平柵線與所述垂直柵線連接，并經(jīng)由所述垂直柵線接收所述柵極脈沖。
【專利說明】液晶顯示器及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及能夠減小邊框尺寸的液晶顯示器及其制造方法。
【背景技術】
[0002]顯示設備領域已迅速從大尺寸的陰極射線管(CRT)變?yōu)槠桨屣@示器(FPD)，平板顯示器具有外型薄且重量輕的有益特性，并能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸的屏幕。平板顯示器的例子包括液晶顯示器(IXD)、等離子顯示面板(PDP)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器和電泳顯示器(EPD)0在平板顯示器之中，液晶顯示器根據(jù)數(shù)據(jù)電壓來控制施加到液晶分子的電場，以顯示圖像。有源矩陣液晶顯示器由于加工技術和驅(qū)動技術的發(fā)展而成本降低，并且性能也得到改善。因此，有源矩陣液晶顯示器已經(jīng)廣泛應用于從小尺寸移動設備到大尺寸電視機的幾乎所有種類的顯示設備。
[0003]液晶顯示器的制造商們做出了各種嘗試，以實現(xiàn)窄邊框設計。窄邊框技術使位于顯示面板邊緣處的不顯示圖像的邊框尺寸最小化，從而相對地增加顯示圖像的像素區(qū)域的尺寸。在窄邊框技術中，由于精細加工的局限性，邊框尺寸的減小是有限的。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的實施例提供了一種能夠減小邊框尺寸的液晶顯示器及其制造方法。
[0005]在一個方面，一種液晶顯示器，包括包含垂直線、水平線和像素的顯示面板，以及經(jīng)由所述垂直線而將數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖提供到所述像素的驅(qū)動器集成電路(1C)。
[0006]所述垂直線包括被提供有數(shù)據(jù)電壓的垂直數(shù)據(jù)線，被提供有柵極脈沖的垂直柵線，和被提供有公共電壓的垂直公共電壓線。所述水平線包括水平柵線，所述水平柵線與所述垂直柵線連接，并經(jīng)由所述垂直柵線接收所述柵極脈沖。
[0007]在另一方面，一種用于制造液晶顯示器的方法，包括在基板上形成垂直線和與所述垂直線交叉的水平線，并在所述基板上形成多個像素以制造顯示面板，并將驅(qū)動器集成電路(IC)連接到所述顯示面板，所述驅(qū)動器集成電路(IC)經(jīng)由所述垂直線而將數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖提供到所述像素。
[0008]在又一方面，一種制造液晶顯示器的方法，所述液晶顯示器包括包含垂直線、水平線和像素的顯示面板，以及經(jīng)由所述垂直線而將數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖提供到所述像素的驅(qū)動器集成電路(1C)，所述方法包括:使用在所述顯示面板的基板上形成的柵極金屬圖案來形成所述水平線，在所述基板上形成柵絕緣層以覆蓋所述水平線，在所述柵絕緣層上層疊半導體圖案和源極-漏極金屬圖案以形成所述垂直線，在所述垂直線和所述柵絕緣層上層疊第一鈍化層和有機保護層，在所述有機保護層上形成由透明導電材料形成的像素的公共電極和鏈接圖案，其中，在所述公共電極和所述鏈接圖案上形成第二鈍化層，以及在所述第二鈍化層上形成所述像素的像素電極。
【專利附圖】
【附圖說明】[0009]附圖提供對本發(fā)明的進一步理解并且并入說明書而組成說明書的一部分。所述附圖示出本發(fā)明的示范性的實施方式，并且與說明書文字一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0010]圖1和圖2示出根據(jù)本發(fā)明的范例實施例的液晶顯示器；
[0011]圖3是圖2中所示的柔膜上芯片(COF)的放大視圖；
[0012]圖4局部地示出根據(jù)本發(fā)明的范例實施例的像素陣列；
[0013]圖5示出垂直柵線和水平柵線之間的連接范例。
[0014]圖6示出施加到圖4中所示的像素陣列的數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖的范例；
[0015]圖7是根據(jù)本發(fā)明范例實施例的液晶顯示器中的邊緣場切換(FFS)模式的薄膜晶體管(TFT)陣列結(jié)構(gòu)的范例的平面視圖；
[0016]圖8是沿圖7的線1-1、I1-1I和II1-1II獲得的剖視圖；
[0017]圖9A-9G是順序示出在根據(jù)本發(fā)明范例實施例的用于制造液晶顯示器的TFT陣列的方法中的每一階段的剖面圖；
[0018]圖10示出當垂直數(shù)據(jù)線和垂直柵線彼此相鄰設置時，使黑矩陣的線寬度變寬的范例；以及
[0019]圖11示出形成在根據(jù)本發(fā)明范例實施例的液晶顯示器中的邊框中的線的范例?！揪唧w實施方式】
[0020]現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的實施例，附圖中示出了這些實施例的范例。盡可能在整個附圖中使用相同的附圖標記表示相同或者類似的部件。應注意的是，如果確定已知技術可能會誤導本發(fā)明的實施例，將省略對已知技術的詳細說明。
[0021]下文說明中使用的組件名稱是考慮到簡化說明書而選擇的，因而可能與在實際產(chǎn)品中使用的組件名稱不同。
[0022]如圖1至圖3所示,根據(jù)本發(fā)明范例實施例的液晶顯示器包括顯示面板PNL,驅(qū)動器集成電路(IC) DIC (或者10)，時序控制器TCON (或者12)等等。
[0023]根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器可以按照所有已知的液晶模式來實現(xiàn)，所述液晶模式包括扭曲向列(TN)模式、垂直取向(VA)模式，共面切換(IPS)模式，邊緣場切換(FFS)模式等等。此外，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器可以作為任何類型的液晶顯示器來實現(xiàn)，包括透射型液晶顯示器、透反型液晶顯示器和反射型液晶顯示器。
[0024]顯示面板PNL包括位于液晶單元Clc的兩相對側(cè)上的上基板和下基板。像素陣列區(qū)域包括以矩陣形式布置的像素，該顯示面板PNL的視頻數(shù)據(jù)在該像素陣列區(qū)域中顯示。所述像素陣列包括在顯示面板PNL的下基板上形成的薄膜晶體管(TFT)陣列，和在顯示面板PNL的上基板上形成的濾色器陣列。TFT陣列包括垂直線和水平線。垂直線是沿著顯示面板PNL的垂直方向(B卩，圖1的y軸方向)形成。水平線是沿著顯示面板PNL的水平方向(即，圖1的X軸方向)形成，并以直角與所述垂直線交叉。垂直線包括垂直數(shù)據(jù)線DL、垂直公共電壓線COML和垂直柵線VGL。垂直公共電壓線COML從電源電路(未示出)接收公共電壓Vcom。水平線包括經(jīng)由垂直柵線VGL接收柵極脈沖的水平柵線GL。水平柵線GL分別連接到各垂直柵線VGL，并經(jīng)由各垂直柵線VGL來接收柵極脈沖。
[0025]薄膜晶體管(TFT)是在TFT陣列的垂直數(shù)據(jù)線DL和水平柵線GL之間的每一交叉處形成。TFT響應于來自水平柵線GL的柵極脈沖，將數(shù)據(jù)電壓從垂直數(shù)據(jù)線DL提供到液晶單元Clc的像素電極I。每一個液晶單元Clc是由經(jīng)由TFT而充入數(shù)據(jù)電壓的像素電極I與施加有公共電壓Vcom的公共電極2之間的電壓差來驅(qū)動的。經(jīng)由指定成一些垂直線的垂直公共電壓線C0ML，將公共電壓Vcom施加到所有像素的公共電極(通過圖8和圖9中的‘COM’表示)。存儲電容器Cst與每一液晶單元Clc連接，并在一個幀周期期間均勻地保持液晶單元Clc的電壓。濾色器陣列包括濾色器和黑矩陣。偏振板分別附裝到顯示面板PNL的上基板和下基板。分別在顯示面板PNL的上基板和下基板上形成用于設置液晶的預傾角的取向?qū)印?br>
[0026]驅(qū)動器IClO包括多個源極驅(qū)動器IC SIC和多個柵極驅(qū)動器IC GIC0如圖3中所示，在例如膜上芯片(COF)的柔性印刷電路板(FPCB)上安裝源極驅(qū)動器IC SIC和柵極驅(qū)動器IC GIC0源極驅(qū)動器IC SIC和柵極驅(qū)動器IC GIC兩者都安裝在一個COF上。將COF的輸入端子接合至印刷電路板(PCB)，將COF的輸出端子接合至顯示面板PNL的下基板。COF包括在連接到源極驅(qū)動器IC SIC的線(由圖3中的虛線表示)和連接到柵極驅(qū)動器IC GIC的線(由圖3中的實線表示)之間的絕緣層，由此使源極驅(qū)動器IC的線與柵極驅(qū)動器IC GIC的線彼此電氣隔離。
[0027]每一源極驅(qū)動器IC SIC在時序控制器12的控制下，對輸入圖像的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)進行采樣，隨后鎖存數(shù)字視頻數(shù)據(jù)，從而將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為并行數(shù)據(jù)。源極驅(qū)動器ICSIC在時序控制器12的控制下，使用模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬伽馬補償電壓，以生成數(shù)據(jù)電壓。源極驅(qū)動器IC SIC隨后將數(shù)據(jù)電壓提供至垂直數(shù)據(jù)線DL0每一柵極驅(qū)動器IC GIC在時序控制器12的控制下，將與數(shù)據(jù)電壓同步的柵極脈沖(或者掃描脈沖)順序提供到垂直柵線VGL。
[0028]所有驅(qū)動器IC都是形成在與顯示面板PNL的上側(cè)連接的COF上，并且柵極脈沖經(jīng)由垂直柵線VGL而被施加到水平柵線GL。因而，柵極驅(qū)動器IC GIC不必接合到、或者嵌入顯示面板PNL的左邊緣和右邊緣。而且，在顯示面板PNL的左邊緣和右邊緣不形成用于連接水平柵線GL和柵極驅(qū)動器IC GIC的布線線路。結(jié)果，可使顯示面板PNL的左邊緣和右邊緣的邊框BZ的厚度以及顯示面板PNL的下邊緣的邊框BZ的厚度最小化。
[0029]時序控制器12將從主機系統(tǒng)14 (或者SYSTEM)接收的輸入圖像的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸?shù)皆礃O驅(qū)動器IC SIC。時序控制器12從主機系統(tǒng)14接收時序信號，比如垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、數(shù)據(jù)使能信號DE和主時鐘CLK。時序信號與輸入圖像的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)同步。時序控制器12使用時序信號Vsync、Hsync、DE和CLK，生成用于控制源極驅(qū)動器IC SIC的操作時序的源極時序控制信號，和用于控制柵極驅(qū)動器IC GIC的操作時序的柵極時序控制信號。
[0030]主機系統(tǒng)14可以作為電視系統(tǒng)、機頂盒、導航系統(tǒng)、DVD播放器、藍光播放器、個人計算機(PC)、家庭影院系統(tǒng)和電話系統(tǒng)之一來實現(xiàn)。主機系統(tǒng)14將輸入圖像的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為適合于顯示面板PNL的格式。主機系統(tǒng)14將輸入圖像的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)以及時序信號Vsync、Hsync、DE和CLK傳輸至時序控制器12。
[0031]當按如圖4中所示配置像素陣列時，可以僅僅通過m條垂直線，將數(shù)據(jù)電壓、公共電壓和柵極脈沖提供至在顯示面板PNL的一條線上布置的m個像素，其中m是等于或者大于2的正整數(shù)。因而，本發(fā)明的實施例可以在形成m條垂直線和η條水平線時，實現(xiàn)具有圖4中所示結(jié)構(gòu)的像素陣列的分辨率‘m (水平像素的數(shù)目)*n/2 (垂直像素的數(shù)目)’，其中η是等于或者大于2的正整數(shù)。
[0032]圖4部分地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的像素陣列。圖5示出垂直柵線和水平柵線之間的連接范例。圖6是施加到圖4中所示像素陣列的數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖的范例的波形圖。在圖4-6中，“D1至D5”表示垂直數(shù)據(jù)線，“VG1至VGn”表示垂直柵線，“C0ML”表示垂直公共電壓線，“G1至Gn”表示水平柵線，“Tl至T16”表示TFT，“PIX1至PIX16”表示像素電極。
[0033]如圖4-6所示，在水平方向上彼此相鄰設置的像素之間，僅僅存在一條垂直線。例如，在水平相鄰的第一像素電極PIXl和第二像素電極PIX2之間，僅僅設置第一垂直柵線VGl。而且，在水平相鄰的第二像素電極PIX2和第三像素電極PIX3之間，僅僅設置第二垂直數(shù)據(jù)線D2，在水平相鄰的第三像素電極PIX3和第四像素電極PIX4之間，僅僅設置第三垂直柵線VG3。這種布置垂直線的方法可以減少在水平方向上彼此相鄰設置的像素之間所形成的黑矩陣的寬度。而另一方面，如圖10中所示，提供一種用于在水平方向上彼此相鄰設置的像素之間的邊界處，設置垂直數(shù)據(jù)線和垂直柵線的方法。然而，該方法增加了黑矩陣的寬度W，由此降低了像素的孔徑比。
[0034]本發(fā)明的實施例使用具有圖4所示結(jié)構(gòu)的像素陣列，在一個幀周期期間，將具有相同極性的數(shù)據(jù)電壓輸出到垂直數(shù)據(jù)線，由此降低了源極驅(qū)動器IC SIC的功耗和發(fā)熱量并實現(xiàn)了像素陣列中的點反轉(zhuǎn)。因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器的圖像質(zhì)量得到了改善。本發(fā)明的實施例通過使用具有圖4所示結(jié)構(gòu)的像素陣列，在不增加垂直線的數(shù)目的情況下，可以減少垂直數(shù)據(jù)線的數(shù)目，并且還額外包括垂直柵線和垂直公共電壓線。因而，本發(fā)明的實施例可以僅僅通過m條垂直線，將數(shù)據(jù)電壓、公共電壓和柵極脈沖提供到在顯示面板PNL的一條水平線上布置的m個像素。本發(fā)明的實施例可以實現(xiàn)具有圖4中所示結(jié)構(gòu)的像素陣列的分辨率‘m (水平像素的數(shù)目)*n/2 (垂直像素的數(shù)目)’。
[0035]例如，當像素陣列的分辨率是‘5760X1080’的時候，當使用具有圖4中所示結(jié)構(gòu)的像素陣列時，垂直數(shù)據(jù)線的數(shù)目是2880，垂直柵線的數(shù)目和水平柵線的數(shù)目的總和是2160(=1080X2)，垂直公共電壓線的數(shù)目是720。在相同水平線上布置的像素中，每8個像素設置一條垂直公共電壓線。因而，當像素陣列的分辨率是‘5760X 1080’的時候，垂直數(shù)據(jù)線的數(shù)目、垂直柵線的數(shù)目和垂直公共電壓線的數(shù)目的總和(即垂直線的總數(shù)目)是5760。在具有一般結(jié)構(gòu)的像素陣列中，當所述一般像素陣列的分辨率是‘5760X 1080’的時候，需要的垂直數(shù)據(jù)線是5700。
[0036]如圖4和圖5中所示，在第N幀周期期間，將正數(shù)據(jù)電壓提供至顯示面板PNL的奇數(shù)垂直數(shù)據(jù)線D1、D3和D5，其中N是正整數(shù)。位于顯示面板PNL的左端的第一垂直數(shù)據(jù)線Dl和位于顯示面板PNL的右端的垂直數(shù)據(jù)線Dm通過源極驅(qū)動器IC SIC的相同輸出通道來接收數(shù)據(jù)電壓，并通過與其他垂直數(shù)據(jù)線D2至Dm-1 —樣的方式在每一個水平周期中接收數(shù)據(jù)電壓。例如，位于左端的第一垂直數(shù)據(jù)線Dl和位于右端的垂直數(shù)據(jù)線Dm彼此連接，并可連接到第一源極驅(qū)動器IC SIC的第一輸出通道。通過第一源極驅(qū)動器IC SIC的第一輸出通道，將對位于顯示面板PNL的奇數(shù)水平線左端的紅色像素R和綠色像素G進行充電的紅色和綠色數(shù)據(jù)電壓提供到位于左端的垂直數(shù)據(jù)線。隨后，在下一水平周期期間，通過第一源極驅(qū)動器IC SIC的第一輸出通道，將對位于顯示面板PNL的奇數(shù)水平線右端的綠色像素G和藍色像素B進行充電的綠色和藍色數(shù)據(jù)電壓提供到位于右端的垂直數(shù)據(jù)線。
[0037]在第N幀周期期間，將負數(shù)據(jù)電壓提供給顯示面板PNL的偶數(shù)垂直數(shù)據(jù)線D2和D4。施加到垂直數(shù)據(jù)線Dl至D5的數(shù)據(jù)電壓的極性在第N幀周期期間保持相同極性，隨后在第(N+1)幀周期中反轉(zhuǎn)。因而，因為施加到垂直數(shù)據(jù)線Dl至D5的數(shù)據(jù)電壓在一幀周期期間保持相同極性，所以降低了源極驅(qū)動器IC SIC的電流。因此，極大地降低了源極驅(qū)動器IC SIC的功耗和發(fā)熱量。
[0038]在顯示面板PNL的第一水平線上，在第一垂直柵線VGl的兩相對側(cè)上彼此水平相鄰的第一像素和第二像素被依次充入經(jīng)由第一垂直數(shù)據(jù)線Dl提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓。更具體地說，經(jīng)由第一 TFT Tl，第一像素被充入具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓，隨后經(jīng)由第二 TFT T2，第二像素被充入具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓。
[0039]第一 TFT Tl是在第一垂直數(shù)據(jù)線Dl和第一水平柵線Gl的交叉處形成，并與第一像素電極PIXl連接。第一 TFT Tl的柵電極與第一水平柵線Gl連接，第一 TFT Tl的漏電極與第一垂直數(shù)據(jù)線Dl連接。第一 TFT Tl的源電極與第一像素電極PIXl連接。響應于經(jīng)由第一垂直柵線VGl和第一水平柵線Gl而施加到第一 TFT Tl的柵電極的第一柵極脈沖，第一 TFT Tl導通。當?shù)谝?TFT Tl導通時，通過第一 TFT Tl，將經(jīng)由第一垂直數(shù)據(jù)線Dl提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第一像素電極PIX1。第二 TFT T2是在第一垂直數(shù)據(jù)線Dl和第二水平柵線G2的交叉處形成，并與第二像素電極PIX2連接。第二 TFT T2的柵電極與第二水平柵線G2連接，第二 TFT T2的漏電極與第一垂直數(shù)據(jù)線Dl連接。第二 TFTT2的源電極跨越第一垂直柵線VG1，與第二像素電極PIX2連接。響應于經(jīng)由第二垂直柵線VG2和第二水平柵線G2而施加到第二 TFT T2的柵電極的第二柵極脈沖，第二 TFT T2導通。當?shù)诙?TFT T2導通時，通過第二 TFT T2，將經(jīng)由第一垂直數(shù)據(jù)線Dl提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第二像素電極PIX2。
[0040]在顯示面板PNL的第一水平線上,在第三垂直柵線VG3的兩相對側(cè)上彼此水平相鄰的第三像素和第四像素被依次充入經(jīng)由第二垂直數(shù)據(jù)線D2提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓。更具體地說，經(jīng)由第四TFT T4，第四像素被充入具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓，隨后經(jīng)由第三TFT T3，第三像素被充入具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓。
[0041]第三TFT T3是在第二垂直數(shù)據(jù)線D2和第二水平柵線G2的交叉處形成，并與第三像素電極PIX3連接。第三TFT T3的柵電極與第二水平柵線G2連接，第三TFT T3的漏電極與第二垂直數(shù)據(jù)線D2連接。第三TFT T3的源電極與第三像素電極PIX3連接。響應于經(jīng)由第二垂直柵線VG2和第二水平柵線G2而施加到第三TFT T3的柵電極的第二柵極脈沖，第三TFT T3導通。當?shù)谌齌FT T3導通的時候，通過第三TFT T3，將經(jīng)由第二垂直數(shù)據(jù)線D2提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第三像素電極PIX3。第四TFT T4是在第二垂直數(shù)據(jù)線D2和第一水平柵線Gl的交叉處形成，并與第四像素電極PIX4連接。第四TFT T4的柵電極與第一水平柵線Gl連接，第四TFT T4的漏電極與第二垂直數(shù)據(jù)線D2連接。第四TFT T4的源電極跨越第三垂直柵線VG3，與第四像素電極PIX4連接。響應于經(jīng)由第一垂直柵線VGl和第一水平柵線Gl而施加到第四TFT T4的柵電極的第一柵極脈沖，第四TFT T4導通。當?shù)谒腡FT T4導通的時候，通過第四TFT T4，將經(jīng)由第二垂直數(shù)據(jù)線D2提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第四像素電極PIX4。
[0042]在顯示面板PNL的第一水平線上，在第五垂直柵線VG5的相對側(cè)上彼此水平相鄰的第五像素和第六像素被依次充入經(jīng)由第三垂直數(shù)據(jù)線D3提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓。更具體地說，經(jīng)由第六TFT T6，第六像素被充入具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓，隨后經(jīng)由第五TFT T5，第五像素被充入具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓。
[0043]第五TFT T5是在第三垂直數(shù)據(jù)線D3和第二水平柵線G2的交叉處形成，并與第五像素電極PIX5連接。第五TFT T5的柵電極與第二水平柵線G2連接，第五TFT T5的漏電極與第三垂直數(shù)據(jù)線D3連接。第五TFT T5的源電極與第五像素電極PIX5連接。響應于經(jīng)由第二垂直柵線VG2和第二水平柵線G2而施加到第五TFT T5的柵電極的第二柵極脈沖，第五TFT T5導通。當?shù)谖錞FT T5導通的時候，通過第五TFT T5，將經(jīng)由第三垂直數(shù)據(jù)線D3提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第五像素電極PIX5。第六TFT T6是在第三垂直數(shù)據(jù)線D3和第一水平柵線Gl的交叉處形成，并與第六像素電極PIX6連接。第六TFT T6的柵電極與第一水平柵線Gl連接，第六TFT T6的漏電極與第三垂直數(shù)據(jù)線D3連接。第六TFT T6的源電極跨越第五垂直柵線VG5，與第六像素電極PIX6連接。響應于經(jīng)由第一垂直柵線VGl和第一水平柵線Gl而施加到第六TFT T6的柵電極的第一柵極脈沖，第六TFT T6導通。當?shù)诹鵗FT T6導通的時候，通過第六TFT T6，將經(jīng)由第三垂直數(shù)據(jù)線D3提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第六像素電極PIX6。
[0044]在顯示面板PNL的第一水平線上，在第一垂直公共電壓線COMLl的相對側(cè)上彼此水平相鄰的第七像素和第八像素被依次充入經(jīng)由第四垂直數(shù)據(jù)線D4提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓。更具體地說，經(jīng)由第七TFT T7，第七像素被充入具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓，隨后經(jīng)由第八TFT T8，第八像素被充入具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓。
[0045]第七TFT T7是在第四垂直數(shù)據(jù)線D4和第一水平柵線Gl的交叉處形成，并與第七像素電極PIX7連接。第七TFT T7的柵電極與第一水平柵線Gl連接，第七TFT T7的漏電極與第四垂直數(shù)據(jù)線D4連接。第七TFT T7的源電極與第七像素電極PIX7連接。響應于經(jīng)由第一垂直柵線VGl和第一水平柵線Gl而施加到第七TFT T7的柵電極的第一柵極脈沖，第七TFT T7導通。當?shù)谄逿FT T7導通的時候，通過第七TFT T7，將經(jīng)由第四垂直數(shù)據(jù)線D4提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第七像素電極PIX7。第八TFT T8是在第四垂直數(shù)據(jù)線D4和第二水平柵線G2的交叉處形成，并與第八像素電極PIX8連接。第八TFT T8的柵電極與第二水平柵線G2連接，第八TFT T8的漏電極與第四垂直數(shù)據(jù)線D4連接。第八TFT T8的源電極跨越第一垂直公共電壓線C0ML1，與第八像素電極PIX8連接。響應于經(jīng)由第二垂直柵線VG2和第二水平柵線G2而施加到第八TFT T8的柵電極的第二柵極脈沖，第八TFT T8導通。當?shù)诎薚FT T8導通的時候，通過第八TFT T8，將經(jīng)由第四垂直數(shù)據(jù)線D4提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第八像素電極PIX8。
[0046]在顯示面板PNL的第二水平線上，在第一垂直柵線VGl的相對側(cè)上彼此水平相鄰的第九像素和第十像素被依次充入經(jīng)由第二垂直數(shù)據(jù)線D2提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓。更具體地說，經(jīng)由第九TFT T9，第九像素被充入具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓，隨后經(jīng)由第十TFT T10，第十像素被充入具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓。
[0047]第九TFT T9是在第二垂直數(shù)據(jù)線D2和第二水平柵線G3的交叉處形成，并與第九像素電極PIX9連接。第九TFT T9的柵電極與第三水平柵線G3連接，第九TFT T9的漏電極與第二垂直數(shù)據(jù)線D2連接。第九TFT T9的源電極跨越第一垂直柵線VGl，與第九像素電極PIX9連接。響應于經(jīng)由第三垂直柵線VG3和第三水平柵線G3而施加到第九TFT T9的柵電極的第三柵極脈沖，第九TFT T9導通。當?shù)诰臫FT T9導通時，通過第九TFT T9，將經(jīng)由第二垂直數(shù)據(jù)線D2提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第九像素電極PIX9。第十TFTTlO是在第二垂直數(shù)據(jù)線D2和第四水平柵線G4的交叉處形成，并與第十像素電極PIXlO連接。第十TFT TlO的柵電極與第四水平柵線G4連接，第十TFT TlO的漏電極與第二垂直數(shù)據(jù)線D2連接。第十TFT TlO的源電極與第十像素電極PIXlO連接。響應于經(jīng)由第四垂直柵線VG4和第四水平柵線G4而施加到第十TFT TlO的柵電極的第四柵極脈沖，第十TFTTlO導通。當?shù)谑甌FT TlO導通時，通過第十TFT T10，將經(jīng)由第二垂直數(shù)據(jù)線D2提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第十像素電極PIX10。
[0048]在顯示面板PNL的第二水平線上，在第三垂直柵線VG3的相對側(cè)上彼此水平相鄰的第十一像素和第十二像素被依次充入經(jīng)由第三垂直數(shù)據(jù)線D3提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓。更具體地說，經(jīng)由第十二TFT T12，第十二像素被充入具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓，隨后經(jīng)由第十一 TFT T11，第十一像素被充入具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓。
[0049]第十一 TFT Tl I是在第三垂直數(shù)據(jù)線D3和第四水平柵線G4的交叉處形成，并與第十一像素電極PIXll連接。第H^一 TFT Tll的柵電極與第四水平柵線G4連接，第十一 TFTTll的漏電極與第三垂直數(shù)據(jù)線D3連接。第H^一 TFT Tll的源電極跨越第三垂直柵線VG3，與第十一像素電極PIXll連接。響應于經(jīng)由第四垂直柵線VG4和第四水平柵線G4而施加到第十一 TFT Tll的柵電極的第四柵極脈沖，第十一 TFT Tll導通。當?shù)谑?TFT Tll導通時，通過第十一 TFT T11，將經(jīng)由第三垂直數(shù)據(jù)線D3提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第十一像素電極PIX11。第十二 TFT T12是在第三垂直數(shù)據(jù)線D3和第三水平柵線G3的交叉處形成，并與第十二像素電極PIX12連接。第十二 TFT T12的柵電極與第三水平柵線G3連接，第十二 TFT T12的漏電極與第三垂直數(shù)據(jù)線D3連接。第十二 TFT T12的源電極與第十二像素電極PIX12連接。響應于經(jīng)由第三垂直柵線VG3和第三水平柵線G3而施加到第十二 TFT T12的柵電極的第三柵極脈沖，第十二 TFT T12導通。當?shù)谑?TFT T12導通時，通過第十二 TFT T12，將經(jīng)由第三垂直數(shù)據(jù)線D3提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第十二像素電極PIX12。
[0050]在顯示面板PNL的第二水平線上，在第五垂直柵線VG5的相對側(cè)上彼此水平相鄰的第十三像素和第十四像素被依次充入經(jīng)由第四垂直數(shù)據(jù)線D4提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓。更具體地說，經(jīng)由第十四TFT T14，第十四像素被充入具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓，隨后經(jīng)由第十三TFT T13，第十三像素被充入具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓。
[0051]第十三TFT T13是在第四垂直數(shù)據(jù)線D4和第四水平柵線G4的交叉處形成，并與第十三像素電極PIX13連接。第十三TFT T13的柵電極與第四水平柵線G4連接，第十三TFTT13的漏電極與第四垂直數(shù)據(jù)線D4連接。第十三TFT T13的源電極跨越第五垂直柵線VG5，與第十三像素電極PIX13連接。響應于經(jīng)由第四垂直柵線VG4`和第四水平柵線G4而施加到第十三TFT T13的柵電極的第四柵極脈沖，第十三TFT T13導通。當?shù)谑齌FT T13導通的時候，通過第十三TFT T13，將經(jīng)由第四垂直數(shù)據(jù)線D4提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第十三像素電極PIX13。第十四TFT T14是在第四垂直數(shù)據(jù)線D4和第三水平柵線G3的交叉處形成，并與第十四像素電極PIX14連接。第十四TFT T14的柵電極與第三水平柵線G3連接，第十四TFT T14的漏電極與第四垂直數(shù)據(jù)線D4連接。第十四TFT T14的源電極與第十四像素電極PIX14連接。響應于經(jīng)由第三垂直柵線VG3和第三水平柵線G3而施加到第十四TFT T14的柵電極的第三柵極脈沖，第十四TFT T14導通。當?shù)谑腡FT T14導通的時候，通過第十四TFT T14，將經(jīng)由第四垂直數(shù)據(jù)線D4提供的具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第十四像素電極PIX14。
[0052]在顯示面板PNL的第二水平線上，在第一垂直公共電壓線COMLl的相對側(cè)上彼此水平相鄰的第十五像素和第十六像素被依次充入經(jīng)由第五垂直數(shù)據(jù)線D5提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓。更具體地說，經(jīng)由第十五TFT T15，第十五像素被充入具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓，隨后經(jīng)由第十六TFT T16，第十六像素被充入具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓。
[0053]第十五TFT T15是在第五垂直數(shù)據(jù)線D5和第三水平柵線G3的交叉處形成，并與第十五像素電極PIX15連接。第十五TFT T15的柵電極與第三水平柵線G3連接，第十五TFTT15的漏電極與第五垂直數(shù)據(jù)線D5連接。第十五TFT T15的源電極跨越第一垂直公共電壓線COMLl，與第十五像素電極PIX15連接。響應于經(jīng)由第三垂直柵線VG3和第三水平柵線G3而施加到第十五TFT T15的柵電極的第三柵極脈沖，第十五TFT T15導通。當?shù)谑錞FT T15導通的時候，通過第十五TFT T15，經(jīng)由第五垂直數(shù)據(jù)線D5提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第十五像素電極PIX15。第十六TFT T16是在第五垂直數(shù)據(jù)線D5和第四水平柵線G4的交叉處形成，并與第十六像素電極PIX16連接。第十六TFT T16的柵電極與第四水平柵線G4連接，第十六TFT T16的漏電極與第五垂直數(shù)據(jù)線D5連接。第十六TFTT16的源電極與第十六像素電極PIX16連接。響應于經(jīng)由第四垂直柵線VG4和第四水平柵線G4而施加到第十六TFT T16的柵電極的第四柵極脈沖，第十六TFT T16導通。當?shù)谑鵗FT T16導通的時候，通過第十六TFT T16，將經(jīng)由第五垂直數(shù)據(jù)線D5提供的具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到第十六像素電極PIX16。
[0054]與一般像素結(jié)構(gòu)相比，在圖4中所示的像素結(jié)構(gòu)中，進一步降低了數(shù)據(jù)電壓的充電時間，而且進一步增加了垂直柵線的電阻長度和水平柵線的電阻長度的總和。因此，圖4中所示的像素結(jié)構(gòu)的RC可以增加，其中R是電阻，C是電容。如圖5和圖6中所示，垂直柵線和水平柵線之間的連接位置根據(jù)顯示面板PNL的位置而變化，從而降低了 RC延遲，并在考慮到RC增加的情況下，對數(shù)據(jù)電壓的充電量的損失進行補償。在圖5和圖6中，垂直柵線和水平柵線之間的交叉處的點部分，是經(jīng)由接觸孔而在垂直柵線和水平柵線之間進行連接的連接部。在顯示面板PNL的左半部分，垂直柵線VG1、VG3、...和VGn-1與奇數(shù)水平柵線GU G3、...和Gn-1連接。在顯示面板PNL的右半部分，垂直柵線VG2、VG4、...和VGn與偶數(shù)水平柵線G2、G4、...和Gnl連接。垂直柵線VG1、VG2、...和VGn與水平柵線G1、G2...和Gn之間的連接部被設置為，在所述連接部遠離驅(qū)動器IC DIC的同時，所述連接部向顯示面板PNL的中間靠近。因而，如圖6中所示，當將垂直柵線VG1、VG2、...和VGn，與水平柵線G1、G2、...和Gn之間的所述連接部彼此連接起來時，所述連接部具有V形。按照圖6中所示的垂直柵線的施加順序，柵極驅(qū)動器IC GIC開始將柵極脈沖施加到分別位于顯示面板PNL的左端和右端的第一垂直柵線VGl和第二垂直柵線VG2，并將柵極脈沖移動到位于顯示面板PNL的中間的第η垂直柵線VGn。
[0055]如果位于顯示面板PNL的左下端的像素經(jīng)由在顯示面板PNL的右下端形成的連接部來接收柵極脈沖，則柵極脈沖的RC延遲可能會增加，這是因為穿過所述連接部的線具有最大長度。因此，像素的充電量會降低。而另一方面，在本發(fā)明的實施例中，位于顯示面板PNL的左下端的像素經(jīng)由在顯示面板PNL的下部中間位置形成的連接部來接收柵極脈沖，因而穿過所述連接部的線長度減少。因此，柵極脈沖的RC延遲相對減少，像素的充電量增加。
[0056]IPS模式和FFS模式具有能夠?qū)崿F(xiàn)視角的優(yōu)點。在IPS模式中，因為像素電極和公共電極是在相同水平面上彼此分離開，所以在像素電極和公共電極之間形成水平電場。而且，在IPS模式中，因為在像素電極和公共電極所占據(jù)的空間中沒有形成水平電場，因此存在液晶的非驅(qū)動區(qū)域。因此，在孔徑比、亮度、對比度等方面存在損失。而另一方面，在FFS模式中，公共電極COM和像素電極PXL都是在顯示面板PNL的下基板上形成的。在這一情況下，公共電極COM和像素電極PXL在彼此重疊的同時，形成階梯狀外形。因而，在FFS模式中，公共電極COM和像素電極PXL使用邊緣場，極大地增加了在像素區(qū)域中的水平電場的形成區(qū)域。因此，與IPS模式中的孔徑比、亮度和對比度相比，F(xiàn)FS模式中的孔徑比、亮度和對比度可以得到進一步改善。
[0057]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器中的FFS模式的TFT陣列的平面圖。圖8是沿圖7的線1-1、I1-1I和II1-1II獲得的剖視圖。圖7和圖8示出了 FFS模式的TFT陣列來作為例子。然而，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器可以以任何液晶模式來實現(xiàn)，而不局限于FFS模式。
[0058]如圖7和圖8中所示，在基板SUBS上形成柵極金屬圖案。柵極金屬圖案包括水平柵線Gl至Gn，柵極焊盤GPAD (參看圖9A至9G)，和數(shù)據(jù)焊盤DPAD (參看圖9A至9G)。柵極焊盤GPAD經(jīng)由接觸孔而分別連接到垂直柵線VGl至VGn，并且分別連接到柵極驅(qū)動器ICGIC的輸出端子。從柵極驅(qū)動器IC GIC輸出的柵極脈沖，經(jīng)由柵極焊盤GPAD而被施加到垂直柵線VGl至VGn和水平柵線Gl至Gn。數(shù)據(jù)焊盤GPAD經(jīng)由接觸孔而分別連接到垂直數(shù)據(jù)線Dl至Dm，并且分別連接到源極驅(qū)動器IC SIC的輸出端子。從源驅(qū)動器IC SIC輸出的數(shù)據(jù)電壓，經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DPAD而被施加到垂直數(shù)據(jù)線Dl至Dm。
[0059]在柵極金屬圖案上形成柵絕緣層GI，在柵絕緣層GI上形成半導體有源圖案。在半導體有源圖案上形成源極-漏極金屬圖案。所述半導體有源圖案和源極-漏極金屬圖案是同時構(gòu)圖的，并以相同形狀層疊。所述源極-漏極金屬圖案包括垂直數(shù)據(jù)線D3和D4(參看圖8)，垂直柵線VG5 (參看圖8)，和垂直公共電壓線COML (參看圖8)。
[0060]在柵絕緣層GI上形成第一鈍化層PAS1，以使該第一鈍化層PASl覆蓋所述源極-漏極金屬圖案，并在第一鈍化層PASl上形成厚有機保護層PAC。有機保護層PAC可以由光丙烯類形成。如果所述源極-漏極金屬圖案移位，則像素的柵極-源極電容Cgs會產(chǎn)生偏差。因而，會在垂直公共電壓線COML的左像素和右像素的柵極-源極電容Cgs之間、以及在垂直柵線的左像素和右像素的柵極-源極電容Cgs之間存在差異。在這種情況下，因為水平相鄰像素的回彈電壓AVp (kick back voltage)彼此不同，因此，即使將相同數(shù)據(jù)電壓施加到水平相鄰像素，所述水平相鄰像素的亮度仍然可能會存在差異。因為有機保護層PAC具有低介電常數(shù)，并且很厚，因此，如果在柵極金屬圖案和像素電極之間形成有機保護層PAC，則可以降低像素的柵極-源極電容Cgs之間的偏差。通過薄薄地形成由例如硅的氮化物(SiNx)制成的無機絕緣層，形成第一鈍化層PAS1。因為當有機保護層PAC和半導體有源圖案彼此直接接觸時產(chǎn)生漏電流，因此，在有機保護層PAC和半導體有源圖案之間形成第一鈍化層PAS1，由此來阻擋所述漏電流。
[0061]在有機保護層PAC上形成透明電極圖案。所述透明電極圖案由諸如氧化銦錫(ITO)之類的透明導電材料形成，并包括公共電極COM (ITO)和鏈接圖案LINK (ITO)0經(jīng)由垂直公共電壓線C0ML，將公共電壓Vcom提供到公共電極COM (ITO)0公共電極COM (ITO)穿過有機保護層PAC和第一鈍化層PASl，并經(jīng)由暴露垂直公共電壓線COML的接觸孔而與垂直公共電壓線COML連接。公共電極COM (ITO)與像素電極PIX (ITO)—起形成邊緣場。鏈接圖案LINK (ITO)與公共電極COM (ITO)同時形成，但是與公共電極COM (ITO)分離開。鏈接圖案LINK (ITO)經(jīng)由穿過有機保護層PAC和第一鈍化層PAS1、并暴露垂直柵線VG3 (參看圖8)的接觸孔，以及穿過有機保護層PAC、第一鈍化層PASl和柵絕緣層G1、并暴露水平柵線G3 (參看圖8)的接觸孔，將垂直柵線連接至水平柵線。
[0062]在透明電極圖案上形成第二鈍化層PAS2，并在第二鈍化層PAS2上使用透明電極圖案形成像素電極Pix (ΙΤ0)。通過薄薄地形成由例如硅的氮化物(SiNx)制成的無機絕緣層，形成弟二純化層PAS2。
[0063]可以使用在圖9A-9G中示出的7_掩模工序來形成圖7和圖8中所示的FFS模式的TFT陣列。圖9A-9G是順序示出在根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造液晶顯示器的TFT陣列的方法中的每一階段的剖面圖。
[0064]如圖9A中所不,第一掩模工序包括在基板SUBS上沉積柵極金屬層GM,在柵極金屬層GM上執(zhí)行光刻工藝，以及在柵極金屬上執(zhí)行濕蝕刻工藝以對柵極金屬層GM構(gòu)圖。所述柵極金屬可以是銅(Cu)、鋁(Al)、鋁釹(AlNd)以及鑰(Mo)中的一種金屬，或者Cu/MoTi的雙金屬。所述光刻工藝包括在柵極金屬層GM上涂覆光致抗蝕劑，在所述光致抗蝕劑上對準第一光掩模，以及對所述光致抗蝕劑進行曝光和顯影。蝕刻柵極金屬層GM，并且隨后使用剝離工藝去除剩余的光致抗蝕劑圖案。由柵極金屬層GM制成的柵極金屬圖案包括水平柵線Gl至Gn、柵極焊盤GPAD以及數(shù)據(jù)焊盤DPAD。通過在所述柵極金屬圖案和基板SUBS上沉積硅的氮化物(SiNx)，形成柵絕緣層GI。
[0065]如圖9B中所示，第二掩模工序包括在柵絕緣層GI上依次沉積非晶硅(a-Si)和源極-漏極金屬層SDM，并執(zhí)行光刻工藝。源極-漏極金屬可以由鑰(Mo)、鋁釹(AINd)、鉻(Cr)和銅(Cu)之一構(gòu)成。所述光刻工藝包括在源極-漏極金屬層SDM上涂覆光致抗蝕劑，在所述光致抗蝕劑上對準第二光掩模，即半色調(diào)掩模，并對所述光致抗蝕劑進行曝光和顯影。在所述光刻工藝中，由于所述半色調(diào)掩模，所以光致抗蝕劑的曝光量是局部不均勻的，并因此形成階梯狀光致抗蝕劑圖案。使用通過所述光刻工藝形成的所述階梯狀光致抗蝕劑圖案作為掩模，對源極-漏極金屬進行濕蝕刻，對非晶硅(a-Si)進行干蝕刻，以形成在半導體有源圖案ACT上層疊的源極-漏極金屬圖案。所述源極-漏極金屬圖案包括垂直數(shù)據(jù)線、垂直柵線和垂直公共電壓線。隨后，對所述光致抗蝕劑圖案執(zhí)行灰化工藝，以暴露出TFT的半導體溝道區(qū)域，然后對所述光致抗蝕劑圖案進行干蝕刻。因此，去除在TFT的半導體溝道區(qū)域中暴露出的歐姆接觸層。
[0066]如圖9C中所示，第三掩模工序包括沉積硅的氮化物(SiNx)，施用光丙烯酸，和執(zhí)行光刻工藝。所述光刻工藝包括在光丙烯酸上對準第三光掩模，并對光丙烯酸進行曝光和顯影。作為第三掩模工序的結(jié)果，形成第一鈍化層PASl和有機保護層PAC。有機保護層PAC具有用于暴露出第一鈍化層PASl的接觸孔。
[0067]如圖9D中所示，第四掩模工序包括在第四光掩模在光丙烯酸上對準的狀態(tài)下，對第一鈍化層PASl進行蝕刻，并通過剝離工藝去除蝕刻的第一鈍化材料。作為第四掩模工序的結(jié)果，形成穿過有機保護層PAC和第一鈍化層PASl、并暴露垂直公共電壓線COML的接觸孔。
[0068]如圖9E中所示，第五掩模工序包括在有機保護層PAC上沉積諸如氧化銦錫(ITO)之類的透明導電材料，并執(zhí)行光刻工藝。所述光刻工藝包括在氧化銦錫上涂覆光致抗蝕劑，在所述光致抗蝕劑上對準第五光掩模，以及對所述光致抗蝕劑進行曝光和顯影。第五掩模工序還包括使用通過所述光刻工藝形成的光致抗蝕劑圖案來濕蝕刻氧化銦錫，并對氧化銦錫執(zhí)行剝離工藝。結(jié)果，形成諸如公共電極COM (ITO)和鏈接圖案LINK (ITO)之類的透明電極圖案。公共電極COM (ITO)經(jīng)由穿過有機保護層PAC和第一鈍化層PASl的接觸孔，而與垂直公共電壓線COML連接。
[0069]如圖9F中所示，第六掩模工序包括在透明電極圖案和有機保護層PAC上沉積硅的氮化物(SiNx)，以形成第二鈍化層PAS2，并執(zhí)行光刻工藝。所述光刻工藝包括在第二鈍化層PAS2上涂覆光致抗蝕劑，在所述光致抗蝕劑上對準第六光掩模，以及對所述光致抗蝕劑進行曝光和顯影。第六掩模工序還包括使用通過所述光刻工藝形成的光致抗蝕劑圖案來干蝕刻第二鈍化層PAS2，并對第二鈍化層PAS2執(zhí)行剝離工藝。結(jié)果，去除第二鈍化層PAS2的一部分，從而形成柵極焊盤GPAD、數(shù)據(jù)焊盤DPAD和暴露出TFT的源電極的接觸孔。
[0070]如圖9G中所示，第七掩模工序包括在第二鈍化層PAS2上沉積諸如氧化銦錫(ΙΤ0)之類的透明導電材料，并執(zhí)行光刻工藝。所述光刻工藝包括在氧化銦錫上涂覆光致抗蝕劑，在所述光致抗蝕劑上對準第七光掩模，以及對所述光致抗蝕劑進行曝光和顯影。第七掩模工序還包括使用通過光刻工藝形成的光致抗蝕劑圖案來濕蝕刻氧化銦錫，并對氧化銦錫執(zhí)行剝離工藝。結(jié)果，形成包括像素電極PIX (ΙΤ0)、焊盤上電極等等的透明電極圖案。像素電極PIX (ITO)經(jīng)由穿過第二鈍化層PAS2和有機保護層PAC的接觸孔，與TFT的源電極連接。所述焊盤上電極經(jīng)由穿過第二鈍化層PAS2、有機保護層PAC、第一鈍化層PASl和柵絕緣層GI的接觸孔，與柵極焊盤GPAD和數(shù)據(jù)焊盤DPAD的柵極金屬圖案連接。
[0071]圖9A-9G示出7-掩模工序。然而，根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造液晶顯示器的方法不限于此。
[0072]如上所述，本發(fā)明的實施例經(jīng)由包括垂直數(shù)據(jù)線、垂直柵線和垂直公共電壓線的垂直線，提供驅(qū)動顯示面板所需要的所有信號。結(jié)果，本發(fā)明的實施例可以將顯示面板的左偵U、右側(cè)和下側(cè)的邊框?qū)挾冉抵链蠹s1.0毫米或者更小。如圖11中所示，可以在邊框BZ內(nèi)形成一條公共電壓線C0ML2和一條接地線GNDL?？梢允褂脰艠O金屬圖案和源極-漏極金屬圖案形成公共電壓線C0ML2和接地線GNDL。不在邊框BZ內(nèi)形成除了公共電壓線C0ML2和接地線GNDL之外的線。在圖11中，將公共電壓Vcom提供到公共電壓線C0ML2，并且可以將地電平電壓，比如零伏，施加到接地線GNDL。公共電壓線C0ML2和接地線GNDL經(jīng)由靜電電路(未示出)而與垂直數(shù)據(jù)線的一端和另一端連接，并被安裝用于防止靜電。當在顯示面板PNL的像素陣列中產(chǎn)生靜電時，靜電穿過所述靜電電路，并通過在邊框BZ中形成的公共電壓線C0ML2和接地線GNDL而放電。在邊框BZ中形成的公共電壓線C0ML2與像素陣列內(nèi)的垂直公共電壓線COML連接，并將公共電壓Vcom提供給位于像素陣列下側(cè)的像素的公共電極2，由此向像素提供均勻的公共電壓Vcom。
[0073]如上所述，本發(fā)明的實施例通過包括垂直數(shù)據(jù)線、垂直柵線和垂直公共電壓線的垂直線，提供驅(qū)動顯示面板所需要的所有要求，由此將顯示面板的左側(cè)、右側(cè)和下側(cè)的每一側(cè)的邊框?qū)挾冉抵链蠹s1.0毫米或者更小。
[0074]本發(fā)明的實施例通過一條垂直數(shù)據(jù)線，以時分方式將數(shù)據(jù)電壓提供給相鄰像素，由此使垂直線的數(shù)目最小化。而且，由于從源極驅(qū)動器IC輸出的數(shù)據(jù)電壓的極性在一個幀周期期間保持為相同極性，因此可以使源極驅(qū)動器IC的功耗和發(fā)熱量最小化。
[0075]此外，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器將垂直柵線和水平柵線之間的連接部設置為，在所述連接部遠離源極驅(qū)動器IC的同時，所述連接部向顯示面板的中間靠近，由此降低了像素的充電量的偏差。
[0076]盡管已經(jīng)參考多個例證性的實施例描述了實施方式，但是應當被理解的是:可以由本領域技術人員構(gòu)思出屬于本公開內(nèi)容的原理范圍內(nèi)的大量其他修改方案和實施方案。尤其是，可以對屬于本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求內(nèi)的主題組合方案的組成部件和/或結(jié)構(gòu)作出各種變化和修改。除了組成部件和/或結(jié)構(gòu)的變化和修改之外，替代使用對于本領域技術人員而言也是清楚明白的。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示器，包括: 包括垂直線、水平線和像素的顯示面板；和 驅(qū)動器集成電路，配置為經(jīng)由所述垂直線，將數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖提供到所述像素，其中，所述垂直線包括被提供有數(shù)據(jù)電壓的垂直數(shù)據(jù)線，被提供有柵極脈沖的垂直柵線，和被提供有公共電壓的垂直公共電壓線， 其中，所述水平線包括水平柵線，所述水平柵線與所述垂直柵線連接，并經(jīng)由所述垂直柵線接收柵極脈沖。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中在所述顯示面板的水平相鄰的像素之間設置一條垂直線。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中當位于所述顯示面板的一條線上的像素的數(shù)目是‘m’，其中m是等于或者大于2的正整數(shù)時，則所述垂直線的數(shù)目是‘m’， 其中當所述顯示面板中的垂直線的數(shù)目和水平線的數(shù)目分別是‘m’和‘η’，其中η是等于或者大于2的正整數(shù)時，則所述顯示面板的像素陣列的分辨率是‘m*n/2’。
4.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中所述驅(qū)動器集成電路包括: 源極驅(qū)動器集成電路，用于輸出所述數(shù)據(jù)電壓；以及 柵極驅(qū)動器集成電路，用于輸出所述柵極脈沖， 其中，所述源極驅(qū)動器集成電路和所述柵極驅(qū)動器集成電路都安裝在膜上芯片上。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中在一個幀周期期間，所述源極驅(qū)動器IC將具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓提供到奇數(shù)垂直數(shù)據(jù)線，將具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓提供到偶數(shù)垂直數(shù)據(jù)線， 其中，在一個幀周期期間，提供到每一垂直數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓保持為一種極性。
6.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中在所述垂直柵線和所述水平柵線之間的連接部被設置為，在所述連接部遠離所述驅(qū)動器IC的同時，所述連接部向所述顯示面板的中間 罪近。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中在所述顯示面板中，在所述垂直柵線和所述水平柵線之間的所述連接部具有V形。
8.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中使用在所述顯示面板的基板上形成的柵極金屬圖案，形成所述水平線， 其中，位于所述柵極金屬圖案上的半導體圖案和源極-漏極金屬圖案層疊，以形成所述垂直線， 其中，在所述垂直線和所述水平線之間形成柵絕緣層。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中在所述垂直線和所述柵絕緣層上層疊第一鈍化層和有機保護層， 其中，在所述有機保護層上形成由透明導電材料形成的像素的公共電極和鏈接圖案， 其中，在所述公共電極和所述鏈接圖案上形成第二鈍化層， 其中，在所述第二鈍化層上形成所述像素的像素電極， 其中，所述鏈接圖案經(jīng)由穿過所述有機保護層和所述第一鈍化層、并暴露所述垂直柵線的接觸孔，以及穿過所述有機保護層、所述第一鈍化層和所述柵絕緣層、并暴露所述水平柵線的接觸孔，將所述垂直柵線連接到所述水平柵線。
10.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中在所述顯示面板中，在包括所述像素的像素陣列的形成區(qū)域外部的邊框區(qū)域中，形成有被提供有公共電壓的公共電壓線，和被提供有地電平電壓的接地線。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中所述顯示面板中的所述邊框區(qū)域的寬度等于或者小于大約1.0毫米。
12.一種制造液晶顯示器的方法，包括: 在基板上形成垂直線和與所述垂直線交叉的水平線，并在所述基板上形成多個像素，以制造顯示面板；以及 將驅(qū)動器集成電路連接到所述顯示面板，所述驅(qū)動器集成電路經(jīng)由所述垂直線而將數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖提供到所述像素， 其中，所述垂直線包括被提供有所述數(shù)據(jù)電壓的垂直數(shù)據(jù)線，被提供有所述柵極脈沖的垂直柵線，和被提供有公共電壓的垂直公共電壓線， 其中，所述水平線包括水平柵線，所述水平柵線與所述垂直柵線連接，并經(jīng)由所述垂直柵線接收所述柵極脈沖。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述顯示面板的水平相鄰的像素之間設置一條垂直線。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中制造所述顯示面板還包括在包括所述像素的像素陣列的形成區(qū)域外部的邊框區(qū)域中，形成被提供有所述公共電壓的公共電壓線，和被提供有地電平電壓的接地線。
15.如權(quán)利要求14所述的方法`，其中所述顯示面板中的所述邊框區(qū)域的寬度等于或者小于大約1.0毫米。
16.一種制造液晶顯示器的方法，所述液晶顯示器包括具有垂直線、水平線和像素的顯示面板，以及經(jīng)由所述垂直線將數(shù)據(jù)電壓和柵極脈沖提供到所述像素的驅(qū)動器集成電路)，該方法包括: 使用在所述顯示面板的基板上形成的柵極金屬圖案，形成所述水平線； 在所述基板上形成柵絕緣層，以覆蓋所述水平線； 在所述柵絕緣層上層疊半導體圖案和源極-漏極金屬圖案，以形成所述垂直線； 在所述垂直線和所述柵絕緣層上層疊第一鈍化層和有機保護層； 在所述有機保護層上形成由透明導電材料形成的所述像素的公共電極和鏈接圖案； 其中，在所述公共電極和所述鏈接圖案上形成第二鈍化層， 在所述第二鈍化層上形成所述像素的像素電極， 其中，所述垂直線包括被提供有所述數(shù)據(jù)電壓的垂直數(shù)據(jù)線、被提供有所述柵極脈沖的垂直柵線、和被提供有公共電壓的垂直公共電壓線， 其中，所述水平線包括水平柵線，所述水平柵線與所述垂直柵線連接，并經(jīng)由所述垂直柵線接收柵極脈沖。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在所述顯示面板的水平相鄰的像素之間設置一條垂直線。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述鏈接圖案經(jīng)由穿過所述有機保護層和所述第一鈍化層、并暴露所述垂直柵線的接觸孔，以及穿過所述有機保護層、所述第一鈍化層和所述柵絕緣層、并暴露所述水平柵線的接觸孔，將所述垂直柵線連接到所述水平柵線。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中當位于所述顯示面板的一條線上的像素的數(shù)目是‘m’，其中m是等于或者大于2的正整數(shù)時，則垂直線的數(shù)目是‘m’， 其中當所述顯示面板中的垂直線的數(shù)目和水平線的數(shù)目分別是‘m’和‘η’，其中η是等于或者大于2的正整數(shù)時，則所述顯示面板的像素陣列的分辨率是‘m*n/2’。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中將在所述垂直柵線和水平柵線之間的連接部設置為所述連接部接近顯示面板的中間，同時遠 離所述驅(qū)動器1C。
【文檔編號】G02F1/133GK103852944SQ201310138485
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年4月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】李敏職, 李世應, 李秉炫 申請人:樂金顯示有限公司